【課題】大掛かりな装置を必要とせず、被処理物のそれぞれについてプラズマ処理の完了を個別検知することが可能なインキ組成物及びそれを用いたインジケーターを提供する。
【解決手段】１）アントラキノン系色素、アゾ系色素及びフタロシアニン系色素の少なくとも１種並びに２）バインダー樹脂、カチオン系界面活性剤及び増量剤の少なくとも１種を含有するプラズマ処理検知用インキ組成物であって、前記プラズマ処理に用いるプラズマ発生用ガスは、酸素及び窒素の少なくとも１種を含有することを特徴とするインキ組成物。 （もっと読む）

【課題】
プラズマ処理システムにおいて、ベースラインを動的に設定する方法が提供される。
【解決手段】
方法は、第１の基板を処理することを含む。方法は、第１の基板に関する第１の信号データを収集することも含む。方法は、第１の信号データをベースラインに対して比較することをさらに含む。方法は、第１の信号データがベースラインの上方の最高レベルとベースラインの下方の最低レベルとの間の信頼性レベルの範囲内にある場合に第１の信号データをベースラインの再計算に含めることをさらに含む。 （もっと読む）

【課題】より再現性よく安定してエッチング対象物の特定の局所的な特定の領域のみをプラズマエッチング加工することが可能なプラズマエッチング技術を提供する。
【解決手段】吸引型かつドライエッチング型のプラズマエッチング装置は、エッチング対象物2を固定し、三次元方向に移動可能なステージ3と、一方の端部が、ステージ3に固定されたエッチング対象物2に対向して設置されるプラズマ発生管8と、プラズマ発生用電源10と、このプラズマ発生用電源10に接続され、プラズマ発生管8の外側と内側に配置される一対のプラズマ発生用電極9と、プラズマ発生管の他方の端部に連結される排気管を有する排気装置11,12とを備え、プラズマ発生管8両端の圧力および圧力差、プラズマの発光並びにプラズマ中に含まれる反応生成物の種類とその量のうちの少なくともいずれかを計測する計測手段と、該計測手段からの情報に基づきプラズマの発生状態を制御するコンピュータ14を有する。 （もっと読む）

【課題】基板を処理する減圧処理容器内のパーティクルを適切にモニタリングする。
【解決手段】減圧処理容器１２からの排気に含まれるパーティクルをモニタするパーティクルモニタ方法であって、減圧処理容器１２を清浄化している間に、減圧処理容器１２からの排気に含まれるパーティクルをパーティクルモニタ１８により計数し、パーティクルの計数結果から、時間に関するパーティクル数のヒストグラムを作成し、当該ヒストグラムから、パーティクル数の最頻値とパーティクルの計数期間との相関を表す第１の特徴量を抽出し、ヒストグラムから、パーティクルの計数期間と当該計数期間におけるパーティクルの分布傾向との相関を表す第２の特徴量を抽出する。 （もっと読む）

【課題】異常放電の判定精度を向上させることが可能な、異常検出装置及び異常検出方法を提供する。
【解決手段】処理室内に載置されたウエハであってプラズマ処理後のウエハの脱離開始から搬送ゲートバルブが開くまでの動作を監視し、動作をウエハ脱離時の動作として特定する監視部７２と、特定されたウエハ脱離時の動作中、処理室内に高周波電力を印加する高周波電源と整合器との間もしくは被処理体を載置する載置台として機能する下部電極と整合器との間に設けられた方向性結合器から出力される進行波または反射波の少なくともいずれかの高周波信号を取得する取得部７３と、取得された高周波信号の波形パターンを解析する解析部７４と、高周波信号の波形パターンの解析結果に基づき異常放電の有無を判定する取得部７３と、を備えることを特徴とする異常検出装置７０が提供される。 （もっと読む）

