【課題】フリージング法を用いたダブルパターニング技術により形成されたフォトレジストマスクのトリミング工程において、得られる回路パターン寸法のウエハ面内の均一性を改善する。
【解決手段】半導体基板２０１上の積層化された薄膜２０２〜２０５と、積層化された薄膜上にフリージング法を用いたダブルパターンニング技術により形成されたフォトレジストマスクパターン２０６，２０８とを有する被処理材を、よりマスク寸法の小さいマスクパターンを形成するトリミング工程において、フリージング材料２０７に被覆されたフォトレジストマスクパターン２０６とフリージング材料に被覆されていないフォトレジストマスクパターン２０８を酸素ガス（Ｏ_２）を含む混合ガスを用いてマスクパターン２０６と２０８フのトリミングレートを同じにし、得られる回路パターン寸法のウエハ面内の均一性を改善する。 （もっと読む）

【課題】エッチング加工形状のウエハ面内における均一性が良好で、極微細加工、あるいは多層膜エッチングに好適なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部を減圧可能な減圧処理室８と、該減圧処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段９と、前記減圧処理室内にマイクロ波を供給してプラズマを生成するマイクロ波供給手段１と、前記減圧処理室内に被処理材である試料を載置して保持する試料載置電極１１と、前記減圧処理室に接続され該減圧処理室内のガスを排気する真空排気手段１４を備え、前記減圧処理室、ガス供給手段の処理室へのガス供給部、マイクロ波供給手段の処理室へのマイクロ波導入部、試料載置電極、および真空排気手段を前記減圧処理室の中心軸に対して同軸上に配置し、前記マイクロ波導入部は、入力されたマイクロ波の偏波面を回転させて前記処理室に供給するマイクロ波回転発生器２２を備えた。 （もっと読む）

【課題】どのようなプロセス条件に対しても均一で、かつ再現性がよいプラズマを発生させることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の導波管５は外側導体５ａと内側導体５ｂからなる軸管の部分と、軸管の上部にある矩形導波部５ｃとを備える。ねじ送り機構２０は、矩形導波部５ｃ上に内側導体５ｂを囲うように等間隔に４つ設けられ、平面上のどの方向にも内側導体５ｂを移動させることができる。ねじ送り機構２０は、押さえ板２１、固定ネジ２２、調整ネジ２３、ストッパ２４を備える。直接に内側導体５ｂを押さえ板２１で支持することができ、押さえ板２１に備えた固定ネジ２２を締めることで、内側導体５ｂの位置を固定する。調整ネジ２３により、内側導体５ｂを、外側導体５ａに触れない範囲内で移動させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】アンテナと誘電体窓の密着性を向上させ、異常放電を防止し、かつ、誘電体窓内の電磁界分布、したがってプラズマ密度分布を安定させることができる誘電体窓の製造方法、誘電体窓、およびその誘電体窓を用いるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１でのプラズマ処理時と同じ圧力条件下で、チャンバ２の内部に向けて凸状の撓みを発生させる。誘電体窓３の撓みを維持させながら、チャンバ２の外側に向かう面を平坦に研磨する。そのため、プラズマ処理時に、誘電体窓３の撓みが発生した場合であっても、アンテナ４に接する面は平坦とすることができ、誘電体窓３とアンテナ４の密着性を向上させることができ、異常放電を防止することができる。また、アンテナ４と冷却ジャケット７の密着性を保つことで冷却効率を維持し、温度影響が少なく、誘電体窓内の電磁界分布、したがってプラズマ密度分布を安定させることができる。 （もっと読む）

【課題】誘電体板の下面の形状を適正化する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１００は、内部にてプラズマが励起される処理容器１０と、処理容器１０の内部にプラズマを励起するためのマイクロ波を供給するマイクロ波源４０と、処理容器１０の内側に面し、マイクロ波源４０から供給されたマイクロ波を処理容器１０の内部に伝送させる誘電体板３１と、を備える。誘電体板３１には、誘電体板３１の基板Ｇに対向した平坦面に窪みｄが形成され、誘電体板３１の平坦面から窪みｄへの立ち上がり角は１０°〜５０°である。 （もっと読む）

