【課題】プラズマ電位が低く，より安定した高密度のプラズマを容易に形成し，プラズマ処理の均一性をより簡単かつ的確に制御する。
【解決手段】処理室１０２内でウエハを載置する載置台１１０と，載置台に対向するように板状誘電体１０４を介して配設された内側アンテナ素子１４２Ａと外側アンテナ素子１４２Ｂとからなる平面状の高周波アンテナ１４０と，高周波アンテナを覆うように設けられたシールド部材１６０とを備え，各アンテナ素子はそれぞれ両端を開放するとともに中点又はその近傍を接地し，それぞれ別々の高周波電源からの高周波の１／２波長で共振するように構成した。 （もっと読む）

【課題】誘導結合プラズマ処理装置において、窓部材の下面を覆うカバーの破損とパーティクルの発生を抑制し、且つカバーを容易に着脱できるようにする。
【解決手段】誘導結合プラズマ処理装置の誘電体カバー１２は、下面とこの下面に続く側端とを有する被支持部１２Ａ１，１２Ｂ１を含んでいる。誘電体カバー固定具１８Ａは、誘電体カバー１２の被支持部１２Ａ１，１２Ｂ１における下面に当接し、誘電体壁６を支持する支持部材としての支持梁１６と誘電体壁６のうちの少なくとも一方との間で被支持部１２Ａ１，１２Ｂ１を挟むようにして被支持部１２Ａ１，１２Ｂ１を支持する支持部１８Ａ１，１８Ａ２と、この支持部１８Ａ１，１８Ａ２に接続され、一部が被支持部１２Ａ１，１２Ｂ１の側端の側方に配置され、支持梁１６との位置関係が変化しないように固定される被固定部１８Ａ３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】透過窓とチャンバとの間で気密保持するＯリングの損傷を防止することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波透過窓２０の下面２０ａの外周部であって円柱体１５の上面１５ａと連結する部分に位置する領域に、環状の導電性膜２５を形成し、マイクロ波透過窓２０の外周部分を透過するマイクロ波を該導電性膜２５にてシールドしてトッププレート側に透過させないようにした。そして、間隔保持板２３によってＯリング２１の内側に生じるマイクロ波透過窓２０の下面２０ａと円柱体１５の上面１５ａとの隙間Ｄにマイクロ波が導入されないようにした。 （もっと読む）

【課題】 本発明は基板に塗布したレジスト除去に関し、より詳細には基板の周辺部に形成されたエッジビードと呼ばれるレジストのみをアッシング除去するレジスト除去装置およびレジスト除去方法に関するものである。
【解決手段】 本発明のレジスト除去装置は、レジスト除去装置のチャンバー内にマスク支持台と、そのマスク支持台の内側に配置されて基板を載置する基板支持台と、マスク支持台の基板を覆う位置に配置されて基板の周辺部を露出させる開口部を有する蓋状のアッシングマスクとを備える。 （もっと読む）

【課題】大気圧プラズマにて被処理物を処理するに際して所望の処理状態を高い信頼性をもって確保することができるプラズマ処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】大気圧近傍の空間２に不活性ガスと反応性ガスの混合ガス８を供給するとともに電界を印加してプラズマ１１を発生させ、発生したプラズマ１１を被処理物Ｗに照射して被処理物Ｗをプラズマ処理するプラズマ処理方法において、空間２に供給される混合ガス８の反応性ガス濃度をガス濃度検出手段１５にて検出し、その検出結果に基づいて制御部１４にて被処理物Ｗに照射されるプラズマ１１の性能の良否を判定するようにした。 （もっと読む）

