【課題】低熱膨張で機械的強度が高く、耐食性に優れたサセプタを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０の内部には、サセプタ１０５が設けられている。サセプタ１０５は、基板Ｇを載置する基材１１０を有する。基材１１０の形成には、チタンの母材１１０ａとニッケル又はアルミニウムの合材１１０ｂとから形成されたクラッド材が複数用いられる。複数のクラッド材は、母材１１０ａが合材１１０ｂにより覆われるように接合されている。 （もっと読む）

【課題】種々の被エッチング材料、プロセス条件に対応可能なエッチング特性分布調整手段を提供する。
【解決手段】内部を減圧可能な減圧処理室８と、該減圧処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記減圧処理室内にマイクロ波を供給してプラズマを生成するマイクロ波供給手段１と、前記減圧処理室内に静磁場を生成する磁場生成用コイル１８，１９と、前記減圧処理室内に被処理材である試料を載置して保持する試料載置電極１１と、前記減圧処理室に接続され該減圧処理室内のガスを排気する真空排気手段１４を備え、前記減圧処理室、ガス供給手段の処理室へのガス供給部、マイクロ波供給手段の処理室へのマイクロ波導入部、試料載置電極、および真空排気手段を前記減圧処理室の中心軸に対して同軸上に配置し、前記マイクロ波導入部は、直線偏波のマイクロ波を円偏波のマイクロ波に変換するマイクロ波回転発生器２２を備え、前記磁場生成用コイルに励磁電流を供給する励磁回路には励磁電流を反転して供給する手段３３を備えた。 （もっと読む）

【課題】スロット板及び誘電体窓が熱膨張しても、スロット板が摩耗したり、スロット板としての導電膜が誘電体板から剥離したりするのを防止できるマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】誘電体板２２にスロット板２３のスロット２３ａ内に突出する凸部２２ｃを設ける。そして、誘電体板２２の凸部２２ｃの表面を誘電体窓１２の表面から誘電体窓１２に向かって外方に突出させる。スロット板２３を誘電体窓１２に直接接触させると、スロット板２３及び誘電体窓１２の熱膨張係数の差による伸び量のずれが発生する。誘電体板２２の凸部２２ｃを誘電体窓１２に接触させ、スロット板２３を誘電体窓１２に接触させないことにより、スロット板２３及び誘電体窓１２が熱膨張してもスロット板２３が摩耗したり、スロット板２３としての導電膜が誘電体板２２から剥離するのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】同軸導波管の内導体が熱膨張・熱収縮しても、マイクロ波の伝播特性に悪影響を及ぼすことのないマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内導体２２を、誘電体板２６及びスロット板２７の少なくとも一方に連結される誘電体板側の内導体２２ｂと、モード変換器２９又は矩形導波管２１に連結されるモード変換器側の内導体２２ａと、から構成する。モード変換器側の内導体２２ａは、誘電体板側の内導体２２ｂから分離され、これらの間には空間が空けられる。内導体２２が熱膨張・熱収縮しても、誘電体板側の内導体２２ｂとモード変換器側の内導体２２ａとの間の隙間が変化するだけであり、誘電体板側の内導体２２ｂに熱膨張・熱収縮による応力が発生するのを防止できる。したがって、誘電体板側の内導体２２ｂに連結される誘電体板２６やスロット板２７が変形するのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】性能の変動を抑制したプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】真空容器内に配置された処理室と、この処理室内に配置された試料台上に載せられたウエハを該処理室内に形成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、前記ウエハ上に配置された金属の物質を有する膜およびこの下方に配置された酸化膜又は高誘電率を有する材料から構成された膜層をエッチングする処理の前に、予め前記金属の物質と同種の金属を含む膜を表面に備えた別のウエハを処理してこの金属から構成された粒子を堆積させてから前記ウエハ上の前記膜層を処理する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ分布の調整を容易に行うことができるプラズマ源およびプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ源２は、マイクロ波を生成するマイクロ波生成機構３０と、生成されたマイクロ波をチャンバ１内に導入する複数のアンテナモジュール４１と、チャンバ１に隣接して設けられ、複数のアンテナモジュール４１から放射されたマイクロ波を合成するマイクロ波合成部７０とを具備し、マイクロ波合成部７０は、複数のアンテナモジュール４１から放射されたマイクロ波を空間合成する合成空間７４と、合成空間７４とチャンバ１との間に設けられた誘電体部材７２とを有し、合成空間７４で合成されたマイクロ波が誘電体部材７２を介してチャンバ１内に導入される。 （もっと読む）

