【課題】磁気特性の低下の抑制を図る。
【解決手段】磁気抵抗素子の製造方法は、磁化の方向が不変の固定層４、コバルトまたは鉄を含み、磁化の方向が可変の自由層６、および前記固定層と前記自由層との間に挟まれる非磁性層５で構成される積層体を形成し、前記積層体上に、ハードマスク１１を形成し、前記ハードマスクをマスクとして塩素を含むガスで前記積層体をエッチングし、エッチングされた前記固定層および前記自由層の側面に、ボロンと窒素とを含む絶縁膜１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマを均一に形成して大口径のウエハに対しても均一にエッチング加工することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理室内に少なくとも１種の処理ガスを導入する手段を有し、該処理ガスを真空室外に排気する排気装置を有し、該真空処理室上部から高周波を導入し、該処理室外部に少なくとも２つのソレノイドコイルを有し、該真空処理室内に設置したシリコン基板を処理するプラズマエッチング装置において、第一のソレノイドコイルを該真空処理室の上部に配置し、該第一のソレノイドコイルの内径が２５０mm以上５００mm以下であることを特徴とするプラズマエッチング装置。 （もっと読む）

【課題】大面積基板上に均一なプラズマを励起することが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、内部に基板Ｇを載置する載置台１１５と載置台上方においてプラズマが発生されるプラズマ空間とを有する真空容器１００と、真空容器１００の内部にプラズマを励起するための高周波を供給する第１の同軸管２２５と、第１の同軸管２２５に接続され、プラズマ空間に向けてスリット状に開口する導波路２０５と、導波路２０５を前記スリット状の開口の長手方向に伝搬する高周波の波長を調整する調整手段とを有する。前記調整手段により導波路２０５を伝搬する高周波の波長を十分に長くすることにより、前記スリット状の開口に長手方向に沿って均一な高周波電界を印加することができる。 （もっと読む）

【課題】エッチングレートあるいは所望の加工形状をウエハ面内で均一に得ることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理容器内に処理ガスを供給するガス供給装置１１３と、前記真空処理容器内に試料を載置して保持する載置電極１１５と、前記載置電極に高周波バイアス電圧を供給する高周波バイアス電源１１７と、前記真空処理容器内を排気する排気装置と、前記真空処理容器内に磁界を形成する電磁コイル１０７，１０８，１０９と、前記真空処理容器に高周波エネルギーを供給して、前記磁界との相互作用によりプラズマを生成するプラズマ生成装置１０１とを備え、前記高周波バイアス電源は２ＭＨｚ以上の高周波であり、前記載置電極上の前記真空処理容器のプラズマ生成領域に対向する面に形成されたアース領域の高さ以下の領域の磁束密度は２０ｍＴ以下である。 （もっと読む）

【課題】設備コストを低減しつつ、良好なエッチング特性を得ることができるドライエッチング方法およびドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】本実施形態のドライエッチング方法は、水素を含む第１の反応ガスとフッ素を含む第２の反応ガスとを加熱体１１０に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第１の反応ガスおよび前記第２の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする。これにより、マイクロ波を用いた従来のラジカル源と比較して、ラジカルの生成に必要な設備および電力を低コストに抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】ウェハ処理特性を安定化するプラズマ処理装置または方法を提供する。
【解決手段】内部に減圧されて処理対象のウェハ１７１を処理するためのプラズマが形成される処理室１１０を有する真空容器と、この真空容器の上部でこれを構成し前記処理室の上方に配置されその下方の前記処理室内の空間に前記プラズマを形成するための電界が透過する誘電体製の板部材１１１と、前記板部材の上方に配置され温度を検出する検出器１８１と、この検出器が検出した結果に応じて前記プラズマの形成を調節する制御部とを備え、前記検出器が、前記プラズマが形成される前の第一の時刻とこのプラズマが形成された後所定の時間後の第二の時刻とこの所定時間後の時刻の後の前記プラズマが形成中の任意の第三の時刻における放射エネルギーの量に基づいて前記第三の時刻の温度を検出する。 （もっと読む）

