【課題】地球環境に対する影響が小さく、かつ必要とされる性能を有するドライエッチング剤を提供する。
【解決手段】（Ａ）１，３，３，３−テトラフルオロプロペンと、（Ｂ）Ｈ_２、Ｏ_２、ＣＯ、Ｏ_３、ＣＯ_２、ＣＯＣｌ_２、ＣＦ_３ＯＦ、ＣＯＦ_２、ＮＯ_２、Ｆ_２、ＮＦ_３、Ｃｌ_２、Ｂｒ_２、Ｉ_２、ＣＨ_４、Ｃ_２Ｈ_２，Ｃ_２Ｈ_４，Ｃ_２Ｈ_６、Ｃ_３Ｈ_４、Ｃ_３Ｈ_６、Ｃ_３Ｈ_８、ＨＩ、ＨＢｒ、ＨＣｌ、ＮＯ、ＮＨ_３、及びＹＦｎ（式中、ＹはＣｌ、Ｂｒ、又はＩを表し、ｎは整数を表し、１≦ｎ≦７である。）からなる群より選ばれる少なくとも１種のガスと、（Ｃ）不活性ガスを含むドライエッチング剤を提供する。
これらのエッチング剤を用いることにより飛躍的にプロセスウインドウを広げることができ、特殊な基板の励起操作等なしにサイドエッチ率が小さく高アスペクト比が要求される加工にも対応できる。 （もっと読む）

【課題】本発明では、処理室内壁や処理室内のパーツのＹ₂Ｏ₃表面の変質層に起因した異物の抑制または低減するプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】本発明は処理室内壁面を構成する材料、または処理室内パーツの材料がイットリアからなるプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法において、前記処理室内に試料を配置し、前記試料をエッチングする工程と、前記エッチング工程により前記処理室内に堆積した堆積物を、フッ素または塩素を含むガスを用いたプラズマにより除去する堆積物除去工程と、前記堆積物除去工程後の前記処理室内を、希ガスのプラズマに曝す工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の面内均一性を向上させることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１１は、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生装置４１と、処理容器１２と、処理容器１２の上部開口を閉鎖するように配置される誘電体窓１６と、誘電体窓１６の上方に配置されるスロットアンテナ板１７と、スロットアンテナ板１７の上方側に配置される誘電体部材１８と、スロットアンテナ板１７にマイクロ波を導入する導波部３２とを備える。ここで、マイクロ波発生装置４１は、搬送波を変調することによって所定の周波数帯域幅を有するマイクロ波を生成する変調装置６１を有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理に応じて、適切なイオンエネルギー分布を形成できるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びにプラズマ処理のバイアス電圧決定方法の提供。
【解決手段】載置台２が内部に配置された真空チャンバ１１と、載置台２にＤＣパルス電圧であるバイアス電圧を印加するＤＣパルス電圧発生部３と、を備える。ＤＣパルス電圧発生部３は、イオンのエネルギー値を横軸にとり、イオンの頻度を縦軸にとったイオンエネルギー分布図において、前記ＤＣパルス電圧の振幅値に対応してピークが現れることを利用して、前記振幅値が互に異なる複数種のＤＣパルス電圧を発生させ、これにより前記分布図において互に隣接するピーク同士が重なり合って重なり領域を形成するイオンエネルギー分布パターンがプラズマ処理に適切なパターンとなるように調整される。 （もっと読む）

【課題】平板状のサンプル材料の組み合わせにより形成されるサンプル管を有するラジカル測定装置及びラジカル測定管を提供すること
【解決手段】本発明のラジカル測定装置１は、ラジカル生成室２と、測定管４と、支持体１６と、真空排気部１０とを具備する。ラジカル生成室２は、原料ガスのプラズマを発生させることで原料ガスのラジカルを生成させるラジカル生成手段６を有する。測定管４は、ラジカル生成室２に連通する。支持体１６は測定管４内に配置され、複数の、平板状のサンプル材料からなるサンプル板Ｓにより管状のサンプル管が形成されるように、それぞれのサンプル板を支持する。真空排気部１０は、測定管４を真空排気する。温度センサ９は、サンプル管に挿通され、サンプル管の軸方向に沿って移動可能である。 （もっと読む）

【課題】プロセス開始時における処理容器内の圧力安定化を迅速に行うことができると共に、ガス種の切り替え時の残留ガスの排気と処理容器内の圧力安定化を迅速に行うことができる処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体に対して処理ガスで所定の処理を行う処理装置において、処理容器４２と、処理容器内を排気する真空ポンプ７０、７２と圧力制御弁６８とを有する排気系６４と、処理ガスを噴射するガス噴射孔を有するガス噴射手段９８と、ガス噴射手段へ流量制御しつつ処理ガスを供給するガス供給手段１００と、装置全体を制御する制御手段１１４とを備え、制御手段は、処理を開始する時に処理容器内の雰囲気を排気している状態で所定の処理時の規定流量よりも大きな流量の処理ガスを所定の短時間だけ供給した後に、規定流量の処理ガスを供給するように制御する。 （もっと読む）