【課題】広い面積の基板を処理できる安価な装置を提供する。
【解決手段】
真空槽１０の貫通孔２０に、イットリウム酸化物薄膜から成る保護膜が形成された窓２１を配置し、フッ素原子を化学構造中に有する反応ガスを含む処理ガスのプラズマを形成して基板１４表面にテクスチャーを形成する。イットリウム酸化物はフッ素と反応しないので、窓２１はエッチングされない。窓２１の長手方向が異なる方向に向けられているので、真空槽１０内での電波干渉が無く、安定してプラズマを生成できる。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波を伝送させる同軸管分配器に異なる分岐構造を含むプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１０は、マイクロ波によりガスを励起させて基板Ｇをプラズマ処理するための処理容器１００と、マイクロ波を出力するマイクロ波源９００と、マイクロ波源９００から出力されたマイクロ波を伝送する伝送線路と、処理容器１００の内面に設けられ、マイクロ波を処理容器１００内に放出する複数の誘電体板３０５と、複数の誘電体板３０５に隣接し、マイクロ波を複数の誘電体板３０５に伝送する複数の第１の同軸管６１０と、伝送線路を伝送したマイクロ波を複数の第１の同軸管６１０に分配して伝送する同軸管分配器６００と、を有する。同軸管分配器６００は、入力部Ｉｎを有する第２の同軸管６２０と、複数の第１の同軸管６１０に連結される異なる構成の分岐構造Ｂ１，Ｂ２とを含む。 （もっと読む）

【課題】良好に任意の形状に加工することが可能なエッチング装置、エッチング方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】エッチング装置８０は、イオンガン１１と、ＸＹステージ１２と、制御部１３と、ＰＣ１５と、測定装置８１とを備える。測定装置８１は、基板３１上の所定の測定点の厚みを測定する。予めイオンガン１１のエッチングレートの分布と、基板３１の被エッチング量の分布とに基づいて、エッチング中心の位置に応じて測定点における基板３１の厚みの中間目標厚みが設定される。各領域でエッチングを施した際、測定点の厚みが当該中間目標厚みからの許容範囲に入る場合、ＸＹステージ１２を駆動し、エッチングを終了させる。 （もっと読む）

【課題】真空処理室内に生成されたのプラズマの発光強度の分布を簡易な構成で高速に測定する。
【解決手段】真空処理室２、該真空処理室内に試料を載置して保持する試料台７、および前記真空処理室内に導入されたプロセスガスに高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成手段４を備えたプラズマ処理装置において、生成されたプラズマからの発光を前記真空処理室の外部で受光する受光器１３と、前記受光器と真空処理室の間に設けられ、前記プラズマからの発光のうち前記受光器に導入されるプラズマの範囲を調整する受光調整器１４と、前記受光調整器を調整して受光器による受光範囲を変更して得られた受光量をもとにプラズマ処理装置を制御する制御装置１６を備えた。 （もっと読む）

【課題】
信頼性の向上したプラズマ処理装置及びその運転方法を提供する。
【解決手段】
真空容器内に配置され減圧されたその内部でプラズマが形成される処理室と、この処理室内の下方に配置されその上面に前記プラズマにより処理されるウエハが載せられる試料台と、この試料台内部に配置され上下方向に駆動され前記ウエハの裏面と当接してこのウエハを前記試料台上面の上方で昇降させる複数のピンと、前記試料台の上面に配置され前記複数のピンの各々が内側を移動する複数の開口とを備えたプラズマ処理装置またはその運転方法であって、前記開口の内部と連通された供給口から前記ウエハが前記上面に載せられていない間にガスを前記開口を介して前記処理室に供給する。 （もっと読む）