【課題】 内部で行われる処理の状況を把握するといった機能は損なわれることなく、真空雰囲気に接する覗き窓表面を効果的に加熱して生成ガスの付着、堆積を効果的に抑制できるようにした低コストの真空処理装置を提供する。
【解決手段】 本発明では、真空チャンバの壁面に設けられる覗き窓８が、内部に導線Ｗが埋め込まれた透光性板材８１を備える。透光性板材の中心Ｃｐからその周囲に向かう方向を径方向とし、この透光性板材の中心と、当該中心から径方向の距離が最短となる透光性板材の周囲までの距離の中点Ｍｐとを結ぶ線を半径とする仮想円領域内で透光性板材の中央領域を除く領域に、前記導線が蛇行させて配置され、その自由端を透光性板材外表面に延出させてなる。 （もっと読む）

【課題】２以上の半導体製造装置に正確に区分された量のプロセスガスを搬送するシステムを提供する。
【解決手段】単一のフローを所望の比率の２以上の二次フローに分割するため、前記単一のフローを受け取る入口１３と、前記入口に接続された少なくとも２つの二次フロー・ライン１４ａ，１４ｂと、所望のフロー比率を受け取る入力手段２２と、前記フロー・ラインのそれぞれによって生じた製品の測定値を提供するインサイチュ・プロセス・モニタ１００と、前記入力手段と前記インサイチュ・プロセス・モニタ１００とに接続されたコントローラ２４とを含む。このコントローラ２４は、前記入力手段を介して所望のフロー比率を受け取り、前記インサイチュ・プロセス・モニタ１００から前記製品の測定値を受け取り、前記所望のフロー比率と前記製品の測定値とに基づいて訂正されたフロー比率を計算するようにプログラムされている。 （もっと読む）

【課題】画像処理によらず、測定位置を適切に調整することができるエッチングモニタリング装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るエッチングモニタリング装置は、光源１０から被処理基板Ｓ上に導入される入射スポット光の照射位置を移動させるための微小移動ステージ１６と、被処理基板Ｓ上を入射スポット光の光径以下の間隔で走査した照射位置の各々に対し、CCDラインセンサ１８により取得される検出信号から干渉成分の強度を取得する干渉強度取得部２５と、干渉強度取得部２５により取得された干渉成分の強度に基づき、その強度が最大となる被処理基板Ｓ上の位置を探索し、その位置をエッチング深さの測定位置とするよう照射位置を移動させる測定位置決定部２６と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】データセンタのエレメントの非標準動作をシミュレートするためのコンピュータ実行方法及びデータセンタ管理装置が提供される。方法は、データセンタエレメントによって影響される１つのデータセンタリソースを決定する行為と、データセンタリソース及びデータセンタエレメントに基づいて複数のシミュレータから１つのシミュレータを選択する行為と、当該シミュレータを使用してデータセンタエレメントの非標準動作のインパクト分析を生成する行為とを含む。データセンタ管理装置は、ネットワークインターフェースと、メモリと、ネットワークインターフェース及びメモリにつながれたコントローラとを含む。コントローラは、データセンタエレメントによって影響される１つのデータセンタリソースを決定するように、データセンタリソース及びデータセンタエレメントに基づいて複数のシミュレータから１つのシミュレータを選択するように、並びに第１のシミュレータを使用してデータセンタエレメントの非標準動作のインパクト分析を生成するように構成される。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマ処理システムにおける基板処理時の処理エンドポイントを検証するための最適なエンドポイント・アルゴリズムを自動的に特定する方法を提供する。方法は、プラズマ処理システムにおいて少なくとも１枚の基板の基板処理の間に複数のセンサーからセンサーデータを受信する工程を備える。ここで、センサーデータは、複数のセンサーチャンネルからの複数の信号ストリームを含む。方法は、また、エンドポイント・ドメインを特定する工程を備える。ここで、エンドポイント・ドメインは、処理エンドポイントが生じると予想される概算期間である。方法は、さらに、センサーデータを解析して、エンドポイント・サイン候補群を生成する。方法は、またさらに、エンドポイント・サイン候補群を最適なエンドポイント・アルゴリズム群に変換する工程を備える。方法は、さらに、最適なエンドポイント・アルゴリズム群のうちの１つの最適なエンドポイント・アルゴリズムを生産環境に取り入れる工程を備える。 （もっと読む）

