【課題】基板を均一に処理できるバッフル及びこれを含む基板処理装置が提供される。
【解決手段】本発明の基板処理装置はプラズマを発生させるプラズマ生成部３００と、プラズマ生成部３００の下部に位置し、内部に空間が形成されたハウジング１１０と、ハウジング１１０の内部に位置し、基板Ｗを支持するサセプタ１１２と、プラズマ生成部３００で供給されたプラズマを基板Ｗへ噴射する噴射ホール１４２ａ，１４２ｂが形成されたバッフル１４０と、を含み、バッフル１４０は噴射ホール１４２ａ，１４２ｂが形成され、中心領域の厚さが縁領域より厚いベース１４１を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ダミー材料の除去により形成される溝や孔に容易にトップラウンドを設けることができるドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明は、層間酸化膜に周囲を囲まれたダミー材料を除去することにより溝または孔を形成するドライエッチング方法において、前記ダミー材料を所定の深さまでエッチングし、前記エッチング後に等方性エッチングを行い、等方性エッチング後に前記ダミー材料の残りを除去することを特徴とするドライエッチング方法である。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理の特性を多様に変化させることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
このプラズマ処理装置は、マイクロ波のエネルギーを、処理容器２の上部に配置された誘電体窓１６を介して処理容器２内に供給して、ガス供給源１００から処理容器２内に供給した処理ガスをプラズマ化して、処理容器２の下部に配置された基板Ｗをプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、ガス供給源１００から供給される処理ガスを、誘電体窓１６からの距離が異なる位置に導入する少なくとも第１及び第２のガス導入部を備えている。 （もっと読む）

【課題】難エッチング材料を、高速、高精度及び低ダメージでエッチングする。
【解決手段】実施形態に係わるエッチング装置は、上面側に披処理基板１９が搭載されるステージ１１と、ステージ１１の上面側を覆うチャンバー１２と、ステージ１１の下面側に付加され、開口部を有する下部電極１３ａと、チャンバー１２内にエッチングガスを供給するガス供給部１４と、下部電極１３ａに高周波を印加することにより、チャンバー１２内のエッチングガスをプラズマ化する高周波電源部１７と、下部電極１３ａの開口部を介して被処理基板１９にマイクロ波を印加することにより、披処理基板１９の温度を最適範囲内に設定するマイクロ波発生部１５と、ガス供給部１４、高周波電源部１７及びマイクロ波発生部１５を制御する制御部１８とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板表面処理量の面内均一性も改善することができるアンテナ、誘電体窓、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】アンテナは、誘電体窓と、前記誘電体窓の一方面に設けられたスロット板とを備えている。前記誘電体窓の他方面は、環状の第１凹部１４７に囲まれた平坦面１４６と、平坦面１４６の重心位置を囲むように、平坦面１４６内に形成された複数の第２凹部１５３とを有している。前記スロット板の主表面に垂直な方向からみた場合、前記スロット板におけるそれぞれのスロット１３３内に、それぞれの第２凹部１５３の重心位置が重なって位置している。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波放電に用いたマイクロ波のＲＦ給電ラインへの漏洩をライン途中で効果的に遮断してマイクロ波漏洩障害を確実に防止する。
【解決手段】このマイクロ波プラズマ処理装置において、サセプタ１２にＲＦバイアス用の高周波を印加するための給電棒３４は、その上端がサセプタ１２の下面中心部に接続され、その下端がマッチングユニット３２内の整合器の高周波出力端子に接続されている。また、チャンバ１０の底面とマッチングユニット３２との間には、同軸線路３６を形成するために、給電棒３４を内部導体としてその周りを囲む円筒状の外部導体３８が設けられている。同軸線路３６には、チャンバ１０内のプラズマ生成空間から線路内に入ってきた不所望なマイクロ波の空間伝播を遮断するためのチョーク機構４０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】チタンを含有する金属化合物の膜を含むウエハを、フッ素を含有するガスを用いてエッチングするエッチング処理室をプラズマクリーニングするプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】チタンを含有する金属化合物の膜を含むウエハ１０２を、エッチング処理室１０１内の試料台１０３に載置し、ガス導入部１０４からフッ素を含有するガスを導入してエッチング処理を行い、Ｃｌ_２ガスとＣＨＦ_３ガスの混合ガス、または、Ｃｌ_２ガスとＣＨＦ_３ガスとＳｉの混合ガスを用いて、エッチング処理室１０１内に蓄積されるフッ化チタン系反応生成物を除去するプラズマクリーニングを行う。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を低減ことが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、処理容器、ステージ、誘電体部材１６、マイクロ波を導入する手段２０ｂ、インジェクタ２２、及び、電界遮蔽部２４ｃを備えている。処理容器は、その内部に処理空間を画成する。ステージは、処理容器内に設けられている。誘電体部材は、ステージに対面するように設けられている。マイクロ波を導入する手段は、誘電体部材を介して処理空間内にマイクロ波を導入する。インジェクタは、誘電体製であり、一以上の貫通孔を有する。インジェクタは、例えば、バルク誘電体材料から構成される。このインジェクタは、一以上の貫通孔を有し、誘電体部材の内部に配置される。インジェクタは、誘電体部材に形成された貫通孔と共に処理空間に処理ガスを供給するための経路を画成する。電界遮蔽部は、インジェクタの周囲を覆う。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波放電装置において、放電空間に対する構造的な制約を増すことなく、大気圧プラズマによって活性化した粒子に流速を付与可能とする。
【解決手段】マイクロ波放電装置１は、マイクロ波を導波する第１および第２の導体２１，２２と、各導体２１，２２の終端部２１ａ，２２ａに形成された放電空間２３と、放電空間２３に生成されるプラズマ中の荷電粒子に作用させる電界を生成する電圧源３とを備えている。プラズマＰは、両導体２１，２２により導波されるマイクロ波によって生成される。電圧源３が印加する電界は、プラズマ中の荷電粒子に電磁気力を作用させて荷電粒子を含む気体の流れを発生させる。電界は、終端部２１ａ，２２ａを電極として印加することができ、放電空間２３に対する構造的な制約を増すことがない。流速を付与された気体中には、プラズマに起因する活性化した粒子が含まれる。 （もっと読む）

