【課題】多孔構造の透過窓と透過窓に付着するプラズマエッチング処理にともなう窓への付着物間に生じる熱応力を低減し被処理基板上に発生する微細粒径異物の発生を低減する。
【解決手段】被処理基板１０２に対するプラズマ処理方法を最適化し被処理基板１０２の表面近傍部に付着する微小粒径異物の発生を大幅に低減するために、マイクロ波によるプラズマ処理に際し、多孔構造の石英製透過窓１０５、熱媒体流路を付設したマイクロ波導入窓１０８、および熱媒体循環装置により構成する。また、多孔構造の透過窓１０８にイットリアを主成分とする部材を用いることにより、装置構成部材の温度上昇を招いたとしても、前記多孔構造の透過窓と前記透過窓に付着したエッチング反応生成物の線膨張係数をほぼ一致させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング処理において、ＣＤを容易に制御できるようにすること。
【解決手段】複数の原料ガスが混合された処理ガスが処理容器２に導入され、処理容器２内で処理ガスがプラズマ化されて基板Ｗがエッチング処理されるプラズマエッチング処理方法であって、種類の異なる原料ガスの混合比を変えることにより、ＣＤが制御される。本発明によれば、処理ガス中に含まれるＣＦ_４ガスやＣＦ_４ガスなどの原料ガスの供給量の比を変えることにより、エッチングのＣＤを制御することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】複数の処理工程（プロセス）を連続して行う基板処理装置において、チャンバー内の処理ガス流量や処理ガス圧力の大幅な変動に対して短時間で連続的に応答可能な圧力制御を行う圧力制御機器、圧力制御方法および該圧力制御機器を備える基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理ガスが供給される減圧状態の処理室で複数の処理工程を行う基板処理装置であって、処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、処理室の内部を排気する排気機構と、排気機構の排気量を調節する排気バルブと、複数の処理工程それぞれに最適な処理ガス圧力を算出するための演算テーブルを複数有し、演算テーブルに基づいて排気バルブの開度を制御する演算制御機構と、を備える基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板表面におけるプラズマ処理の均一性を向上させる。
【解決手段】処理容器２に導入された処理ガスをプラズマ化させて基板Ｗを処理するプラズマ処理装置１において、処理容器２に収納された基板Ｗの中心部に導入される処理ガスの導入量と、処理容器２に収納された基板Ｗの周辺部に導入される処理ガスの導入量の比が、プラズマ処理中に変化する。本発明によれば、基板Ｗの中心部と周辺部のエッチングレートＥＲ等のばらつきを小さくできる。このため、基板Ｗ表面におけるプラズマ処理の均一性が向上する。 （もっと読む）

【課題】減圧下であっても広範囲の圧力で放電し、効率良く一様に処理できる板状陰極表面処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器１０の内部に設けられた陰極機構３０、陰極機構３０内の板状陰極３６、板状陰極３６の放電にさらされる面の反対側に磁気機構４０を配し、磁気機構４０により板状陰極３６の放電にさらされる面の一端から出て他端に入る磁力線４１１を発生させ、陰極表面上にほぼこれと平行な成分をもつ磁界を設定する手段、板状陰極３６に電力を供給して表面にある磁界４１１と少くとも直交する成分を有する電界４２０を発生する手段、放電空間の圧力をガス導入系と排気系により調整することの出来る板状陰極放電を利用する表面処理装置であって、磁気機構４０が磁力線の遠回り手段を備える。 （もっと読む）

【課題】容器が加熱された場合でも、装置内の雰囲気の気密性を保持することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理容器２の容器突出部２ａと蓋体３の蓋体突出部３ａとの接触面には、Ｏリング４、５が環状に二重に設けられている。容器突出部２ａには、Ｏリング４、５の間に形成された隙間６に、不活性ガスを流入させるためのガス流入口７と、その不活性ガスを隙間６から流出させるためのガス流出口８が形成されている。ガス流入口７とガス流出口８は、対向して形成されている。ガス流入口７から流入した不活性ガスは流出口８に向かって流れ、隙間６内に充満する。この隙間６内に充満した不活性ガスの層によって、処理容器２内の気密性が保持される。 （もっと読む）

【課題】加工用基板の表裏両面を同時に表面加工できようにし、生産効率の向上を図ることのできるプラズマ処理装置のプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】半導体基板Ｗをステージ５から離間させ、半導体基板Ｗの表面Ｗｂに曝す酸素プラズマの一部を、同半導体基板Ｗの裏面Ｗａに回り込ませようにして、半導体基板Ｗの裏面Ｗａにその回り込んだプラズマを曝すようにした。そして、半導体基板Ｗの表面Ｗｂ及び裏面Ｗａに形成したレジスト膜を同時に、プラズマにてアッシング処理する。 （もっと読む）

