【課題】腐食性ガスを使用する処理工程を有する基板処理装置において、大型基板を処理することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】腐食性ガスを用いて基板５０に処理を施す基板処理装置１０において、処理室１１と、処理室１１内に配置され、基板５０を収容可能な基板収容室１３と、基板収容室１３に腐食性ガスを流通させる腐食性ガス流通機構１５と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板をトレイに載置した状態でプラズマ処理を行う場合でもトレイの温度上昇を抑えることができるようにする。
【解決手段】前記トレイ１６は、下部電極１２の上面とほぼ同じ直径寸法を有する円板状の部材で、その上面には円形状の凹部２０が設けられている。前記凹部２０の数及び直径寸法は載置される基板の直径寸法に応じた適宜の値に設定されている。トレイ１６には、前記凹部２０の底面に温度制御面が接するようにペルチェ素子２２が配設されている。下部電極１２には、前記ペルチェ素子２２に直流の電流を供給する電流供給機構２５が設けられている。トレイ１６を下部電極１２に載置することによりペルチェ素子２２と電流供給機構２５が電気的に接続されてペルチェ素子２２に電流が供給される。 （もっと読む）

【課題】簡素な構造でありながら高精度に電極間距離を調整することができるプラズマ処理装置およびそれを用いたプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】反応室Ｒと、反応室Ｒに反応ガスＧ１を導入するガス導入部１ａと、反応室Ｒから反応ガスＧ１を排気する排気部６と、反応室Ｒ内に対向状に配置されかつ反応ガスＧ１を介してプラズマ放電させる平板状の第１電極１および第２電極２と、第１電極１または第２電極２を支持または固定して対向方向に移動可能とする移動手段５と、第１電極と第２電極の少なくとも一方を支持または固定する固定片７ａ、７ｂとを備え、第１電極１または第２電極２が移動手段５により移動され、かつ第１電極１および第２電極２の周縁部が固定片７ａ、７ｂと当接することにより、第１電極１と第２電極２との最小電極間距離が決定されることを特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】 反りがある被処理部材を固定した場合でも、被処理部材に反り力が生じない状態で被処理部材を保持面に均一に当接させる。
【解決手段】 ウエハ１３の反りに応じた曲率のウエハステージ２１に吸引手段によりウエハ１３を吸引させ、反り力を生じさせることなくウエハ１３をウエハステージ２１の上面に保持させ、保持面に対してウエハ１３を均一に当接させる。また、ウエハ１３の反りに応じた傾斜面２９を有するホルダ２６により、ウエハ１３の周縁部に対して面方向の相対移動がない状態でウエハ１３をウエハステージ２１に固定する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池、半導体素子または平板表示装置の基板の縁をエッチングするに際し、複数の基板を一度に処理し生産性の高い基板の縁のエッチング装置、エッチング方法を提供する。
【解決手段】エッチング装置１００、エッチング方法は、反応空間を形成するチャンバー１１０と；チャンバーの内部に設置されて複数の基板安置部１２２が定義される基板安置台１２０と；基板安置台の上部に設置されて、内部に中空部を具備し、底面で基板安置部と対応する位置に複数の貫通部１３２を具備するガス供給手段１３３と；貫通部の面積より小さい断面積を有して貫通部に挿入される本体部と、本体部に突出形成されて貫通部の縁に据置きされる係止段１４２を有する複数の基板遮へい部材１４０を含み、基板遮へい部材の本体部が複数の基板安置部に安置された各基板の中央部を遮って縁のみを露出させたまま基板の縁に対するエッチング工程を行う。 （もっと読む）

