膜厚検知器及び真空処理装置
【課題】最適なメンテナンス時期を通知する膜厚検知器を提供する。
【解決手段】減圧雰囲気において被処理体の上に薄膜を形成しまたは前記被処理体をエッチングする真空処理装置内に設けられる膜厚検知器であり、第１の導電性端子と、前記第１の導電性端子に隣接する第２の導電性端子と、を備え、前記被処理体以外の部分に堆積する被膜の厚みを、前記第１の導電性端子と前記第２の導電性端子との間に堆積する被膜の厚みに応じた前記第１及び前記第２の導電性端子の間の電気特性の変化として検知可能としたことを特徴とする膜厚検知器が提供される。
【解決手段】減圧雰囲気において被処理体の上に薄膜を形成しまたは前記被処理体をエッチングする真空処理装置内に設けられる膜厚検知器であり、第１の導電性端子と、前記第１の導電性端子に隣接する第２の導電性端子と、を備え、前記被処理体以外の部分に堆積する被膜の厚みを、前記第１の導電性端子と前記第２の導電性端子との間に堆積する被膜の厚みに応じた前記第１及び前記第２の導電性端子の間の電気特性の変化として検知可能としたことを特徴とする膜厚検知器が提供される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜厚検知器及び真空処理装置に関し、具体的には、成膜装置やエッチング装置などの真空処理装置のメンテナンス時期を検知する膜厚検知器及びこれを備えた真空処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
成膜装置では、被処理体である基板上に被膜が形成されるほか、成膜装置の内壁や成膜装置内に取り付けられた防着板等にも被膜が形成する。また、減圧雰囲気において被処理体のエッチングを実施するエッチング装置においても、エッチングされた材料などがエッチング装置の内壁や防着板などに堆積し被膜を形成することがある。
このような真空処理装置では、処理回数が増すにつれ、内壁、防着板等に付着した被膜の膜厚が厚くなる。その結果、被膜の応力が増加し、ある膜厚を超えたところで内壁もしくは防着板から被膜が剥離してしまう。
このような剥離が生じると、被膜成分が異物となって真空処理装置内の電極や基板などに付着する。これにより、成膜中あるいはエッチング中の異常放電や、基板上に形成する素子の不良を招来してしまう。
【０００３】
これに対して、例えば、スパッタリング装置では、ターゲット電圧の変化を電圧計により検知し、異常放電による電圧降下が、単一基板への成膜中に規格回数以上発生した基板の発生割合を示す指数に上限管理値を設け、防着板およびターゲットの表面をクリーニングすべきメンテナンスサイクルを決定する方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
しかしながら、ターゲット電圧の変化を検知して、メンテナンスサイクルを決定しても、成膜装置内の内壁、防着板等に付着する被膜の実際の堆積量については充分に把握できないというのが実情である。このため、検出したメンテナンスサイクルよりも短い周期で被膜が成膜装置内で剥がれてしまい、上述した異常放電や、素子不良を引き起こしてしまう場合がある。
このように、最適なメンテナンス時期を通知する膜厚検知器が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２２６９６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、最適なメンテナンス時期を通知する膜厚検知器及びこれを備えた真空処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、減圧雰囲気において被処理体の上に薄膜を形成しまたは前記被処理体をエッチングする真空処理装置内に設けられる膜厚検知器であり、第１の導電性端子と、前記第１の導電性端子に隣接する第２の導電性端子と、を備え、前記被処理体以外の部分に堆積する被膜の厚みを、前記第１の導電性端子と前記第２の導電性端子との間に堆積する被膜の厚みに応じた前記第１及び前記第２の導電性端子の間の電気特性の変化として検知可能としたことを特徴とする膜厚検知器が提供される。
【０００８】
また、本発明の別の一態様によれば、減圧雰囲気において被処理体の上に薄膜を形成しまたは前記被処理体をエッチングする真空処理装置内に設けられる膜厚検知器であり、前記真空処理装置内に設けられた防着板もしくは前記真空処理装置の壁面に対向する導電性端子を備え、前記被処理体以外の部分に堆積する被膜の厚みを、前記導電性端子と、前記防着板もしくは前記壁面との間に堆積する被膜の厚みに応じた、前記導電性端子と前記防着板もしくは前記壁面との間の電気特性の変化として検知可能としたことを特徴とする膜厚検知器が提供される。
【０００９】
また、本発明の他の一態様によれば、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な真空槽と、前記真空槽の中に設けられた上記のいずれかの膜厚検知器と、前記真空槽の中に設けられ、前記被処理体を支持可能な支持部と、を備えたことを特徴とする真空処理装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、最適なメンテナンス時期を通知する膜厚検知器およびこの膜厚検知機を備えた真空処理装置が実現する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】膜厚検知器の要部断面図である。
【図２】膜厚検知器の動作を説明するための図である。
【図３】膜厚検知器の動作を説明するための図である。
【図４】膜厚検知器の要部断面図である。
【図５】膜厚検知器の要部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。
【実施例１】
【００１３】
図１は、膜厚検知器の要部断面図である。
膜厚検知器１は、金属端子（導電性端子）１０ａと、金属端子１０ｂと、金属端子１０ａを保護するカバー部材２０ａと、金属端子１０ｂを保護するカバー部材２０ｂと、金属端子１０ａを支持する絶縁部材３０ａと、金属端子１０ｂを支持する絶縁部材３０ｂと、を備えている。金属端子１０ａの先端面１０ａｔと、金属端子１０ｂの先端面１０ｂｔとは所定の距離を隔てて対向している。金属端子１０ａの先端面１０ａｔは、カバー部材２０ａの端部２０ａｔから突出している。金属端子１０ｂの先端面１０ｂｔは、カバー部材２０ｂの端部２０ｂｔから突出している。金属端子１０ａおよび金属端子１０ｂは、その長手方向（図中の矢印Ａ）にスライドすることが可能であり、先端面１０ａｔと先端面１０ｂｔとの隙間の距離「ｄ」を変更することができる。
