【課題】位相制御にとって最適な信号を用いる機能を備えたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】第１の高周波電源４からの第１の高周波電圧が供給されるコイル状アンテナ６１と、ウエハ１２が載置され第２の高周波電源２１からの第２の高周波電圧が供給される電極１４と、第３の高周波電源２５からの第３の高周波電圧が供給されるファラデーシールド６２と、前記第２の高周波電圧と前記第３の高周波電圧の位相差を制御する位相制御器２９とを備え、真空容器１の内壁面のプラズマ中を伝播してくる高周波の電位を検出する電圧検出手段と、真空容器１内のプラズマの発光状態を検出するプラズマ発光検出手段５２とを具備し、前記電圧検出手段により検出された高周波電圧とプラズマ発光検出手段５２により検出されたプラズマ光の組み合わせである信号源を用いて、同一周波数である前記第２の高周波電圧および前記第３の高周波電圧の位相差を制御する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板上にポリイミドなどからなる保護膜が形成された半導体装置の製造中に、保護膜の上面層が変質しても、この変質による悪影響が生じないようにする。
【解決手段】 ポリイミドなどからなる保護膜５に開口部６を形成したとき、保護膜５の開口部６を介して露出された接続パッド２の上面にポリイミドなどからなる残渣が残存する場合がある。そこで、次に、この残渣を酸素プラズマアッシングにより除去する。この場合、保護膜５の上面側に凸凹構造の変質層Ａが形成される。次に、開口部４、６を介して露出された接続パッド２の上面に形成された自然酸化膜をアルゴンプラズマエッチングにより除去する。この場合、変質層Ａがさらに変質して網目構造の変質層Ｃが形成される。次に、チタンなどからなる第１の下地金属層７を成膜する。この場合、第１の下地金属層７は網目構造の変質層Ｃの上面に成膜されるため、その界面の密着力は高い。 （もっと読む）

【課題】本発明は、生産性の低下を抑制するとともに表面処理効果の向上を図ることができる表面処理装置および表面処理方法を提供する。
【解決手段】被処理物を所定の方向に向けて搬送する搬送部と、前記被処理物に対して、プラズマ処理、紫外線照射処理、およびコロナ放電処理からなる群より選ばれた少なくとも１種の処理を施す処理部と、前記処理部を移動させる移動部と、前記移動部の制御を行う制御部と、を備え、前記制御部は、前記移動部の制御を行うことで、前記所定の方向に向けて搬送される被処理物に対して前記処理を施す際に前記処理部を前記搬送部の搬送面に沿って搬送方向に移動させるとともに、前記被処理物と前記処理部との間の相対速度を制御することを特徴とする表面処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の均一性及び効率が向上し、電極の絶縁が容易になるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】走査ヘッドにおいては、処理ガスが流れる流路を有する構造物と、棒形状を有し表面が固体誘電体からなる被覆電極と、が結合される。被処理ワークは、支持電極の支持面に支持される。流路の入口には処理ガスが供給される。被覆電極と支持電極との間にはパルス電圧が印加される。流路及び被覆電極は、少なくとも出口寄りの部分が支持面に平行な方向以外の方向に延在する。被覆電極は、流路の中に配置され、流路の内表面との間に間隙を有し、被覆電極の放電先端は、流路の出口に露出する。走査ヘッドの先端は、支持面との間に間隙を有する。 （もっと読む）