【課題】段差上に被覆された被エッチング膜を大幅にオーバーエッチングすることなく、エッチング残渣を除去することができるとともに、下地酸化膜を薄膜化することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線パターンが形成された半導体基板上に酸化膜を被覆する工程と、酸化膜上に導電材料の被エッチング膜を被覆する工程と、炭素を含まず硫黄を含む化合物を添加して、被エッチング膜を酸化膜に対して選択性を持たせつつプラズマエッチングしてパターニングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】微細凹凸パターンのテクスチャ付基板を製造する。
【解決手段】フッ化ガスの反応ガスと、希ガス及び／又はハロゲンガスのアシストガスをプラズマ化させてエッチングを行なうから、アルカリガラス基板３１のように金属成分の含有量が多いものでもエッチングされ、表面に微細な凹凸パターンが形成されたテクスチャ付基板を製造できる。真空槽１１内部にマイクロ波を導入して反応ガスとアシストガスのプラズマ化を行なうから、従来に比べて短時間でエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】チャンバー内部のハードウェアに対してダメージを生じさせないインシチュウ・クリーニング方法及び装置を提供する。
【解決手段】電子デバイス製作に用いられる堆積チャンバー１０のクリーニング方法は、以下のステップを含む：堆積チャンバーの外部にある遠隔チャンバー４６に、前駆体ガス４４を供給する；遠隔チャンバー４６内で該前駆体ガス４４を活性化させて反応性の化学種を形成する；遠隔チャンバー４６から堆積チャンバー１０へ該反応性の化学種を流す；および、遠隔チャンバー４６から堆積チャンバー１０へ流れ込んだ反応性の化学種を用いて、堆積チャンバー１０の内部をクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】より均一にウエハをエッチングすることができるエッチング方法、及び、エッチング装置を提供する。
【解決手段】ウエハ８０をエッチングするエッチング方法であって、表裏を連通する複数の連通孔が形成されているウエハ８０の一方の表面に向けてエッチングガスを供給するとともに、供給したエッチングガスの少なくとも一部を前記複数の連通孔から他方の表面側に排出する方法。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の装置内部材の温度を安定化し、ＣＤ（Critical Dimension）精度の変動の少ないプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の誘電体窓１０３に温風ユニット１２５を接続し、誘電体窓１０３あるいはシャワープレート１０２の温度を温度センサー１２８により計測した温度信号を元に、温風ユニット１２５を制御して誘電体窓１０３あるいはシャワープレート１０２の温度制御を行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の処理容器内の金属面とプラズマとの間を伝搬する金属表面波を計測する。
【解決手段】金属表面波計測装置１０００は、電磁波によりガスを励起させて基板Ｇをプラズマ処理するプラズマ処理装置２０００に設けられ、処理容器内部の金属とプラズマとの間を伝搬する金属表面波を計測する。金属表面波計測装置１０００は、プラズマに近接して設けられた金属からなるプローブ１００５ａ、１００５ｂ、１００５ｃと、プローブ１００５ａ、１００５ｂ、１００５ｃに電気的に接続されたオシロスコープ１０３０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】金属電極及び周辺の構成を適正化する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１０は、処理容器１００と、マイクロ波を出力するマイクロ波源９００と、処理容器内の天井面に隣接して設けられ、マイクロ波源９００から出力されたマイクロ波を処理容器内に放出する誘電体板３０５と、誘電体板３０５のプラズマ側の面にて誘電体板３０５に隣接して設けられ、周縁から誘電体板３０５の一部を処理容器内に露出させる菱形状の金属電極３１０とを有する。金属電極３１０と誘電体板３０５とは、処理容器１００の天井面を区切る仮想領域であって金属電極３１０の２本の対角線Ｄ１，Ｄ２にそれぞれ平行な２本ずつの直線から画定され、金属電極３１０と誘電体板３０５とを含む最小の矩形領域をセル領域Ｃｅｌとして、セル領域Ｃｅｌの短辺の長さに対する長辺の長さの比は、１．２以下になっている。 （もっと読む）

【課題】 マイクロ波を使用する減圧処理容器内での昇華物再付着防止。
【解決手段】 減圧処理容器内部に、マイクロ波励起無電極ランプを挿入できる構成を設け、プラズマ生成用のマイクロ波発振器を使用し、第1の工程でプラズマを励起せず、ＵＶ発光によるオゾンクリーニングを実施し、第2の工程で処理対象物を入れ、通常のプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面波共振と表面波共振以外の共振との判別を容易に行うことができるプラズマ密度測定子、プラズマ密度測定装置、プラズマ処理装置、およびプラズマ密度測定方法を提供する。
【解決手段】一端が閉塞された筒状を呈する管部と、前記管部の内部であって、前記閉塞された端部の側に設けられた高周波信号の送受信を行う送受信部と、前記管部の内部に設けられ、前記送受信部と電気的に接続された伝送部と、前記伝送部と前記管部の内壁との間に設けられ、前記管部の軸方向長さ寸法よりも短い長さ寸法を有し、高周波エネルギーを吸収する第１の吸収体と、前記管部の外周面に設けられ、前記管部の軸方向長さ寸法よりも短い長さ寸法を有し、高周波エネルギーを吸収する第２の吸収体と、を備えたことを特徴とするプラズマ密度測定子が提供される。 （もっと読む）