【００１４】
また、金属端子１０ａと金属端子１０ｂには、電源４０が接続され、金属端子１０ａと金属端子１０ｂとの間に電位差が与えられる。また、金属端子１０ａと金属端子１０ｂとが導通した場合に、その電気抵抗を計測するための抵抗計４１が設けられている。この膜厚検知器１は、スパッタリング装置、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置、ＥＢ（Electron Beam）源蒸着装置等の成膜装置、エッチング装置などの真空処理装置の内部に取り付けられる。
【００１５】
次に、膜厚検知器１の動作を説明する。また、真空処理装置としては、成膜装置を例示する。
図２および図３は、膜厚検知器の動作を説明するための図である。
先ず、膜厚検知器１が取り付けられた成膜装置１００について説明する。
図２には、成膜装置の要部断面が示されている。図２（ａ）には、成膜装置１００の全体が示され、図２（ｂ）には、膜厚検知器１の周辺が示されている。
成膜装置１００としては、一例としてスパッタリング装置が示されている。成膜装置１００は、真空槽１０１と、被処理体である基板２００を支持する支持台１０２と、支持台１０２に対向するように配置されたターゲット１０３と、を有している。ターゲット１０３には、電源１０４が接続され、所定の電圧を印加することができる。真空槽１０１の内壁には、支持台１０２およびターゲット１０３を取り囲むように、防着板１１０が取り付けられている。この防着板１１０の存在により、スパッタ粒子が直接真空槽１０１の内壁に付着することが抑制される。
【００１６】
成膜装置１００の内側面には、上述した膜厚検知器１が取り付けられている。金属端子１０ａの先端面１０ａｔと金属端子１０ｂの先端面１０ｂｔとの間の距離ｄは、真空槽１０１外からの自動操作（あるいは、手動操作）で短くしたり、長くしたりすることができる。この距離ｄが所定の距離に設定された後、成膜を開始する。なお、膜厚検知器１は、着脱可能であり、成膜装置１００から取り外すこともできる。
また、成膜装置１００は、膜厚検知器１が検知する信号（例えば、抵抗変化）に応じて、防着板１１０もしくは真空槽１０１の壁面に堆積する被膜を除去する時期（タイミング）を出力する出力制御装置１２１をさらに備えている。
【００１７】
続いて、成膜開始後の状態について説明する。
例えば、真空槽１０１内に放電用ガスを導入して、ターゲット１０３に所定の電圧を印加すると、真空槽１０１内にプラズマが発生する。電源４０としては直流電源を用いる。これにより、ターゲット１０３からのスパッタ粒子が基板２００にまで到達して、基板２００上への成膜がなされる。また、スパッタ粒子は、基板２００以外の部分にも付着する。例えば、スパッタ粒子は、防着板１１０、膜厚検知器１の金属端子１０ａ、１０ｂ等にも堆積する。
【００１８】
図３（ａ）には、金属端子１０ａ、１０ｂ上に金属被膜が堆積する様子が模式的に示されている。図３（ｂ）には、金属端子１０ａと、金属端子１０ｂとの間の電気抵抗の変化が示されている。
【００１９】
ここで、成膜開始前においては、金属端子１０ａの先端面１０ａｔと、金属端子１０ｂの先端面１０ｂｔとの隙間の距離は、所定の間隔「ｄ０」で離れているものの、成膜開始後においては、金属被膜が先端面１０ａｔ、１０ｂｔに堆積するので、その距離は徐々に縮まってしまう。その縮まる距離を「ｄ」とする。図３（ｂ）の横軸は、その距離ｄであり、縦軸は、金属端子１０ａと、金属端子１０ｂとの間の電気抵抗である。電気抵抗は、放電用ガスを真空槽１０１から排気した後に計測される。
【００２０】
まず、成膜開始前においては、金属端子１０ａの先端面１０ａｔと、金属端子１０ｂの先端面１０ｂｔとの隙間の距離ｄは、「ｄ０」なので、この場合、金属端子１０ａと、金属端子１０ｂとは、非接触状態にあり、金属端子１０ａと、金属端子１０ｂとの間の電気抵抗は高抵抗状態（∞（Ω））にある。
【００２１】
次に、成膜を開始して、金属端子１０ａ、１０ｂ上に金属被膜５０ａが堆積したとする。すると、先端面１０ａｔ、１０ｂｔに金属被膜５０ａが堆積した分、先端面１０ａｔと先端面１０ｂｔとの隙間が縮まって、距離ｄが小さくなる。例えば、成膜後、距離ｄは、「ｄ１（ｄ１＜ｄ０）」になったとする。
この場合、金属端子１０ａと、金属端子１０ｂとは、未だ非接触状態にあり、金属端子１０ａと、金属端子１０ｂとの間の電気抵抗は高抵抗状態（∞（Ω））にある。
【００２２】
さらに、成膜を進行させて、金属被膜５０ａ上に金属被膜５０ｂが堆積したとする。この場合、距離ｄがさらに縮まって、距離ｄは、「ｄ２（ｄ２＜ｄ１）」になる。
この場合も、金属端子１０ａと、金属端子１０ｂとは、非接触状態にあり、金属端子１０ａと、金属端子１０ｂとの間の電気抵抗は高抵抗状態（∞（Ω））にある。
【００２３】
そして、成膜をさらに進行させると、距離ｄがさらに縮まって、ついには金属端子１０ａと、金属端子１０ｂとが電気的に接続してしまう（距離ｄ３＝０）。この場合、金属端子１０ａと、金属端子１０ｂとの間の電気抵抗は、先端面１０ａｔと先端面１０ｂｔとの間に形成した金属被膜の電気抵抗により決定され、急激に低抵抗になる。なお、距離「ｄ０」は、先端面１０ａｔと先端面１０ｂｔとの間に形成する金属被膜の厚みにも相当している。
【００２４】
ここで、防着板１１０に堆積する金属被膜の厚みを「厚みＤ」とし、厚みＤと、先端面１０ａｔと先端面１０ｂｔとの間に形成する金属被膜の「厚みｄ０」との関係を、図３（ｃ）に示す。
図３（ｃ）に示すように、厚みｄ０が増加するほど、厚みＤは増加する関係にある。
【００２５】
このような検量線を予め作成しておき、防着板１１０から自発的に金属被膜が剥がれる寸前の金属被膜の厚みＤ０と、厚みｄ０の対応付けを図る。例えば、図３（ｃ）では、厚みｄ０が「Ｐ」のときに、厚みＤが「厚みＤ０」になっている。
すなわち、金属端子１０ａと、金属端子１０ｂとの間の電気抵抗が急激に低抵抗（図３（ｂ）のｄ３）になったときには、上述したように、先端面１０ａｔと先端面１０ｂｔとの間には、厚みｄ０の金属被膜が形成している。このとき、検量線から防着板１１０上には、厚みＤ０の金属被膜が形成していることになる。この後に、成膜装置１００のメンテナンスを図れば、防着板１１０等に堆積した金属被膜の剥離を事前に食い止めることができる。メンテナンスでは、防着板１１０等に堆積した金属被膜の除去作業が行われる。これにより、上述した成膜中の異常放電や、素子不良が抑制される。