【課題】異常放電の発生を抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理物Ｗを収容し大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器１と、前記処理容器に設けられた排気口７を介して前記処理容器内を減圧する減圧手段３１と、前記処理容器内のプラズマを発生させる空間にプラズマを発生させるプラズマ発生手段６と、前記プラズマを発生させる空間に処理ガスを供給する処理ガス供給手段３０と、誘電体から形成され、前記プラズマを発生させる空間を囲うように設けられた異常放電抑制手段１０と、導電体から形成され、前記異常放電抑制手段を囲うように設けられるとともに電気的に絶縁された第１の遮蔽体１２と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】処理ガス中に雰囲気ガスより重い成分が含まれていても、ほぼ垂直に立てた被処理物の処理を過不足無く均一に行なう。
【解決手段】被処理物９の被処理面９ａを略垂直に向ける。略垂直に分布する吹出し口２１ａを有するノズル２０を被処理物９と対向させる。雰囲気ガスより重い反応成分を含む処理ガスをノズル２０に導入する。吹出し口２１ａの近傍で流速調節用の窒素ガスを処理ガスに混入する。混入後の処理ガスを吹出し口２１ａから吹き出す。吹き出し時の処理ガスの流速が０．１ｍ／ｓ〜０．５ｍ／ｓになるよう、流速調節用ガスの混入流量を調節する。 （もっと読む）

【課題】大がかりな可動部を設けることなくＡＣ比を可変にすることが可能な、プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置１０は、処理容器内部１００にてウエハＷをプラズマ処理する装置であって、処理容器内のプラズマ存在領域に少なくとも一部が接するように配設された調整部材２００と、調整部材に連結され、調整部材と接地面との電気的接続状態を制御することによりプラズマ存在領域の接地容量を調整するインピーダンス調整回路２１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度ないしプラズマ処理特性の面内均一性を向上させる。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、内部にてウエハＷにプラズマ処理が施される処理容器１００と、高周波を出力する第１の高周波電源１４０と、処理容器１００の外部にて、外側コイル、内側コイル及びその間に設けられたｎ個（ｎは１以上の整数）の中間コイルが中心軸に対して同心状に巻かれた高周波アンテナ１２０と、処理容器１００の壁面の一部を構成し、高周波アンテナ１２０から発生する電磁界のエネルギーを処理容器１００内に導入する誘電体窓１０５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 スタブ導波管を備えたスロットアンテナ方式のマイクロ波プラズマ処理装置において、スタブ導波管の直下の電界強度を高めることにより、スロットアンテナ付近の電界分布を効果的に調節し、スロットアンテナ全体に均一な電界分布を形成させる。
【解決手段】 プラズマ処理装置１００は、偏平導波管を構成する平面アンテナ板３１の上に形成される電界分布を調整する第２の導波管としてのスタブ４３Ａを備えている。スタブ４３Ａは、導電性のカバー部材３４に設けられている。スタブ４３Ａは、平面アンテナ板３１の最外周に配列されたスロット対を構成するスロット３２と上下に重なるように配置されている。透過板２８の下面には、スタブ４３Ａと上下に重なるように環状溝２８ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】処理対象層に、半導体デバイスの小型化要求を満たす小さい寸法の開口部を形成することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理対象基板であるウエハＷのマスク層としてのフォトレジスト膜５３上に補強膜を形成すると共に、開口パターンを形成する線状部分の線幅ａをトリミングする成膜トリミングステップは、フォトレジスト膜５３の表面に１価のアミノシランを吸着させる吸着ステップと、吸着したアミノシランを、酸素をプラズマ励起した酸素ラジカルを用いて酸化し、これによってアミノシランをＳｉ酸化膜に改質すると共にフォトレジスト膜５３の線状部分の線幅ａをトリミングする酸化ステップを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、放電管の寿命を延ばすことができるプラズマ発生装置およびプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部にプラズマを発生させる領域を有する放電管と、マイクロ波発生手段から放射されたマイクロ波を伝播させて、前記プラズマを発生させる領域にマイクロ波を導入する導入導波管と、プラズマ生成物に含まれる荷電粒子の極性を利用して、前記放電管の内壁からプラズマ生成物を引き離すプラズマ生成物制御手段と、を備えたことを特徴とするプラズマ発生装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】処理対象膜において形状の乱れが少ない開口部を形成することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】被処理膜３７と、被処理膜３７の上に形成された複数の小幅のライン３８ａからなるフォトレジスト膜と、各ライン３８ａの間において露出する被処理膜３７及びライン３８ａを覆うＳｉ酸化膜４０とを有するウエハにおいて、Ｓｉ酸化膜４０にエッチングを施してフォトレジスト膜の各ライン３８ａと被処理膜３７を露出させ、露出したフォトレジスト膜を選択的に除去し、さらに、残存するＳｉ酸化膜４０（一対のライン４２ａ，４２ｂ）にエッチングを施す。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の工程数削減および処理時間短縮を図ることができるとともに、第１の被処理面および第２の被処理面に対して所望のプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、対向配置された上部電極２１および下部電極２２と、第１、第２の被処理面１０１、１０２を有するワーク１０を載置する載置部と、第１の被処理面１０１および第２の被処理面１０２に処理ガスを供給する処理ガス供給手段３と、上部電極２１および下部電極２２間へ通電する通電手段４とを有する。このようなプラズマ処理装置１は、第１の被処理面１０１側に発生したプラズマにより第１の被処理面１０１をプラズマ処理しつつ、第２の被処理面１０２側に発生したプラズマにより第２の被処理面１０２をプラズマ処理する。 （もっと読む）