【課題】ウエハの温度の変化を高速化し温度の調節の精度を向上して処理の効率を向上できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内部の処理室内に配置された試料台上にウエハを載置して前記処理室内に形成したプラズマを用いて前記ウエハを処理するプラズマ処理装置であって、前記試料台の内部に配置された金属製の基材と、この基材上面に配置され溶射により形成された誘電体製の膜と、前記誘電体製の膜内部に配置され溶射で形成された膜状のヒータと、前記誘電体膜上に配置された接着層と、前記接着層によって前記誘電体膜に貼り付けられた厚さ０.２〜０.４mmのセラミック製の焼結板と、前記基材内部に配置され温度を検知するセンサと、このセンサからの出力を受けて前記ヒータの発熱を調節する制御部とを備えた。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板裏面をソース電極として使用するＬＤＭＯＳＦＥＴにおいて、出力効率向上のため、基板抵抗を下げようとして高濃度ボロンドープ基板を用いると、ソースドレイン間のリーク不良が、多発することが、本願発明者等によって明らかにされた。更に、この不良解析の結果、ソース不純物ドープ領域からＰ型エピタキシ層を貫通してＰ型基板に至るＰ型ポリシリコンプラグに起因する不所望な応力が、このリーク不良の原因であることが明らかにされた。
【解決手段】本願発明は、ＬＤＭＯＳＦＥＴを含む半導体装置であって、ＬＤＭＯＳＦＥＴのソース不純物ドープ領域の近傍の上面から下方に向けてエピタキシ層内をシリコン基板の近傍まで延び、前記エピタキシ層内にその下端があるシリコンを主要な成分とする導電プラグを有する。 （もっと読む）

【課題】確実にガスを供給してプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、プラズマ処理用のガスを供給するガス供給口を有するアウターガス供給部材４０と、処理容器内においてアウターガス供給部材４０を支持するガス供給部材支持装置としてのジャケット部２７を備える。ジャケット部２７は、アウターガス供給部材４０および側壁を連結するように、ガス供給部材の延びる方向にそれぞれの間隔を空けて設けられる３つの支持部材４４〜４６と、側壁に固定され、支持部材を取り付け可能な取り付け部４７〜４９とを含む。支持部材は、第一の取り付け部４７に固定して取り付けられる第一の支持部材４４と、第二の取り付け部４８、４９にフリーに支持されるように取り付けられる第二の支持部材４５、４６とを含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマ分布、プラズマ電位、エッチング特性あるいは表面処理特性が時間的、空間的に変動し、制御性および信頼性の高いプラズマ処理装置（プラズマエッチング装置あるいはプラズマ表面処理装置）を実現することが困難であった。
【解決手段】放電形成用電磁波の少なくとも一部を透過型電極体を介して処理室内に導入する。透過型電極体は、透過型電極層を少なくとも構成要素の一部としており。透過型電極層には、細長形状のスロット開口領域が稠密に形成されている。この透過型電極体はRFバイアス用電磁波あるいはイオンプラズマ振動の電磁波にとっては電気的伝導性を有する材料のように振る舞い、プラズマ特性およびプラズマ処理特性の高安定化、高信頼性化を実現する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板等の部材に付着したＳｉ及びＣを含む膜を容易に除去でき、且つ部材にダメージを与えるおそれが少ない膜の除去方法、及びその除去方法において使用する膜除去用装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ及びＣを含む膜が形成された半導体基板２０をチャンバ１１内に配置する。また、チャンバ１１内に酸素ガスを導入するとともに、真空排気ポンプ１７によりチャンバ１１内の圧力を例えば１０Torr（約１．３３×１０³Ｐａ）に維持する。そして、真空紫外光ランプ１３により発生した真空紫外光を半導体基板２０に照射する。これにより、ＳｉとＣとの結合が切断され、Ｓｉと酸素とが結合して、Ｓｉ及びＣを含む膜がＳｉＯ膜に変質する。その後、フッ酸等によりＳｉＯ膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】従来技術ではデュアルダマシン構造Ｖｉａ工程のＬｏｗ−Ｋ膜エッチング後の孔底部のエッチングにおいて、ストッパ膜のエッチングが進行しない課題があった。
【解決手段】本発明はプラズマエッチングするデュアルダマシンプロセスにおいて、デュアルダマシンプロセスのＶｉａ加工方法は、Ｖｉａパターニングされた上層レジスト膜をマスクとして反射防止膜をエッチングする第１ステップと、上層レジスト膜及び反射防止膜をマスクとして下層レジスト膜をエッチングする第２ステップと、下層レジスト膜をマスクとして前記Ｌｏｗ−Ｋ膜をエッチングする第３ステップと、ストッパ膜のエッチング前にプラズマ処理を行う第４ステップと、ストッパ膜をエッチングする第５ステップとを有することである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プロセスガスの導入量を制御するコンダクタンス制御部の数を低減させることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、前記処理容器の内部に設けられた被処理物を載置する載置部と、前記処理容器の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記処理容器の内部にプロセスガスを供給するガス供給部と、一端が前記ガス供給部に接続された第１の配管と、前記第１の配管の他端に接続された分岐部と、それぞれの一端が前記分岐部に接続され他端が前記処理容器に接続された複数の配管であって、配管の流路のコンダクタンスが互いに異なる、複数の配管と、前記第１の配管に設けられ、前記第１の配管の流路のコンダクタンスを制御するコンダクタンス制御部と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板同士を接合する前に、当該基板の表面を適切に活性化する。
【解決手段】表面活性化装置の処理部７０は、処理ガスをプラズマ励起させてラジカルを生成するラジカル生成ユニット８０と、ラジカル生成ユニット８０で生成されたラジカルを用いて、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌの表面Ｗ_Ｕ１、Ｗ_Ｌ１を活性化する処理ユニット８１とを有している。処理ユニット８１は、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌを収容する処理容器１２０と、処理容器１２０内にラジカルを供給するラジカル供給口１３１と、ラジカル供給口１３１の下方に設けられ、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌを載置して熱処理する熱処理板１４０と、処理容器１２０内をラジカル供給口１３１側のラジカル供給領域Ｒ１と熱処理板１４０側の処理領域Ｒ２に区画するように設けられ、ラジカルをラジカル供給領域Ｒ１から処理領域Ｒ２に導入させるラジカル導入板１５０と、備えている。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波を用いたプラズマ処理装置において、広いプラズマ処理条件に対してマイクロ波の円偏波化が達成され、軸対称性の良いプラズマ処理特性を得ることのできるプラズマ処理装置の実現と処理方法を提供する。
【解決手段】反射波が有っても、マイクロ波の円偏波化が行える円偏波発生器を用いてプラズマ処理の軸対称性を高めるため、円矩形変換器４０２の円形導波管４０５側にスタブ４０３および４０４を設け、スタブ４０３および４０４は円柱状で先端部は半球状とした。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度の凸分布傾向を改善したマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の伝送系が円形導波管を用いて構成され、電磁波供給機構が該円形導波管に接続された略円柱状の空洞部からなり、該空洞部にリッジ３０１を設けること、あるいは、リッジ３０１とテーパ導波管４０１を併用することでマイクロ波の中心集中傾向を改善する。 （もっと読む）

