【課題】良質な薄膜を製造することができる。
【解決手段】液滴吐出ヘッド３００によって基板１１に吐出された機能性インク膜３０２にレーザ光を照射して加熱すると溶媒が蒸発して溶液が乾燥する。リアルタイムレーザ制御装置６００によって機能性インク膜３０２の乾燥状態を検出する。そして、機能性インク膜３０２の乾燥状態に対する最適なレーザ光照射条件の関係の特性データと照合しながら検出した機能性インク膜３０２の乾燥状態に対応する最適なレーザ光照射条件を決定する。 （もっと読む）

【課題】厚みと組成の均一な膜を形成しやすい成膜装置を提供する。
【解決手段】大気圧下においてプラズマＰを生成する。このプラズマＰを被処理物Ｗの表面に膜原料を付着させて成膜する成膜装置Ａに関する。前記膜原料を含有する成膜ガスＣＧを流通させる第１流路５。プラズマ生成ガスＰＧを流通させる第２流路９。前記プラズマ生成ガスＣＧに電界Ｅを印加してプラズマＰを生成させるための電極３。前記第１流路５と前記第２流路９とを合流させるための合流部１４。前記合流部１４から前記膜原料を放出させるための放出口１１とを備える。前記第１流路５から前記合流部１４への前記成膜ガスＣＧの流入方向と、前記合流部１４での前記プラズマＰの流通方向とが略平行となるように前記第１流路５が前記第２流路９内に形成され、前記第１流路５から前記合流部１４への前記成膜ガスＣＧの流入速度が、前記合流部１４での前記プラズマＰの流速よりも高速である。 （もっと読む）

【課題】カルコゲン元素を含む化合物半導体の均一な薄膜を容易に大量に生産する。
【解決手段】カルコゲン元素と化合物半導体に含まれるカルコゲン元素以外の金属元素とを含む皮膜が一主面の上にそれぞれ配されている複数の基板が準備される。次に、各皮膜について、カルコゲン元素の物質量と化合物半導体に含まれるカルコゲン元素以外の金属元素の物質量との差を示す指標が得られる。次に、各皮膜に係る指標に基づいて、一加熱炉内の基板配列領域に複数の基板が上記物質量の差の順に配列される。次に、一加熱炉内において、各皮膜に接している所定サイズの空間領域に、各指標に応じた物質量のカルコゲン元素を含む気体が単位時間毎に流されながら、複数の基板が加熱されることで、各基板の上に化合物半導体の薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体層の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基板上方に、（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を成長させる工程と、（ｂ）前記の（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を、４００℃以下で、活性酸素により酸化して、Ｍｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ≦０．６）単結晶膜を形成する工程と、（ｃ）工程（ａ）及び（ｂ）を繰り返して、Ｍｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ≦０．６）単結晶膜を積層する工程とを有するＺｎＯ系半導体層の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体単結晶の反り（面方位分布）を抑制するとともに、均質な結晶成長を行うことができる窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板の製造方法は、ＨＶＰＥ炉２０において、石英リアクタ７内の結晶成長領域の温度分布を略均一に保持してＧａＮ薄膜２及びストライプマスク４を有する基板１上にＧａＮ厚膜５を成長させるとともに、成長中のＧａＮ厚膜５の反りが予め定めた範囲内になるように当該ＨＶＰＥ炉２０を加熱するヒータ８の制御温度を変化させる。 （もっと読む）

【課題】ｐ型III族窒化物半導体の電気特性を向上できるIII族窒化物半導体光素子を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム系半導体領域１５及び窒化ガリウム系半導体領域１９は、基板１３の主面１３ａ上に設けられる。窒化ガリウム系半導体領域１９は、ｐ型ドーパントとしてマグネシウムを含むIII族窒化物半導体膜２１を有しており、III族窒化物半導体膜２１は、III族構成元素としてアルミニウムを含む。III族窒化物半導体膜２１の酸素濃度は、１．０×１０^１７ｃｍ^−３以上の範囲にあり、III族窒化物半導体膜２１の酸素濃度は、１．５×１０^１８ｃｍ^−３以下の範囲にある。また、III族窒化物半導体膜２１の水素濃度は１．０×１０^１７ｃｍ^−３以上の範囲にあり、III族窒化物半導体膜２１の水素濃度は１．５×１０^１８ｃｍ^−３以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】パージガスの量を従来と比較して減らすことが可能となり、原料ガスの流れへの影響を減らしたり、絞り穴を大きくして観察部の視野を広くしたりすることができるガス処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体３を処理用ガスで処理するガス処理装置１であって、ガス処理室２と、処理中の前記被処理体３を観察可能な観察窓が形成されたパージガス室３０と、前記観察窓からの観察方向上で、前記観察窓と前記被処理体３の載置位置との間に絞り穴が形成された絞り部材と、前記パージガス室３０内にパージガスを導入するパージガス導入口と、を備え、前記パージガスの導入方向が、前記観察方向からみて前記絞り穴の重心線からずれるように前記パージガス導入口が配置される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ環境下で半導体基材の結晶状態を測定することができる装置及び方法を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置１０では、チャンバ１１にエッチング用のガスが導入されるとともに、高周波電源１６によって高周波コイル１５に電圧が印加されることにより、チャンバ１１内にプラズマが発生する。チャンバ１１内には、半導体基材Ａを保持する基材ホルダー電極２０と、基材ホルダー電極２０に対応して配置される陰極２１とが設けられる。陰極２１には、高圧パルス電源２２により負電圧が印加される。分光計２３は、半導体基材Ａの発光態様を測定する。 （もっと読む）

