【課題】金属電極及び周辺の構成を適正化する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１０は、処理容器１００と、マイクロ波を出力するマイクロ波源９００と、処理容器内の天井面に隣接して設けられ、マイクロ波源９００から出力されたマイクロ波を処理容器内に放出する誘電体板３０５と、誘電体板３０５のプラズマ側の面にて誘電体板３０５に隣接して設けられ、周縁から誘電体板３０５の一部を処理容器内に露出させる菱形状の金属電極３１０とを有する。金属電極３１０と誘電体板３０５とは、処理容器１００の天井面を区切る仮想領域であって金属電極３１０の２本の対角線Ｄ１，Ｄ２にそれぞれ平行な２本ずつの直線から画定され、金属電極３１０と誘電体板３０５とを含む最小の矩形領域をセル領域Ｃｅｌとして、セル領域Ｃｅｌの短辺の長さに対する長辺の長さの比は、１．２以下になっている。 （もっと読む）

【課題】端数が発生した場合であっても、通常の処理時と同様に処理する。
【解決手段】二枚葉半導体製造装置において、１枚の端数ウエハ１が発生した場合には端数集積搬送フローを実行する。外側移載装置３０は第一ロードロック室１４ａの支持台２０の最後段の載置部２８のウエハ１を下フィンガー３２ｂによって掬い取る。続いて、外側移載装置３０は下フィンガー３２ｂでウエハ１を保持したフィンガーアッシー３２を第二ロードロック室１４ｂに移動させ、第二ロードロック室１４ｂの支持台２０の第１段目の載置部２８のウエハ１を上フィンガー３２ａによって掬い取る。次に、外側移載装置３０は上フィンガー３２ａおよび下フィンガー３２ｂによってウエハ１、１を保持したまま、フィンガーアッシー３２を第一処理室１６ａに移動させ、第一処理部３６の上方にて停止する。第一処理部３６は通常の二枚葉処理を実施する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の処理容器内の金属面とプラズマとの間を伝搬する金属表面波を計測する。
【解決手段】金属表面波計測装置１０００は、電磁波によりガスを励起させて基板Ｇをプラズマ処理するプラズマ処理装置２０００に設けられ、処理容器内部の金属とプラズマとの間を伝搬する金属表面波を計測する。金属表面波計測装置１０００は、プラズマに近接して設けられた金属からなるプローブ１００５ａ、１００５ｂ、１００５ｃと、プローブ１００５ａ、１００５ｂ、１００５ｃに電気的に接続されたオシロスコープ１０３０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン含有膜を有する多層マスクを、シリコン化合物を含む残渣を残存させることなく、容易に確実に除去できる多層マスクの除去方法および半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンを含有しない第１膜１３と、シリコン含有膜からなる第２膜１４と、レジスト層からなる第３膜１５とを順に形成してなる多層膜の第３膜１５をパターニングし、パターニングされた第３膜１５を有する多層膜に不具合がない場合には、第３膜１５をマスクとして、ドライエッチングにより第２膜１４をパターニングし、多層膜に不具合がある場合には、多層膜に不具合のない場合におけるドライエッチングよりも、第１膜１３のエッチング速度と第２膜１４のエッチング速度との差が大きいドライエッチングにより第２膜１４を除去する多層マスクの除去方法とする。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を反応室内の同一空間で安定して熱処理する。
【解決手段】処理室１６ａは、反応室５０の同一空間内に基板処理台４４ａ，４４ｂが設けられている。基板処理台４４ａと基板処理台４４ｂとの間の空間は、仕切り部材４６により水平方向の一部が仕切られている。そして、処理室１６ａは、真空ロボット３６を介して基板処理台４４ａ，４４ｂに基板２２がそれぞれ載置されることにより、反応室５０の同一空間内で２枚の基板２２を同時に熱処理することができるようにされている。仕切り部材４６は、アルミニウム、石英又はアルミナ等により形成されており、装置本体４７に対して着脱自在にされた角柱状の部材である。 （もっと読む）