【００２６】
このように、膜厚検知器１を用いれば、防着板１１０上に剥離寸前の厚みＤ０の金属被膜が形成しているか否かの適確な判断をすることができる。これにより、使用者は、最適なメンテナンス時期を認知することができる。
【００２７】
なお、図２、図３の説明では、電源４０としては直流電源を用い、先端面１０ａｔと先端面１０ｂｔとの間に金属被膜が形成する例を示した。成膜装置１００を用いて、絶縁被膜（誘電体被膜）を成膜する場合は、電源４０として交流電源を用いることができる。
この場合、金属端子１０ａと金属端子１０ｂとの間に絶縁被膜が埋め尽くされた場合の容量性インピーダンス「Ｚ０」を予め求めておき、成膜開始後に金属端子１０ａと金属端子１０ｂとの間の容量性インピーダンス「Ｚ」を計測する。そして、「Ｚ」が「Ｚ０」に到達したか否かの判断をすることにより、防着板１１０上に厚みＤ０の絶縁被膜が形成しているか否かの判断をすることができる。
【００２８】
メンテナンスが終了した後には、金属端子１０ａおよび金属端子１０ｂの少なくともいずれかをスライドさせることにより、先端面１０ａｔと先端面１０ｂｔとの間の距離ｄを再び距離「ｄ０」に設定することもできる。このような設定により、先端面１０ａｔと先端面１０ｂｔとの間の距離ｄが再度距離「ｄ０」にリセットされる。そして、次の成膜からは、図３により説明した手順と同様の方法により、防着板１１０上に厚みＤ０の絶縁被膜が形成しているか否かの判断をすることができる。
なお、距離ｄが「ｄ０」から「０」になるまでは、連続して成膜を進行させる必要はなく、成膜を適宜中断してもよい。中断の際には、真空槽１０１を大気開放してもよい。 このように、本実施の形態では、基板２００等の被処理体以外の部分に堆積する被膜の厚みを、金属端子１０ａと金属端子１０ｂとの間に堆積する被膜の厚みに応じた金属端子１０ａ、１０ｂ間の電気特性の変化として検知する。
【実施例２】
【００２９】
次に、膜厚検知器の変形例について説明する。以下の説明では、図１〜図３に示した同一の部材には同一の符号を付し、その説明を適宜省略する。
図４は、膜厚検知器の要部断面図である。
図４（ａ）に示すように、膜厚検知器２は、金属端子１０ａと、金属端子１０ｂと、金属端子１０ａおよび金属端子１０ｂを保護するカバー部材２０と、金属端子１０ａを支持する絶縁部材３０ａと、金属端子１０ｂを支持する絶縁部材３０ｂと、を備えている。金属端子１０ａの主面１０ａｆと、金属端子１０ｂの主面１０ｂｆとは所定の距離を隔てて対向している。それぞれの先端面１０ａｔ、１０ｂｔは、カバー部材２０の端部２０ｔから突出している。また、金属端子１０ｂの長手方向（図中の矢印Ｂ）において、先端面１０ｂｔは、先端面１０ａｔよりも突出している。
【００３０】
金属端子１０ａと金属端子１０ｂとは、図中の矢印Ａの方向に、その位置を変えることができ、金属端子１０ａの主面１０ａｆと金属端子１０ｂの主面１０ｂｆとの間隔「ｄ０」を変更することができる。
【００３１】
また、金属端子１０ａと金属端子１０ｂには、電源４０が接続され、金属端子１０ａと金属端子１０ｂとの間に電位差が設けられる。また、金属端子１０ａと金属端子１０ｂとが導通した場合に、その電気抵抗を計測するための抵抗計４１が設けられている。
このような膜厚検知器２によっても、成膜が開始すると、金属端子１０ａと、金属端子１０ｂとの間が金属被膜によって埋め尽くされる。
【００３２】
例えば、図４（ｂ）に示すように、成膜開始前においては、金属端子１０ａの主面１０ａｆと、金属端子１０ｂの主面１０ｂｆとの間の距離ｄは、「ｄ０」である。そして、成膜を開始して、金属端子１０ｂ上に金属被膜５０ａが堆積すると、金属被膜５０ａが堆積した分、主面１０ａｆと主面１０ｂｆとの隙間が縮まって、距離ｄが小さくなる。さらに、成膜を進行させて、金属被膜５０ａ上に金属被膜５０ｂが堆積すると、距離ｄがさらに縮まる。ここまでは、金属端子１０ａと、金属端子１０ｂとは、非接触状態にあり、金属端子１０ａと、金属端子１０ｂとの間の電気抵抗は高抵抗状態（∞（Ω））にある。
そして、成膜をさらに進行させると、距離ｄがさらに縮まって、ついには金属端子１０ａと、金属端子１０ｂとが電気的に接続してしまう。
【００３３】
このような膜厚検知器２においても、上述した膜厚検知器１と同様の原理により、防着板１１０上に剥離寸前の厚みＤ０の金属被膜が形成しているか否かの適確な判断をすることができる。これにより、使用者は、最適なメンテナンス時期を認知することができる。 このように、膜厚検知器１、２においては、金属端子１０ａと、金属端子１０ａに隣接する金属端子１０ｂと、金属端子１０ａと金属端子１０ｂとの間に電位差を設ける電源４０と、を備える。そして、基板２００以外の部分に堆積する被膜の厚みを、金属端子１０ａと金属端子１０ｂとの間に埋め込まれた被膜の厚みと対応させることにより検知する。
【００３４】
ここで、基板２００以外の部分に堆積する導電性被膜の厚みは、電源１０４として直流電源を用い、金属端子１０ａと金属端子１０ｂとの間の導通状態から検知される。
また、基板２００以外の部分に堆積する絶縁性被膜の厚みは、電源１０４として交流電源を用い、金属端子１０ａと金属端子１０ｂとの間のインピーダンスから検知される。
【実施例３】
【００３５】
次に、膜厚検知器の別の変形例について説明する。
図５は、膜厚検知器の要部断面図である。
図５（ａ）に示すように、膜厚検知器３は、Ｌ字状の金属端子１１と、金属端子１１を支持する絶縁部材１２０と、を備えている。真空槽１０１の内壁上には、防着板１１０（防着板１１０ａ、１１０ｂ）が設けられている。金属端子１１の主面１１ａｆと、防着板１１０ｂとは、所定の距離を隔てて対向している。
【００３６】
金属端子１１は、絶縁部材１２０内でスライドし、図中の矢印Ａの方向に、その位置を変えることができる。これにより、金属端子１１の主面１１ａｆと防着板１１０ｂとの間隔「ｄ０」を変更することができる。
【００３７】
また、金属端子１１と防着板１１０ｂには、電源４０が接続され、金属端子１１と防着板１１０ｂとの間に電位差が設けられる。また、金属端子１１と防着板１１０ｂとが導通した場合に、その電気抵抗を計測するための抵抗計４１が設けられている。
