本発明は、約０℃〜約５０℃の初期温度を有する光リソグラフィ基板を室内の支持部材上に配置するステップを含む、光リソグラフィ基板の処理方法を提供する。伝熱流体を室内に導入して、光リソグラフィ基板を約０℃未満〜約マイナス４０℃未満の目標温度に冷却する。冷却された光リソグラフィ基板が初期温度に達する前に、冷却された光リソグラフィ基板にプラズマ処理が施される。
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【課題】プラズマを効率的に発生し、被処理体に対するプラズマ処理の面間均一性及び面内均一性を高く維持することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対してプラズマにより発生した活性種によってプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、真空引き可能になされた縦型の筒体状の処理容器１４と、被処理体を複数枚保持して処理容器内へ収容する保持手段２２と、処理容器の側壁にその長さ方向に沿って設けられてプラズマを発生するためのプラズマ室５８と、プラズマ室にプラズマ用ガスを供給するプラズマ用ガス供給手段３８と、プラズマ室にプラズマを立てるためのプラズマ形成手段６０と、処理容器内とプラズマ室との間を仕切って設けられると共に、プラズマ室内が処理容器内よりも圧力が高くなるように圧力差を生ぜしめつつ処理容器内へガスを通す所定のガス流路７６が形成された仕切板７８とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内およびウエハ相互間のプラズマ処理状況の均一性を向上させる。
【解決手段】ボート４３の保持柱４６に孔空き電極板５１と板状電極板５２と誘電体５３とを備えた電極体５０を各段のウエハ１に対応して架設する。孔空き電極板５１と板状電極板５２とは所定の間隔を置いた状態で誘電体５３によって包囲する。電極体５０は板状電極板５２がウエハ１のアクティブエリア側を向くように配置する。電極体５０の孔空き電極板５１と板状電極板５２との間には交流電力を印加する交流電源６１を整合器６２を介して並列に接続し、交流電力を供給する経路の途中には絶縁トランス６３を介設する。電極体５０のウエハのアクティブエリア側に沿面放電による均一で平坦なプラズマ５４を生成し、ウエハ１のアクティブエリア側の主面に均一なプラズマ処理を施す。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対するプラズマ処理の面間均一性及び面内均一性を共に高く維持することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して所定のプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、真空引き可能になされた筒体状の処理容器１４と、被処理体を複数枚保持して処理容器内へ収容する保持手段２２と、処理容器の側壁に設けられてプラズマを発生するためのプラズマ室５８と、プラズマ室にプラズマ用ガスを供給するためにプラズマ室に対して処理容器内を通過することなく挿脱可能に設けられたプラズマ用ガス分散ノズル部を有するプラズマ用ガス供給手段４０、４２と、プラズマ室にプラズマを立てるためのプラズマ形成手段６０と、処理容器内とプラズマ室内との間を仕切って設けられると共に、処理容器内へ活性種を含むガスを通す活性種用ガス孔が形成された仕切板７８とを備える。 （もっと読む）

本発明により、プラズマ加工用の、少なくとも１基板を担持する方法と装置が得られる。前記方法及び装置は、プラズマ加工用のプラズマ・システム内で基板支持体上へ、担体上に非接着状態で載置された基板を搬送するための担体を含んでいる。基板は、プラズマ加工中、基板支持体に結合された静電式クランプによって、担体を介して基板支持体に静電式に固定される。
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【課題】基板表面上の酸化物を一様に除去できる工程を備える半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理容器内に搬入し、処理容器内に還元性ガスを供給して基板に対して前処理を行い、処理容器内で前処理がなされた基板に対して処理を行い、処理後の基板を処理容器より搬出するが、前処理を行う工程では、処理容器内への還元性ガスの供給を維持した状態で、処理容器内の圧力および還元性ガスの流量のうち少なくとも何れか一方を少なくとも２段階で変化させる。 （もっと読む）

【課題】 簡便な構造でカソードおよびアノードを配置することができ、良好な膜堆積、膜厚分布を得ることができ、さらに、冷却装置を具備する必要のない半導体素子製造装置を提供する。
【解決手段】 チャンバー１１は、内部を任意の真空度に制御することができるように構成されている。内部構造体８の底部には、アノード４を支持するためのアノード支持体６が設置されている。アノード４は、導電性および耐熱性を備えた材料で製作されている。アノード４は、ヒータ２４によって室温〜６００℃に加熱制御される。カソード２は、アノード４と対向状にカソード支持体５に設置されている。カソード支持体５は、チャンバー１１内に設けられた柱状枠組みの内部構造体８に取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】III−Ｖ族化合物半導体の製造に際し、導入配管に吸着している残留ドーパント原料の残留量を低減する。
【解決手段】反応炉１内のガス流路６に臨ませて配置された基板１０を加熱し、導入配管１２から原料ガス、ドーパント原料をガス流路６内に供給して基板１０の表面に流すことにより、基板１０上に半導体結晶をエピタキシャル成長させるIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法において、前記エピタキシャル成長を行う前に、又は前記エピタキシャル成長を終了した後に、導入配管１２にクリーニングガスを流すことにより、導入配管１２の壁面に付着しているドーパント原料を離脱させて、反応炉１の外部へ排気する。 （もっと読む）