【課題】
基板処理装置に於いて、処理室の上流側、下流側に亘って不足なく処理ガスを供給し得る様にし、膜厚分布の向上、歩留りの向上を図る。
【解決手段】
基板を積層して収納する処理室２７と、前記基板を加熱する加熱手段２４と、前記処理室に所望の処理ガスを供給するガス供給系２８，２９と、前記処理室の雰囲気を排気するガス排気系５７，５８，５９と、制御部７０とを具備し、前記ガス供給系は、常圧で液体である１つの液体原料を気化する複数の気化ユニット４１，４４と、該気化ユニットにそれぞれ連通され前記処理室に気化されたガスを供給する複数のガス供給ノズル６５，６６とを有し、該ガス供給ノズルは、それぞれ前記積層方向に沿って開口する複数のガス供給口を有し、前記複数の気化ユニットは前記制御部によりそれぞれ個別に気化量が制御される。
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【要 約】
【課題】複数枚の基板を温度制御しながら処理する。
【解決手段】基板トレイ３１には、支持板３２の貫通孔３５を覆うように複数の基板７が配置される。基板トレイ３１と載置台２１の間にはリング状の弾性部材４１が配置され、各貫通孔３５は弾性部材４１のリング内側の空間と対面するから、そのリング内側の空間に熱媒体ガスを供給すると、各基板７が熱媒体ガスと接触して冷却又は加熱され、各基板７を温度制御しながらエッチング等の処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】バッチ処理の縦型炉は，ウェハを搬送ロボットアームによって、縦型のボートに搬送した後、ボートを炉体に挿入し、プロセス処理を行う。このような縦型炉では、ボートへのウェハ搬送位置等に関して、一旦、人手で調整が行われた後には、定量的・定期的な位置ずれ等の監視は行われていなかった。このため、ウェハ搬送ロボットによるウェハ搬送を行う際、ウェハとボート間等で衝突が起こるという問題があった。
【解決手段】本願発明はウエハのウエハ処理ボートへのウエハのロード等の際に、ウエハを搬送機構に保持した状態で、ウエハ処理ボート上の基準高さとウエハを搬送機構に保持したウエハの高さの関係をモニタし、その結果に基づいて、ウエハ、ボート、及び搬送機構のいずれか二つの間の不所望な衝突又は接触等を起こす可能性をあらかじめ自動検出するものである。 （もっと読む）

【課題】スループットを向上した基板処理方法、及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、４つのボートを搬送ステージ２２の周方向に沿って等配し、各ボートの上方に、ＬＬ室１２Ａ、エッチング室１３Ａ、及び冷却室１５Ａを有する。そして、基板処理装置１０は、搬送ステージ２２の上動と回動とを繰り返すことにより、全てのボートにある基板群を同じタイミングで直上の処理室に搬入及び搬出し、かつ、各ボートにある基板群をそれぞれＬＬ室１２Ａ、エッチング室１３Ａ、冷却室１５Ａの順に搬送する。 （もっと読む）

【課題】基板サセプタに対して基板を高い密着度で保持することによる基板の冷却効率の向上等を図れるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ドライエッチング装置１のトレイ１５は、基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄを備える。基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄの孔壁から突出する基板支持部を設ける。基板支持部が基板２の下面の外周縁部分を支持する。誘電体板２３は、トレイ支持面、トレイ１５の下面側から基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに挿入され、かつその上端面である基板載置面に基板２が載置される基板載置部２９Ａ〜２９Ｄを備える。基板載置面に載置された基板２の下面と、トレイ支持部２８に載置されたトレイ１５の基板支持部の上面との隙間δ２が０．２〜０．３ｍｍ程度である。伝熱ガス供給機構４５は基板２と基板載置面との間に伝熱ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】 基板処理特性の低下を防止できるようにする。
【解決手段】 カセット内に収容された結晶方向を有するウェーハを第１の搬送ロボットによってウェーハ載置棚に収容後、前記ウェーハ載置棚を回転させた後、第２の搬送ロボットによりウェーハを取り出し、反応室内にウェーハの結晶方向を反応室中心線に合わせて載置する。 （もっと読む）

本発明は、半導体処理機器および方法の分野に関し、特に、リアクタチャンバの内部、例えば、チャンバ壁およびその他の場所にある望ましくない堆積物をｉｎ−ｓｉｔｕ除去するための方法および装置を提供する。本発明は、高スループットの成長プロセスに洗浄ステップを統合し組み込む方法を提供する。好ましくは、成長を延期し洗浄を開始する必要があるときと、洗浄を終了し成長を再開する必要があるときは、センサ入力に基づいて自動的に判定される。本発明はまた、本発明の統合された洗浄／成長方法を効率的に実行するためのリアクタ・チャンバ・システムを提供する。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスに含まれた元素を有効に排除することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、反応容器内にクリーニングガスを供給し、前記反応容器内をクリーニングする工程の後、基板に処理を行なう際に用いる反応ガスの全てを反応容器に供給し、反応容器内に供給したクリーニングガスに含まれた元素を除去する工程を経た基板処理装置を用いて半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、基板の冷却効率の向上等を図る。
【解決手段】ドライエッチング装置１のトレイ１５は、厚み方向に貫通する基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄと、基板２の下面２ａの外周縁部分を支持する基板支持部２１を備える。誘電体板２３は、トレイ１５の下面を支持するトレイ支持面２８、トレイ１５の下面側から基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに挿入され、かつその上端面である基板載置面３１に基板２が載置される基板載置部２９Ａ〜２９Ｄを備える。直流電圧印加機構４３は静電吸着用電極４０に直流電圧を印加する。伝熱ガス供給機構４５は基板２と基板載置面３１との間に伝熱ガスを供給する。基板支持部の上面（２１ａ）までの距離（Ｈ１）は、前記トレイ支持部から前記基板載置面までの距離（Ｈ２）よりも短く設定されている。 （もっと読む）