【００３８】
このような膜厚検知器３によっても、成膜が開始すると、金属端子１１と、防着板１１０ｂとの間が金属被膜によって埋め尽くされる。
例えば、図５（ｂ）に示すように、成膜開始前においては、金属端子１１の主面１１ａｆと、防着板１１０ｂとの間の距離ｄは、「ｄ０」である。そして、成膜を開始して、防着板１１０ｂ上に金属被膜５０ａが堆積すると、金属被膜５０ａが堆積した分、金属端子１１の主面１１ａｆと防着板１１０ｂとの隙間が縮まって、距離ｄが小さくなる。さらに、成膜を進行させて、金属被膜５０ａ上に金属被膜５０ｂが堆積すると、距離ｄがさらに縮まる。ここまでは、金属端子１１と、防着板１１０ｂとは、非接触状態にあり、金属端子１１と、防着板１１０ｂとの間の電気抵抗は高抵抗状態（∞（Ω））にある。
そして、成膜をさらに進行させると、距離ｄがさらに縮まって、ついには金属端子１１と、防着板１１０ｂとが電気的に接続してしまう。
【００３９】
このような膜厚検知器３においても、上述した膜厚検知器１と同様の原理により、防着板１１０上に剥離寸前の厚みＤ０の金属被膜が形成しているか否かの適確な判断をすることができる。これにより、使用者は、最適なメンテナンス時期を認知することができる。
【００４０】
このように、膜厚検知器３においては、金属端子１１と、金属端子１１に隣接する防着板１１０ｂと、金属端子１１と防着板１１０ｂとの間に電位差を設ける電源１０４と、を備える。そして、基板２００以外の部分に堆積する被膜の厚みを、金属端子１１と防着板１１０ｂとの間に埋め込まれる被膜の厚みと対応させることにより検知する。
【００４１】
ここで、基板２００以外の部分に堆積する導電性被膜の厚みは、電源１０４として直流電源を用い、金属端子１１と防着板１１０ｂとの間の導通状態から検知される。
また、基板２００以外の部分に堆積する絶縁性被膜の厚みは、電源１０４として交流電源を用い、金属端子１１と防着板１１０ｂとの間のインピーダンスから検知される。なお、必要に応じて、防着板１１０を取り除き、成膜装置１００の真空槽１０１の内壁（壁面）と金属端子１１との間との電気特性変化を検知してもよい。
【００４２】
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本実施の形態はこれらの具体例に限定されるものではない。すなわち、以上の具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。 また、前述した各具体例が備える各要素およびその形成、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。例えば、金属端子１０ａ、１０ｂ間の電気抵抗を計測するほか、本実施の形態では、金属端子１０ａ、１０ｂに流れる電流を計測してもよい。また、防着板１１０は、適宜取り外してもよい。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて複合することができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものも含まれる。
【符号の説明】
【００４３】
１、２、３ 膜厚検知器
１０ａ、１０ｂ、１１ 金属端子（導電性端子）
１０ａｆ、１０ｂｆ、１１ａｆ 主面
１０ａｔ、１０ｂｔ 先端面
２０、２０ａ、２０ｂ カバー部材
２０ａｔ、２０ｂｔ、２０ｔ 端部
３０ａ、３０ｂ、１２０ 絶縁部材
４０ 電源
４１ 抵抗計
５０ａ、５０ｂ 金属被膜
１００ 成膜装置（真空処理装置）
１０１ 真空槽
１０２ 支持台
１０３ ターゲット
１０４ 電源
１１０、１１０ａ、１１０ｂ 防着板
１２１ 出力制御装置
２００ 基板
Ａ、Ｂ 矢印
Ｄ、Ｄ０、ｄ０ 厚み
ｄ 距離
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜厚検知器及び真空処理装置に関し、具体的には、成膜装置やエッチング装置などの真空処理装置のメンテナンス時期を検知する膜厚検知器及びこれを備えた真空処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
成膜装置では、被処理体である基板上に被膜が形成されるほか、成膜装置の内壁や成膜装置内に取り付けられた防着板等にも被膜が形成する。また、減圧雰囲気において被処理体のエッチングを実施するエッチング装置においても、エッチングされた材料などがエッチング装置の内壁や防着板などに堆積し被膜を形成することがある。
このような真空処理装置では、処理回数が増すにつれ、内壁、防着板等に付着した被膜の膜厚が厚くなる。その結果、被膜の応力が増加し、ある膜厚を超えたところで内壁もしくは防着板から被膜が剥離してしまう。
このような剥離が生じると、被膜成分が異物となって真空処理装置内の電極や基板などに付着する。これにより、成膜中あるいはエッチング中の異常放電や、基板上に形成する素子の不良を招来してしまう。
【０００３】
これに対して、例えば、スパッタリング装置では、ターゲット電圧の変化を電圧計により検知し、異常放電による電圧降下が、単一基板への成膜中に規格回数以上発生した基板の発生割合を示す指数に上限管理値を設け、防着板およびターゲットの表面をクリーニングすべきメンテナンスサイクルを決定する方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
しかしながら、ターゲット電圧の変化を検知して、メンテナンスサイクルを決定しても、成膜装置内の内壁、防着板等に付着する被膜の実際の堆積量については充分に把握できないというのが実情である。このため、検出したメンテナンスサイクルよりも短い周期で被膜が成膜装置内で剥がれてしまい、上述した異常放電や、素子不良を引き起こしてしまう場合がある。
このように、最適なメンテナンス時期を通知する膜厚検知器が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２２６９６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、最適なメンテナンス時期を通知する膜厚検知器及びこれを備えた真空処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、減圧雰囲気において被処理体の上に薄膜を形成しまたは前記被処理体をエッチングする真空処理装置内に設けられる膜厚検知器であり、第１の導電性端子と、前記第１の導電性端子に隣接する第２の導電性端子と、を備え、前記被処理体以外の部分に堆積する被膜の厚みを、前記第１の導電性端子と前記第２の導電性端子との間に堆積する被膜の厚みに応じた前記第１及び前記第２の導電性端子の間の電気特性の変化として検知可能としたことを特徴とする膜厚検知器が提供される。
