【課題】矩形導波管を用いてマイクロ波を処理室に供給するプラズマ処理装置の電極構成及びその電極を用いた電磁波の給電方法を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１００は、マイクロ波を出力するマイクロ波源４０と、マイクロ波を伝送させる矩形導波管３１と、２以上のスロットを含むスロット群３２ａｇが矩形導波管３１を伝送するマイクロ波の管内波長λｇ／２の整数倍毎に等間隔に形成された金属のスロットアンテナ３２と、を有し、矩形導波管３１を伝送したマイクロ波を前記等間隔に形成されたスロット群３２ａｇから処理室内に供給し、前記処理室の内壁を形成するスロットアンテナ３２の金属面に沿って伝搬させる。これにより、マイクロ波のエネルギーによってガスを励起させてプラズマを生成し、処理室内にて基板Ｇにプラズマ処理を施す。 （もっと読む）

【課題】基板を処理する処理容器内におけるガスの流れをコントロールすることにより、処理容器内の圧力を適切に制御し、所望の圧力状態にすることが可能な基板処理技術を提供する。
【解決手段】処理容器２内に処理ガスを導入するとともに排気して処理容器２内の載置台４上に置かれた基板Ｇを処理する基板処理装置１であって、処理容器２内において、載置台４の周囲を複数の領域１５に仕切る仕切り部材６と、処理容器２の底面２ａにおいて、仕切り部材６によって仕切られた複数の領域１５にそれぞれ設けられた、処理ガスを排気する複数の排気口５と、複数の排気口５の各々に接続されて個別に作動可能な排気機構５５と、各領域１５の圧力を検出するセンサ４７と、センサ４７が検出した圧力に基づいて排気機構５５を個別に制御する制御装置４５を有する。 （もっと読む）

【課題】
試料温度を面内で均一にすることのできる真空処理装置および真空処理方法を提供する。
【解決手段】
真空処理室内で試料を吸着保持するとともに試料温度を制御して試料を処理する真空処理装置および真空処理方法において、試料載置面に試料１を支持する凸部を外周部とその内側に離間して設け、押上げピン穴２０６を前記凸部の面内に設け、伝熱ガス供給穴２０５を前記凸部以外に設けて、押上げピン穴部に前記凸部以外に供給される伝熱ガス圧力よりも高い圧力の伝熱ガスを供給して試料を処理する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ条件に応じて天板内に最適な共振領域を形成し、高い圧力から低い圧力にわたって安定したプラズマの発生が可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理基板を収納し、プラズマを発生するプラズマ発生室と、プラズマ発生室の上部の開口部に配置され、マイクロ波をプラズマ発生室内へ供給するアンテナと、アンテナの下部に設けられ、面方向に均一な所定の厚さを有してプラズマ発生室の開口部を封止する天板４と、天板４の下面側に形成されたテーパ状の凸部４２１，４２３または凹部４２２と、天板４のアンテナ側の中心部に形成されており、良導体の配置される凹部４２５とを備える。 （もっと読む）

【課題】透過窓とチャンバとの間で気密保持するＯリングの損傷を防止することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波透過窓２０の下面２０ａの外周部であって円柱体１５の上面１５ａと連結する部分に位置する領域に、環状の導電性膜２５を形成し、マイクロ波透過窓２０の外周部分を透過するマイクロ波を該導電性膜２５にてシールドしてトッププレート側に透過させないようにした。そして、間隔保持板２３によってＯリング２１の内側に生じるマイクロ波透過窓２０の下面２０ａと円柱体１５の上面１５ａとの隙間Ｄにマイクロ波が導入されないようにした。 （もっと読む）

【課題】マイクロローディング効果の制限を受けることなく、さらにサイドエッチの少ない良好な形状を得ることのできるドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】プラズマを用いて、疎部および密部を有するパターンを表面に形成した試料をエッチングするドライエッチング方法において、パターンの疎部のエッチング速度に比べてパターンの密部のエッチング速度が速いＣＦ系ガスと窒素ガスを含むエッチングガスを用いた第１のエッチングステップと、パターンの密部のエッチング速度に比べてパターンの疎部のエッチング速度が速い第２のエッチングステップとを用いる。 （もっと読む）

【課題】処理装置内を真空にしても載置台が傾くことのない処理装置を提供すること。
【解決手段】チャンバー内に処理ガスを導入するとともに高周波電力を印加してプラズマを形成し，被処理体にプラズマ処理などの所定の処理を行うプラズマ処理装置に，被処理体を載置する載置台と，載置台を保持する載置台固定部とを設け，載置台固定部は載置台固定部の上下にそれぞれベローズを配置し，載置台がチャンバーに対して水平に支持されるようにした。 （もっと読む）

