処理プロセスにおいて加工物を処理するための装置及び方法が記載されている。多数ウェハ用チャンバは、チャンバ内部に少なくとも２つの加工ステーションを有するチャンバ内部を形成しており、加工ステーションはチャンバ内部を共有している。各加工ステーションは、プラズマ源と、加工物の１つを個々のプラズマ源を用いる処理プロセスに曝すための加工物台座とを有する。チャンバは、各加工物の主面に処理プロセスの所定の均一性のレベルを生ぜしめるように、各加工ステーションにおける加工物の周囲に非対称に配置された１つ又は２つ以上の導電性の面を有する。シールド配列は、シールド配列が存在しない場合に提供される所定の均一性のレベルよりも高い、個々のプラズマ源への加工物の露出の向上した均一性を提供する。
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【課題】プラズマを生成するための電極間のギャップを安定した放電間隔としながら処理室に配置するウエハの枚数の減少を防止できるようにする。
【解決手段】基板を処理する反応室１と、前記反応室１内に多段に配置されたリング状の支持板２１８と、前記支持板２１８にそれぞれ支持された複数の電極板２２０と、プラズマを生成するための電力を隣接する電極板２２０に印加して各電極板２２０及び各基板２００に支持された基板間にプラズマを発生させるプラズマ発生装置とを備えた縦型基板処理装置であって、前記各電極板２２０がそれぞれ前記基板２００と同材質の材料で構成されると共に、前記支持板が石英で構成され、前記各電極板２２０が前記各支持板２１８にそれぞれ固定される。 （もっと読む）

【課題】ウエハ上の薄膜の有無や種類や厚さに関わらず一定の処理を施す。
【解決手段】複数段のサセプタ電極５０を処理室３２内に所定の間隔を置いて配置し、各サセプタ電極５０に高周波電力を交流電源６１によって供給してプラズマ６０を生成し、各サセプタ電極５０に載置したウエハ１をプラズマ処理するバッチ式プラズマ処理装置において、各サセプタ電極５０の表面に１００００Åの厚さの酸化シリコン膜５１を形成する。サセプタ電極のプラズマをウエハに付随する薄膜の有無や種類や厚さにかかわらず一定に生成することができるので、バッチ間の成膜レートや面内膜厚分布を互いに等しくできる。
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【課題】空気漏れのないテープ状基板用のプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理空間を形成するチャンバの蓋部２にテープ状基板６の表面の電子部品構成部５の非形成箇所となる縁部６ｂに密着して所定の個数の電子部品構成部５を囲繞する第１のシール部材１０を備え、基部３に第１のシール部材１０と相対してテープ状基板６の裏面に密着する第２のシール部材を有する基部を備え、第１のシール部材１０が、テープ状基板６の長さ方向に延伸された第１の辺１０ｃと幅方向に延伸された第２の辺１０ｄによって矩形枠状に形成され、テープ状基板６の縁部６ｂに第１の辺１０ｃをそれぞれ密着させてプラズマ処理空間を密閉する。 （もっと読む）

【課題】複数の処理基板をプラズマ処理する半導体製造装置を提供する。
【解決手段】処理容器内に複数の基板を多段に保持する基板保持具と、処理ガス供給装置と、前記処理容器に複数の吹出口１２を通じて連通するプラズマ発生室１０と、プラズマ生成ガス供給装置と、プラズマ発生室１０外部に設けられた一対の電極２２，２２に高周波電流を供給するプラズマ発生装置と、前記基板保持具を回転させる回転装置と、前記処理容器内及び前記プラズマ発生室内の減圧排気装置とを備え、前記基板保持具を回転させながら前記プラズマ発生室１０にプラズマを発生させてこれを前記複数の吹出口１２からそれぞれ各基板間に導入しプラズマ処理を施す半導体製造装置。 （もっと読む）

【課題】スループットおよび歩留りが高く、パーティクルの少ない基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ１を載置するサセプタ電極５０を複数段、処理室内に所定の間隔を置いて配置し、各段のサセプタ電極５０に電力をそれぞれ供給してプラズマを生成し、各段のサセプタ電極５０に載置したウエハ１をプラズマ処理するバッチ式プラズマ処理装置において、ウエハ１を搬送するツィーザ２５に中央が長く両脇が短い３本の支持バー２６、２７、２８を設け、３本の支持バーはウエハ１の外周縁部下面の３点を支持するように構成する。各段のサセプタ電極５０には３本の支持バーが挿入する３本の逃げ溝５２、５３、５４を開設する。複数段のサセプタ電極に複数枚のウエハを同時に移載できるので、スループットを向上できる。ツィーザが逃げ溝に接触するのを防止することで、パーティクルを発生させるのを防止できるので、歩留りを向上できる。 （もっと読む）