【０００８】
また、本発明の別の一態様によれば、減圧雰囲気において被処理体の上に薄膜を形成しまたは前記被処理体をエッチングする真空処理装置内に設けられる膜厚検知器であり、前記真空処理装置内に設けられた防着板もしくは前記真空処理装置の壁面に対向する導電性端子を備え、前記被処理体以外の部分に堆積する被膜の厚みを、前記導電性端子と、前記防着板もしくは前記壁面との間に堆積する被膜の厚みに応じた、前記導電性端子と前記防着板もしくは前記壁面との間の電気特性の変化として検知可能としたことを特徴とする膜厚検知器が提供される。
【０００９】
また、本発明の他の一態様によれば、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な真空槽と、前記真空槽の中に設けられた上記のいずれかの膜厚検知器と、前記真空槽の中に設けられ、前記被処理体を支持可能な支持部と、を備えたことを特徴とする真空処理装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、最適なメンテナンス時期を通知する膜厚検知器およびこの膜厚検知機を備えた真空処理装置が実現する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】膜厚検知器の要部断面図である。
【図２】膜厚検知器の動作を説明するための図である。
【図３】膜厚検知器の動作を説明するための図である。
【図４】膜厚検知器の要部断面図である。
【図５】膜厚検知器の要部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。
【実施例１】
【００１３】
図１は、膜厚検知器の要部断面図である。
膜厚検知器１は、金属端子（導電性端子）１０ａと、金属端子１０ｂと、金属端子１０ａを保護するカバー部材２０ａと、金属端子１０ｂを保護するカバー部材２０ｂと、金属端子１０ａを支持する絶縁部材３０ａと、金属端子１０ｂを支持する絶縁部材３０ｂと、を備えている。金属端子１０ａの先端面１０ａｔと、金属端子１０ｂの先端面１０ｂｔとは所定の距離を隔てて対向している。金属端子１０ａの先端面１０ａｔは、カバー部材２０ａの端部２０ａｔから突出している。金属端子１０ｂの先端面１０ｂｔは、カバー部材２０ｂの端部２０ｂｔから突出している。金属端子１０ａおよび金属端子１０ｂは、その長手方向（図中の矢印Ａ）にスライドすることが可能であり、先端面１０ａｔと先端面１０ｂｔとの隙間の距離「ｄ」を変更することができる。
【００１４】
また、金属端子１０ａと金属端子１０ｂには、電源４０が接続され、金属端子１０ａと金属端子１０ｂとの間に電位差が与えられる。また、金属端子１０ａと金属端子１０ｂとが導通した場合に、その電気抵抗を計測するための抵抗計４１が設けられている。この膜厚検知器１は、スパッタリング装置、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置、ＥＢ（Electron Beam）源蒸着装置等の成膜装置、エッチング装置などの真空処理装置の内部に取り付けられる。
【００１５】
次に、膜厚検知器１の動作を説明する。また、真空処理装置としては、成膜装置を例示する。
図２および図３は、膜厚検知器の動作を説明するための図である。
先ず、膜厚検知器１が取り付けられた成膜装置１００について説明する。
図２には、成膜装置の要部断面が示されている。図２（ａ）には、成膜装置１００の全体が示され、図２（ｂ）には、膜厚検知器１の周辺が示されている。
成膜装置１００としては、一例としてスパッタリング装置が示されている。成膜装置１００は、真空槽１０１と、被処理体である基板２００を支持する支持台１０２と、支持台１０２に対向するように配置されたターゲット１０３と、を有している。ターゲット１０３には、電源１０４が接続され、所定の電圧を印加することができる。真空槽１０１の内壁には、支持台１０２およびターゲット１０３を取り囲むように、防着板１１０が取り付けられている。この防着板１１０の存在により、スパッタ粒子が直接真空槽１０１の内壁に付着することが抑制される。
【００１６】
成膜装置１００の内側面には、上述した膜厚検知器１が取り付けられている。金属端子１０ａの先端面１０ａｔと金属端子１０ｂの先端面１０ｂｔとの間の距離ｄは、真空槽１０１外からの自動操作（あるいは、手動操作）で短くしたり、長くしたりすることができる。この距離ｄが所定の距離に設定された後、成膜を開始する。なお、膜厚検知器１は、着脱可能であり、成膜装置１００から取り外すこともできる。
また、成膜装置１００は、膜厚検知器１が検知する信号（例えば、抵抗変化）に応じて、防着板１１０もしくは真空槽１０１の壁面に堆積する被膜を除去する時期（タイミング）を出力する出力制御装置１２１をさらに備えている。
【００１７】
続いて、成膜開始後の状態について説明する。
例えば、真空槽１０１内に放電用ガスを導入して、ターゲット１０３に所定の電圧を印加すると、真空槽１０１内にプラズマが発生する。電源４０としては直流電源を用いる。これにより、ターゲット１０３からのスパッタ粒子が基板２００にまで到達して、基板２００上への成膜がなされる。また、スパッタ粒子は、基板２００以外の部分にも付着する。例えば、スパッタ粒子は、防着板１１０、膜厚検知器１の金属端子１０ａ、１０ｂ等にも堆積する。
【００１８】
図３（ａ）には、金属端子１０ａ、１０ｂ上に金属被膜が堆積する様子が模式的に示されている。図３（ｂ）には、金属端子１０ａと、金属端子１０ｂとの間の電気抵抗の変化が示されている。
【００１９】
ここで、成膜開始前においては、金属端子１０ａの先端面１０ａｔと、金属端子１０ｂの先端面１０ｂｔとの隙間の距離は、所定の間隔「ｄ０」で離れているものの、成膜開始後においては、金属被膜が先端面１０ａｔ、１０ｂｔに堆積するので、その距離は徐々に縮まってしまう。その縮まる距離を「ｄ」とする。図３（ｂ）の横軸は、その距離ｄであり、縦軸は、金属端子１０ａと、金属端子１０ｂとの間の電気抵抗である。電気抵抗は、放電用ガスを真空槽１０１から排気した後に計測される。
