【課題】最適なメンテナンス時期を通知する膜厚検知器を提供する。
【解決手段】減圧雰囲気において被処理体の上に薄膜を形成しまたは前記被処理体をエッチングする真空処理装置内に設けられる膜厚検知器であり、第１の導電性端子と、前記第１の導電性端子に隣接する第２の導電性端子と、を備え、前記被処理体以外の部分に堆積する被膜の厚みを、前記第１の導電性端子と前記第２の導電性端子との間に堆積する被膜の厚みに応じた前記第１及び前記第２の導電性端子の間の電気特性の変化として検知可能としたことを特徴とする膜厚検知器が提供される。 （もっと読む）

【課題】In-situでパターン側壁の抵抗及びそのパターン側壁に流れる電流を測定する。
【解決手段】プラズマチャンバ１内に設置された２個のセンサ１０−１，１０−２の片方にのみ、外部抵抗素子７を接続している。そのため、２個のセンサ１０−１，１０−２の上部電極１５及び下部電極１３間抵抗は互いに異なり、In-situにおいて異なる上部電極１５及び下部電極１３間の電位差が得られ、且つ、一方のセンサ１０−１の上部電極１５及び下部電極１３間にワイヤ１７−１１，１７−１２にて並列接続された外部抵抗素子７の抵抗値は既知であるため、In-situにおいてコンタクトホール１個当りのコンタクトホール側壁１６aの抵抗値が得られる。更に、コンタクトホール１個当りの抵抗が得られれば、コンタクトホール１個当りのコンタクトホール側壁１６aに流れる電流値を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理におけるトレーサビリティを確保することができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマ処理装置は、データ記録部３５と履歴情報記憶部４１と生産履歴ファイル作成部４２ａを備えた構成とする。データ記録部は、処理対象物に対するプラズマ処理が終了する毎に、日時データ，対象物特定データ，整合器１８等の運転状態を示すマシン出力データ，放電状態検出部３４による良否判定結果を示す判定データを読み取って履歴情報記憶部に時系列的に記憶する。生産履歴ファイル作成部は指定された期間または日時に基づいて日時データ４１ｋ，対象物特定データを含んだ処理済ワーク情報４１ｊ，マシン出力データ４１ｃ，判定データ４１ｆを履歴情報記憶部から読み取り、トレーサビリティに有用な生産履歴ファイルを作成する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホール側壁に付着した有機膜の抵抗値を簡単且つ的確に測定する。
【解決手段】基板２０上に形成された下部電極であるポリＳｉ膜２２ａと、このポリＳｉ膜２２ａ上にＢＰＳＧ膜２３を介して形成された中間電極であるポリＳｉ膜２４ａと、このポリＳｉ膜２４ａ上にＢＰＳＧ膜２５を介して選択的に形成されたホトレジスト膜からなるホールパターン２６ａと、このホールパターン２６ａをマスクにしてプラズマエッチングにより形成され、ポリＳｉ膜２４ａ，２２ａを貫通するコンタクトホール２７と、このコンタクトホール２７の形成時に、コンタクトホール側壁に付着する有機膜２８と、を有する半導体装置を用意する。そして、ポリＳｉ膜２２ａ，２４ａ上に有機膜・レジスト膜２６ｂが被着された状態で、ポリＳｉ膜２２ａ，２４ａ上から、プローブ針３１により複数回コンタクトを実施し、有機膜２８の抵抗値を測定する。 （もっと読む）

【課題】容量結合型プラズマ処理装置において。プラズマを生成することなく、しかも電極のおもて面に測定治具を当てることなく、そのプロセス性能上の良否を簡便に判定すること。
【解決手段】このプロセス性能検査方法は、下部マッチングユニット３２を下部給電棒３４から取り外して、代わりにインピーダンス測定器８４のプローブ（測定治具）８６を下部給電棒３４に装着する。そして、装置内の各部を全てオフ状態に保ったまま、インピーダンス測定器８４にサセプタ１２の裏側から接地電位部までの高周波伝送路のインピーダンスを測定する。検査装置８２は、インピーダンス測定器８４を制御し、周波数を掃引して上記高周波伝送路インピーダンスの実抵抗成分について周波数特性を取得し、その周波数特性の中で発現する角状ピークの属性（ピーク周波数、ピーク値等）を読み取る。 （もっと読む）

【課題】触媒を利用してレジスト剥離する技術において高精度で確実に終点を検出すること。
【解決手段】水素含有ガスを高温の触媒に接触させた際の接触分解反応で水素ラジカルを生成し、生成した水素ラジカルを基板上のレジストに接触させることによりレジストをガス化して剥離する際に、触媒の状態に関するパラメータをモニタし、その変化からレジスト剥離の終点を検出する。 （もっと読む）

基板上のプローブ電極構造を記載し、このプローブ電極構造は、第１プローブ電極及びこれに隣接する第２プローブ電極を層配列上に備え、この層配列は全体的に、基板からプローブ電極に向かって、導電性の最下層、電気絶縁性の中央層、及び導電性の最上層を備えている。本発明のプローブ電極構造は、第１プローブ電極外の領域から最上層を除去することを目的としたエッチングステップ中の、第１プローブ電極のアンダーカットを検出する手段を提供する。第１電極の第１エッジからの許容可能な距離を超えるアンダーカットは、第１プローブ開口部内の第１最上層プローブ部分を除去し、このことは、第１プローブ電極と第２プローブ電極との間の電気抵抗の検出可能な変化を生じさせる。
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【課題】エッチングプラズマ処理設備によって生成される放出ガス流中の活発な活性ガス化学種の存在及び濃度を下流側の位置でモニタリングすることによってプラズマ状態を決定するための方法及びシステムを提供する。
【解決手段】エッチングプラズマ処理設備のプラズマ状態を決定するための方法であって、活発なガス化学種が存在することによる温度変化を示すことができその温度変化に対応して温度変化を表す出力信号を生成することができる少なくとも１つのセンサエレメントを提供するステップと、エッチングプラズマ処理設備によって生成される放出ガス流にセンサエレメントを下流側の位置で接触させるステップと、センサエレメントによって生成される、放出ガス流中に活発なガス化学種が存在することによって生じる温度変化を表す出力信号に基づいて、エッチングプラズマ処理設備のプラズマ状態を決定するステップと、を含む方法である。 （もっと読む）

【課題】プラズマチャンバーに関連した電気インピーダンスとプラズマチャンバーを駆動させるために必要な電圧量とを減少させること。
【解決手段】プラズマチャンバーを駆動する固定インピーダンス変換回路網を設けるための装置には、能動ＲＦ整合回路網３０６とプラズマチャンバーに関連したプラズマチャンバーロード３２０とを連結するように適合された予備整合回路網３０８を含む。予備整合回路網３０８には、第１容量性素子３１０、第１容量性素子３１０に平行に接続されて、増大したインピーダンスを、プラズマチャンバーロード３２０を駆動するために必要な電圧が減少するように、能動ＲＦ整合回路網３０６の出力部に与える平行回路を形成する誘導性素子３１２、および上記平行回路に連結されかつプラズマチャンバーロード３２０に連結されるように適合された第２容量性素子３１４を含む。 （もっと読む）