マイクロ波プラズマを生成する装置、およびマイクロ波プラズマによって半導体基板を処理する装置および方法であって、マイクロ波プラズマ装置は、導電性材料からなる同軸の内部導体（２１）と、少なくとも部分的に同軸の内部導体を囲むとともに同軸の内部導体から間隔をおいて配置された導電性材料からなる同軸の外部導体（２２）とを備えた少なくとも１つの電極（２１，２２，２３）と、前記同軸の内部導体（２１）に接続されたプラズマ点火装置（２３）とを備え、前記同軸の外部導体（２２）は、同軸の外部導体が同軸の内部導体の長手方向の軸線に沿って同軸の内部導体（２１）を完全に囲む少なくとも１つの第１部分領域（３１）と、同軸の外部導体（２２）が同軸の内部導体（２１）を部分的に囲む少なくとも１つの別の部分領域（３２）とを備え、マイクロ波発生器（２０）によって発生したマイクロ波放射は同軸の内部導体（２１）の長手方向の軸線にほぼ直交した少なくとも１つの別の部分領域（３２）に出ることができる。
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【課題】ステージに対する電力供給や熱媒の循環を容易に行うことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理ガスをプラズマ化して、基板Ｇを処理するプラズマ処理装置１において、温度調節機構２０，２１を備えたステージ本体１３と、ステージ本体１３の上面に配置された回転部材３１と、回転部材３１を介してステージ本体１３の上面と一定間隔に保持するように配置された、基板Ｇを載置する均熱板１４と、均熱板１４を回転させる回転機構３６とを備える。ステージ本体１３の上方において均熱板１４のみが回転し、基板Ｇに対する均一なプラズマ処理が行われる。固定されたステージ本体１３に対して、電力供給や熱媒の循環を容易に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】長寿命化を実現することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１１に含まれる反応ガス供給部１３は、プラズマ処理用の反応ガスを処理容器１２内に供給する供給孔６６が処理容器１２内に露出される壁面に設けられたインジェクターベース６１を含む。誘電体板１６には、板厚方向に貫通し、インジェクターベース６１を収容するベース収容部６４が設けられている。インジェクターベース６１のうち、ベース収容部６４の壁面と対向する壁面には、ベース収容部６４の壁面と密着して処理容器１２を密封するＯリング６５が備えられている。ここで、処理容器１２内に露出される壁面と、Ｏリング６５が設けられた壁面との間には、壁面で構成される段差を有する。 （もっと読む）

【課題】長寿命化を実現することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１１は、その内部で被処理基板Ｗにプラズマ処理を行う処理容器１２と、処理容器１２内に配置され、その上に被処理基板Ｗを保持する保持台１４と、保持台１４と対向する位置に設けられ、マイクロ波を処理容器１２内に導入する誘電体板１６と、保持台１４に保持された被処理基板Ｗの中央領域に向かってプラズマ処理用の反応ガスを供給する反応ガス供給部１３とを備える。ここで、反応ガス供給部１３は、保持台１４と対向する対向面となる誘電体板１６の下面６３よりも誘電体板１６の内方側の後退した位置に配置されるインジェクターベース６１を含む。インジェクターベース６１には、プラズマ処理用の反応ガスを処理容器１２内に供給する供給孔６６が設けられている。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】ラジカルによる高速エッチングが可能なエッチング技術を提供する。
【解決手段】エッチングガス源３１から供給されるエッチングガスを、第一、第二のプラズマ形成室２１、２２内を流して真空槽１１内に導入する際に、マイクロ波発生装置３３で発生させたマイクロ波を第一のプラズマ形成室２１内に照射すると共に、コイル２３によって第二のプラズマ形成室２２内に交番磁界を形成し第一、第二のプラズマ形成室２１、２２内にプラズマを形成し、ラジカルを生成し、真空槽１１内に導入する。反応性が高いが短寿命のラジカルを真空槽１１に近い位置で生成することができる。 （もっと読む）