【００２０】
まず、成膜開始前においては、金属端子１０ａの先端面１０ａｔと、金属端子１０ｂの先端面１０ｂｔとの隙間の距離ｄは、「ｄ０」なので、この場合、金属端子１０ａと、金属端子１０ｂとは、非接触状態にあり、金属端子１０ａと、金属端子１０ｂとの間の電気抵抗は高抵抗状態（∞（Ω））にある。
【００２１】
次に、成膜を開始して、金属端子１０ａ、１０ｂ上に金属被膜５０ａが堆積したとする。すると、先端面１０ａｔ、１０ｂｔに金属被膜５０ａが堆積した分、先端面１０ａｔと先端面１０ｂｔとの隙間が縮まって、距離ｄが小さくなる。例えば、成膜後、距離ｄは、「ｄ１（ｄ１＜ｄ０）」になったとする。
この場合、金属端子１０ａと、金属端子１０ｂとは、未だ非接触状態にあり、金属端子１０ａと、金属端子１０ｂとの間の電気抵抗は高抵抗状態（∞（Ω））にある。
【００２２】
さらに、成膜を進行させて、金属被膜５０ａ上に金属被膜５０ｂが堆積したとする。この場合、距離ｄがさらに縮まって、距離ｄは、「ｄ２（ｄ２＜ｄ１）」になる。
この場合も、金属端子１０ａと、金属端子１０ｂとは、非接触状態にあり、金属端子１０ａと、金属端子１０ｂとの間の電気抵抗は高抵抗状態（∞（Ω））にある。
【００２３】
そして、成膜をさらに進行させると、距離ｄがさらに縮まって、ついには金属端子１０ａと、金属端子１０ｂとが電気的に接続してしまう（距離ｄ３＝０）。この場合、金属端子１０ａと、金属端子１０ｂとの間の電気抵抗は、先端面１０ａｔと先端面１０ｂｔとの間に形成した金属被膜の電気抵抗により決定され、急激に低抵抗になる。なお、距離「ｄ０」は、先端面１０ａｔと先端面１０ｂｔとの間に形成する金属被膜の厚みにも相当している。
【００２４】
ここで、防着板１１０に堆積する金属被膜の厚みを「厚みＤ」とし、厚みＤと、先端面１０ａｔと先端面１０ｂｔとの間に形成する金属被膜の「厚みｄ０」との関係を、図３（ｃ）に示す。
図３（ｃ）に示すように、厚みｄ０が増加するほど、厚みＤは増加する関係にある。
【００２５】
このような検量線を予め作成しておき、防着板１１０から自発的に金属被膜が剥がれる寸前の金属被膜の厚みＤ０と、厚みｄ０の対応付けを図る。例えば、図３（ｃ）では、厚みｄ０が「Ｐ」のときに、厚みＤが「厚みＤ０」になっている。
すなわち、金属端子１０ａと、金属端子１０ｂとの間の電気抵抗が急激に低抵抗（図３（ｂ）のｄ３）になったときには、上述したように、先端面１０ａｔと先端面１０ｂｔとの間には、厚みｄ０の金属被膜が形成している。このとき、検量線から防着板１１０上には、厚みＤ０の金属被膜が形成していることになる。この後に、成膜装置１００のメンテナンスを図れば、防着板１１０等に堆積した金属被膜の剥離を事前に食い止めることができる。メンテナンスでは、防着板１１０等に堆積した金属被膜の除去作業が行われる。これにより、上述した成膜中の異常放電や、素子不良が抑制される。
【００２６】
このように、膜厚検知器１を用いれば、防着板１１０上に剥離寸前の厚みＤ０の金属被膜が形成しているか否かの適確な判断をすることができる。これにより、使用者は、最適なメンテナンス時期を認知することができる。
【００２７】
なお、図２、図３の説明では、電源４０としては直流電源を用い、先端面１０ａｔと先端面１０ｂｔとの間に金属被膜が形成する例を示した。成膜装置１００を用いて、絶縁被膜（誘電体被膜）を成膜する場合は、電源４０として交流電源を用いることができる。
この場合、金属端子１０ａと金属端子１０ｂとの間に絶縁被膜が埋め尽くされた場合の容量性インピーダンス「Ｚ０」を予め求めておき、成膜開始後に金属端子１０ａと金属端子１０ｂとの間の容量性インピーダンス「Ｚ」を計測する。そして、「Ｚ」が「Ｚ０」に到達したか否かの判断をすることにより、防着板１１０上に厚みＤ０の絶縁被膜が形成しているか否かの判断をすることができる。
【００２８】
メンテナンスが終了した後には、金属端子１０ａおよび金属端子１０ｂの少なくともいずれかをスライドさせることにより、先端面１０ａｔと先端面１０ｂｔとの間の距離ｄを再び距離「ｄ０」に設定することもできる。このような設定により、先端面１０ａｔと先端面１０ｂｔとの間の距離ｄが再度距離「ｄ０」にリセットされる。そして、次の成膜からは、図３により説明した手順と同様の方法により、防着板１１０上に厚みＤ０の絶縁被膜が形成しているか否かの判断をすることができる。
なお、距離ｄが「ｄ０」から「０」になるまでは、連続して成膜を進行させる必要はなく、成膜を適宜中断してもよい。中断の際には、真空槽１０１を大気開放してもよい。 このように、本実施の形態では、基板２００等の被処理体以外の部分に堆積する被膜の厚みを、金属端子１０ａと金属端子１０ｂとの間に堆積する被膜の厚みに応じた金属端子１０ａ、１０ｂ間の電気特性の変化として検知する。
【実施例２】
【００２９】
次に、膜厚検知器の変形例について説明する。以下の説明では、図１〜図３に示した同一の部材には同一の符号を付し、その説明を適宜省略する。
図４は、膜厚検知器の要部断面図である。
図４（ａ）に示すように、膜厚検知器２は、金属端子１０ａと、金属端子１０ｂと、金属端子１０ａおよび金属端子１０ｂを保護するカバー部材２０と、金属端子１０ａを支持する絶縁部材３０ａと、金属端子１０ｂを支持する絶縁部材３０ｂと、を備えている。金属端子１０ａの主面１０ａｆと、金属端子１０ｂの主面１０ｂｆとは所定の距離を隔てて対向している。それぞれの先端面１０ａｔ、１０ｂｔは、カバー部材２０の端部２０ｔから突出している。また、金属端子１０ｂの長手方向（図中の矢印Ｂ）において、先端面１０ｂｔは、先端面１０ａｔよりも突出している。
【００３０】
金属端子１０ａと金属端子１０ｂとは、図中の矢印Ａの方向に、その位置を変えることができ、金属端子１０ａの主面１０ａｆと金属端子１０ｂの主面１０ｂｆとの間隔「ｄ０」を変更することができる。
【００３１】
また、金属端子１０ａと金属端子１０ｂには、電源４０が接続され、金属端子１０ａと金属端子１０ｂとの間に電位差が設けられる。また、金属端子１０ａと金属端子１０ｂとが導通した場合に、その電気抵抗を計測するための抵抗計４１が設けられている。
このような膜厚検知器２によっても、成膜が開始すると、金属端子１０ａと、金属端子１０ｂとの間が金属被膜によって埋め尽くされる。
【００３２】