【課題】ビアや配線形成のために層間絶縁膜をレジストマスクにより開口エッチングした後、レジストアッシング中に異物が発生する事を抑制する。
【解決手段】半導体基板上に、ＳｉＯ_２膜４０、Ｎを含むストッパ膜５０、反射防止膜６０、および、レジストパターン７０をこの順に積層する積層工程と、レジストパターン７０をマスクとして、Ｆを含むエッチングガスで、反射防止膜６０、ストッパ膜５０およびＳｉＯ_２膜４０をエッチングし、開口を形成するエッチング工程と、該エッチング工程の後に行われ、酸素ガスおよび不活性ガスを含むガスを（酸素ガスラジカル）／（不活性ガスラジカル）≦５となる条件で用いて、レジストパターン７０をアッシングし除去するアッシング工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】取り扱いが容易でパーティクル原因にならず、大型の処理容器にも適用可能な放熱防止構造を備えた処理容器を提供する。
【解決手段】放熱抑制ユニット１０５は、処理容器１０１の各側壁１０１ｂの外壁面の一部分もしくは略全面を覆うように側壁１０１ｂに沿って配備されている。放熱抑制ユニット１０５は、複数のプレート材１０６により構成され、各プレート材１０６は、処理容器１０１の側壁１０１ｂの外壁面に配設されたスペーサー１０７に装着される。各プレート材１０６は、スペーサー１０７を介在させることにより、処理容器１０１と離間して装着され、間に空気断熱部１８０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板の外周側縁部上面を覆う保護部材を高精度に位置決めすることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、処理チャンバ１１と、基板Ｋが載置される基台２１と、処理ガスを供給するガス供給装置４５と、処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成装置５０と、基台２１に高周波電力を供給する高周波電源５５と、環状且つ板状に形成され、基台２１の外周部に載置可能に構成されるとともに、基台２１の外周部に載置されたときに、内周側縁部によって基板Ｋの外周側縁部上面を覆う環状且つ板状の保護部材３１と、保護部材３１を支持する支持部材３５と、基台２１を昇降させる昇降シリンダ３０とを備える。保護部材３１の下面には、基台２１上に載置される際に基台２１の外周部と係合する少なくとも３つの第１突起３３がピッチ円上に形成され、このピッチ円の中心は、保護部材３１の中心軸と同軸になっている。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＣの有限なメモリー容量に対して、その有限メモリー容量を超えるデータ量のプロセスパラメータを、スループットの低下を伴わずに実行する成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置を制御するＰＬＣシステムは、プロセスレシピが作成されるとともに、作成されたプロセスレシピが格納される操作用コンピュータと、操作用コンピュータに格納されているプロセスレシピのうち、次に処理が実行されるプロセスパラメータが順次転送される次レイヤー領域Ｐ３と、次レイヤー領域Ｐ３に格納されているプロセスパラメータが順次転送されるレイヤー領域Ｐ２と、レイヤー領域Ｐ２に格納されているプロセスパラメータのうち、次に処理が実行されるコマンドが順次読み込まれるステップ実行領域Ｐ１とを有して構成されており、ステップ実行領域Ｐ１に格納されたコマンドを順次実行して成膜処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アスペクト比の大きな微細パターンを安定して形成できるパターン形成方法と、その方法に使用される含浸装置を提供することを目的とする。
【解決手段】被加工部材３上に所定のパターンが形成されたエッチングマスク９を形成する工程と、前記エッチングマスク９に所定の物質１２を含浸させる工程と、前記所定の物質１２を含浸した前記エッチングマスク９を用い、前記被加工部材３をパターニングする工程と、を備えたことを特徴とするパターン形成方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 均一で高密度且つ大面積のプラズマを安定的に生成することが可能であるプラズマ発生源及びプラズマ発生装置、並びにこのプラズマ発生装置を利用した成膜装置、エッチング装置、アッシング装置、表面処理装置を提供すること。
【解決手段】 絶縁体上方に配置された電極及び磁石と、前記電極に接続された交流電源を備えており、前記電極は、対向配置された一対の櫛型状電極からなり、
前記一対の櫛型状電極は、櫛歯状部が互いに平行に且つ交互に配置され、該櫛歯状部間に前記磁石が配置されており、前記電極からの電界と前記磁石からの磁界によりプラズマ生成用ガスをプラズマ化することを特徴とする磁場付容量結合プラズマ発生源とする。 （もっと読む）

【課題】直膨式冷却システムにおけるサイクル内の冷媒循環量を最適化させ、低消費電力にて所望のウエハ温度分布を達成可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】試料台１には、内部を冷媒が循環する第一の蒸発器２が設けられている。第一の蒸発器２は、圧縮機８、第一の凝縮器５、膨張弁９、第二の蒸発器３、冷媒温度計１０、冷媒流量計１１と共に冷却サイクルを構成している。第一の凝縮器５には熱交換用媒体が供給される。第二の蒸発器３に供給される冷却水の温度か、供給側水温度計１２及び排出側水温度計１３で計測され、また、冷却水の流量が流量調節器１４でモニタされ調整される。これにより、冷却水の供給側と排出側の温度差と流量が測定可能となる。第二の蒸発器３内において冷媒が完全蒸発する際に冷却水から吸収（熱交換）する熱量、冷媒循環量、冷媒温度より、試料台１から排出される冷媒の乾き度が算出され、圧縮機８の回転数が制御される。 （もっと読む）

【解決手段】
ワークピースの表面から、フォトレジストをストリッピングし、イオン注入処理に関連する残留物を除去する方法を改善する。さまざまな実施形態によると、水素原子、フッ素含有ガスおよび保護用のガスを利用してプラズマを生成する。プラズマで活性化されたガスは、高ドーズ注入処理されたレジストと反応して、クラスト層およびバルクレジスト層の両方を除去すると同時に、ワークピース表面の露出部分を保護する。シリコン損失を低く抑えつつ、ワークピース表面の残留物を略無くすことができる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、対レジスト選択比や加工形状のエッチング性能に優れるだけでなく、入手が容易で、環境に負荷をかけるＣＦ₄を実質的に副生しない新規なエッチングガスを提供する。
【解決手段】
ＣＨＦ₂ＣＯＦを含んでなるエッチングガスであって、Ｏ₂、Ｏ₃、ＣＯ、ＣＯ₂、Ｆ₂、ＮＦ₃、Ｃｌ₂、Ｂｒ₂、Ｉ₂、ＸＦ_n（式中、ＸはＣｌ、ＩまたはＢｒを表し、ｎは１≦ｎ≦５の整数を表す。）、ＣＨ₄、ＣＨ₃Ｆ、ＣＨ₂Ｆ₂、ＣＨＦ₃、Ｎ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｋｒなど、または、ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₂，Ｃ₂Ｈ₄，Ｃ₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₄、Ｃ₃Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₈、ＨＩ、ＨＢｒ、ＨＣｌ、ＣＯ、ＮＯ、ＮＨ₃、Ｈ₂など、または、ＣＨ₄、ＣＨ₃Ｆ、ＣＨ₂Ｆ₂、ＣＨＦ₃の中から選ばれた少なくとも１種のガスを添加物として含むエッチングガス。 （もっと読む）