【課題】従来のプラズマ処理では、ウエハ外周周辺部の等電位面が湾曲し、ウエハ外周部周辺のエッチングレートが不均一であるという課題がある。
【解決手段】ウエハ載置用電極１１１の段差部に、ウエハ載置用電極１１１と同電位となるように設けたリング状部材３０３が配置され、かつ前記リング状部材３０３の上面をウエハ載置用電極１１１の上面より高くすることでウエハ外周部周辺の等電位面３０１の湾曲を改善し、ウエハ外周周辺部のエッチングレートを高均一化するプラズマ処理装置および処理方法。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波プラズマエッチングによるシリコン深溝トレンチの高速エッチングを実現することによる生産性の高いエッチング方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１１やＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板１１１に高アスペクト比(アスペクト比＝トレンチ深さ/トレンチ幅)の深いシリコントレンチまたは穴を形成するプラズマエッチング方法において、マイクロ波によって生成されたプラズマを用い、プラズマを形成するマイクロ波は、高圧力、高マイクロ波出力においても安定したプラズマを形成するため、導波管１０４の一部にマイクロ波回転発生器１０５を設け、マイクロ波回転発生器１０５を通過したものであり、また、プラズマ形成に用いるガスとして少なくともフッ素を含むガスとＯ_２の混合ガスを用い、かつ、試料台１１０に高周波電源１１２によりバイアス電圧を印加することにより深いシリコントレンチまたは穴を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理室内の付着物の堆積を取り除く処理のタイミングをより適切にすることで、プラズマ処理装置の非稼働時間を低減し、処理の効率向上させるプラズマ処理装置及びその運転方法を提供する。
【解決手段】真空容器の内部に配置された処理室内にウエハを配置してこの処理室内にプラズマを形成して処理するプラズマ処理装置の運転方法であって、予め定められた間隔で前記処理室内にプラズマを形成してこの処理室内側の壁面の付着物を除去するクリーニング動作を行うクリーニング用モードを有し、このモードにおいて検出した前記プラズマを用いたクリーニングの際の付着物の量と前記プラズマを用いたクリーニング後の前記処理室のリーク量との各々が所定の値以下である場合に前記クリーニング用モードを終了する。 （もっと読む）

【課題】光学的手法を用いて被処理基板の構造をより高精度に評価することができるプロセスモニター装置を提供する。
【解決手段】プロセスモニター装置１１は、光を出射する光源部と、光の強度を検知可能な光検知部と、光源部から出射された光をウェハＷまで導き、ウェハＷから反射した反射波を光検知部まで導く第一光経路２１と、第一光経路２１と同等の光伝搬特性を有するように構成され、光源部から出射された光を、ウェハＷを経由することなく光検知部まで導く第二光経路と、第二光経路を通して光検知部により検知された光の強度情報に基づいて、第一光経路２１を通して光検知部により検知された光の強度情報を補正し、ウェハＷの構造を解析するコントローラ１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】試料の温度分布を所望の値に制御することができるとともに、信頼性の高い、長寿命のプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理室と、該真空処理室に配置された試料台を備え、前記真空処理室内にプラズマを生成して、前記試料台に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台１０７は、円柱状の基材部２０１と、該基材部上に配置されヒータ電極膜を備えた誘電体膜部２０２と、前記誘電体膜部上に配置され吸着用電極膜を備えたセラミクス板２０９と、前記誘電体膜部とセラミクス板を接着する第１の接着層２０７と、前記第１の接着層の側面を被覆する耐熱性の第２の接着層２１１と、前記第２の接着層および誘電体膜部の側面を被覆する保護部材２１２を備えた。 （もっと読む）