【課題】大面積の良質な半導体膜を安定して簡便に作製することが可能な半導体膜の製造方法を得ること。
【解決手段】前記カソード電極上に堆積した半導体膜を前記カソード電極を加熱することにより加熱する工程と、前記加熱された半導体膜中から離脱した脱離水素原子量を前記カソード電極の温度に応じて複数回測定する工程と、前記脱離水素原子量の測定結果を分析して前記半導体膜の膜質を反映させて製膜条件を調整するための指標となる膜質情報を取得する工程と、前記膜質情報に基づいて前記半導体膜の製膜条件を第２の製膜条件に再設定する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ドーパント濃度を精度よく検出でき、製品管理能力が高い薄膜製造装置を提供すること。
【解決手段】この薄膜製造装置１は、フィルム基板１０の搬送方向の上流側から下流側に向けて設けられ、減圧条件下でフィルム基板１０上に薄膜を形成する第１成膜室１３ａ〜第３成膜室１３ｃと、第１成膜室１３ａ〜第３成膜室１３ｃの下流側に隣接して設けられた第１サンプリング室１４ａ及び第２サンプリング室１４ｂとを備える。第１サンプリング室１４ａには、第１成膜室１３ａで第１薄膜層４１が形成されたフィルム基板１０が搬入され、減圧条件下でフィルム基板１０から試料を採取する。 （もっと読む）

【課題】異なる組成の半導体層のそれぞれを、高面内均一性及び高再現性で形成できる気相成長方法及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室に接続された複数のガス供給管の前記反応室内の複数の出口からIII族原料ガスとＶ族原料ガスとを前記反応室内に供給して前記反応室内に配置された基板上に窒化物系半導体層を成膜する気相成長方法であって、III族原料ガスとＶ族原料ガスとを互いに異なる出口から基板に向けて供給して、III族中におけるＡｌ組成比が１０原子パーセント以上の窒化物系半導体を含む第１半導体層を成長させる工程と、III族原料ガスとＶ族原料ガスとを混合して同じ出口から基板に向けて供給して、III族中におけるＡｌ組成比が１０原子パーセント未満の窒化物系半導体を含む第２半導体層を成長させる工程と、を備えた気相成長方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 安定したｐ型ＺｎＯ系半導体結晶を得ることが可能なＺｎＯ系化合物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＺｎＯ系化合物半導体の製造方法は、単結晶表面を有する基板を準備する工程と、亜鉛ビームと、酸素を含むガスをラジカル化した酸素ラジカルビームと、Ｎ_２ガスとＯ_２ガスとを混合したガスをラジカル化した窒素ラジカルビームとを、前記基板上に同時に照射して、窒素添加ｐ型ＺｎＯ系化合物半導体を結晶成長する工程とを有し、前記Ｎ_２ガスとＯ_２ガスとを混合したガスの混合比Ｏ_２／Ｎ_２が、０より大きく１以下である。 （もっと読む）

【課題】最適なメンテナンス時期を通知する膜厚検知器を提供する。
【解決手段】減圧雰囲気において被処理体の上に薄膜を形成しまたは前記被処理体をエッチングする真空処理装置内に設けられる膜厚検知器であり、第１の導電性端子と、前記第１の導電性端子に隣接する第２の導電性端子と、を備え、前記被処理体以外の部分に堆積する被膜の厚みを、前記第１の導電性端子と前記第２の導電性端子との間に堆積する被膜の厚みに応じた前記第１及び前記第２の導電性端子の間の電気特性の変化として検知可能としたことを特徴とする膜厚検知器が提供される。 （もっと読む）

