【課題】伝熱ガスのガス圧が高圧であっても、基板温度の面内分布を均一化できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の静電チャック２１は基板２が載置される基板載置部２７Ａ〜２７Ｆを備える。基板載置部２７Ａ〜２７Ｆの上端部２７ａは、外周縁に沿って設けられた上向きに突出する環状突出部４１を備える。環状突出部４１に囲まれた凹部４３には多数の柱状突起４７，４８が設けられている。基板２の下面２ａは環状突出部４１と柱状突起４７，４８の上端面に直接接触して支持される。凹部４３内には供給孔２９から伝熱ガスが充填される。凹部４３は、伝熱ガスのガス圧分布の均一性のために深さを深く設定した内側領域４５と、基板２の最外周縁付近の下面と環状突出部４１の上端面（基板載置面）４１ａを通る凹部４３からの伝熱ガスの漏洩の均一化のために内側領域４５よりも深さを浅く設定した外側領域４６とを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、簡易かつ低コストの構成で、プロセスガスの導入位置を基板の配置（特にバッチ処理の場合）や基板のサイズ（特に枚葉処理の場合）に応じて高い自由度で設定可能とし、それによって高生産性と品質安定化を達成する。
【解決手段】チャンバ３の上部開口に配置された天板７には、ガス供給口７ｄとガス導入口７ｊ，７ｋが設けられている。天板７の上面７ａには、ガス供給口７ｄとガス導入口７ｊ，７ｋを接続するために、供給ガス溜め部７ｅ、共通導入溝部７ｇ、分配ガス溜め部７ｆ、分岐溝部７ｉ、及び個別ガス溜め部７ｈが設けられ、これらの上部開口は天板７の上面７ａに配置された蓋部材８により閉鎖されている。個々のガス導入口７ｊ，７ｋは基板サセプタ６に保持された基板２の中央領域の上方に位置している。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、クリーニング時間を短縮し、生産性を向上させることのできる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理容器内の下部から上部まで立ち上がった第１ノズル部、第２ノズル部を介して、それ単独で膜を堆積させることのできる第１ガス、それ単独で膜を堆積させることのできない第２ガスをそれぞれ処理容器内に供給してその下方に向けて流し、処理容器の下部に設けられた排気口より排気して、基板上に薄膜を形成する処理を繰り返した後、処理容器の天井壁に設けられた第３ノズル部を介してハロゲン系ガスに第２ガスの少なくとも一部を添加したガスを処理容器内に供給すると共に第１ノズル部を介してハロゲン系ガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して処理容器内および第１ノズル部内に付着した堆積物を除去するようにした。 （もっと読む）

【解決手段】 フォトレジストをストリッピングして、イオン注入処理に関連する残留物をワークピースの表面から除去する方法および装置を改善する。さまざまな実施形態によると、ワークピースは、パッシペーションプラズマに暴露され、所定期間にわたって冷却された後、酸素系または水素系のプラズマに暴露されて、フォトレジストおよびイオン注入処理に関する残留物を除去する。本発明の側面は、ストリッピング速度を許容可能なレベルに維持しつつも、シリコン損失を低減し、残留物が略または全く無い状態とすることを含む。特定の実施形態に係る方法および装置では、高ドーズイオン注入処理の後でフォトレジスト材料を除去する。 （もっと読む）

【課題】 各種処理における処理時間を短縮しても生産性が頭打ちになる事情を抑制できる被処理体の搬送方法を提供すること。
【解決手段】 処理室を、被処理体をｎ枚同時に処理可能に構成し（ただし、ｎは２以上の自然数とする）、搬送装置を、被処理体を前記ｎ＋１枚以上保持可能に構成し、搬送装置を用いて、ロードロック室から搬送室に対し、処理前の被処理体をｎ枚搬出する工程と、（１）搬送装置を用いて処理室から搬送室に対し、処理済の被処理体を少なくとも１枚搬出する工程と、（２）搬送装置を用いて搬送室から処理室に対し、搬送装置に保持された処理前の被処理体を少なくとも１枚搬入する工程と、を備え、（１）及び（２）の工程を、処理室に収容された処理済の被処理体が、搬送装置に保持された処理前の被処理体に全て交換されるまで繰り返す（工程２）。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理中にウエハだけでなくトレイの冷却も可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】まず、トレイ１１に空けられた開口１１ａにウエハ１０を入れ、トレイ１１の下面に設けられた保持部材１３によりウエハ１０の下面周縁を保持する。次に、そのトレイ１１と静電チャックである下部電極１２を近づけ、下部電極１２に形成された凹部１４に保持部材１３を挿入し、下部電極１２のトレイ載置部にトレイ１１を載置し、ウエハ載置部にウエハ１０を載置する。次に、静電チャックによりウエハ１０及びトレイ１１を保持しつつ、ウエハ１０及びトレイ１１を冷却機構により冷却する。この状態でウエハ１０をプラズマ処理すれば、プラズマ処理中にウエハ１０とトレイ１１の両方が冷却されるため、ウエハ１０の中心部と外周部で温度差が生じにくくエッチングの均一性が向上する。 （もっと読む）