【課題】安定且つ短時間で装置の状態を変更可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の運転方法を提供する。
【解決手段】処理容器内のプラズマに関与する高周波を出力する複数の高周波電源を有し、これらの出力電力を順番に段階的に大きくし、得られたプラズマにより被処理体に対して処理を行うプラズマ処理装置は、各高周波電源毎に設けられた高周波電源ユニットは、高周波電源とその出力を制御する電力制御部と、反射波の電力値を計測する反射波計測手段とを含み、さらに各反射波の計測電力値がしきい値以下になったか否かを判断する手段と、出力電力を１段階大きくする順番が回ってきた一の高周波電源について、他の高周波電源の反射波の計測電力値がしきい値以下になった後、予め設定した時間経過したときに当該一の高周波電源の出力電力を１段階大きくするためのタイミング信号を前記電力制御部に与える手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の電極構造をコンパクトにし、かつ電極が放電で熱変形しても電極と固体誘電体との間に異常放電が起きるのを防止する。
【解決手段】電極１１の放電面１１ａに誘電体からなる誘電部材１２を被せる。電極１１の背面１１ｂに固定部材１３を対面させる。固定部材１３を誘電部材１２に対し位置固定する。背面１１ｂと、固定部材１３の背面対向面１３ｂの一方に収容凹部１５を形成し、他方を平坦面にする。板ばね１４の基部１４ｂを収容凹部１５に収容する。板ばね１４の弾性接触部１４ａを上記平坦面に弾力的に当てる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の際に生成する付着物の巻き上げを抑え、被処理体の汚染を低減することの可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】アノード電極-カソード電極間で処理ガスをプラズマ化し、被処理体Ｓへの処理を行うプラズマ処理装置において、上側整流壁５１と下側整流壁５２とは、一方側の電極をなす載置台３上に上下に積み上げられ、当該載置台３上に載置された被処理体Ｓの周縁を囲み、昇降機構は、下側整流壁５２上の載置位置と当該下側整流壁５２から上方側に離れた位置との間で上側整流壁５１を昇降させる。 （もっと読む）

【課題】 よりパワー効率が良い誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】 被処理基板を収容してプラズマ処理を施す処理室と、処理室内で被処理基板が載置される載置台と、処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、処理室内を排気する排気系と、処理室の外部に誘電体部材を介して配置され、高周波電力が供給されることにより前記処理室内に誘導電界を形成する、アンテナ回路１３ｂと、アンテナ回路１３ｂに並列に接続された並列回路（アンテナ回路１３ａ）と、を具備し、アンテナ回路の１３ａのインピーダンスとアンテナ回路１３ｂのインピーダンスとを逆位相にして、処理室内に誘導結合プラズマを生成する。 （もっと読む）

【課題】ＰＦＣ含有ガスを効率よく分解処理し、ＰＦＣ分解処理剤の交換回数をより低減させたガス処理装置を提供すること。
【解決手段】ガス処理装置１は、ＰＦＣ（パーフルオロ化合物）を含むガスを処理するガス処理装置１であって、ＰＦＣを含むガス中に含まれるＨ_２Ｏを低減させる水分除去装置１０と、水分除去装置１０でＨ_２Ｏが低減されたＰＦＣを含むガスを導入し、ＰＦＣを分解処理するＡｌ_２Ｏ_３とＣａＯの複合酸化物を含む分解処理剤が充填されたＰＦＣ処理装置２０を備える。 （もっと読む）

【課題】真空搬送室から処理室に搬送する際の試料への異物付着を低減すると共に、試料に付着している異物をエッチング処理開始後に低減する真空処理方法を提供する。
【解決手段】試料を真空搬送室から処理室に搬送する際（Ｓ８）、事前に（Ｓ５）真空搬送室と処理室に試料搬送用（不活性）ガスのガス流れを形成し、その状態をエッチング処理を開始するまで維持し、その後エッチング処理ガスを導入した（Ｓ１２）後、エッチング処理ガスの導入と同時またはエッチング処理ガスの導入に重ねて試料搬送用ガスの導入を停止し（Ｓ１０´）、試料のエッチングを行う（Ｓ１３〜Ｓ２４）。 （もっと読む）