【課題】ナノおよびマイクロマシン（Ｎ／ＭＥＭＳ）デバイスに単結晶ダイヤモンドを利用することは困難であり、報告例がなかった。それは、犠牲層である酸化物上に単結晶ダイヤモンドを成長させることが困難なためである。従来技術では、犠牲層酸化物上に多結晶或いはナノダイヤモンドを作製することによって、カンチレバー等を作製しているが、機械性能、振動特性、安定性及び再現性は不十分であった。
【解決手段】本発明は、ダイヤモンド基板１０１内の高濃度イオン注入領域がグラファイトに改質されることを利用し、改質されたグラファイト層１０４を犠牲層として電気化学エッチング除去し、その上に遺されたダイヤモンド層を可動構造体とする。作製されたカンチレバー１０６は高い周波数の共鳴振動を示した。単結晶ダイヤモンドを使用することによって、Ｎ／ＭＥＭＳデバイスの機械性能、安定性および電気特性を改良することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチングにおいて、ステップ間で連続放電を行った場合の、スループット低下，再現性低下，プラズマ放電不安定の問題を解決する。
【解決手段】ガス供給源１０１からガス供給源１１１に切換える場合に、事前にバルブ１１４を開き、ＭＦＣ１１２の流量を次ステップで使用する流量に設定して、ガス供給源１１１を排気手段５に流しておいて、バルブ１１３を開くと同時にバルブ１１４を閉じることでガス供給源１０１からガス供給源１１１に切換えるガス切換方法において、バルブ１１３，バルブ１１４およびＭＦＣ１１２で囲まれた部分のガス配管１１５の容積Ｖ１を、ガス貯め１０や処理ガスライン８を含むシャワープレートからバルブ１１３までの間の容積Ｖｏに比べて十分小さくする。これによって、圧力のアンダーシュートがなくなり放電不安定が発生しなくなる。 （もっと読む）

【課題】同軸構造の導波路の軸の延長線上から電磁波電力を給電できない場合でも、同軸構造の導波路に有効に電磁波電力を給電することができる電磁波給電機構を提供すること。
【解決手段】同軸構造の導波路４４の側部に設けられ、給電線としての同軸線路５６が接続されるマイクロ波電力導入ポート５５と、同軸線路５６に接続され、導波路４４の内部に電磁波電力を放射する給電アンテナ９０とを具備する。給電アンテナ９０は、同軸線路５６に接続された第１の極９２と、導波路４４の内側導体５３に接触する第２の極９３とを有するアンテナ本体９１と、前記アンテナ本体９１の両側から延びリング状に形成された反射部９４とを有する。 （もっと読む）

【課題】水平面における１の領域ではプラズマ密度を大きくするとともに他の領域ではプラズマ密度を小さくする等、プラズマ密度の分布を任意の状態に変化することができるプラズマ分布制御が可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１１は、内部で被処理基板にプラズマ処理を行う処理容器１２と、マイクロ波を処理容器１２内へ供給するためのスロット孔１７が複数設けられたスロットアンテナ板１８と、スロット孔１７の開度を変化させてスロット孔１７から放射されるマイクロ波の放射量を調整するマイクロ波放射量調整機構としてのロッド５２とを備える。 （もっと読む）