【解決手段】 フォトレジストをストリッピングして、イオン注入処理に関連する残留物をワークピースの表面から除去する方法および装置を改善する。さまざまな実施形態によると、ワークピースは、パッシペーションプラズマに暴露され、所定期間にわたって冷却された後、酸素系または水素系のプラズマに暴露されて、フォトレジストおよびイオン注入処理に関する残留物を除去する。本発明の側面は、ストリッピング速度を許容可能なレベルに維持しつつも、シリコン損失を低減し、残留物が略または全く無い状態とすることを含む。特定の実施形態に係る方法および装置では、高ドーズイオン注入処理の後でフォトレジスト材料を除去する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に形成する溝の寸法を制御しやすい半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、デュアルダマシンのビアが形成された下側絶縁膜と、ビアを埋め下側絶縁膜上に延在しレジスト材料でできた樹脂膜と、樹脂膜上に形成された酸化シリコン膜と、酸化シリコン膜上方に形成されたレジストパターンとを有するエッチング対象物に対し、レジストパターンをマスクとし、Ｃ_４Ｆ_６、ＣＨＦ_３、Ｃ_４Ｆ_８、及びＣＨ_３Ｆから選択されたガスの使用量、及び、Ｏ_２及びＡｒから選択されたガスの使用量を定めるレシピを複数含みエッチングチャンバの制御装置に記憶されたレシピ群から選択されたレシピで、酸化シリコン膜をエッチングして、ハードマスクを形成する工程と、ハードマスクを用い、樹脂膜及び下側絶縁膜をエッチングして、デュアルダマシンのトレンチを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ監視用プローブ、プラズマ監視装置及びプラズマ処理装置に関し、従来のプラズマモニターでは検出できなかったより微弱のプラズマの変化を精度良く検出する。
【解決手段】 プラズマに対向する面の少なくとも一部に開口部が設けられた導電性支持部材の開口部に誘電体部材を設置し、前記誘電体部材の前記プラズマに対向する面と反対側の面にプローブ電極を設けるとともに、前記誘電体部材の前記プラズマに対向する前面にエネルギーフィルターを設ける。 （もっと読む）

【課題】プラズマにより処理される被処理基板外周部における電界の不均一性を改善し、長期的に安定した性能を得ることのできるプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】被処理基板載置用電極上であって被処理基板の外周を取り囲むように設けられたフォーカスリングを有するプラズマ処理装置において、フォーカスリングは、被処理基板載置用電極上面の静電吸着膜上に設けられ導体からなる第一のフォーカスリングと、第一のフォーカスリングの上に設けられ誘電体からなる第二のフォーカスリングと、第二のフォーカスリングの上に設けられ導体からなる第三のフォーカスリングからなり、第一のフォーカスリングは、上面高さを被処理基板の上面高さと略等しくし、かつ、プラズマに接するように設けた。 （もっと読む）

【課題】プラズマの副生成物生成がなく、電極周辺部材のなどの形状やガスの流れに起因した処理ムラが生じることがない大気開放型のプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】第１および第２電極と、ガス供給路と、ガス供給路に設けられガスの流れを均一化する多孔質誘導体３とを備え、第１および第２電極により電界を形成すると共にガス供給路から均一化したガスを供給してプラズマ生成領域にプラズマ９を生成し、被処理基材１０を処理する。 （もっと読む）

複数の別個の動作条件下で動作するために同調可能な継続的可変マイクロ波回路は、導波管中に突き出るように構成されたコアを有する、可調同調要素で構成された導波管と、可調同調要素と連動し、プラズマアッシングで反射されたマイクロ波の出力を最小化するための導波管中に突き出しているコアの長さを選択的に変化させるために動作するアクチュエータと、アクチュエータと連動し、複数の動作条件での変化においてアクチュエータを選択的に駆動させるために構成されたコントローラとで構成される。
（もっと読む）

【課題】発明は、ディスプレイ又は半導体の製造工程中に低圧工程チャンバで発生する汚染物質を除去するプラズマ反応器を提供する。
【解決手段】本発明に係る汚染物質除去用プラズマ反応器２１０は、互いに距離をおいて位置する第１接地電極２１及び第２接地電極２２と、第１接地電極２１と第２接地電極２２との間に固定される誘電体３０と、第１接地電極２１及び第２接地電極２２と距離をおいて誘電体３０の外面に位置して交流電源部４０と連結し、これから駆動電圧の印加を受ける少なくとも１つの駆動電極５０とを備える。 （もっと読む）