【課題】
生産性を高くすることのできるプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】
真空容器内部の処理室内に配置された試料台上面に載せられた試料をこの処理室内に形成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、前記試料台内に配置され内部を冷媒が通流する通路と、前記試料台の上面を構成する誘電体製の膜内に配置され同心上に配置された膜状のヒータと、前記通路を通して循環される前記冷媒の温度を各々異なる温度に調節する複数の温度調節器と、これら複数の温度調節器から供給される前記冷媒の前記通路を通した循環を切替える制御装置とを備えた。 （もっと読む）

【課題】
チャンバー部品を介してプロセス流体を処理システムに導入する方法及びシステムを提供する。
【解決手段】
チャンバー部品はチャンバー素子を有し、チャンバー素子は、その供給側の第１表面と、その処理側の第２表面とを有する。処理側は供給側の反対側である。さらに、チャンバー部品は、供給側から処理側までチャンバー素子を貫通して延在する流路を有し、この流路は、プロセス流体を受け入れるように構成された流入口と、このプロセス流体を分配するように構成された流出口とを有する。 （もっと読む）

【課題】 マイクロ波プラズマによる基板へのダメージを更に低減することが可能なマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 開示されるマイクロ波プラズマ処理装置１０は、内部を減圧に維持することが可能な処理容器１１と、処理容器１１内に設けられ、基板Ｓを保持する保持台１３と、処理容器１３内にガスを供給するガス供給部３１と、マイクロ波を発生するマイクロ波発生部２４と、保持台１３と対向して配置され、マイクロ波発生部２４により発生されたマイクロ波を処理容器１１内に導入するプラズマ導入部２０と、プラズマ導入部２０と保持台１３との間に配置されるメッシュプレート５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波の伝送路の変動を抑止する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１０は、ラジアルラインスロットアンテナ２０５から放出されたマイクロ波の電界エネルギーによりガスを励起させ、基板Ｇをプラズマ処理する。マイクロ波プラズマ処理装置１０は、内部にてプラズマ処理が行われる処理容器１００と、マイクロ波を出力するマイクロ波源３３５と、マイクロ波源から出力されたマイクロ波を伝送する矩形導波管３０５と、矩形導波管を伝送されたマイクロ波のモードを変換する同軸変換機３１０と、同軸変換機に対して摺動可能に連結された同軸導波管の内部導体３１５と、同軸変換機に接合され、前記同軸変換機と前記内部導体とを電気的に接続する第１のコンタクト部材３３０と、熱膨張によるラジアルラインスロットアンテナ及びその上部部材の変位を吸収する第１のバネ部材３７５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】多分岐部分にて特性インピーダンスを調整するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波によりガスを励起させて被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置は、処理容器と、マイクロ波源９００と、マイクロ波を伝送する伝送線路９００ａと、処理容器の内壁に設けられ、マイクロ波を処理容器内に放出する複数の誘電体板３０５と、複数の誘電体板３０５に隣接し、マイクロ波を複数の誘電体板３０５に伝送する複数の第１の同軸管６１０と、伝送線路９００ａを伝送したマイクロ波を複数の第１の同軸管６１０に分配して伝送する１段又は２段以上の同軸管分配器７００とを有する。同軸管分配器７００は、入力部Ｉｎを有する第２の同軸管６２０と第２の同軸管６２０に概ね垂直に連結された３本以上の第３の同軸管６３０とを含み、各第３の同軸管６３０は、インピーダンス変換機構を有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング処理時において形状制御を容易に、かつ、適切に行うことができるプラズマエッチング処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング処理方法は、処理容器１２内に設けられた保持台１４上に半導体基板Ｗを保持させる工程と、プラズマ励起用のマイクロ波を発生させる工程と、誘電板１６と保持台１４との間隔を１００ｍｍ以上とし、処理容器１２内の圧力を５０ｍＴｏｒｒ以上として、誘電板１６を介して処理容器１２内にマイクロ波を導入し、処理容器１２内にプラズマを発生させるプラズマ発生工程と、処理容器１２内にプラズマエッチング処理用の反応ガスを供給して、発生させたプラズマで半導体基板Ｗのプラズマエッチング処理を行う処理工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板に対する処理の均一性をより向上させることを目的としている。
【解決手段】プラズマ処理される基板Ｇを収納する金属製の処理容器４と、処理容器４内にプラズマを励起させるために必要な電磁波を供給する電磁波源８５とを備え、電磁波源８５から供給される電磁波を処理容器８５の内部に透過させる、処理容器４の内部に一部を露出させた複数の誘電体２５を、処理容器４の蓋体３下面に備えたプラズマ処理装置であって、誘電体２５の下面に、蓋体３と電気的に接続された金属電極２７が設けられ、金属電極２７と蓋体３下面の間に露出する誘電体２５の部分が、処理容器４の内部から見て実質的に多角形の輪郭をなし、複数の誘電体２５は、多角形の輪郭の頂角同士を隣接させて配置され、処理容器４の内部に露出した蓋体３下面と金属電極２７下面に、電磁波を伝搬させる表面波伝搬部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】誘電体板に表面処理を施したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１００は、所望の真空状態にある内部にてプラズマが励起される処理容器１０と、処理容器内にプラズマを励起するためのマイクロ波を供給するマイクロ波源９００と、処理容器１０の内側に面し、マイクロ波源９００から供給されたマイクロ波を処理容器内に伝送させる誘電体板３０５と、を備える。誘電体板３０５の少なくとも真空と大気とを遮断する面は、金属膜３０５ａ（又は金属複合膜）により被覆されている。 （もっと読む）