【課題】膜質の安定した微結晶シリコン膜を歩留まり良く形成可能な微結晶シリコン膜の製造装置および微結晶シリコン膜の製造方法を得ること。
【解決手段】透光性を有する被処理基板２が基板ステージ１上に保持され、前記被処理基板の被製膜面に向けて原料ガスを供給した状態で前記原料ガスのプラズマ６を発生させて前記プラズマ６により前記原料ガスを分解して前記被製膜面に堆積させることで微結晶シリコン膜７の製膜を行う製膜室Ｒと、前記微結晶シリコン膜７の結晶化率を、前記被処理基板２における前記被製膜面と反対側からラマン分光法により前記基板ステージ１および前記被処理基板２を通して測定する測定手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】結晶成長中において基板の形状を計測し、かつ原料ガスの流れの乱れを少なくすることができるＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明のＭＯＣＶＤ装置は、原料ガス３８ａを供給して基板３３の被処理面に結晶を成長させ、基板３３の被処理面に面した壁に、基板３３の被処理面の中央部を望み得る窓３０ｃを有する反応室３０と、反応室３０に設けられ、基板３３を載置して回転（移動）させるための回転台（移動台）３１と、回転台３１によって回転する基板３３の被処理面に、窓３０ｃを介してレーザー光４０ａを垂直に照射するとともに、被処理面から反射したレーザー光４０ｂを、窓３０ｃを介して受光して、ドップラー効果を利用して基板３３の回転速度を計測するための第１の速度計測手段４０と、第１の速度計測手段４０による計測結果を処理して基板３３の形状情報を出力するための処理手段４１とを備えている。 （もっと読む）

光ルミネセンス撮像を使用して半導体薄膜の堆積処理及び／又は事後堆積処理を監視するための方法および装置が提供される。光ルミネセンス画像は、半導体膜の１つ以上の特性および該膜にわたる特性の変化を決定するために解析される。これらの特性は堆積プロセスに関する情報を推定するために使用され、その後、前記情報を使用して、堆積プロセス条件およびその後の処理ステップの条件を調整することができる。方法および装置は、薄膜に基づく太陽電池に対して特定の用途を有する。
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本発明は、モジュール式反応器筐体及び機能モジュールを含む改善されたＣＶＤ反応器サブシステムを提供する。モジュール式反応器筐体は、市販の低温壁ＣＶＤ反応チャンバを収容することができ、機能モジュールは、反応器筐体上に配置して、反応チャンバを用いてＣＶＤ処理を実施するのに必要な機能を提供することができる。好ましい機能モジュールは、ＣＶＤ反応チャンバに熱を供給するモジュールと、ＣＶＤ反応チャンバ内部の状態を測定するモジュールとを含んでいる。本発明は、また、このようなＣＶＤ反応器サブシステムの形成方法、特に、特定のＣＶＤ処理を最適に実施するためのサブシステムの形成方法、及びこのような構成を実施するためのキットも提供する。有利なことに、本発明は、単一のＣＶＤ反応器サブシステムを、それがいくつかの別々のＣＶＤ処理を最適に実施できるように、構成換え及び配置換えできるようにする。
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【解決手段】処理中に処理チャンバ内の基板上の付着膜を特性化するための方法が提供される。方法は、測定コンデンサが第１の容量値に設定された状態で、プローブヘッドについての電圧電流特性を決定することを含む。方法は、また、測定コンデンサが第１の容量値よりも大きい容量値に設定された状態で、プローブヘッドにＲＦ列を印加することを含む。方法は、更に、付着膜についての初期抵抗値及び初期容量値を提供することを含む。方法は、尚もまた、初期抵抗値、初期容量値、及び電圧電流特性を利用して疑似電圧時間曲線を生成することを含む。方法は、尚も更に、一ＲＦ列の間における付着膜を通した電位降下を表わす測定電圧時間曲線を決定することを含む。方法は、そのうえ、これら２つの曲線を比較することを含む。もしこれらの差が所定の閾値未満である場合は、付着膜を特性化するために初期抵抗値及び初期容量値を利用する。 （もっと読む）

【課題】ノッチ角部への残留物を減らし、窒化物半導体基板上への結晶成長歩留を向上できる窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】円形の窒化物半導体基板本体２の外周に結晶方位と表裏面とを特定するノッチ３を形成する窒化物半導体基板１において、窒化物半導体基板本体２の外周に、複数の辺からなるノッチ３が形成され、そのノッチ３の結晶方位を示す方位辺４が結晶方位と±０．３°以内で一致するように形成され、かつ、表裏面を特定する表裏判別辺６と方位辺４との角度θが９０°よりも大きくなるように形成され、かつ、各辺の交点の曲率半径が０．１ｍｍ以上となるように形成されているものである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造装置の状態が変化した場合でも、ウェーハの酸化膜厚や不純物濃度を正確に制御し、製造ばらつきを低減し、半導体装置を高歩留で製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の熱処理装置において、熱処理装置のパラメータをモニタリングする（Ｓ５０２）。そして、そのパラメータから予測される膜厚を算出する（Ｓ５０３）。そして、その算出結果から処理時間を決定し（Ｓ５０７）、熱処理時間を制御することにより（Ｓ５０８）、所望の膜厚を得る。 （もっと読む）