【課題】処理室を構成する部材中に含まれる汚染物質を除去し、処理基板の汚染を防止することができる基板処理装置、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、ウエハ２００を処理する処理室２０１と、処理室２０１外部に設けられた上部電極３０１ａと、処理室２０１内部に設けられた下部電極３０１ｂとを有し、処理室２０１を構成する部材の少なくとも一部を横切る電界を形成する電界形成機構２９０と、処理室２０１内にガスを供給するガス供給管２３２と、処理室２０１内のガスを排気するガス排気管２３１とを有する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板のプラズマ処理の面内均一性を向上することを可能とする。
【解決手段】開口部２２０を有する処理容器と、ガス供給手段と、排気手段と、開口部から処理室２０１内に挿入される基板を保持する基板保持具と、基板保持具に積層されるプラズマ生成用の少なくとも１対の電極であって電極間に基板が配置される第１、第２電極と、基板保持具を処理室内で回転自在に支持するための回転軸３１０と、回転軸を回転自在に軸支し開口部を閉塞する蓋体と、回転軸中を通って処理室内に導入され第１、第２電極とに接続される第１、第２供給ラインと、処理室外に導出される第１、第２供給ラインに接続される第１、第２回転コンデンサ３１４ａ、３１４ｂと、第１、第２回転コンデンサから第１、第２供給ラインを介して第１、第２電極に異なる位相の電力を別々に供給する電力供給手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】
ロードロック室を具備した基板処理装置に於いて、減圧状態でのロードロック室の酸素濃度の測定を、常圧で実施し、安価な酸素濃度測定器の使用を可能とすると共にスループットの向上を図るものである。
【解決手段】
基板８を処理する処理室１と、該処理室に気密に連設された予備室２と、該予備室に連通すると共に排気手段１３に連通され、少なくとも一部が気密に隔離可能な排気路１５と、該排気路の隔離可能な部分１８に接続された酸素濃度測定手段１４とを具備した。
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真空チャンバー用ドアを開示する。本発明は、チャンバーの一側開放部を開閉させるドアがチャンバーの真空の際に曲げ荷重によって変形されることを予防してチャンバーの内部の真空が確かに形成し、ドアの維持補修費用を節減することができるように構成される。このドアは、一側に開放部が形成されたチャンバーと；前記チャンバーの開放部を回転によって開閉させるドアと；前記ドアの外面に固定結合され、一定距離だけ離隔可能に結合され、一端は固定されたヒンジアセンブリーと回転可能に結合されるガイドプレートとを含んでなる。
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【課題】被加工物の被加工面を均一に加工することができるプラズマ加工装置を提供すること。
【解決手段】電極部３３の基板ステージ２４側の対向面３４における、回転軸２３の径方向の最外方に位置する部分よりも径方向の内方の領域において、対向面３４の形状を、対向面３４の周方向の長さが、径方向の外方にいくにしたがって大きくする。 （もっと読む）

【課題】間隔の狭いウエハ間隙に対しても一様なプラズマを生成して複数枚のウエハを一括して大量かつ均一に処理できるバッチ式プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】１２枚の電極１を１２インチウエハ２の周囲から６mm離れた位置に円周状に３０°づつずらして配置し、電極１の一端に取り付けた給電端子３を介して各電極１を位相が１／１２周期ずつずれた１２相交流電位を印加する対称多相交流電源に接続する。電極１は裏面をガラスで絶縁した幅75mm×長さ160mm×厚さ１mmのアルミ板で形成し、両端を図示しない支持部材を介して一対のアルミ側板５に固定する。ウエハ２はリングボート装着して13.5mm間隔で１２枚取り付け、ウエハ支え６に支持して１２枚の電極１に囲まれた円周内に固定する。 （もっと読む）

