【課題】処理容器内の高周波電極その他の電気的部材から給電ラインや信号線等の線路上に入ってくる高周波ノイズに対して並列共振周波数を任意にずらして調整できるようにし、異なる周波数の高周波ノイズをいずれも効率よく安定確実に遮断する。
【解決手段】フィルタ１０２(1)は、円筒形の外導体１１０の中にコイル１０４(1)を同軸に収容し、コイル１０４(1)と外導体１１０との間にリング部材１２２を同軸に設ける。リング部材１２２は、好ましくは外導体１１０の軸方向と直交する平面上で円環状に延びる板体として構成され、好ましくは銅、アルミニウム等の導体からなり、外導体１１０に電気的に接続され、コイル１０４(1)とは電気的に絶縁されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置における優先度の高い制御機器に対する制御をＣＰＵの能力を集中させて行うことができるようにする。
【解決手段】プラズマ処理装置を構成するプロセスモジュールは、全体の処理動作を制御するモジュールコントローラ113と、試料を処理するための複数の制御機器305〜319と、モジュールコントローラからの指示に従って複数の制御機器に制御信号を送信する入出力基板201とを備える。モジュールコントローラ113は、ＣＰＵの負荷率を監視し、その負荷率を取得し、ＣＰＵ負荷率に基づいて前記複数の制御機器のそれぞれに対する制御周期を計算、変更し、制御周期に従って、複数の制御機器のそれぞれに制御信号を送信して制御を行わせる。 （もっと読む）

【課題】プラズマシステムのためのプラズマ点火装置を
提供する。
【解決手段】装置３００は、内側にチャンネルを定める槽３１０、および槽３１０に隣接し、前記チャンネルの隣接部分に沿った方向の寸法Ｄを有する少なくとも一つの容量結合された点火電極３３０を備える。少なくとも一つの点火電極３３０の寸法の全長Ｄは、槽３１０のチャンネルの長さの１０％より大きい。点火電極３３０は、前記チャンネルの中の気体に電場を印加して、気体のプラズマ放電を開始させる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、対レジスト選択比や加工形状のエッチング性能に優れるだけでなく、入手が容易で、環境に負荷をかけるＣＦ₄を実質的に副生しない新規なエッチングガスを提供する。
【解決手段】
ＣＨＦ₂ＣＯＦを含んでなるエッチングガスであって、Ｏ₂、Ｏ₃、ＣＯ、ＣＯ₂、Ｆ₂、ＮＦ₃、Ｃｌ₂、Ｂｒ₂、Ｉ₂、ＸＦ_n（式中、ＸはＣｌ、ＩまたはＢｒを表し、ｎは１≦ｎ≦５の整数を表す。）、ＣＨ₄、ＣＨ₃Ｆ、ＣＨ₂Ｆ₂、ＣＨＦ₃、Ｎ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｋｒなど、または、ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₂，Ｃ₂Ｈ₄，Ｃ₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₄、Ｃ₃Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₈、ＨＩ、ＨＢｒ、ＨＣｌ、ＣＯ、ＮＯ、ＮＨ₃、Ｈ₂など、または、ＣＨ₄、ＣＨ₃Ｆ、ＣＨ₂Ｆ₂、ＣＨＦ₃の中から選ばれた少なくとも１種のガスを添加物として含むエッチングガス。 （もっと読む）

【課題】様々なプラズマ強度分布に対して微弱な発光変化での終点判定や大口径のウェハ全体として最適な終点判定を低コストで実現する。
【解決手段】プラズマによる処理を行う半導体製造装置及び半導体処理方法において、プロセス条件ごとにプラズマ発光を観測する発光ピックアップ１１の観測方向や観測位置を可変とするピックアップ駆動手段１１１を設けて、条件に応じた最適な方向および位置での観測を単一の発光ピックアップにて行う。 （もっと読む）

【課題】 均一で高密度な長尺のライン状プラズマを生成することが可能であるプラズマ発生装置、及びこのプラズマ発生装置を利用した大面積基板への成膜が可能である成膜装置、並びにエッチング装置、表面処理装置、イオン注入装置を提供すること。
【解決手段】 マイクロ波を発生するマイクロ波発生源と、前記マイクロ波発生源から発生したマイクロ波が導入されるとともに、該マイクロ波の伝播方向に延びるスリットを有する導波管と、前記スリットから誘電体窓を介して漏れ出すマイクロ波によってプラズマ化されるプラズマ生成用ガスが供給されるチャンバーと、前記プラズマに対して磁場を印加することによって前記チャンバー内に電子サイクロトロン共鳴を生じさせる磁場発生機構と、を備えていることを特徴とする電子サイクロトロン共鳴ラインプラズマ発生装置とする。 （もっと読む）

