【課題】半導体製造装置の排気中に含まれる温暖化ガスの濃度は装置の稼動状態によって変化するため、最大濃度を代表値として推算する過大評価排出量しか推算できない。更に最終段の排気管でのサンプリングにおいては、フーリエ変換型赤外分光計等を用いた測定を行なうのが一般的である。しかし、この排気管内における当該ガスの濃度は、一般に測定に適した濃度よりも低く、温暖化ガス排出のタイミングにあわせた測定を個別の装置に対して実行しないかぎり工場全体の温暖化ガス排出量の総量が算出できないという問題がある。
【解決手段】本願発明は、複数のＣＶＤ装置およびドライエッチング装置を用いて、多数の半導体装置形成基板に対して、成膜処理およびエッチング処理を実行する半導体装置の製造方法に於いて、これらの排ガスを定量サンプリングして、濃縮した後、含まれている温暖化ガスのガス種と濃度を測定するものである。 （もっと読む）

【課題】急速交互プロセス（ＲＡＰ）制御技術を提供する。
【解決手段】ＲＡＰシステム、及びこれを動作させる方法は、ＲＡＰチャンバ（ＲＡＰＣ）と、これに結合され、対応するプロセスガス源流量コントローラを各々が含む、複数のプロセスガス源と、ＲＡＰＣに結合されたバイアス信号源と、ＲＡＰＣに結合されたプロセスガス検出器と、ＲＡＰＣ、バイアス信号源、プロセスガス検出器、及び複数のプロセスガス源に結合されたＲＡＰＣコントローラとを含み、ＲＡＰＣコントローラは、第１のＲＡＰ段階を開始させるためのロジックを含み、該第１のＲＡＰ段階を開始させるためのロジックは、第１のプロセスガスをＲＡＰＣに投入するためのロジックと、ＲＡＰＣの中で第１のプロセスガスを検出するためのロジックと、ＲＡＰＣの中で第１のプロセスガスが検出された後に、対応する第１の段階バイアス信号をＲＡＰＣに印加するためのロジックとを含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置のチャンバ開放時に、チャンバ内に残留するガスを確実に排気して安全性を確保する。
【解決手段】ドライエッチング装置１のロードロック室６ａ内を以下の手順で排気する。窒素ガスバルブ２９ａの開弁による窒素ガス源２８からの導入と、それに続く排気バルブ１４ａの開弁によるドライポンプ１２ａでの排気とを予め定められた回数繰り返す。次に、大気導入バルブ２６ａの開弁による大気の導入と、それに続く排気バルブ１４ａの開弁によるドライポンプ１２ａでの排気とを予め定められた回数繰り返す。その後、大気導入バルブ２６ａとダクト排気バルブ２４ａの両方を開弁する。 （もっと読む）

【課題】処理室の内壁に付着した被膜を除去する際に使用するクリーニングガスの使用量を従来に比して削減することができる半導体製造装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、クリーニング工程と、濃度測定工程と、微分値算出工程と、変化検出工程と、排気工程と、を含む半導体製造装置のクリーニング方法が提供される。クリーニング工程では、チャンバ１１内にクリーニングガスを封入し、チャンバ１１内の堆積物とクリーニングガスとを反応させた反応ガスを生成する。濃度測定工程では、チャンバ１１内のガスを排気しながら排気ガス中の実反応ガス濃度を測定する。微分値算出工程では、実反応ガス濃度を時系列で並べて得られる曲線の実反応ガス濃度測定時の時間に対する微分値を算出する。変化検出工程では、微分値が過去に算出された微分値と異なる値を示すかを判定する。そして、排気工程では、チャンバ１１内のガスを排気する。 （もっと読む）

【課題】平板状のサンプル材料の組み合わせにより形成されるサンプル管を有するラジカル測定装置及びラジカル測定管を提供すること
【解決手段】本発明のラジカル測定装置１は、ラジカル生成室２と、測定管４と、支持体１６と、真空排気部１０とを具備する。ラジカル生成室２は、原料ガスのプラズマを発生させることで原料ガスのラジカルを生成させるラジカル生成手段６を有する。測定管４は、ラジカル生成室２に連通する。支持体１６は測定管４内に配置され、複数の、平板状のサンプル材料からなるサンプル板Ｓにより管状のサンプル管が形成されるように、それぞれのサンプル板を支持する。真空排気部１０は、測定管４を真空排気する。温度センサ９は、サンプル管に挿通され、サンプル管の軸方向に沿って移動可能である。 （もっと読む）