例えば、図４（ｂ）に示すように、成膜開始前においては、金属端子１０ａの主面１０ａｆと、金属端子１０ｂの主面１０ｂｆとの間の距離ｄは、「ｄ０」である。そして、成膜を開始して、金属端子１０ｂ上に金属被膜５０ａが堆積すると、金属被膜５０ａが堆積した分、主面１０ａｆと主面１０ｂｆとの隙間が縮まって、距離ｄが小さくなる。さらに、成膜を進行させて、金属被膜５０ａ上に金属被膜５０ｂが堆積すると、距離ｄがさらに縮まる。ここまでは、金属端子１０ａと、金属端子１０ｂとは、非接触状態にあり、金属端子１０ａと、金属端子１０ｂとの間の電気抵抗は高抵抗状態（∞（Ω））にある。
そして、成膜をさらに進行させると、距離ｄがさらに縮まって、ついには金属端子１０ａと、金属端子１０ｂとが電気的に接続してしまう。
【００３３】
このような膜厚検知器２においても、上述した膜厚検知器１と同様の原理により、防着板１１０上に剥離寸前の厚みＤ０の金属被膜が形成しているか否かの適確な判断をすることができる。これにより、使用者は、最適なメンテナンス時期を認知することができる。 このように、膜厚検知器１、２においては、金属端子１０ａと、金属端子１０ａに隣接する金属端子１０ｂと、金属端子１０ａと金属端子１０ｂとの間に電位差を設ける電源４０と、を備える。そして、基板２００以外の部分に堆積する被膜の厚みを、金属端子１０ａと金属端子１０ｂとの間に埋め込まれた被膜の厚みと対応させることにより検知する。
【００３４】
ここで、基板２００以外の部分に堆積する導電性被膜の厚みは、電源１０４として直流電源を用い、金属端子１０ａと金属端子１０ｂとの間の導通状態から検知される。
また、基板２００以外の部分に堆積する絶縁性被膜の厚みは、電源１０４として交流電源を用い、金属端子１０ａと金属端子１０ｂとの間のインピーダンスから検知される。
【実施例３】
【００３５】
次に、膜厚検知器の別の変形例について説明する。
図５は、膜厚検知器の要部断面図である。
図５（ａ）に示すように、膜厚検知器３は、Ｌ字状の金属端子１１と、金属端子１１を支持する絶縁部材１２０と、を備えている。真空槽１０１の内壁上には、防着板１１０（防着板１１０ａ、１１０ｂ）が設けられている。金属端子１１の主面１１ａｆと、防着板１１０ｂとは、所定の距離を隔てて対向している。
【００３６】
金属端子１１は、絶縁部材１２０内でスライドし、図中の矢印Ａの方向に、その位置を変えることができる。これにより、金属端子１１の主面１１ａｆと防着板１１０ｂとの間隔「ｄ０」を変更することができる。
【００３７】
また、金属端子１１と防着板１１０ｂには、電源４０が接続され、金属端子１１と防着板１１０ｂとの間に電位差が設けられる。また、金属端子１１と防着板１１０ｂとが導通した場合に、その電気抵抗を計測するための抵抗計４１が設けられている。
【００３８】
このような膜厚検知器３によっても、成膜が開始すると、金属端子１１と、防着板１１０ｂとの間が金属被膜によって埋め尽くされる。
例えば、図５（ｂ）に示すように、成膜開始前においては、金属端子１１の主面１１ａｆと、防着板１１０ｂとの間の距離ｄは、「ｄ０」である。そして、成膜を開始して、防着板１１０ｂ上に金属被膜５０ａが堆積すると、金属被膜５０ａが堆積した分、金属端子１１の主面１１ａｆと防着板１１０ｂとの隙間が縮まって、距離ｄが小さくなる。さらに、成膜を進行させて、金属被膜５０ａ上に金属被膜５０ｂが堆積すると、距離ｄがさらに縮まる。ここまでは、金属端子１１と、防着板１１０ｂとは、非接触状態にあり、金属端子１１と、防着板１１０ｂとの間の電気抵抗は高抵抗状態（∞（Ω））にある。
そして、成膜をさらに進行させると、距離ｄがさらに縮まって、ついには金属端子１１と、防着板１１０ｂとが電気的に接続してしまう。
【００３９】
このような膜厚検知器３においても、上述した膜厚検知器１と同様の原理により、防着板１１０上に剥離寸前の厚みＤ０の金属被膜が形成しているか否かの適確な判断をすることができる。これにより、使用者は、最適なメンテナンス時期を認知することができる。
【００４０】
このように、膜厚検知器３においては、金属端子１１と、金属端子１１に隣接する防着板１１０ｂと、金属端子１１と防着板１１０ｂとの間に電位差を設ける電源１０４と、を備える。そして、基板２００以外の部分に堆積する被膜の厚みを、金属端子１１と防着板１１０ｂとの間に埋め込まれる被膜の厚みと対応させることにより検知する。
【００４１】
ここで、基板２００以外の部分に堆積する導電性被膜の厚みは、電源１０４として直流電源を用い、金属端子１１と防着板１１０ｂとの間の導通状態から検知される。
また、基板２００以外の部分に堆積する絶縁性被膜の厚みは、電源１０４として交流電源を用い、金属端子１１と防着板１１０ｂとの間のインピーダンスから検知される。なお、必要に応じて、防着板１１０を取り除き、成膜装置１００の真空槽１０１の内壁（壁面）と金属端子１１との間との電気特性変化を検知してもよい。
【００４２】
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本実施の形態はこれらの具体例に限定されるものではない。すなわち、以上の具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。 また、前述した各具体例が備える各要素およびその形成、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。例えば、金属端子１０ａ、１０ｂ間の電気抵抗を計測するほか、本実施の形態では、金属端子１０ａ、１０ｂに流れる電流を計測してもよい。また、防着板１１０は、適宜取り外してもよい。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて複合することができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものも含まれる。
【符号の説明】
【００４３】
１、２、３ 膜厚検知器
１０ａ、１０ｂ、１１ 金属端子（導電性端子）
１０ａｆ、１０ｂｆ、１１ａｆ 主面
１０ａｔ、１０ｂｔ 先端面
２０、２０ａ、２０ｂ カバー部材
２０ａｔ、２０ｂｔ、２０ｔ 端部
３０ａ、３０ｂ、１２０ 絶縁部材
４０ 電源
４１ 抵抗計
５０ａ、５０ｂ 金属被膜
１００ 成膜装置（真空処理装置）
１０１ 真空槽
１０２ 支持台
１０３ ターゲット
１０４ 電源
１１０、１１０ａ、１１０ｂ 防着板
１２１ 出力制御装置
２００ 基板
Ａ、Ｂ 矢印
Ｄ、Ｄ０、ｄ０ 厚み
ｄ 距離
