プラズマ処理システムにおける、半導体基板上の所定の層を介して機能をエッチングするための方法。本方法は、上記プラズマ処理システムのプラズマ処理室に基板を置くことを含む。また本方法は、上記プラズマ処理室内へエッチャント混合気を流し込むことも含み、上記エッチャント混合気は所定の層をエッチングするように構成されている。本方法はさらに、エッチャント・ソース・ガスからのプラズマを打撃することを含む。さらに本方法は、上記基板にバイアスＲＦ信号を印加しながら、上記機能を少なくとも部分的に所定の層を介してエッチングすることを含む。上記バイアスＲＦ信号は約２７ＭＨｚ乃至約７５ＭＨｚの範囲のバイアスＲＦ周波数と、バイアスＲＦ電力成分とを有し、上記バイアスＲＦ電力成分は、エッチ機能を、基板の第２の層への、予め決められた選択性しきい値より高いエッチング選択性でエッチングさせるように構成され、または上記機能を、バイアスＲＦ周波数における予め決められたエッチ速度パラメータ及びエッチ・プロファイル・パラメータに従ってエッチングさせるように構成される。
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【課題】適応型プラズマ源を有するプラズマ室の設置方法、プラズマエッチング法及び適応型プラズマ源を製造する方法を提供する。
【解決手段】先ず、第１のプラズマ源コイル２００aと、第１のプラズマ源コイルよりも中心部でのエッチング速度が速い第２のプラズマ源コイル２００bと、第１のプラズマ源コイルよりも周縁部でのエッチング速度が速い第３のプラズマ源コイル２００cとを備える複数個のプラズマソースコイルを用意する。その後、第１のプラズマ源コイルをプラズマ室３００aに取り付け、テストウエハ３０８に対するエッチング工程を行う。次に、テストウエハに対する位置別のエッチング速度を分析し、その結果に応じて、第１のプラズマ源コイルを第２プラズマ源コイルまたは第３のプラズマ源コイルに交換する。 （もっと読む）

【課題】レジスト剥離中における多孔質低誘電率材料の損傷を阻止する。
【解決手段】多孔質低誘電率層内に形状を形成する方法が提供される。先ず、基板の上に、多孔質低誘電率層が配される。次いで、多孔質低誘電率層の上に、パターン形成されたフォトレジストマスクが配される。次いで、多孔質低誘電率層内に、形状がエッチングされる。形状のエッチング後は、形状の上に保護層が成長される。そして、保護層の一部が除去されるように、パターン形成されたフォトレジストマスクが剥離され、形状内に、保護層で形成された保護壁を残留させる。 （もっと読む）

温度制御されたホットエッジリングアセンブリは、プラズマ反応室内の基板支持体を取り囲むように構成されている。このアセンブリは、導電性の下部リング、セラミックの中間リング及び上部リングを含む。中間リングは、下部リングの上に横たわり、下部リングを介してＲＦ電極に取り付けられるように構成されている。上部リングは、中間リングの上に横たわり、プラズマ反応室の内部に露出した上面を有する。
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【課題】基板上の誘電体レイヤにおいてトレンチ深さまでトレンチをエッチングする方法を提供する。
【解決手段】ＡＲＣが前記誘電体レイヤ上に設けられる。厚さを有するフォトレジストマスクが前記ＡＲＣ上に形成される。前記ＡＲＣがエッチングされる。１：１および２：１の間であるフォトレジストに対する誘電体のエッチング選択性で、トレンチが前記誘電体レイヤ中へエッチングされる。 （もっと読む）

プラズマ処理システムの半導体基板を処理する処理方法が開示される。本処理方法は、第１の電気的な測定装置に接続された第１の端子と、第２の電気的な測定装置に接続された第２の端子とを有する高周波結合構造体を提供することを含む。本処理方法は、第２の端子に補償回路を接続することも含んでいる。本処理方法は、前記第１の電気的な測定装置および前記第２の電気的な測定装置から情報を得るように接続されたフィードバック回路を提供し、フィードバック回路の出力が、前記第１の端子の第１の電気値と前記第２の端子の第２の電気値の間の比率をほぼ所定の比率に保つように前記補償回路を制御するのに用いられる。 （もっと読む）

本発明は、蒸着／エッチング交互処理によりプラズマエッチングする場合、基体上にＳＯＩ構造体を形成する際に観察されるノッチングを、カソードへ印加されるＲＦバイアスを変調することにより減少するか又は無くすための方法及び装置を与える。カソードへのバイアス電圧への変調は、蒸着／エッチング交互処理の間に、少なくとも二つの周波数の間で別々に行うか、又は連続的に行われる。
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処理システム（１００）は、基板ホルダ（１３０）と電極（１２５）とを有する処理チャンバ（１２０）を含む。処理システムは、圧力制御システムとガス供給系とモニタ装置（１６０）とを含む。電極（１２５）には、単一可変素子を有する整合回路（１１５）を介して、マルチ周波数ＲＦ電源（１１０）が接続される。マルチ周波数ＲＦ電源は、プラズマを点火するように第１の周波数に設定され、プラズマを維持するように第２の周波数に設定される。 （もっと読む）

【課題】基板上のマスクを通してエッチングレイヤ中にフィーチャをエッチングする方法を提供する。
【解決手段】基板がプロセスチャンバ内に置かれる。プロセスチャンバにエッチングプラズマが供給され、エッチングプラズマがエッチングを始める。エッチングプラズマでエッチングレイヤ中にフィーチャがエッチングされる。フィーチャのエッチングのあいだに少なくとも１つのエッチングプラズマパラメータがランピングされることによって、プラズマパラメータを変化するエッチング深さに最適化し、フィーチャがフィーチャ深さまでエッチングされるまでランピングされたプラズマでエッチングされる。 （もっと読む）