【課題】各ガス噴出口から均一にガスを噴出させることができるガスリングを提供する。
【解決手段】ガスリング１１は、環状であって、外部からガスリング１１内にガスを導入させるガス導入口１２ａ、１２ｂと、ガス導入口１２ａ、１２ｂから導入されたガスを噴出する複数のガス噴出口１８ａ〜１８ｈと、ガス導入口１２ａ、１２ｂから各ガス噴出口１８ａ〜１８ｈまで環状に沿って延びる複数の分岐路２１ａ〜２１ｆとを備える。ここで、各ガス噴出口１８ａ〜１８ｈから各分岐路２１ａ〜２１ｆの分岐点となる中央部２３ａ、２３ｄまでの距離は、それぞれ等しい。 （もっと読む）

【課題】分岐部分にて非垂直に延伸する同軸管を含んだ同軸管分配器を提供する。
【解決手段】マイクロ波によりガスを励起させて被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置１０であって、処理容器１００と、マイクロ波を出力するマイクロ波源９００と、マイクロ波源９００から出力されたマイクロ波を伝送する伝送線路９００ａと、処理容器１００の内壁に設けられ、マイクロ波を処理容器内に放出する複数の誘電体板３０５と、複数の誘電体板３０５に隣接し、マイクロ波を複数の誘電体板３０５に伝送する複数の第１の同軸管６１０と、伝送線路９００ａを伝送したマイクロ波を複数の第１の同軸管６１０に分配して伝送する１段又は２段以上の同軸管分配器７００と、を有する。同軸管分配器７００は、入力部Ｉｎを有する第２の同軸管６２０と第２の同軸管６２０に連結された３本以上の第３の同軸管６３０とを含み、第３の同軸管６３０のそれぞれは、第２の同軸管６２０に対して非垂直に延伸する。 （もっと読む）