【課題】低ダメージで低コストなレジストの除去方法及び除去装置を提供する。
【解決手段】基板上の有機物を除去するための有機物の除去方法であって、触媒反応部内に、Ｈ_２ガスとＯ_２ガス又はＨ_２Ｏ_２ガスを導入し、Ｈ_２ガスとＯ_２ガス又はＨ_２Ｏ_２ガスを触媒と接触させることにより生成したＨ_２Ｏガスを触媒反応部から噴出させ、噴出したＨ_２Ｏガスにより基板上の有機物を除去することを特徴とする有機物の除去方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 マイクロ波を使用する減圧処理容器内での昇華物再付着防止。
【解決手段】 減圧処理容器内部に、マイクロ波励起無電極ランプを挿入できる構成を設け、プラズマ生成用のマイクロ波発振器を使用し、第1の工程でプラズマを励起せず、ＵＶ発光によるオゾンクリーニングを実施し、第2の工程で処理対象物を入れ、通常のプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】被処理物の外側に位置する保護部の交換頻度を少なくするため、保護部の長寿命化を図るプラズマ処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】内部を真空とすることが可能な処理室１に、被処理物Ｓを載置する載置部３と、ガスを供給するためのガス供給部２とを備えたプラズマ処理装置において、載置部３は、被処理物Ｓの外周側に配置されたマスクリング３３を有し、ガス供給部２は、被処理物Ｓの上部に位置し、プラズマ処理用のガスを供給する中心側開口部２２ａ、中間開口部２２ｂと、マスクリング３３の上部若しくは外側に位置し、マスクリング３３に堆積物を生じさせるガスを供給する外周側開口部２２ｃとを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面波共振と表面波共振以外の共振との判別を容易に行うことができるプラズマ密度測定子、プラズマ密度測定装置、プラズマ処理装置、およびプラズマ密度測定方法を提供する。
【解決手段】一端が閉塞された筒状を呈する管部と、前記管部の内部であって、前記閉塞された端部の側に設けられた高周波信号の送受信を行う送受信部と、前記管部の内部に設けられ、前記送受信部と電気的に接続された伝送部と、前記伝送部と前記管部の内壁との間に設けられ、前記管部の軸方向長さ寸法よりも短い長さ寸法を有し、高周波エネルギーを吸収する第１の吸収体と、前記管部の外周面に設けられ、前記管部の軸方向長さ寸法よりも短い長さ寸法を有し、高周波エネルギーを吸収する第２の吸収体と、を備えたことを特徴とするプラズマ密度測定子が提供される。 （もっと読む）

【課題】芯材パターンの側壁に形成するマスク材を利用したパターン形成において工程数を削減できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、露光により酸を発生する酸発生剤を含む芯材パターン１５を下地膜上に形成する工程と、芯材パターン１５における長手方向の端部１５ａを除く部分を選択的に露光する工程と、芯材パターン１５から酸の供給を受けて架橋可能なマスク材１６を芯材パターン１５を覆うように下地膜上に供給する工程と、マスク材１６をエッチバックして、芯材パターン１５の上面を露出させると共に、マスク材１６における芯材パターン１５の端部１５ａに形成された部分を除去し、芯材パターン１５の側壁に形成されたマスク材側壁部１６ａを残す工程と、芯材パターン１５を除去し、下地膜上に残されたマスク材側壁部１６ａをマスクにして下地膜を加工する工程と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】基板のような被処理物に対して、複数回プラズマ処理を施す場合に、比較的強いプラズマ処理を施される箇所を、被処理物にて重複させないプラズマ処理装置、およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置５９は、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１での基板６１に対する強プラズマ処理空間の位置と、第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２での基板６１に対する強プラズマ処理空間の位置と、をずらす。 （もっと読む）

【課題】プラズマアンテナおよびこれを用いたプラズマ処理装置が提供される。
【解決手段】本発明の実施形態によるプラズマアンテナは、プラズマ発生装置のプラズマアンテナにおいて、前記プラズマアンテナは、電源供給部から電源の供給を受けて、分岐部で誘電体の外周に向かって分岐されて、前記分岐されたアンテナは中央に集められて接地部で接地される形状である。 （もっと読む）

【課題】ガス流の圧力損失を制御することにより、被処理物に対する処理レートを調整可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部を真空とすることが可能な処理室１内に、被処理物Ｓに対向して、プラズマ処理用のガスの流路を構成する穴３０を有する第１のガスノズル３と、穴４０を有する第２のガスノズル４とが、互いの間に隙間を保持した状態で重なり合う位置に配置され、第２のガスノズル４は、穴３０及び穴４０を通過するガスの圧力損失が変化するように、駆動機構６によって回動可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、放電空間からのプラズマ光により筐体の導入流路を画成する内壁が腐食するのを防止する。
【解決手段】放電空間５を形成する一対の電極１１，１２及び固体誘電体１３，１４を含む電極構造１０を筐体２０に収容し保持する。筐体２０の内部に、放電空間５への処理ガスの導入流路３０を設ける。導入流路３０内の放電空間５と面する箇所に被照射部材４１を設ける。被照射部材４１を、筐体２０より耐光性が高い材料で構成する。 （もっと読む）