【解決手段】基板処理をする際の処理チャンバの正常性を検証するために、エッチング速度の均一性を予測する方法を提供する。この方法は、レシピを実行し、第１のセンサー群から処理データを受信する。この方法は、また、サブシステム正常性チェック予測モデルを用いて、処理データを解析してエッチング速度データ及び均一性データの少なくとも一方を含む計算データを求める。フィルム基板群からの測定データを、非フィルム基板群の同様の処理の際に集めた処理データで補正することにより、サブシステム正常性チェック予測モデルが構築される。この方法は、さらに、求めた計算データを、サブシステム正常性チェック予測モデルにより規定されるような制御限界群と比較する。この方法は、また、計算データが制御限界群の範囲外の場合には、警告を生成する。 （もっと読む）

【課題】大気圧プラズマにて被処理物を処理するに際して所望の処理状態を高い信頼性をもって確保することができるプラズマ処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】大気圧近傍の空間２に不活性ガスと反応性ガスの混合ガス８を供給するとともに電界を印加してプラズマ１１を発生させ、発生したプラズマ１１を被処理物Ｗに照射して被処理物Ｗをプラズマ処理するプラズマ処理方法において、空間２に供給される混合ガス８の反応性ガス濃度をガス濃度検出手段１５にて検出し、その検出結果に基づいて制御部１４にて被処理物Ｗに照射されるプラズマ１１の性能の良否を判定するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の機器類にフッ素原子と塩素原子とを含む化合物ガスを作用させた際に、効果的に表面腐食を抑制する方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置の処理チャンバーとこの処理チャンバーに連通する配管路の内部をフッ素原子と塩素原子とを含む化合物ガスを導入してクリーニング処理あるいはプロセス処理した後、この処理チャンバー及び処理チャンバーに連通する配管路に露点温度が２１３Ｋ以下の不活性ガスからなるパージガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】水晶振動子センサでの測定について、圧力を測定するのと同様な、簡単な方法で測定を行うことが可能であり、実用の製造装置への実用も容易なプラズマ中に存在する活性種の測定装置及び方法を実現する。
【解決手段】水晶振動子センサ１を備えており、物性依存出力が既存の分子構成に対する検量線とのズレからプラズマによって生成した活性種の量を計測する装置によって、プラズマが発生している反応装置３内のガスの物性値に依存する物性依存出力を測定することにより、分子以外の化学種であって、プラズマによって生成されるイオン及びラジカルを含む化学種の量を計測する。 （もっと読む）

【課題】表面に酸化銅が形成された銅膜を有する基板に対し、有機酸にてドライクリーニングを施して酸化銅を除去する際に、その終点を簡便にかつ高精度で、迅速に検出することができる終点検出方法を提供すること。
【解決手段】処理室内に有機酸ガスを導入してドライ洗浄処理を行っている際の処理室内のガスまたは処理室から排出されたガスの分析を行って、酸化銅が形成されている際と酸化銅が除去された際との所定のガス成分の濃度変化に基づいて終点を検出する。 （もっと読む）

【課題】エッチングの終点を精度良く判定できるようにする。
【解決手段】反応成分としてＨＦを含む処理ガスを吹出し口２１から吹き出して被処理物９０に接触させ、シリコン膜９３をエッチングする。吸引口２２から吸引した処理済みガスの一部を分析部５１に導入し、上記反応成分の濃度及び生成成分の濃度を分析する。判定部５２によって、上記２つの成分の濃度変化に基づき、エッチングの終点を判定する。 （もっと読む）

【課題】留物クリーニングの効果とプラズマ処理の安定性とを明確に数値化して目標の安定性を得ることができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】残留物測定用ウェハを用いて残留物の発生量を測定する工程（Ｓ１１〜Ｓ１３）及び残留物測定用以外のウェハを用いてプラズマ処理する工程（Ｓ２）並びにプラズマ処理後の処理容器内をクリーニングする工程（Ｓ３）を繰り返して残留物の推移を取得し、１サイクル当たりの残留物除去効率Ｃ_Ｘと残留物の量Ｘ_Ｅを算出する工程（Ｓ６）と、クリーニングＳ３のプラズマ生成条件とＣ_Ｘとの相関関係式を作成する工程（Ｓ７）と、プラズマ処理Ｓ２のプラズマ生成条件および被処理物のスペックとＸ_Ｅとの相関式を作成する工程（Ｓ８）と、あるＸ_Ｅを持つプラズマ処理（Ｓ２）に対する最適なＣ_Ｘを持つクリーニングの条件を決定する（Ｓ９）工程と、を有するプラズマ処理方法。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理において、その終点を精度よく検出する。
【解決手段】 プラズマ処理装置１００は、チャンバー１内でプラズマを生成させるプラズマ生成手段と、被処理体（ウエハＷ）へ向けて移動するプラズマ中の活性種の粒子数の積算値を計測する計測部６０と、計測された粒子数の積算値が設定値に達した場合に、プラズマ処理を終了させるように制御する制御部５０と、を備えている。計測部６０は、光源部６１から所定のレーザー光をプラズマへ向けて照射し、ＶＵＶモノクロメーターを備えた検知部６３で受光することにより活性種の粒子数を測定する。 （もっと読む）