【課題】エラー解析のためのデータを効率的に収集し、エラー解析を高精度で行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る基板処理装置は、基板に処理を施す処理ユニット及び基板を搬送する搬送ユニットの状態及びこれらの動作を検出する検出部を有し、これらを制御する下位コントローラと、前記下位コントローラを制御する制御部及び前記検出部からの出力内容を表示する操作部を有する上位コントローラとを備える基板処理装置であって、前記上位コントローラは、前記検出部からの出力内容にエラーが含まれる場合には、前記下位コントローラにエラーを通知し、前記下位コントローラは、前記上位コントローラから前記操作部へのデータ転送周期よりも短い周期で、前記エラー通知前後の前記検出部からの出力内容を記憶する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理における異常放電の原因を究明するための有用なデータを取得するとともにトレーサビリティを確保することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板９を処理室３ａ内に収容してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、処理室３ａ内の異常放電を検出する放電検出センサ２３、処理室３ａ内を窓部２ａを介して撮影して動画データを出力するカメラ２６を備え、異常放電を検出した場合には異常放電の検出時点を含む時間帯に対応する動画データを記憶させ、異常放電を検出しない場合には正常な放電状態を示す動画または静止画のデータを、プラズマ処理が行われたことを示す正常履歴画像データとして記憶させる。これにより、異常放電の原因を究明するための有用なデータを取得するとともにトレーサビリティを確保することができる。 （もっと読む）

【課題】安定且つ短時間で装置の状態を変更可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の運転方法を提供する。
【解決手段】処理容器内のプラズマに関与する高周波を出力する複数の高周波電源を有し、これらの出力電力を順番に段階的に大きくし、得られたプラズマにより被処理体に対して処理を行うプラズマ処理装置は、各高周波電源毎に設けられた高周波電源ユニットは、高周波電源とその出力を制御する電力制御部と、反射波の電力値を計測する反射波計測手段とを含み、さらに各反射波の計測電力値がしきい値以下になったか否かを判断する手段と、出力電力を１段階大きくする順番が回ってきた一の高周波電源について、他の高周波電源の反射波の計測電力値がしきい値以下になった後、予め設定した時間経過したときに当該一の高周波電源の出力電力を１段階大きくするためのタイミング信号を前記電力制御部に与える手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の適切な終点を検知することが可能な、プラズマ処理を行う方法を提供する。
【解決手段】工程Ｓ１０８では、エッチング残さを除去するためのプラズマアッシングを開始する。プラズマアッシングの開始によりチャンバ内の圧力が上昇して、チャンバ内の圧力を調整するためにＣＶバルブの開度が調整される。工程Ｓ１０９では、エッチング装置では、ＣＶバルブの開度を示す信号の変化を検知するために、この信号の微分演算又は差分演算を行う。微分演算を行う場合には、工程Ｓ１１０では、エッチング装置では、プラズマ処理の終点を検知するために、この微分値の判定を行う。プラズマ処理の終点では、反応物の生成が減少するので、ＣＶバルブの開度を示す信号に変化が生じてアッシングが終点に近づくとチャンバ内の圧力が減少し、微分値は大きく変化する。 （もっと読む）