【課題】イットリア材料のフッ化を抑制できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理室７と、処理室７にガスを供給する手段１０と、処理室７を減圧する排気手段１２と、プラズマ生成のための高周波電力２０，２１と、被処理体４に入射するイオンを加速するための高周波バイアス電力２２，２３と、表面がイットリア１７で覆われている内壁材を処理室側壁に有するプラズマ処理装置において、処理室内のイットリアのフッ化度合いを検知可能なフッ化検知センサー３０を設置し、また、密度の高いプラズマに曝される側壁部分に石英製の円筒状の部品４１を設置し、また、処理室側面の下方に導電率の高い材料をアース５２として設置し、エッチング処理間のクリーニングにおいて、イットリア材料１７，３７のフッ化の緩和を基準にクリーニング時間を調整できるようにした。 （もっと読む）

【課題】ガス及び電磁波を供給可能な、プラズマ処理装置及びプラズマ発生用アンテナを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、プラズマ処理が行われる処理容器と、供給された電磁波を透過する遅波板４８０と、遅波板４８０に隣接して設けられたシャワーヘッド２１０を有するプラズマ発生用アンテナ２００とを備え、シャワーヘッド２１０は、導電体で形成され、複数のガス穴２１５が形成され、複数のガス穴２１５と分離した位置に電磁波を通す複数のスロット２２０を有する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成でプラズマの分布を均一化する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、処理容器２内にマイクロ波を導入するマイクロ波導入装置５を備えている。マイクロ波導入装置５は、天井部１１の複数の開口部に嵌合する複数のマイクロ波透過板７３を含んでいる。複数のマイクロ波透過板７３は、天井部１１の複数の開口部に嵌合した状態で、載置台２１の載置面２１ａに平行な１つの仮想の平面上に配置されている。複数のマイクロ波透過板７３は、マイクロ波透過板７３Ａ〜７３Ｇを含んでいる。マイクロ波透過板７３Ｇ，７３Ａの中心点Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ａ間距離とマイクロ波透過板７３Ｇ，７３Ｂの中心点Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂ間距離は、互いに等しいかほぼ等しくなるように設定される。 （もっと読む）

【課題】広範囲の繰り返し周波数帯域で高精度に制御可能な時間変調された間欠的な高周波電力を供給する高周波電源を備えるプラズマ処理装置及び前記プラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】真空容器と、該真空容器内にプラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記真空容器内に設置され試料を載置する試料台と、時間変調された間欠的な高周波電力を前記試料台に印加する高周波電源とを備えるプラズマ処理装置において、前記高周波電源は、２つ以上の異なる周波数帯域を有し、前記周波数帯域のそれぞれが使用するアナログ信号の範囲が同じである繰り返し周波数によって高周波電力を時間変調することを特徴とするプラズマ処理装置である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成空間から処理空間に進入するプラズマの光エネルギーを低下させ、生産性を向上することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係るプラズマ処理装置は、被処理物を載置する載置部１０３を有する処理容器１０１と、前記被処理物Ｗを処理するためにプロセスガスを活性化してプラズマを生成するプラズマ生成部６と、前記プラズマを生成した空間と前記被処理物を処理する空間７の間に設けられた遮光部８とを備え、前記遮光部は、内壁部に遮光面を持つ開口部を有し、前記プラズマの光が前記遮光面に遮られることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ及びプラズマエッチングの分野において、生産コストの低減に必要な、高速で基板サイズの大面積化が可能なプラズマ表面処理方法およびプラズマ表面処理装置を提供する。
【解決手段】導波管を備えた空洞共振器１と、高周波電源２０と、インピーダンス整合器３２と、３端子サーキュレータ５０と、該３端子サーキュレータ５０に接続された無反射終端器５２及び反射波検知器５４とから成るプラズマ表面処理装置で、インピーダンスの整合を取るに際し、供給電力のアンテナ２からの反射波が最小に、かつ、該空洞共振器内部に放射される電力が最大になるように調整可能としたことを特徴とする。リッジ６１を有する導波管を用いることも特徴とする。 （もっと読む）