【課題】プラズマに投入するＲＦパワーを広範囲に変えても（特に低パワー領域を選択したときでも）、あるいはプラズマのインピーダンスが大きく変動しても、整合器のマッチング動作を安定かつスムースに行い、プラズマプロセスの安定性・再現性を向上させる。
【解決手段】容量結合型プラズマエッチング装置において、チャンバ１０内で半導体ウエハＷを載置するサセプタ１２には、高周波電源２８がマッチングユニット３０および給電棒３２を介して電気的に接続されている。給電棒３２の途中で、あるいはマッチングユニット３０内の整合器の後段で、ＲＦパワー分岐吸収部４４にＲＦパワーの一部を分岐させ吸収させることより、整合器から見える見掛け上の負荷インピーダンスの変動を低減させる。 （もっと読む）

【課題】 スタブ導波管を備えたスロットアンテナ方式のマイクロ波プラズマ処理装置において、スタブ導波管の直下の電界強度を高めることにより、スロットアンテナ付近の電界分布を効果的に調節し、スロットアンテナ全体に均一な電界分布を形成させる。
【解決手段】 プラズマ処理装置１００は、偏平導波管を構成する平面アンテナ板３１の上に形成される電界分布を調整する第２の導波管としてのスタブ４３Ａを備えている。スタブ４３Ａは、導電性のカバー部材３４に設けられている。スタブ４３Ａは、平面アンテナ板３１の最外周に配列されたスロット対を構成するスロット３２と上下に重なるように配置されている。透過板２８の下面には、スタブ４３Ａと上下に重なるように環状溝２８ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】誘電体窓の撓み等に起因した隙間が発生するのを防止できるマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置の誘電体窓１２と誘電体板２２との間を１〜６００Torr（１．３３３２×１０²〜７．９９９３×１０⁴Ｐａ）の範囲の負圧にする。誘電体板２２を誘電体窓１２に押し付け、誘電体窓１２の撓みに合わせて誘電体板２２を撓ませることができるので、誘電体板２２とスロット板２３との間、又はスロット板２３と誘電体窓１２との間に隙間が発生するのを防止することができる。大気圧が直接誘電体窓１２にかからなくなるので、誘電体窓１２の撓みも低減する。 （もっと読む）

【課題】ウェハのエッチング性能が温度によって変動するため、連続処理中および停止中の温度変動によってウェハ間のエッチング形状の均一性が悪化する。
【解決手段】エッチング処理に先立ってプラズマ放電による加熱によってリアクタ内壁温度を最適な温度にまで加熱し、エッチング処理動作停止（アイドリング）中を判断して、アイドリング中にも間欠的にプラズマ生成４０２を繰り返して、真空処理室の内壁表面温度を維持する。また、真空処理室の内壁表面温度と相関のある処理ガスの発光強度を測定して間欠的なプラズマ生成４０２を制御する。 （もっと読む）

マスクパターンを基板上に形成した後にエッチングプロセスによって所望のパターンを形成するように前記基板を処理する方法は、前記基板上に2つの層を形成する工程、前記マスクパターン又は前記2つの層のうちの1層のエッチングパターンの幅を測定する工程、並びに、前記の測定された幅に基づいて、前記エッチングプロセスにおいて用いられるHBr及び他の気体のうちのいずれか1つの流速を調節する工程を有する。前記2つの層は、シリコン窒化物層及び有機誘電層を有して良い。
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【課題】 ライン状に発生したプラズマのプラズマ密度の均一性を改善し、高均一なプラズマ処理が出来るプラズマ発生装置を提供すること。
【解決手段】 矩形導波管１は、Ｈ面に長さ方向に縦長の開口が設けられ、両端からマイクロ波が供給される。縦長の開口が設けられたＨ面の外側には、矩形導波管１の縦長の開口の外側から当該開口へプラズマ生成ガスを導入するプラズマ生成ガス供給手段が設けられて、開口２において導波管１のマイクロ波によりライン状プラズマが発生する。矩形導波管１は、開口２が設けられた対面となるＨ面にスペーサ１０が設置され、開口前記縦長の開口の長さ方向中央部におけるＨ面対向距離が、前記縦長の開口の長さ方向端部におけるＨ面対向距離よりも短く設定されている。 （もっと読む）

【課題】複数膜種のエッチング終点の検出を容易な構成で確実に実施できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理室２のプラズマ光３を複数の分光装置７を用いて分光し、分光した複数波長の複数の光を１つの光電子増倍管９に入射することにより、複数種の膜を連続的にエッチングするに際して、装置制御システム変更無しにエッチング終点の検出を行う。 （もっと読む）