【課題】従来の技術よりも容易にメンテナンスを行うことを可能とする基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、下向きの開放部５４か形成された反応管５２と、この反応管５２を重力方向下側から支持しつつ、開放部５４を塞ぐ下側容器５６とを有する。下側容器５６の一部をなす炉口フランジ６８と反応管５２との間には、Ｏリング６０が配置される。炉口フランジ６８に設けられたネジ孔６８ｂに、下側からプッシュボルト６２が螺合されていて、このプッシュボルト６２を回転させることで、プッシュボルト６８の先端部６２ａが上昇し、先端部６２ａで反応管５２が押し上げられ、反応管５２が下側容器５６から離間する。 （もっと読む）

【課題】ラジカル状態の処理ガスを用いてウェーハを処理するに際して、ウェーハの処理均一性を高めて再現性の改善を図る。
【解決手段】真空処理槽１と、ラジカル状態の第１の処理ガスを真空処理槽１の内部に導入する第１の処理ガス導入部６と、第１の処理ガスと反応する第２の処理ガスを真空処理槽１の内部に導入する第２の処理ガス導入部７とを備えた真空処理装置１０において、真空処理槽１の内壁面に第１の処理ガスの失活を防止する失活防止処理を施す。この失活防止処理として、真空処理槽１の内壁面に酸化アルミニウム水和物からなる被膜１１を形成する。この被膜１１は、真空処理槽１の内壁面を不動態化しラジカル状態の処理ガスの失活を抑制して、当該処理ガスを真空処理槽１内において安定して分布させる。これにより処理後のウェーハの安定した面内均一性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】従来、プラチナ、イリジウム化合物の蒸気圧が高い物質のドライエッチングを行なったとき、真空容器内が低音であるため、これらの化合物が付着し、処理を重ねると剥がれが生じる。そのため、付着を防止するためにチャンバー壁にイオンを引き寄せる電極を追加する必要があった。
【解決手段】真空容器１のイオンを引き寄せる電極７に基板６を搬送できるようにし、複数の基板６をエッチングすることによって、真空容器１内部のエッチングできる表面積が増加し、パーティクル低減とスループット向上の両立ができる。 （もっと読む）

スループットを最大化するためにバッチ処理を採用し、且つ反応種を効率的に作り出し化学的消費量を最小化するために蒸気又は気体処理を用いる上流のプラズマ活性化源を採用したフォトレジスト剥離を提供する。上流のプラズマ活性化源は、基板表面のフォトレジストから遠隔で反応種を効率的に作り出す。処理チャンバーの上流のリモートプラズマ生成装置、又は処理空間の上流の、処理チャンバー内の一体化プラズマユニットが用いられる。プラズマプロセスガスはウェハスタックの一方側から導入され、ウェハを横切って流れる。プロセスガスはカラム内のウェハ表面を横切ってカラムの反対側の排気口へと流れ、カラムは回転される。上流のプラズマ活性化源により、剥離プロセスは例えば６００℃未満の低温で行われ、特にＢＥＯＬプロセスにて有利となる。ドライとウェット的な逐次プロセスを結合させる統合プロセスも提供される。酸化、還元、又はフッ素含有プラズマが用いられる。例えば水蒸気、オゾン又は双方を用いるウェット剥離が同時あるいは順々に含められ得る。
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【課題】高周波印加用電極と加熱用ヒータとの間に設けた均熱管に流れる渦電流を抑制し、投入した高周波電力を有効にプラズマに変換できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容する空間を形成する処理管２と、処理管２を外側から覆うように配置される均熱管１６と、均熱管１６の周囲に配置される加熱手段４と、処理管２と均熱管１６との間の空間に配置され、高周波電力が印加される少なくとも一対の電極６、７と、を備えた基板処理装置であって、均熱管１６の少なくとも電極側の表面には凹凸部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内およびウエハ相互間のプラズマ処理状況の均一性を向上する。
【解決手段】処理室３２に複数枚のウエハ１を搬入搬出するボート４３の保持部材４６に複数段のサセプタ電極４７を架設し、複数枚のウエハ１を複数段のサセプタ電極４７に対して一括して授受するウエハ授受装置５０を処理室３２外に設置する。ウエハ授受装置５０はウエハ１を授受する複数のウエハ受け５５と、複数のウエハ受け５５を一括して昇降させるエレベータ５３と、複数のウエハ受け５５を一括してサセプタ電極４７に対して接近離間移動させるリニアアクチュエータ５１とから構成する。プラズマ雰囲気がウエハ毎に生成されるので、プラズマ処理状況はウエハ面内およびウエハ相互間で均一になる。ウエハ授受装置は処理室外に設置され、処理室内に搬入されないために、処理室内が汚染されるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】プラズマダメージを防止しウエハの自然酸化膜を確実に除去する。
【解決手段】自然酸化膜除去装置１０のプロセスチューブ１１にガス導入口部２２を形成し、ガス導入口部２２にガス導入管２３の一端を接続する。ガス導入管２３の他端には外部にプラズマ発生装置２６が設置されたプラズマ室２５を形成し、Ｈ₂ ガス供給源２７とＮ₂ ガス供給源２８を接続する。ガス導入管２３の途中には供給管２９を挿入し、供給管２９の他端にＮＦ₃ ガス供給源３０を接続する。ガス導入管２３に供給されたＮＦ₃ ガス３３はＨ₂ とＮ₂ の混合ガス３１がプラズマ２４で活性化された活性ガス３２で活性化されて自然酸化膜除去ガス３４として処理室１２に供給される。ガス導入管においてＮＦ₃ ガスの分解の度合いを適正に制御することで、プラズマダメージを防止しつつ自然酸化膜を確実に除去できる。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理装置において、基板サセプタに対して基板を高い密着度で保持することによる基板の冷却効率の向上と、外周縁付近を含む基板表面の全領域での処理の均一化を図る。
【解決手段】 トレイ１５は、厚み方向に貫通する基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄが設けられたトレイ本体１５ａと、基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄの孔壁１５ｄから突出する基板支持部２１を備える。トレイ本体１５ａの下面側から見ると基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄにより基板２の下面２ａが露出している。 （もっと読む）