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧雰囲気において被処理体の上に薄膜を形成しまたは前記被処理体をエッチングする真空処理装置内に設けられる膜厚検知器であり、
第１の導電性端子と、
前記第１の導電性端子に隣接する第２の導電性端子と、
を備え、
前記被処理体以外の部分に堆積する被膜の厚みを、前記第１の導電性端子と前記第２の導電性端子との間に堆積する被膜の厚みに応じた前記第１及び前記第２の導電性端子の間の電気特性の変化として検知可能としたことを特徴とする膜厚検知器。
【請求項２】
前記第１の導電性端子と前記第２の導電性端子との間に前記被膜が埋め込まれたか否かを、前記第１の導電性端子と前記第２の導電性端子との間の導通状態もしくは前記第１の導電性端子と前記第２の導電性端子との間のインピーダンスから検知可能としたことを特徴とする請求項１記載の膜厚検知器。
【請求項３】
前記第１の導電性端子と前記第２の導電性端子とが対向する距離は、変更可能であることを特徴とする請求項１または２に記載の膜厚検知器。
【請求項４】
減圧雰囲気において被処理体の上に薄膜を形成しまたは前記被処理体をエッチングする真空処理装置内に設けられる膜厚検知器であり、
前記真空処理装置内に設けられた防着板もしくは前記真空処理装置の壁面に対向する導電性端子を備え、
前記被処理体以外の部分に堆積する被膜の厚みを、前記導電性端子と、前記防着板もしくは前記壁面との間に堆積する被膜の厚みに応じた、前記導電性端子と前記防着板もしくは前記壁面との間の電気特性の変化として検知可能としたことを特徴とする膜厚検知器。
【請求項５】
前記導電性端子と、前記防着板もしくは前記壁面との間に前記被膜が埋め込まれたか否かを、前記導電性端子と、前記防着板もしくは前記壁面との間の導通状態、もしくは前記導電性端子と、前記防着板もしくは前記壁面との間のインピーダンスから検知可能としたことを特徴とする請求項４記載の膜厚検知器。
【請求項６】
前記導電性端子と、前記防着板もしくは前記壁面とが対向する距離は、変更可能であることを特徴とする請求項４または５に記載の膜厚検知器。
【請求項７】
大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な真空槽と、
前記真空槽の中に設けられた請求項１〜６のいずれか１つに記載の膜厚検知器と、
前記真空槽の中に設けられ、前記被処理体を支持可能な支持部と、
を備えたことを特徴とする真空処理装置。
【請求項８】
前記膜厚検知器が検知する信号に応じて、前記防着板もしくは前記壁面に堆積する前記被膜を除去する時期を出力する出力制御装置をさらに備えたことを特徴とする請求項７記載の真空処理装置。
【請求項１】
減圧雰囲気において被処理体の上に薄膜を形成しまたは前記被処理体をエッチングする真空処理装置内に設けられる膜厚検知器であり、
第１の導電性端子と、
前記第１の導電性端子に隣接する第２の導電性端子と、
を備え、
前記被処理体以外の部分に堆積する被膜の厚みを、前記第１の導電性端子と前記第２の導電性端子との間に堆積する被膜の厚みに応じた前記第１及び前記第２の導電性端子の間の電気特性の変化として検知可能としたことを特徴とする膜厚検知器。
【請求項２】
前記第１の導電性端子と前記第２の導電性端子との間に前記被膜が埋め込まれたか否かを、前記第１の導電性端子と前記第２の導電性端子との間の導通状態もしくは前記第１の導電性端子と前記第２の導電性端子との間のインピーダンスから検知可能としたことを特徴とする請求項１記載の膜厚検知器。
【請求項３】
前記第１の導電性端子と前記第２の導電性端子とが対向する距離は、変更可能であることを特徴とする請求項１または２に記載の膜厚検知器。
【請求項４】
減圧雰囲気において被処理体の上に薄膜を形成しまたは前記被処理体をエッチングする真空処理装置内に設けられる膜厚検知器であり、
前記真空処理装置内に設けられた防着板もしくは前記真空処理装置の壁面に対向する導電性端子を備え、
前記被処理体以外の部分に堆積する被膜の厚みを、前記導電性端子と、前記防着板もしくは前記壁面との間に堆積する被膜の厚みに応じた、前記導電性端子と前記防着板もしくは前記壁面との間の電気特性の変化として検知可能としたことを特徴とする膜厚検知器。
【請求項５】
前記導電性端子と、前記防着板もしくは前記壁面との間に前記被膜が埋め込まれたか否かを、前記導電性端子と、前記防着板もしくは前記壁面との間の導通状態、もしくは前記導電性端子と、前記防着板もしくは前記壁面との間のインピーダンスから検知可能としたことを特徴とする請求項４記載の膜厚検知器。
【請求項６】
前記導電性端子と、前記防着板もしくは前記壁面とが対向する距離は、変更可能であることを特徴とする請求項４または５に記載の膜厚検知器。
【請求項７】
大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な真空槽と、
前記真空槽の中に設けられた請求項１〜６のいずれか１つに記載の膜厚検知器と、
前記真空槽の中に設けられ、前記被処理体を支持可能な支持部と、
を備えたことを特徴とする真空処理装置。
【請求項８】
前記膜厚検知器が検知する信号に応じて、前記防着板もしくは前記壁面に堆積する前記被膜を除去する時期を出力する出力制御装置をさらに備えたことを特徴とする請求項７記載の真空処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１１−３８１４７（Ｐ２０１１−３８１４７Ａ）
【公開日】平成２３年２月２４日（２０１１．２．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１８６１１６（Ｐ２００９−１８６１１６）
【出願日】平成２１年８月１０日（２００９．８．１０）
【出願人】（０００００２４２８）芝浦メカトロニクス株式会社 (907)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年２月２４日（２０１１．２．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年８月１０日（２００９．８．１０）
【出願人】（０００００２４２８）芝浦メカトロニクス株式会社 (907)
【Ｆターム（参考）】
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