【課題】電極間のリーク電流の発生及び応力集中が効果的に抑制されるとともに、高密度化が可能であり、さらに、圧電体層のプラズマダメージが抑制された圧電素子を提供する。
【解決手段】圧電素子１０は、支持体１２と、支持体１２上に形成されている下部電極１６と、下部電極１６上に形成されている圧電体層２０と、圧電体層２０上に下部電極１６と対向するように形成されている上部電極２４と、を有し、圧電体層２０の下部電極１６側の面が上部電極２４側の面よりも大きくなるように圧電体層２０の下部電極１６側の周囲に段差部２０Ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、放電管の寿命を延ばすことができるプラズマ発生装置およびプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部にプラズマを発生させる領域を有する放電管と、マイクロ波発生手段から放射されたマイクロ波を伝播させて、前記プラズマを発生させる領域にマイクロ波を導入する導入導波管と、プラズマ生成物に含まれる荷電粒子の極性を利用して、前記放電管の内壁からプラズマ生成物を引き離すプラズマ生成物制御手段と、を備えたことを特徴とするプラズマ発生装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】金属ロッドから成り、マイクロ波発生装置から導波管を介して伝搬されるマイクロ波を前記ロッドの一方側で受信し、他方端側では同心状に形成される接地側の電極との間で放電を行うことでプラズマを発生させるプラズマ電極において、長寿命化を図る。
【解決手段】ロッド状のプラズマ電極４０の上方側のアンテナ４１の部分が導波管２０の導波空間Ｈに配置されてマイクロ波を受信する一方、前記プラズマ電極４０の下方側が内側電極４２となり、それに外側電極３１が同心状に配置され、それらの間の内部空間３２にガス供給孔３５から供給される処理ガスを前記マイクロ波でプラズマ化するプラズマ発生ノズル３０において、前記内側電極４２の下方端４２１にセラミック溶射層４９を形成する。したがって、前記セラミック溶射層４９が前記下方端４２１に密着して該下方端４２１を安定して覆い、前記放電に対して、金属基材の蒸発や酸化を抑えることができる。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの基板を担持した少なくとも１つの基板キャリアを中に導入することができる少なくとも１つの排気可能なプロセス・チャンバと、プラズマ発生モジュールと、少なくとも１つのガス供給部と、少なくとも１つのガス排出部とを備える基板処理装置に関する。さらに、本発明は、少なくとも１つの基板を担持した少なくとも１つの基板キャリアが少なくとも１つの排気可能なプロセス・チャンバに導入され、プロセス・チャンバ内で、プラズマ・プロセスにおいてプラズマ発生モジュールによってガスまたはガス混合物中でプラズマが発生され、基板のコーティング、エッチング、表面改質、および／または洗浄が行われる基板処理方法に関する。本発明の目的は、十分に表面テクスチャ加工された基板でさえ高いスループットおよび高品質で等方性エッチングすることができる、上記の一般的なタイプの基板処理装置および基板処理方法を提供することである。この目的は、まず、上記の一般的なタイプの基板処理装置であって、気相エッチング・モジュールがプロセス・チャンバ内に組み込まれた基板処理装置によって実現される。さらに、この目的は、上記の一般的なタイプの基板処理方法であって、プロセス・チャンバ内で、少なくとも１つの基板の気相エッチングが、プラズマ・プロセスの前に、および／またはプラズマ・プロセスの後に、および／またはプラズマ・プロセスと交互に行われる基板処理方法によって実現される。
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本発明は、基板の表面をテクスチャするためのドライエッチング方法に関し、この方法は以下の工程：ａ）基板の表面上で第１ドライエッチング工程を行い、これにより突起部と溝部とを有する表面テクスチャを形成する工程であって、第１ドライエッチング工程は、フッ素（Ｆ）ラジカルと酸素（Ｏ）ラジカルとを含むプラズマ中で基板の表面をエッチングする工程を含み、プラズマは過剰の酸素（Ｏ）ラジカルを含む工程、および、ｂ）表面テクスチャ上で第２ドライエッチング工程を行い、これにより表面テクスチャを平坦化する工程であって、第２ドライエッチング工程は、フッ素（Ｆ）ラジカルを含むプラズマ中で、工程ａ）で得られた表面テクスチャを、化学等方性エッチングする工程を含み、これにより突起部が溝部より実質的に速くエッチングされる工程、を含む。
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【課題】不要物の除去を行う際に被処理物に与える影響を抑制することができるとともに生産性の向上を図ることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】被処理物Ｗを収容し大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器６と、前記処理容器内を減圧する減圧手段３と、前記被処理物を収容する空間と連通しプラズマを発生させる空間を有するプラズマ発生室と、前記プラズマを発生させる空間に電磁波を作用させてプラズマを発生させるプラズマ発生手段２と、前記プラズマを発生させる空間にプロセスガスを供給するガス供給手段４と、除去液蒸気を前記被処理物を収容する空間に供給する除去液蒸気供給手段３０と、前記除去液蒸気が凝縮する温度以下となるように前記被処理物の温度を制御する第１の温度制御手段５１と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置１。 （もっと読む）