複数の別個の動作条件下で動作するために同調可能な継続的可変マイクロ波回路は、導波管中に突き出るように構成されたコアを有する、可調同調要素で構成された導波管と、可調同調要素と連動し、プラズマアッシングで反射されたマイクロ波の出力を最小化するための導波管中に突き出しているコアの長さを選択的に変化させるために動作するアクチュエータと、アクチュエータと連動し、複数の動作条件での変化においてアクチュエータを選択的に駆動させるために構成されたコントローラとで構成される。
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【課題】磁性物質又は相変化物質を含む半導体素子のパターン構造物の形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に、磁性物質又は少なくとも３つの元素を含む合金からなった相変化物質のいずれか一つの物質を含むエッチング対象膜を形成する段階と、少なくともアンモニア（ＮＨ_３）ガスを含むエッチングガスを使って前記エッチング対象膜をプラズマ反応性エッチングすることによってパターン構造物を形成する段階とを有する。 （もっと読む）

【課題】発生させるプラズマを周方向および／または径方向において均一にすることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１１は、マイクロ波伝播体１９に対向するラジアル導波箱４３の下面５１の周方向の一部を凹ませて、ラジアル導波箱４３の下面５１の周方向の一部とラジアル導波箱４３に対向するマイクロ波伝播体１９の上面５２との板厚方向の長さを変更する変更手段として、ラジアル導波箱凹部６１に収容可能であって、下方側端部を構成する下方側端面６０がラジアル導波箱４３の下面５１の一部を構成するスタブ部材５６を含む。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、概して、プラズマ源装置、および、電磁エネルギー源の使用により磁性コア要素の周囲に対称的に位置決めされるプラズマ生成領域にラジカルおよび／またはガスイオンを生成することが可能なプラズマ源装置を使用する方法を提供する。概して、そのプラズマ生成領域および磁性コアの配向および形状により、プラズマ生成領域に位置するガスへの送出電磁エネルギーの効果的なおよび均一な結合が可能となる。概して、プラズマ生成領域に形成されるプラズマの特徴が改善されることにより、基板、またはプラズマ生成領域の下流に配設される処理チャンバの一部分に対して実施される堆積プロセス、エッチングプロセス、および／または洗浄プロセスを改善することが可能となる。
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【課題】基板に形成された自然酸化膜の除去効率の低下を抑制可能な基板処理方法、及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】
三フッ化窒素ガスと、アンモニアガス及び水素ガスの少なくとも一方とを用いてアンモニアフッ化物を生成し、このアンモニアフッ化物をシリコン基板の表面に供給して該シリコン基板の表面に形成された酸化膜を除去する。この酸化膜の除去方法は、シリコン基板を収容する真空チャンバ２０に接続されたマイクロ波アプリケータ１０の放電管１０ａに窒素ガスを導入し、この窒素ガスにマイクロ波を照射して該窒素ガスを励起させる工程と、真空チャンバ２０内にて励起された窒素ガスに三フッ化窒素ガスと、アンモニアガス及び水素ガスの少なくとも一方とを混合して前記アンモニアフッ化物を生成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、処理圧力が高い場合であっても大面積、かつ均一なプラズマ密度のプラズマを生成することができるプラズマ生成装置、プラズマ処理装置、プラズマ生成方法及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】処理容器と、前記処理容器の内部にプロセスガスを供給するガス供給部と、前記処理容器の壁面の一部を占める透過窓と、前記透過窓にマイクロ波を導入するマイクロ波導入部と、厚み方向を貫通する複数の第１の孔部を有し、前記透過窓と離隔させて前記処理容器の内部に設けられた第１の高密度プラズマ生成部と、を備え、前記第１の高密度プラズマ生成部は、前記第１の孔部においてホロー放電によりプラズマを生成すること、を特徴とするプラズマ生成装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理条件の変更にかかわらずマイクロ波の分布を最適化して、広い範囲で均一なプラズマ処理を得る。
【解決手段】真空処理室内にマイクロ波を供給してプラズマを生成するマイクロ波供給手段を備え、前記マイクロ波供給手段の前記処理室へのマイクロ波導入部は、直線偏波のマイクロ波を円偏波のマイクロ波に変換する円偏波発生器を備え、該円偏波発生器は、最低次のモードで動作する方形の入力側導波管３０１と、最低次のモードで動作する正多角形または円形の出力側導波管３０６と、偏波面の異なる複数の直線偏波が同時に伝播可能な正多角形または円形の位相調整用導波管３０３を備え、該位相調整用導波管は、偏波面の異なる直線偏波の一方の位相または振幅を調整する調整手段３０４，３０５を備えた。 （もっと読む）