【課題】処理容器内でのマイクロ波の定在波による影響を極力抑制し、チャンバ内でのプラズマ密度の均一性を高くすることができるマイクロ波プラズマ源およびそれを用いたプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】マイクロ波プラズマ源２はマイクロ波供給部４０を有し、マイクロ波供給部４０は、マイクロ波を処理容器内に導入する複数のマイクロ波導入機構４３と、複数のマイクロ波導入機構４３のそれぞれに入力されるマイクロ波の位相を調整する複数の位相器４６とを有し、複数のマイクロ波導入機構４３のうち隣接するものについて、一方のマイクロ波の入力位相を固定し、他方のマイクロ波の入力位相を周期的な波形によって変化させるように、複数の位相器４６により複数のマイクロ波導入機構４３に入力されるマイクロ波の位相を調整する。 （もっと読む）

【課題】より正確に所望の形状にエッチングすることができるプラズマエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング処理装置１１は、その内部において被処理基板にプラズマ処理を行う処理容器１２と、処理容器１２内にプラズマ処理用のガスを供給するガス供給部１３と、処理容器１２内に配置され、その上に被処理基板Ｗを支持する支持台１４と、プラズマ励起用のマイクロ波を発生させるマイクロ波発生器１５と、マイクロ波発生器１５により発生させたマイクロ波を用いて、処理容器１２内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、処理容器１２内の圧力を調整する圧力調整手段と、支持台１４に交流のバイアス電力を供給するバイアス電力供給手段と、バイアス電力供給手段における交流のバイアス電力を、停止および供給を交互に繰り返しながら行うよう制御する制御手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ分離型のプラズマ処理装置において、プラズマ点火時、消火時に発生するパーティクルを低減する。
【解決手段】ウエハ２０は、支持台３１に設置されエッチング装置１０による処理が開始される。プラズマの点火時には、制御部８５により、ガス輸送部７０の開閉バルブ７３は閉じられると共に開閉バルブ８４は開かれ、ガス流路はバイパス部８５側となる。プラズマ発生部６０の電源６１からのプラズマ源６２への高周波電力の印加により、放電管６３に活性ガスが発生する。待ち時間が終了しプラズマの点火が完了した場合、制御部８５は、ガス輸送部７０の開閉バルブ７３は開き、バイパス部８０の開閉バルブ８４を閉じて、ガス流路を真空処理室３０側とする。活性ガスが真空処理室３０に導入され、活性ガスによるウエハ２０の加工処理が開始される。次に処理するウエハ２０の交換作業の間は、制御部８５はガス流路を再びバイパス部側に切り替える。 （もっと読む）

【課題】電極板を貫通する複数タイプのガス穴の配置を最適化することが可能な、プラズマエッチング用の電極板を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング用の電極板１６０は、所定の厚みを有する円板状であり、同心円状の複数の異なる円周上には、電極板１６０の一方の面を垂直に貫通する複数のガス穴が形成され、電極板１６０を径方向に２以上の領域に分けた各領域に異なるタイプのガス穴が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ダマシン配線構造を有する半導体装置において、フルオロカーボン膜へのエッチングダメージによるＣｕ配線構造でのリーク電流の増加や誘電率の低下を抑制し、信頼性の担保された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】エッチング処理の施されたフルオロカーボン膜の表面に対し、窒化プラズマ処理またはＣＦプラズマ処理を行う、半導体装置の製造方法が提供される。これによれば、配線溝形成時のフルオロカーボン膜へのエッチングダメージが修復され、Ｃｕ配線構造におけるリーク電流の増加や誘電率の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】処理室内壁に付着する微小異物を低減して生産性を向上する。
【解決手段】内部にコーティングを施した真空処理室と、前記真空処理室内に配置され被処理材を前記真空処理室内に保持する載置電極１０２と、多孔板を有し前記真空処理室内に処理ガスを分散して供給するガス供給系１０４と、前記真空処理室内を真空排気する排気手段１０５を備え、前記真空処理室内に高周波電力を供給して、プラズマを生成し前記載置電極上に載置された被処理材にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記コーティング膜は耐プラズマ性の材料を含む膜であり、該膜のスパッタ物に前記コーティング膜を形成する物質が吸収する波長のレーザ光を照射するレーザ光源１２３を備えた。 （もっと読む）

【課題】大面積に亘って均一な分布のプラズマを形成可能なプラズマ発生装置及びこれを備えたプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】大気よりも減圧された雰囲気を維持可能なプラズマ発生室６０と、マイクロ波の進行波を共振させる環状共振器１０と、環状共振器１０からマイクロ波を分配する複数の結合器４２と、複数の結合器４２のそれぞれに結合され、プラズマ発生室６０にマイクロ波を導入する相互に離隔して設けられた複数のアプリケータ５０と、を備え、複数のアプリケータ５０はプラズマ発生室６０にマイクロ波を導入する誘電体から形成された導波体５４をそれぞれ有し、導波体５４からプラズマ発生室６０に導入されたマイクロ波によりプラズマを生成する。 （もっと読む）