高周波プラズマ処理室のアンテナアレイ（２８）は、電極アレイ（３４）と、各電極チューブと個別に同心円状に配置された誘電体チューブからなる誘電体チューブアレイ（３６）と、気密シール（４０）とを有している。各電極チューブの外面と、当該電極チューブに対応する誘電体チューブの内面とによって、大気圧の空洞が形成される。気密シール（４０）が各誘電体チューブと処理室との間にあることによって、処理室の内部を真空圧または低圧にする。
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【課題】複数の被処理物を同時にエッチングすることができ、且つ各被処理物の面内を均一にエッチングすることができるドライエッチング装置及びドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子を照射する荷電粒子発生部（イオン源室１０）と、該荷電粒子が照射される複数の被処理物（処理基板１００）を支持して回転する回転ステージ３０と、荷電粒子発生部と回転ステージとの間に設けられて荷電粒子発生部から照射される荷電粒子を遮蔽する遮蔽板４０とを具備し、遮蔽板を回動させて前記荷電粒子に対する前記遮蔽板４０の射影の大きさを調整することにより荷電粒子発生部から被処理物に照射される荷電粒子の面内照射量を調整する。 （もっと読む）

【課題】反応容器内においてシリコンと塩素とを含むガスを用いて基板の熱処理を行うにあたり、この反応容器内の雰囲気を排気するために反応容器に接続された排気配管内に堆積したシリコンと塩素とを含む副生成物を簡便に且つ安全に除去すること。
【解決手段】基板の熱処理を行った後、前記排気配管に堆積した副生成物に対して酸素ガスを供給して、この副生成物を酸化し、次いでこの酸化物にフッ化水素ガスを供給して酸化物をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】大型設備であっても、絶縁構造体の変形、破損の発生を見ることなく、長期間に亘って絶縁性及び気密性を良好に保持することが可能なプラズマ処理装置の絶縁構造を提供する。
【解決手段】真空容器内の基板２２４に対向して配置される２つの電極２２２，２２３を備え、２つの電極２２２，２２３の間に電圧を印加しガスを流すことによって基板の表面にプラズマ処理を行うようにしたプラズマ処理装置において、２つの電極２２２，２２３を支持する電極支持枠体２２６，（２２２）の側面に角溝２３１ａ，２３１ｂをそれぞれ設け、上下面と角溝２３１ａ，２３１ｂとの間に隙間２３１ｃ，２３１ｄを形成して各角溝２３１ａ，２３１ｂの底面に当接させ、電極支持枠体２２６，（２２２）にて絶縁枠２３０を挟持固定することにより、成膜室２３５を形成している。 （もっと読む）

【課題】反応ガスや基板の温度条件が局所的に異なる程度を小さくし、優れた膜質の膜を形成することが可能な処理装置および処理方法を提供する。
【解決手段】処理装置１は、反応室３と、ヒータ６と、リフレクタ１０とを備える。ヒータ６は、反応室３の内部において、反応ガスを用いて処理される基板４を加熱する。リフレクタ１０は、ヒータ６により基板４を加熱するときに反応室３の内部から外部へ伝導する熱量を局所的に変更する。 （もっと読む）

【課題】微小電気機械システムデバイスの製造中の表面電荷を低減するための方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスの製造中における表面付随電荷の形成および蓄積と、それに付随する有害作用を防止する方法がここに提供される。いくつかの実施形態において、ここに提供する方法は、イオン化ガスの存在下において犠牲物質をエッチングする。イオン化ガスは、エッチングプロセスの間に生成される荷電種を中性化し、他のエッチング副産物と一緒にそれらの除去を可能にする。また、本発明の方法によって形成された微小電気機械デバイスと、そのようなデバイスを包含する視覚ディスプレイデバイスが示される。
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【課題】製造できる肉厚に制限があるガラス状炭素を使用し、複数枚のウェハを保持するのに十分な強度と剛性が得られるガラス状炭素製ウェハボートを提供する。
【解決手段】ウェハ外周部の一部が挿入されるウェハ保持用の溝が列設されている複数本の支柱と、これらの支柱と直交する方向に配置され上記各支柱を固定する複数枚の固定板とから構成されるウェハボートにおいて、上記固定板および支柱がガラス状炭素製からなり、上記固定板６は、その固定板６の厚さ方向に向けて、または厚さ方向と交差する方向に向けて、少なくとも一方端が開口している通路ｉが多数形成されている中空構造からなり、上記支柱は、その長手方向に溝状通路が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
第１のプラズマ処理工程とその工程より放電開始電圧が高い第２のプラズマ処理工程を同一プラズマ反応室内において行う場合に、第２のプラズマ処理工程において均一なプラズマを電極間に発生および維持させるためには、電極間に高電圧を印加する必要があり、プラズマへの投入電力量が大きくなる。
【解決手段】
放電開始電圧が高い条件の第２のプラズマ処理工程においてパルス変調された交流電力を用いることにより、均一なプラズマを電極間に発生および維持させ、かつ、電極間に投入される電力量を低減することが可能となる。これにより、プラズマ処理速度を低下させ、その処理量の制御が容易となる。
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