【課題】酸素プラズマ中の活性種の失活を抑えプラズマ処理効率の向上を図ることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】円柱体１５、下蓋３３、拡散板４３、スカート等の形成部材の各表面を、フッ化表面層ＦＳで被膜した。これにより、酸素プラズマ中のラジカル（活性種）が、プラズマ生成室Ｓから半導体基板まで案内される流路上の各形成部材の表面への接触等を起こしても失活し難くなり、プラズマ処理効率の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の裏面へのプラズマの侵入を防止して、半導体基板の裏面の損傷を防止することのできるプラズマ処理装置のプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】半導体基板Ｗを、サセプタ７の基板保持穴９内に収容し、半導体基板Ｗの裏面Ｗａ外周縁が基板保持穴９の内周面８に当接して、サセプタ７の基板保持穴９を半導体基板Ｗにて閉塞させて、半導体基板Ｗの裏面Ｗａ外周縁と基板保持穴９の内周面８との間を通って、プラズマが半導体基板Ｗの裏面Ｗａに侵入しないようにする。また、チャンバ２の底板３の四隅に、排気穴５０を設け、チャンバ２内のガスを四隅から排気するようにして、拡散板４３から導出されて下方に配置された半導体基板Ｗの表面Ｗｂを曝された酸素プラズマは、チャンバ２の底板３の四隅に設けた排気穴５０に向かって導かれるようにした。 （もっと読む）

【課題】プロセス条件などに応じてプロセスガスの流れを最適化できるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１において、処理容器２の壁面を挿通する軸部と前記軸部の前記処理容器の内部に面する側の一端に設けられた前記軸部の径寸法よりも大きい径寸法を有する拡径部とを有する制御ノズル部１６と、前記処理容器の内壁面に対する前記拡径部の位置を変化させる移動部１７と、前記移動部を制御する制御部１４と、前記制御ノズル部を介して、前記処理容器の内部にプロセスガスを供給するガス供給部１２と、を備え、前記制御部は、前記壁面を挿通する軸部の外周面に沿って供給されるプロセスガスの流れを、前記処理容器の内壁面に対する前記拡径部の位置を変化させることで制御すること、を特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理時間を短縮させて生産効率を上げ、しかも、マイクロ波発振器を休止させることなく有効に利用することができる複数のプラズマ処理装置のプラズマ生成方法及びプラズマ処理装置システムを提供する。
【解決手段】第１及び第２プラズマアッシング装置１，２は、それぞれマイクロ波発振器２５から発振するマイクロ波を、それぞれ自身のアッシング装置が休止中で、他のアッシング装置が処理中のときには、分配器２６を切換制御して、他のアッシング装置に供給するようにした。 （もっと読む）