【課題】低熱膨張で機械的強度が高く、耐食性に優れたサセプタを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０の内部には、サセプタ１０５が設けられている。サセプタ１０５は、基板Ｇを載置する基材１１０を有する。基材１１０の形成には、チタンの母材１１０ａとニッケル又はアルミニウムの合材１１０ｂとから形成されたクラッド材が複数用いられる。複数のクラッド材は、母材１１０ａが合材１１０ｂにより覆われるように接合されている。 （もっと読む）

【課題】エラー解析のためのデータを効率的に収集し、エラー解析を高精度で行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る基板処理装置は、基板に処理を施す処理ユニット及び基板を搬送する搬送ユニットの状態及びこれらの動作を検出する検出部を有し、これらを制御する下位コントローラと、前記下位コントローラを制御する制御部及び前記検出部からの出力内容を表示する操作部を有する上位コントローラとを備える基板処理装置であって、前記上位コントローラは、前記検出部からの出力内容にエラーが含まれる場合には、前記下位コントローラにエラーを通知し、前記下位コントローラは、前記上位コントローラから前記操作部へのデータ転送周期よりも短い周期で、前記エラー通知前後の前記検出部からの出力内容を記憶する。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置の処理室内に渦流やガス溜りが形成されるのを防止する。
【解決手段】処理容器１０の処理室１０ａ内に支持部２１を設け、この支持部２１にて被処理物９を支持する。処理ガス供給系６０によって処理ガスを被処理物９に供給する。排気系７０によって、処理室１０ａ内のガスを排出する。排気系７０の排気孔７１を被処理物９と直交する方向から見て被処理物９（処理領域）を囲むように環状に分布させて設ける。 （もっと読む）

【課題】電極の加熱による湾曲変形や電極支持部材の破損を防止するプラズマ表面処理装置を提供する。
【解決手段】処理ガスをプラズマ化して被処理物９に接触させ、被処理物９を表面処理する装置であって、複数の電極３１を電極３１の長手方向と直交する方向に並べる。これら電極３１の長手方向の両端にそれぞれ絶縁体からなる一対の電極端支持部材３５を配置する。各電極端支持部材３５にて、各電極３１の端部を長手方向への変位を許容しつつ支持する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ表面処理装置において、処理ガスを確実にプラズマ化し処理効率を確保する。
【解決手段】電極３１と磁石４１を交互に並べる。磁石４１と電極３１との間に吹出し路６５を形成する。支持部２１によって被処理物９を支持する。吹出し路６５に導入部１１，１３の導入孔６３を連ねる。処理ガスを導入孔６３から吹出し路６５へ導入する。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置において、被処理物の表面上での処理ガスの流れを調節する。
【解決手段】被処理物９を支持部２１にて処理領域に配置して支持する。第１処理ガス供給系６０Ａにて、処理ガスを被処理物９の相対的に内側の部分に供給する。第２処理ガス供給系６０Ｂにて、処理ガスを被処理物９の相対的に外周側の部分に供給する。第１処理ガス供給系６０Ａの処理ガスの供給流量と第２処理ガス供給系６０Ｂの処理ガスの供給流量を互いに連関させて調節する。好ましくは、第１処理ガス供給系６０Ａの供給流量を第２処理ガス供給系６０Ｂの供給流量より大きくする。 （もっと読む）