【課題】装置内部材の温度を安定化し、ＣＤ変動の少ないプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】誘電体窓１０３に温風ヒーター１２６を接続し、誘電体窓１０３温度を温度センサー１２８により計測された温度信号を元に誘電体窓１０３の温度制御を行う。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波を用いたプラズマ処理装置において、プラズマ処理の均一性を向上する。
【解決手段】内部が減圧排気される処理室１１４と、処理室１１４内に設けられ被処理基板１０９が配置される基板電極１１０と、処理室１１４内にプラズマ発生用電磁波によりプラズマを発生させるプラズマ発生装置と、処理室内に処理ガスを供給する供給系と、処理室内を排気するための真空排気系とを有するプラズマ処理装置において、直線状導波管２０１、正方形導波管２０２、円形導波管２０３を介して、直線状導波管２０４に分岐するプラズマ発生用電磁波の振幅と位相差を制御して、リング状空洞共振器２０９内に進行波を励振する。 （もっと読む）

【課題】リードタイムを短くし、処理性能において従来よりも信頼性のあるレジスト除去方法を提供する。
【解決手段】被処理物の処理表面に付着したレジスト膜を除去する方法であって、被処理物の処理表面に付着したレジスト膜に対し、大気圧から１００Ｐａの間で誘導結合プラズマ法によって生成された活性水素原子を供給することによるドライ処理と、大気圧から１００Ｐａの間で誘導結合プラズマ法によって生成された活性酸素原子を供給することによるドライ処理及び／又は薬液によるウェット処理とを行う。 （もっと読む）

【課題】従来のプラズマ処理では、プラズマ条件の変化に応じて処理室内部のガス流れ分布、反応生成物分布を制御することができない、制御できるガス流れ分布、反応生成物流れ分布の範囲が狭い、ステップエッチングにおいて、各ステップ間で高精度にガス流れ分布、反応生成物流れ分布を変化できないという課題がある。
【解決手段】第一のエッチングガス供給手段と第二のエッチングガス供給手段を設け、それぞれのエッチングガス供給手段を調整し、前記第二のエッチングガス供給手段をウエハ周辺に設置し、処理室内のエッチングガス流れ、反応生成物流れを制御する。 （もっと読む）

【課題】平板スロットアンテナの電磁波放射特性の均一性に影響を与えずに波長領域の広いモニタ光を用いて処理容器内の被処理基板の表面に対する光学的なモニタリングを高精度に行う。
【解決手段】このマイクロ波プラズマエッチング装置における光学モニタ装置１００は、サセプタ１２上に載置される半導体ウエハＷのエッジよりも半径方向内側にあって、かつ同軸管６６よりも半径方向外側の位置で、冷却ジャケット板７２の上に配置されるモニタヘッド１０２と、このモニタヘッド１０２から鉛直下方にカバープレート７２、誘電体板５６、スロット板５４および誘電体窓５２を縦断して設けられるモニタリング用の光導波路１０４と、光ファイバ１０６を介してモニタヘッド１０２と光学的に結合されるモニタ本体１０８とを有している。 （もっと読む）

【課題】ＥＣＲ方式で大口径ウエハをドライエッチングするような場合であっても、エッチング速度など処理特性のウエハ面内均一性を向上することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１０７と、チャンバ１０７の中にプラズマを生成するための電源１０１と、電源１０１からの電力をチャンバ内へ導く導波路１０２と、電源１０１を制御する電力制御部とを含む半導体製造装置において、前記電力をチャンバ１０７の外周部からチャンバ内へ導入するアンテナ１０４を有し、前記電力制御手段は、前記電力をオンした後、これにより発生したプラズマが定常状態に至る前にオフする、ことを周期的に繰り返す。 （もっと読む）

【課題】 高価な測定装置を用いることなく、小型で、簡便な方法によりプラズマの電子密度及び電子温度の測定が可能な測定プローブ及び測定装置を実現する。
【解決手段】 測定プローブ１０は、長さが異なる金属線からなる２本のアンテナ１２、１３を備えており、それぞれ矩形の平面領域Ａ内に、平行な２本の金属線を屈曲して配置し、一端でＵ字型に接続した形状に形成されている。アンテナ１２、１３は、厚さが異なる絶縁層１４、１５によりそれぞれ挟み込まれ、各アンテナに対応する共振周波数のシース厚依存性が異なるように構成されている。これにより、プラズマの電子密度ｎ_e及び電子温度Ｔ_eの共振周波数依存性から当該プラズマの電子密度ｎ_e及び電子温度Ｔ_eを算出することができる。 （もっと読む）