いくつかの周波数でプラズマを励起し、それによってそのいくつかの周波数によるプラズマの励起がプラズマ中でいくつかの異なる現象を同時に発生させることにより、加工物が真空プラズマ処理チャンバ内のプラズマで処理される。チャンバは、ＲＦによって電力供給され、またはプラズマ励起周波数のうちの少なくとも１つを他の周波数を除外して通過させるフィルタ構成によって基準電位に接続される中央の頂部電極および底部電極ならびに周辺の頂部および／または底部電極構成を含む。
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処理プラズマ内において第２の周波数の電圧および電流成分のタイトな調節または制限を可能にするようにＲＦ電力生成器の出力部とプラズマチャンバの入力部との間に接続された第２のリアクティブ終端回路が提供される。第２のリアクティブ回路は、システムにおいて第２の周波数で見られる場合において、主にＲＩＦ電力生成器の基本周波数において動作するように設計された整合ネットワークのインピーダンスを制御する。可変コンデンサは、システム内の別の構成部品に引き起こされたインピーダンスの変動性に関することなしに、非連続の周波数において、プロセスにおける電圧、電流、および電力をタイトに調節することができるという利点を操作者に与える。
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【課題】シリコン基板に異方性エッチングにより深さが大きい凹部を形成するための、簡便な方法およびプラズマエッチングシステムの使用方法を提供する。
【解決手段】反応性エッチングガスをエネルギー励起するためにプラズマを用いる。反応性エッチングガスは、連続的に流れるガスフローの成分である。凹部は、エッチング時に、上記ガスフローを中断することなく少なくとも５０マイクロメートルの深さに形成される。その結果、深さの大きい凹部を製造するための簡便な方法が提供される。 （もっと読む）

プラズマプロセスシステム内で基板上の高ｋ誘電体層をエッチングするための方法が記述されている。この高ｋ誘電体層は、例えば、ＨｆＯ_２を有することができる。前記方法は、前記基板の温度を２００℃より上（すなわち、典型的に４００℃のオーダに）に上昇させることと、ハロゲンを含んでいるガスを有するプロセスガスを導入することと、前記プロセスガスからプラズマに点火することと、前記基板をプラズマに露出することとを有している。前記プロセスガスは、ＨｆＯ_２のＳｉとＳｉＯ_２とに対するエッチング速度を改善するために、さらに還元ガスを有することができる。
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【課題】 積層絶縁膜を良好に加工する方法、並びにその方法を用いた配線構造の形成方法を提供すること。
【解決手段】 互いに異なる複数の絶縁膜４、５（更には３）のそれぞれについて少なくとも反応ガスの種類及び／又はその供給量に対するエッチング速度の関係を求めておき、この関係に基づいて反応ガスの供給量を設定してエッチング速度を選択し、エッチングを行う。各絶縁膜のエッチング速度をそれぞれ適切に選択するので、複数の絶縁膜が積層していても、常に良好な加工形状を得ることができる。膜種ごとに異なるエッチング速度の反応ガスの供給量に対する依存性を、複数の絶縁膜の相互間で差別化し、積層絶縁膜のエッチング選択比を目的にあわせて適切に設定する。 （もっと読む）

【技術課題】 基板に損傷や表面汚染を与えることなく、エッチングや成膜が行え、チャンバや電極等の構造は同一であるにも拘らず、導入するガスやプラズマ励起周波数を変えることにより、エッチングや成膜にも応用可能であり、生産性に優れるとともに、低価格で高性能なプラズマプロセス用装置を提供すること。
【解決手段】 容器内105に対向するように設けられ夫々平板状に形成された第１及び第２電極102，104と、プラズマに対して安定な材料から成り第１電極102上を覆うように設けられる保護部材101と、第２電極104上に被処理物103を取り付けるための保持手段と、第１電極102に接続される第１の高周波電源111と、第２電極104に接続される第２の高周波電源110と、容器105内に所望のガスを導入するためのガス供給手段とを少くとも備え、第１の高周波電源の周波数が前記第２の高周波電源の周波数より高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理をおこなうチャンバ全体としては、電気的高周波的な特性が考慮されていなかった。
【解決手段】 プラズマを励起するための電極を有するプラズマチャンバＣＮと、この電極４，８に接続された高周波電源１と、プラズマチャンバＣＮと高周波電源１とのインピーダンス整合を得るための整合回路２とを具備し、整合回路２Ａをその出力端ＰＲから切り離し、給電板３で測定したプラズマチャンバＣＮの第１直列共振周波数ｆ₀ の３倍が、高周波電源１からプラズマチャンバＣＮに供給される電力周波数ｆ_e より大きな値の範囲に設定されてなる。 （もっと読む）

【課題】被処理物へのチャージングダメージを抑制しつつ、被処理物に面内均一なプラズマ処理を施す。
【解決手段】下部電極２および上部電極３に高周波電力が供給されて、下部電極２および上部電極３間のプラズマによるエッチング処理が開始されてから第１次処理時間が経過すると、上部高周波電源６から出力される高周波電力の大きさがコントローラ７により制御されて、上部高周波電源６から上部電極３に印加される高周波電力の大きさが約２００Ｗから約３００Ｗに変更される。
【効果】エッチング処理の全期間を通じて、プラズマ中の電子の分布を均一に保つことができ、半導体ウエハＷ上のプラズマ密度をほぼ面内均一に保つことができる。 （もっと読む）