【課題】真空下の半導体処理システムにおいて加工中の製品を処理する方法及びシステムに関する。
【解決手段】複数のロボットアームセットを持つロボットコンポーネントを使用した半導体を搬送するシステムであって、ロボットコンポーネント４００２は加工中の製品を搬送する下部ロボットアームセットを有し、ロボットコンポーネントは前記下部ロボットアームセットに対して実質上垂直な位置に、前記加工中の製品を搬送する上部ロボットアームセットを有する。 （もっと読む）

【解決手段】入口ロードロックチャンバのなかに、ウエハが提供される。入口ロードロックチャンバのなかに、真空が形成される。ウエハは、加工ツールへ搬送される。加工されたウエハを提供するために、ウエハは、プロセスチャンバにおいて加工され、該加工は、ウエハ上にハロゲン残留物を形成する。ウエハの加工後、プロセスチャンバにおいて脱気工程が提供される。加工されたウエハは、脱気チャンバのなかへ移される。加工されたウエハは、脱気チャンバにおいて、ＵＶ光と、オゾン、酸素、又はＨ₂Ｏの少なくとも１つを含むガス流とによって処理される。ガス流は、停止される。ＵＶ光は、停止される。加工されたウエハは、脱気チャンバから取り出される。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に対して均一なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置は、チャンバ２と、チャンバ内で基板Ｇが載置される、下部電極として機能する基板載置台３と、基板載置台３と対向するように設けられ、高周波電力が印加される上部電極１５と、チャンバ２内に処理ガスを導入するシャワーヘッド５と、チャンバ２内を排気する排気装置２８とを具備する。上部電極１５は、２つの電極部材１６、１７からなり、これら電極部材１６、１７に高周波電力が印加された際に各電極部材に定在波が形成され、電極部材１６、１７に形成された複数の定在波の総和によって前記電極平面に形成される電圧分布が均一になるように、電極部材１６、１７の配置またはこれらに形成される定在波の分布が調整される。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内のヒータ等の加熱機構がクリーニング処理によって生じる劣化や腐食を、クリーニング時における温度制御を要することなく行い、温度制御に伴う操作時間を不要とし、真空成膜装置の稼働率の低下を抑制する。
【解決手段】真空成膜装置において、クリーニング時において加熱機構の外周を不活性ガスで覆うことによって、反応性に高いクリーニングプラズマあるプラズマによって発生するラジカルが加熱機構に接触しないようにし、これによってクリーニング処理により劣化や腐食を防ぐ。保護機構は、ヒータの周囲空間に不活性ガスを導入する不活性ガス導入機構を備え、クリーニング時に不活性ガスを導入して加熱機構をクリーニングガスプラズマ又はラジカルから空間的に分離してヒータを保護する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置では、電極間にシリコンウエハを載置し、電極間に高周波の交流電力を印加してウエハのプラズ処理を行っていたが、電極間にはウエハが存在する為、プラズマは均一とならず、ウエハ表面のプラズマ処理を均一に行う事の出来る基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板５を処理する反応室１と、反応室１内において複数の基板５を所定の間隔をおいて多段に重ねて載置する基板載置手段２２と、反応室１内に処理ガスを導入する手段１０と、反応室１内を排気する排気手段６、７と、反応室１内に設けられたプラズマを生成する為の複数対の交流電力印加用櫛形電極とを備え、複数対の櫛形電極の各々の対は、基板載置手段２２に載置される複数の基板５の各々のプラズマ処理面から所定の距離にそれぞれ配置される基板処理装置が開示されている。 （もっと読む）

【課題】基板の面内温度を均一にすることができる基板載置機構を提供すること。
【解決手段】基板載置機構８４ａ，８４ｂ，８４ｃは、基板Ｇを載置する基板載置台８６と、基板載置台８６を介して基板Ｇを加熱するヒーター８７と、基板Ｇの端部を支持し、基板Ｇを基板載置台８６に載置させる第１の位置と、基板載置台８６から上昇した第２の位置との間で昇降可能な基板昇降部材８８と、基板昇降部材８８を昇降させる昇降機構９３，９４，９５，９６，９７とを具備し、基板昇降部材８８は、第１の位置において基板載置台８６の一部として機能する。 （もっと読む）