【課題】ステージに載置される加工用基板の予備加熱効率を上げ生産効率の向上を図ることができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用トレイを提供する。
【解決手段】ステージ５の載置面５ａに、複数枚の半導体基板Ｗを位置決め保持する保持用トレイ６のみを没入させるトレイ収容溝１０を形成する。そして、保持用トレイ６がトレイ収容溝１０内に没入されて行く過程において、ステージ５の載置面５ａが、格子空間を貫通し支持桿８に支持されている各半導体基板Ｗと当接し、各半導体基板Ｗと保持用トレイ６とを離間させる。各半導体基板Ｗは、ステージ５の載置面５ａに載置される。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波透過窓の温度上昇を防止し、マイクロ波透過窓の損傷を防止することができるプラズマ処理装置のプラズマ生成方法及びプラズマ処理装置を提供する
【解決手段】プラズマ生成室Ｓに、第１マイクロ波透過窓１６と第２マイクロ波透過窓１７の２つを設ける。マイクロ波発振器２４からのマイクロ波を伝搬する主導波管２３の先端部分に設けた第１分岐導波管２１と第２分岐導波管２２を、第１マイクロ波透過窓１６と第２マイクロ波透過窓１７に接続する。そして、分配器２５にて、各マイクロ波透過窓１６，１７を、交互に使用してプラズマ生成室Ｓにマイクロ波を導入しプラズマを生成するようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、温度状態の管理をより正確に行うことができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、前記処理容器の内部に設けられた被処理物を載置する載置部と、内部にプラズマを発生させる領域を有し、前記処理容器から離隔された位置に設けられた放電管と、マイクロ波発生部から放射されたマイクロ波を伝播させて、前記プラズマを発生させる領域にマイクロ波を導入する導入導波管と、前記プラズマを発生させる領域にプロセスガスを供給するガス供給部と、前記放電管と、前記処理容器と、を連通させる輸送管と、前記放電管の温度を検出する第１の温度検出部と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】細長くて均一かつ安定なプラズマを形成することができる、ＥＣＲプラズマ源の提供。
【解決手段】ＥＣＲプラズマ源は、細長い長方形状の誘電体窓(18)およびプラズマ引き出し用の開口(12a)を有し、誘電体窓(18)に平行な断面形状が長方形状であるプラズマ生成室(12)と、ＥＣＲ条件を満足するとともに開口(12a)からプラズマを引き出すための磁場を、プラズマ生成室(12)内に形成する磁気コイル(14)と、マイクロ波導入口からマイクロ波導出口にかけて幅寸法が大きくなるようなテーパ形状を有し、マイクロ波をほぼ等しい２つのマイクロ波に分岐するとともに、マイクロ波導出口を定在波の管内波長の長さ相当間隔で仕切る仕切り板(161a〜161c)を有するテーパ導波管(16)と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ励起効率の高い小型のプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ発生装置１００は、マイクロ波を発生するマイクロ波発生装置１０と、マイクロ波発生装置１０で発生されたマイクロ波を放射するスロットアンテナ２１ｂと、内管２０ａと外管２０ｂからなる同軸構造を有し、内管２０ａの一端にスロットアンテナ２１ｂが取り付けられ、マイクロ波発生装置１０で発生させたマイクロ波をスロットアンテナ２１ｂへ導く同軸導波管２０と、誘電体材料からなり、スロットアンテナ２１ｂを保持する共振器２２と、共振器２２が配置される開口面を有し、スロットアンテナ２１ｂから共振器２２を通して放射されたマイクロ波が導かれ、かつ所定の処理ガスが供給され、マイクロ波によって処理ガスが励起されるプラズマ励起用のチャンバ所定の処理ガスが供給されるプラズマ励起用のチャンバ２３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】量産安定性と機差低減に関わるプラズマのイオンフラックスの量（プラズマ密度）と、その分布に関する装置状態を検知する手段を備えたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器１０８、ガス導入手段１１１、圧力制御手段、プラズマソース電源１０１、被処理物１１２を真空容器内に載置する下部電極１１３、高周波バイアス電源１１７を具備するプラズマ処理装置において、プラズマソース電源１０１と高周波バイアス電源１１７とは異なる発振周波数をプラズマ処理室内に発振するプローブ高周波発振手段１０３と、プローブ高周波発振手段１０３から発振される高周波をプラズマに接する面で受信する高周波受信部１１４、１１５と、プローブ高周波発振手段１０３と受信部１１４、１１５から形成せられる電気回路内の発振周波数毎のインピーダンス、反射率及び透過率、高調波成分の変動を測定する高周波解析手段１１０を具備する。 （もっと読む）

半導体処理システムで使用するためのアルミニウムおよびマグネシウムを含む物体の表面を覆う保護層を作るための方法であって、それは、プラズマ電解酸化プロセスを使用して物体の表面を酸化するステップを含む。その方法はまた、ハロゲンを含むガスを励起することによってハロゲン含有プラズマを発生させるステップも含む。その方法はまた、酸化された表面をハロゲン含有プラズマまたは励起ガスにさらすステップも含む。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ生成効率を犠牲にすることなく、また余分な発熱を生じることなく、プラズマの均一性を向上する。
【解決手段】 第１及び第２の導電板３１，３２により形成されるラジアル導波路３３内に平面視放射状に配置され、第１の導電板３１と第２の導電板３２との間に延在する導電性の仕切り板３７を複数備える。 （もっと読む）

【課題】平面アンテナや誘電体窓を周方向に均一に冷却できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の処理容器１００の側壁１４０に誘電体窓１０５を冷却するための冷媒流路１４５を設ける。冷媒流路１４５には、相変化させることなく液相又は気相の冷媒が流される。側壁１４０の周方向に伸びる冷媒流路１４５の少なくとも一部は、上流から下流に向けて漸次断面積が小さくなる。ここで、冷媒流路１４５の断面積を小さくすれば、冷媒の流速が大きくなり、熱伝達率が大きくなる。冷媒流路１４５の断面積を上流から下流に向けて漸次小さくすると、冷媒の温度上昇に伴う温度差の低下分を熱伝達率の向上分により補うことができ、冷媒流路１４５の長さ方向における熱移動量をほぼ一定にすることができる。このため、平面アンテナ９０５や誘電体窓１０５を周方向に均一に冷却することが可能になる。 （もっと読む）