【課題】基板保持具交換装置による基板保持具搬送途中、或は基板保持具を受渡している途中に、基板保持具に地震等による外的衝撃が作用した場合等、基板保持具の転倒、破損を防止できる様にする。
【解決手段】基板処理室内で基板保持具１３を載置し、また、移動する載置部と、該載置された前記基板保持具１３の転倒を防止する第１の基板保持具転倒防止機構と、前記載置部より前記基板保持具１３を移動する基板保持具移動機構１４と、該基板保持具移動機構１４の前記基板保持具１３の転倒を防止する第２の基板保持具転倒防止機構と、前記第１、第２の基板保持具転倒防止機構の係合離脱を制御する転倒防止制御部とを具備し、該転倒防止制御部は、前記基板保持具が前記載置部と前記基板保持具移動機構との間で授受が為される間中、前記第１、第２の基板保持具転倒防止機構の内少なくとも一方が前記基板保持具と係合し、該基板保持具の転倒を防止する様制御する。 （もっと読む）

【課題】高周波電力が印加される電極によって生じる被処理基板の加熱の不均一性を抑制または防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板８を収容する処理管２と、処理管２の外部であって、処理管２を囲うように配置された加熱手段４と、処理管２内に所望の処理ガスを供給するガス供給手段１３と、処理管２と加熱手段４との間に配置され、少なくとも一対の高周波電力が印可される第１の電極６とアース設置される第２の電極７とから構成される電極と、処理管２と電極との間に配置される均熱管と１６、を備え、均熱管１６は、黒色石英、不透明石英、アルミナから選ばれた材質にて構成される。 （もっと読む）

【課題】高周波電力が印加される位置のガス供給管に発生する局部的なプラズマの異常を抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板が積層された状態で収容される処理管２と、処理管２の外部であって、処理管を囲うように配置された加熱手段４と、処理管２内に所望の処理ガスを供給するため、基板の積層方向に延在するガス供給管と、処理管２と加熱手段４との間に配置され、処理管２の周囲を囲うように配置されたガス活性化手段１８、１９と、を備え、ガス活性化手段１８、１９は、高周波電力が印加される第１の電極群１８と、アース接地される第２の電極群１９とを有し、第１の電極群１８の各電極３１と第２の電極群１９の各電極４１とが交互に配置され、第１の電極群１８の電極３１と第２の電極群１９の電極４１は、それぞれガス供給管の延在方向と同じ方向に延在する形状である。 （もっと読む）

【課題】高周波電力を印加する電極からの高周波ノイズが加熱手段に混入するのを防止または抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容する処理管２と、処理管２の外部であって、処理管２を囲うように配置された加熱手段４と、処理管２内に所望の処理ガスを供給するガス供給手段１３と、処理管２と加熱手段４との間に配置され、高周波電力が印可される第１の電極６とアース接地される第２の電極７とから構成される電極と、加熱手段４と電極との間に配置される処理管２１と、を備え、処理管２１は、金属、高誘電体およびセラミックからなる群より選ばれた材料にて構成される。 （もっと読む）