【課題】 被処理体に形成された自然酸化膜を除去することができる被処理体の処理方法、処理装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】 熱処理装置１の制御部１００は、自然酸化膜が形成された半導体ウエハＷを収容した反応管２内を４００℃に加熱する。反応管２内が４００℃に加熱されると、制御部１００は、処理ガス導入管１７から、塩素を含む処理ガスを供給することにより処理ガスに含まれる塩素を活性化させる。この活性化された塩素が半導体ウエハＷに供給されることにより、半導体ウエハＷに形成された自然酸化膜が除去される。 （もっと読む）

【課題】複数の基板に対して均一なエッチング処理の可能なドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】ドライエッチング装置は、真空排気可能なチャンバ５と、チャンバ５に搭載されエッチング作用を有する化学種３を発生する化学種発生源２と、チャンバ５内に配され処理対象となる基板４を複数個保持して化学種３に暴露するための基板保持部材１とを有し、各基板４表面のエッチング処理を行う。基板保持部材１は、エッチング作用をなす化学種３の密度分布に沿うように複数の基板４を保持可能な形状を有し、各基板４のエッチング処理を均一化する。例えば基板保持部材４はその形状が、円、楕円、双曲線又は放物線の回転対称体の一部をなすドーム状である。 （もっと読む）

【課題】被処理基板のプラズマ処理の面内均一性を向上できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の板状の電極から成る第１の電極群３０５と、複数の板状の電極から成る第２の電極群３０６と、第１と第２の電極群３０５、３０６を処理室２０１内にて回転させるため処理室の内外に亘り延在する回転軸３１０とを備え、第１の電極群３０５の電極と第２の電極群３０６の電極とが交互に積層配置され、且つそれぞれの電極間に基板２００が載置され、第１と第２の第２の電極群の少なくとも一方は、回転軸の内部を通って処理室の外部に導出され、回転コンデンサ３１４を介して高周波電源３１５と接続されている。 （もっと読む）

【課題】構造が複雑でなく、被処理基板のプラズマ処理の面内均一性を向上できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】
基板２００を処理する処理ガスをプラズマ励起するため処理室２０１内に設けられた一対の電極３２３、３２４であって、少なくとも一方に基板が載置される一対の電極と、一対の電極へ高周波電力を供給する高周波電力供給手段３０８と、一対の電極を回転させる回転手段３３１と、回転手段により一対の電極が回転している間は一対の電極への高周波電力の供給を停止し、一対の電極の回転が停止している間に一対の電極に高周波電力を供給するように、少なくとも回転手段と高周波電力供給手段とを制御する制御部３３２とを備える。 （もっと読む）

【課題】
基板処理装置に於いて、ガス供給管とガス導入ノズルとを連結する場合のガス導入ノズルの欠損、破損が生じない安全性の高い基板処理装置を提供する。
【解決手段】
基板を収納する処理管１と、該処理管内に所要の処理ガスを導入し、前記処理管の壁を貫通して管外に延出する外端部１２を有するガス導入ノズル１１と、該ガス導入ノズルに処理ガスを供給するガス供給管１３と、前記外端部と前記ガス供給管とを連結する連結部材１５とを具備し、該連結部材と前記処理管の外面との間にスペーサ６８を設けた。
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【課題】 加熱により分解、昇華するケイフッ化アンモニウム等の中間体膜を効率的に形成するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理体の酸化膜に対して活性種とエッチングガスを晒して酸化膜と反応させることにより中間体膜を形成するプラズマ処理装置において、耐腐食性膜により覆われた金属材料よりなる縦長の処理容器１８と、処理容器の一側壁に凸状に突出させて形成された活性種用領域１０６と、活性種用ガス導入手段１２２と、活性種用配管の途中で流れる活性種用ガスをプラズマにより活性化することにより活性種を形成して供給する活性種供給手段１１２と、処理容器内へエッチングガスを導入するエッチングガス導入手段１０８と、活性種用領域に対向するように設けた排気口１２８と、排気口に接続される真空排気系１３０と、被処理体を複数枚多段に保持する被処理体保持手段９０と、装置全体の動作を制御する制御手段１４４とを備える。 （もっと読む）