【課題】均一なエッチング、延いては均一な反応管内のクリーニングを行なう。
【解決手段】基板を反応管に搬入する第１の工程と、反応管内に複数の反応ガスを供給して基板を処理する第２の工程と、処理された基板を反応管外へ搬出する第３の工程と、反応管内をベース圧力に設定する第４の工程と、反応管内の排気を実質的に止めた状態で、第１の流量でクリーニングガスを供給して反応管内の圧力を徐々に上昇させる第５の工程と、第１の流量より少ない第２の流量でクリーニングガスを供給して、反応管内にクリーニングガスを充満させて封じ込める第６の工程と、クリーニングガスの供給を止めた状態で、反応管内を排気する第７の工程とを有し、第１の工程から第３の工程を２サイクル以上繰り返して基板を処理した後、第４の工程から第７の工程を２サイクル以上繰り返して反応管内に付着した反応生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】ステージに載置される加工用基板の予備加熱効率を上げ生産効率の向上を図ることができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用トレイを提供する。
【解決手段】ステージ５の載置面５ａに、複数枚の半導体基板Ｗを位置決め保持する保持用トレイ６のみを没入させるトレイ収容溝１０を形成する。そして、保持用トレイ６がトレイ収容溝１０内に没入されて行く過程において、ステージ５の載置面５ａが、格子空間を貫通し支持桿８に支持されている各半導体基板Ｗと当接し、各半導体基板Ｗと保持用トレイ６とを離間させる。各半導体基板Ｗは、ステージ５の載置面５ａに載置される。 （もっと読む）

【課題】２枚単位処理でのウエハ切替時間を短縮し、スループットを高める。
【解決手段】上アーム３４ａは未処理ウエハ１、１を保持し待機する。レシピ完了時、第一保持ピン３９ａ、第二保持ピンが上昇する。アーム４７は上昇し、第二保持ピンの処理済ウエハ１Ａを受け取る。アームは受渡位置に移動し、下アーム３４ｂも受渡位置に移動する。第一保持ピンとアームが下降しウエハを下アームの上下フィンガーに受け渡す。下アームが収縮し処理済ウエハを搬出する。下アームはゲートバルブ口から退避し、上アームは対向する。上アームが伸長し未処理ウエハを処理室１６に搬入する。第一保持ピンとアームが上昇し上アームのウエハを受け取る。第一、第二保持ピンが下降しウエハを第一処理部３６と第二処理部３８に受け渡す。 （もっと読む）

【課題】被処理体に形成された自然酸化膜を除去することができる被処理体の処理方法、処理装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】 熱処理装置１の制御部１００は、自然酸化膜が形成された半導体ウエハＷを収容した反応管２内を４００℃に加熱する。反応管２内が４００℃に加熱されると、制御部１００は、処理ガス導入管１７から、塩素を含む処理ガスを供給することにより処理ガスに含まれる塩素を活性化させる。この活性化された塩素が半導体ウエハＷに供給されることにより、半導体ウエハＷに形成された自然酸化膜が除去される。 （もっと読む）

【課題】処理対象物を支持部材上の正確な位置に載置して処理対象物を支持部材上に正しい姿勢で支持することができるようにしたプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置におけるトレイの載置方法を提供することを目的とする。
【解決手段】トレイ６の下面側から下方に突出して設けられた突起５２と、トレイ載置面５に下方に窪んで設けられた突起嵌入穴５３を有する。昇降ピン７によってトレイ６がトレイ載置面５に載置される過程で、トレイ６の下面側に設けられた突起５２が突起嵌入穴５３に上方から嵌入する。 （もっと読む）

【課題】プロセス以外の放電を抑え、パワーロスや異常放電をなくし安定したプロセス及びエッチングレートを向上させることのできるようにしたドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】ドライエッチング装置においては、真空処理チャンバ１１内に設けられ、エッチング処理すべき基板１２の装着される基板電極１３に対向した真空処理チャンバ１１の天板側位置に、プロセスガス導入系１７，１８，１９からのプロセスガスを拡散させるシャワープレート１５を設け、真空処理チャンバ１１の天板１１ａとシャワープレート１５との間の空間に有孔放電防止プレート１６を設ける。 （もっと読む）

【課題】基板収容孔に基板を収容したトレイを基板サセプタ上に配置するプラズマ処理装置において、基板サセプタに対して基板を高い密着度で保持する。
【解決手段】トレイ１５の厚み方向に貫通する基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに基板２が収容される。チャンバ３内の誘電体板２３は、トレイ１５の下面１５ｃを支持するトレイ支持面２８と上向きに突出する基板載置部２９Ａ〜２９Ｄを備え、静電吸着用電極４０を内蔵している。基板載置部２９Ａ〜２９Ｄはトレイ１５の下面側から基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに挿入され、その上端面である基板載置面に反りを有する基板２が載置される。基板載置面は曲面状である。 （もっと読む）

【課題】基板収容孔に基板を収容したトレイを高効率で冷却するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】トレイ１５の厚み方向に貫通する基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに基板２が収容される。チャンバ３内の誘電体板２３は、トレイ１５の下面を支持するトレイ支持面２８と上向きに突出する基板載置部２９Ａ〜２９Ｄを備え、基板吸着電極４０とトレイ吸着電極２０２を内蔵している。基板載置部２９Ａ〜２９Ｄはトレイ１５の下面側から基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに挿入される。トレイ１５がトレイ支持面２８に載置されると、基板載置部２９Ａ〜２９Ｄの上端面である基板載置面に基板２が載置される。基板２は基板吸着電極４０により基板載置面に静電吸着され、トレイ１５はトレイ吸着電極２０２によりトレイ支持面に静電吸着される。 （もっと読む）