【課題】
磁場を使用したプラズマ処理装置において、プラズマの停止時に被処理基板に影響する問題を最小限に抑制する手段を提供する。
【解決手段】
プラズマ生成用高周波電源と、バイアス電源と、真空処理室外に設置されるコイルに接続され真空処理室内に磁場を生成するコイル電源とを有するプラズマ処理装置において、真空処理室内の磁場強度を測定する磁場計測手段と、コイル電源の出力オン／オフ信号がオフされ後に測定される磁場強度が所定値まで減衰した時、プラズマ生成用高周波電源またはバイアス電源の出力オン／オフ信号をオフする制御手段を備えた。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の稼働率を高め、長期間に渡り良好なプラズマ処理性能を維持する。
【解決手段】被処理基板を載置する基板電極１１２および所定流量の処理ガスを供給するガス供給装置１０９を備えた処理室と、該処理室の圧力またはガス密度を制御可能な排気速度可変の真空排気手段１１８と、前記処理室内にプラズマを発生する機構１０１とを備えたプラズマ処理装置において、前記処理室内のガス密度を測定する機構および測定したガス密度をもとに処理室内のガス密度を一定に制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部をエッチング対象の膜に形成することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】シリコン基材上にＴＥＯＳ膜５１、ＴｉＮ膜５２、反射防止膜５３及びフォトレジスト膜５４が順に積層され、フォトレジスト膜５４は反射防止膜５３の一部を露出させる開口部５５を有するウエハＷにおいて、ＣＦ系デポ性ガスであるＣＨＦ_３ガス及びハロゲン系ガスであるＨＢｒガスの混合ガスから生成されたプラズマによって露出する反射防止膜５３をエッチングしてＴｉＮ膜５２の一部を露出させた後に、開口部５５の側面にデポ５６を堆積させることにより開口部５５の幅（ＣＤ値）を調整し、その後、Ｃｌ_２ガス及びＮ_２ガスの混合ガスから生成されたプラズマによって露出したＴｉＮ膜５２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】可変真空コンデンサの寿命を予測し、稼働中における装置の停止を回避することのできる自動整合機を提供する。
【解決手段】真空に保持された空間内にベローズを介して相互に変位可能に配置された一対の電極を有するコンデンサ１１，１３と、コイル１２とを備え、前記一対の電極の一方を他方に対して変位させて、前記コンデンサとコイルにより構成される整合回路のインピーダンスを調整する自動整合機において、前記電極の変位に伴う前記ベローズの伸縮量および伸縮回数の累積値をもとに自動整合機の寿命の経過量を算出する。 （もっと読む）

【課題】流体の通過量を制御する装置の異常を確実に検出することができる装置状態監視方法、および装置状態監視装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置での基板処理開始前に、流量ゼロに対応する流量出力電圧を取得する。次いで、基板処理中の制御信号に応じた流量制御中に、当該制御状態に対応する流量出力電圧を取得する。そして、流量制御中の流量出力電圧と流量ゼロ時の流量出力電圧との差分により実流量を算出する。算出した実流量に基づいて流量異常の有無を判定する。また、基板処理ごとに、現在実施中の基板処理の実流量と、直前の基板処理の実流量との差分を算出し、当該差分により流量制御特性の変動および流量制御精度を監視する。さらに、当該差分を所定期間にわたって積算することにより、流量制御特性の長期変動を監視する。 （もっと読む）

【課題】プラズマが生成する空間において、圧力分布が生じることを抑制できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマ処理装置は、チャンバー１０と、ステージ１２と、ステージ１２の上方に配置されたガス導入部１４と、ガス導入部１４の周囲から下方に突出することにより、半導体ウェハ１の上方に位置していてプラズマが生成される第１の空間１０ａと、チャンバー１０内の他の空間である第２の空間１０ｂとを、互いに部分的に繋がった状態を維持しつつ区切る仕切部材１６と、第２の空間１０ｂを排気する排気機構１８，２０，２０ａと、第１の空間１０ａの圧力を測定する第１の圧力計２２と、第２の空間１０ｂの圧力を測定する第２の圧力計２４と、第１の圧力計２２の測定値に基づいて止切部材１６の突出量を制御し、かつ第２の圧力計２４の測定値に基づいて排気機構２０ａを制御する制御部２６とを具備する。 （もっと読む）