リモートプラズマと処理室全体に渡って発生させたプラズマの長所を組み合わせて良好なプロセスを実現することが可能な基板処理装置を提供する。
基板処理装置は、処理空間１を外側から囲うように設けられアースに接地された導電性部材１０と、導電性部材の内側に設けられた一対の電極４を有している。絶縁トランス７の１次側コイルが高周波電源部１４に接続され、２次側コイルが電極４に接続されている。２次側コイルと電極４とを接続する接続ラインには切換スイッチ１３が接続されている。切換スイッチ１３を用いて接続ラインのアースへの接続／非接続を切り換えることにより、処理空間１でのプラズマ発生領域を切り換えることができる。
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複数枚の基板に対して等温処理条件及び一様流体フロー処理条件を達成する、基板処理のためのシステム及び方法。一態様において、発明は、基板スタック全体にわたって等温条件を達成するために基板の露出表面に対向するプロセスチャンバの表面の放射率値と露出表面の放射率値の整合を利用するシステム及び方法である。別の態様において、発明は、基板ローディング開口によるプロセスチャンバプロファイルの空洞または構造不整を排除することによって優れた流体フロー一様性を示すプロセスチャンバ内で基板を処理するシステム及び方法である。また別の態様において、発明は、プロセスチャンバがライナー及び外殻を有し、ライナーが炭素のような高熱伝導性材料で構成され、外殻がステンレス鋼のような非孔質材料で構成される、基板を処理するシステム及び方法である。
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【課題】 バッチ式であってもウエハの面に対して均一なプラズマ処理を施すことができる処理装置及び処理方法とする。
【解決手段】 ウエハ６の積層方向に延びる駆動桿１３と、ウエハ６をボート４から一斉に離反させると共にウエハ６の周方向の異なる部位をボート４に一斉に保持させる状態に駆動桿１３を駆動する駆動手段１４とを備え、プラズマ発生電極によるプラズマ処理中に、駆動手段１４の駆動桿１３により複数枚のウエハ６を回動させてウエハ６とプラズマ発生電極との回転方向の位置関係を変更することにより、複数枚のウエハ６の周方向に対して均一にプラズマ密度を分布させる。 （もっと読む）

バッチ型処理装置内の装置の構成要素（２１、２５、２６、３５、９４、１０４、１１２、１１６、１２６）のプラズマエンハンスクリーニング方法及び、該クリーニングを監視し、制御する方法。該クリーニングは、バッチ型処理装置（１、１００）の処理チャンバ（１０、１０２）内にクリーニングガスを導入し、処理チャンバ内部の装置の構成要素に電力を印加することによりプラズマを形成し、揮発性反応生成物を形成するように処理チャンバ内の堆積物質をプラズマに露出し、処理装置から反応生成物を排出することにより実施される。処理装置の監視は、処理装置のクリーニング状態を確認することにより実施され、監視からの状態に基づいて、処理装置は、露出および監視を続行するか、クリーニング処理を終了するかが制御される。装置の構成要素のプラズマエンハンスクリーニングができるバッチ型処理装置が提供され、監視および制御できる装置が提供される。
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処理システム（１，１００）の処理チャンバーの中における、チャンバー洗浄工程間の時間を延長する方法である。パーティクル抑制膜（５０２，６０２，６０８，７０６）は、処理チャンバーの中のチャンバー部品（３００，５００，６００，７００）の上に形成され、基板処理の際の処理チャンバーの中のパーティクル形成を抑制する。少なくとも一の基板（４０，１１０）が処理チャンバー（１０，１０２）の中に導入され、製造工程が処理チャンバー（１０，１０２）の中で行われ、少なくとも一の基板（４０，１１０）が処理チャンバー（１０，１０２）から取り出される。パーティクル抑制膜（５０２，６０２，６０８）は、清浄なチャンバー部品（３００，５００，６００）の上に、またはチャンバー部品（３００，５００，６００，７００）の上に形成された堆積物（３０２，６０４）の上に堆積することができる。代替的に、パーティクル抑制膜（７０６）は、チャンバー部品（７００）の上の堆積物（７０２）の少なくとも一部を化学的に転換させることによって形成されても良い。パーティクル抑制膜（５０２，６０２，６０８，７０６）は、製造工程の後で、または複数の製造工程後の選択されたインターバルに形成されても良い。
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バッチ式プロセスシステムのプロセスチャンバにおけるシステム構成要素の状態をモニタリングするための方法及びシステムが提供されている。この方法は、システム構成要素を光源からの光に露出させることと、システム構成要素の状態を決定するためにシステム構成要素との光の相互作用をモニタリングすることとを有している。この方法は、チャンバクリーニングプロセス、チャンバコンディショニングプロセス、基板エッチングプロセス及び基板フィルム形成プロセスを含み得るプロセスの間のシステム構成要素からの光の透過並びに／もしくは光の反射を検出することができる。システム構成要素は、プロセスチューブ、シールド、リング、バッフル及びライナーのようなシステムの消耗する部分であり得て、保護コーティングをさらに有することができる。
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処理中にコンポーネント(200,300)の状態をモニタリングする方法およびシステム。本方法は、処理中にコンポーネントを反応ガス(エロージョン生成物発生のためコンポーネント材をエッチングできる)に曝露することと、コンポーネントの状態を判定するため処理中にエロージョン生成物の放出をモニタリングすることを含む。モニターできる処理はチャンバークリーニング、同コンディショニング、基板エッチングおよび薄膜形成処理を含む。コンポーネントは、チューブ(25)、シールド、リング、バッフル、インジェクター、基板ホルダー(35,12)、ライナー、ペデスタル、キャップカバー、電極およびヒーター(15,20,65,70,122)等消耗部品でもよく、それらは保護コーティングを有していてもよい。処理システム(1,100)は、処理チャンバー(10,102)内のコンポーネント、ガス噴射システム(94,102)、チャンバー保護システム(92,108)およびコントローラ(90,124)を含む。
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