【課題】操作画面にレシピのステップ毎に必要なステータスを視覚的に分かりやすく表示させる。
【解決手段】複数のステップから構成されるレシピの作成を行う操作画面を有し、この操作画面上からの指示で前記レシピを実行させることにより、基板の処理を行う基板処理装置であって、前記レシピの各ステップ名を順番に表示すると共に、各ステップに対応する内容を示すアイコンを前記操作画面に表示し且つガス配管図Ｇ２を前記操作画面に表示する表示手段を備える。 （もっと読む）

【課題】メサの表面の酸化膜を十分に除去して、レーザ特性及び信頼性を向上させることができる半導体レーザ素子の製造方法を得る。
【解決手段】ｐ型ＩｎＰ基板１１上に、ｐ型ＩｎＰクラッド層１２、ＡｌＧａＩｎＡｓ下光閉込層１３、ＡｌＧａＩｎＡｓ―ＭＱＷ活性層１４、ｎ型ＡｌＧａＩｎＡｓ上光閉込層１５、ｎ型ＩｎＰクラッド層１６からなる半導体積層構造を形成する。次に、ＳｉＯ_２膜をマスクとしてウェットエッチングを行い、半導体積層構造にメサを形成する。次に、水素プラズマを用いてメサの表面を清浄化させる。次に、メサの表面を覆うようにｐ型ＩｎＰ埋込層１７を形成する。そして、ｐ型ＩｎＰ埋込層１７上に、ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層１８、ｐ型ＩｎＰ埋込層１９及びｎ型ＩｎＰ埋込層２０を形成してメサの周囲を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】リモートプラズマクリーニングは、成膜時と異なりプラズマ励起に適合した条件でないため、局所的にプラズマを励起すること自体が困難であり、また、光を使う方法では検出窓の曇りと言うCVDプロセスでは不可避の問題があり、量産工程に適合していない。
【解決手段】これらの問題を解決するための本願発明の概要は反応室においてプラズマを用いて反応ガスを励起して所望の膜を堆積するステップと同反応室にリモートプラズマ励起室で励起されたクリーニングガスを導入して非プラズマ励起雰囲気で同反応室をリモート・プラズマ・クリーニングするステップを繰り返す半導体集積回路装置の製造方法において、容量結合型のプラズマ励起システムにより反応室または反応室の排気のための真空系に局所プラズマを生成し、そのプラズマの電気的特性をモニタすることにより、リモート・プラズマ・クリーニングの終点を検出するものである。 （もっと読む）

【課題】リモートプラズマクリーニングは、成膜時と異なり成膜反応室はプラズマ励起されておらず、従来のように発光で終点を検出することが原理的にできないと考えられている。そこで成膜用の励起電極を利用して検出用にプラズマ励起したり、局所的にプラズマを励起することが考えられるが、もともと励起に適合した条件でないため、局所的にプラズマを励起すること自体が困難であり、また、大域的にプラズマ励起することはリモートプラズマクリーニングの目的に反する。
【解決手段】これらの問題を解決するための本願発明の概要は非プラズマ励起状態の成膜反応室からの微弱な発光をモニタしてリモートプラズマクリーニングの終点を検出するものである。 （もっと読む）

【課題】基板の面内方向における加工量を調整して加工精度を向上することができる基板加工方法を提供する。
【解決手段】イオン源と、多数の微細孔を有し該イオン源で発生させたイオンを微細孔からイオンビームとして引き出す引出電極と、を具備する基板加工装置を用いて基板を加工する際に、引出電極９の所定領域の微細孔１０に封止部材２０を挿入して所定数の前記微細孔１０を塞ぐことによって基板の面内方向における加工量を調整する調整工程を実施するようにする。 （もっと読む）

【課題】 基板面内、面間の処理を均一化するとともに、併せてグリッドのスパッタを抑制することを可能にする。
【解決手段】 被処理基板を処理する半導体デバイス製造装置において、プラズマを発生するプラズマ発生室１７と、プラズマ発生室で生成されたプラズマから電子を集束させるグリッド１９と、グリッドで集束させた電子を加速させるアノード２０と、アノードで加速させた電子が導入される処理室４６と、グリッド１９と処理室４６との間に設けられ正の電圧を印加される制御電極２９とを備え、処理室４６内に導入される加速電子により処理室４６内のガスをプラズマ化して被処理基板を処理するように構成される。 （もっと読む）