【課題】処理空間の水平面方向におけるプラズマ密度を均一化させることが可能なプラズマ処理装置及びこれに用いる天板を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態による天板は、平面アンテナ部材のスロットから放射されるマイクロ波を処理容器内へ透過させて導入するためのプラズマ処理装置用の天板であって、前記天板の前記処理容器内を臨む面側において、前記天板の中心部を中心とした二重以上の円周の上に複数の凹部が形成され、前記天板の凹部が形成された部分を伝搬するマイクロ波と、伝搬するマイクロ波の伝搬モードの種類の数が異なるように、前記天板の凹部が形成されていない部分の厚さとが夫々設定されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング処理において、ロット内の加工精度の経時変化を抑制するためには、ロット処理前にヒーティング処理を実施しなければならず、スループットを低下させる問題があった。
【解決手段】プラズマエッチング装置の試料載置電極のヒータ３０１への印加電圧、及び流入電流値を演算してヒータ用電源を制御し、ウエハ、及び試料載置電極の温度を制御する制御器を用いて、ロット内のウエハ毎にヒータにより載置電極温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】処理ガスを処理容器へ導入するための導入部において、炭素系の付着物の発生を抑制する。
【解決手段】処理容器２に導入された処理ガスをプラズマ化させて基板Ｗを処理するプラズマ処理装置１であって、処理容器２の天井面に、処理ガスの導入部５５が設けられ、導入部５５には、処理容器２の外部から供給路５２を経て供給される処理ガスを溜めるガス溜め部６１と、ガス溜め部６１と処理容器２の内部を連通させる複数のガス噴出孔６６が形成され、ガス溜め部６１において、供給路５２の開口部５２ａと対向する位置には、ガス噴出孔６６が設けられておらず、ガス噴出孔６６の断面は、扁平な形状である。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波のエネルギを伝達する伝達系中の熱による損傷を回避することを可能とするとともに出力調整が容易な構造を備えるプラズマ生成装置を提供することが課題である。
【解決手段】マイクロ波を発生させるマイクロ波発生装置と、マイクロ波を案内する第１導波管と、マイクロ波を捕捉する基端部と捕捉されたマイクロ波を放出する先端部とを備えるケーブルと、ケーブルの先端部から放出されるマイクロ波を案内する第２導波管と、ケーブルの先端部から放出されたマイクロ波を捕捉する基端部を備える電極と、電極の先端部が配設されるとともにプラズマを放出するための開口部を備えるノズル体と、第２導波管の内面により反射されてなる反射マイクロ波を熱エネルギに変換する変換部と、を備えることを特徴とするプラズマ生成装置。 （もっと読む）

【課題】安定及び／または均一表面波プラズマソースを提供すること。
【解決手段】表面波プラズマ（ｓｕｒｆａｃｅ ｗａｖｅ ｐｌａｓｍａ、ＳＷＰ）ソースが提示される。表面波プラズマソースはプラズマに隣接する電磁気（ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ、ＥＭ）波放射部のプラズマ表面上に表面波を発生させて電磁気エネルギを所望する電磁波モードで前記プラズマに結合させるように構成される。電磁波放射部は複数のスロットを備えたスロットアンテナを含む。表面プラズマ（ＳＷＰ）ソースは前記プラズマ表面に形成される第１リセス配列をさらに含み、前記第１リセス配列は実質的に前記複数のスロットの第１スロット配列に合わせて整列され、前記プラズマ表面に形成される第２リセス配列は前記複数のスロットの第２スロット配列に部分的に合わせて整列されるか、前記複数のスロットの第２スロット配列に合わせて整列されない。 （もっと読む）

【課題】エッチング速度の変動が少ないエッチングパラメータが得られるプラズマエッチングの試行方法を提供する。
【解決手段】Ｈｉｇｈ−ｋ膜を有する半導体デバイスのエッチング条件出しを行う過程において、真空チャンバー内にプロセスガスを供給して処理台に載置されたウェハ基盤のエッチング形状の変動が少なくなるように、エッチングパラメータを最適化しながら、前記ウェハ基盤をプラズマ処理するプラズマエッチングの際に、前記エッチングパラメータとして複数種類のパラメータを設定し、この中の特定パラメータを選択し、この特定パラメータを変化させながらプラズマ処理を加速試行することを特徴とする。半導体デバイスにおいて、チャンバーコンディションの影響を受け難く、変動の少ない安定したエッチング速度が得られるエッチングパラメータを抽出することができる。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波のエネルギを伝達する伝達系中の熱による損傷を回避することを可能とする構造を備えるプラズマ生成装置及び該プラズマ装置の伝達系中のマイクロ波のエネルギ損失を考慮したプラズマ生成方法を提供することが課題である。
【解決手段】マイクロ波を発生させるマグネトロンと、第１導波管と、マイクロ波を放出する先端部とを備えるケーブルと、ケーブルの先端部から放出されたマイクロ波を捕捉する基端部を備える電極と、プラズマを吹き出すための開口部を備えるノズル体とを備えることを特徴とするプラズマ生成装置。 （もっと読む）