【課題】ＣＦ_４等の安定なハロゲン化炭素を十分に分解し、処理効率を高め、排ガス処理の負担を軽減する。
【解決手段】一次反応部２０の前段電極２２間に１００〜３００００Ｐａ、好ましくは１０００〜３００００Ｐａの一次プラズマ空間２２ａを形成し、この一次プラズマ空間２２ａでＣＦ_４等の安定なハロゲン化炭素を含む原料ガスをプラズマ化し、ＣＯＦ_２等の不安定なハロゲン系成分を含む一次反応ガスを生成する。この一次反応ガスをより低圧の二次プラズマ空間４２ａでプラズマ化し、被処理物９０との反応性を有するフッ素ラジカル等の反応性ハロゲン系成分を含む二次反応ガスを生成し、この二次反応ガスを被処理物９０に接触させる。 （もっと読む）

【課題】エッチングの終了を時間管理する場合よりも精度良くエッチングできる半導体装置とその製造方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、ＳｉＣ基板１の表面上に導電膜２を形成する工程と、導電膜２とＳｉＣ基板１を反応させて、導電膜２の材料がＳｉＣ基板１に拡散したＮｉＳｉ層３、ＳｉＣ基板１の珪素により珪化したＮｉ_２Ｓｉ層４、グラファイト５および球状炭素６を生成する工程と、グラファイト５、球状炭素６およびＮｉ_２Ｓｉ層４を、珪素と比較して炭素と結合し易い雰囲気中でエッチングするエッチング工程とを含む。更に、エッチング工程中に放出される炭素放出量がピークを超えて、かつ、所定値以下になった場合にエッチング工程を終了する。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置の処理ヘッドと被処理物配置部の相対移動方向と直交する方向の流体の出入りを遮断する。
【解決手段】処理ヘッド１０に対しｘ方向に相対移動される被処理物配置部２０における移動方向と直交するｙ方向の端部に、移動方向に延びる溝状の受け部７２を設け、その内部に遮蔽液７４を溜める。処理ヘッド１０には、遮蔽部７１を対向空間８０の端部に被さるように設ける。遮蔽部７１の先端の挿入部７３を受け部７１に非接触で挿入し、遮蔽液７４に漬ける。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置において、真空容器内壁および試料からの脱水を加熱なしに行ない、また極めて水の少ないガスの水分を安価な方法でモニターする極低水分ガス生成装置を提供する。
【解決手段】極低水分ガス生成装置で生成されたガスは、酸素分圧が１０のマイナス２９乗気圧以下１０のマイナス３５乗気圧以上、水分量が１ｐｐｂ以下０．８３ｐｐｔ以上となり、その極低水分ガスが処理装置内に導入され、内部の水分が除去され、そのガス中の酸素分圧を酸素センサで測定することにより、計算で水分量が求められるように、低水分ガス生成装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】無機基板の好ましくないエッチングを回避しつつ、無機基板上の有機被膜を効率よく選択的に除去できる方法、およびその方法を用いて製造された基板を提供する。
【解決手段】反応器内の水を沸点以上に昇温した後に、飽和蒸気よりも水相側には至らないように昇圧し、生成された水蒸気中もしくは超臨界水中で、無機基板上の有機被膜を選択的に除去することを特徴とする有機被膜の除去方法、およびその方法を用いて製造された基板。 （もっと読む）

【課題】 プロセスのバラツキに因らず、凹凸を有する酸化膜を良好な形状に平坦化することが可能な半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 基板上に形成された凹凸を有する酸化膜上に全面塗布されたレジスト膜のエッチバック工程において、所定濃度のＯ_２ガス及びＦ系のガスを含むエッチングガスを、エッチバックチャンバー内に導入する工程と、前記エッチバックチャンバー内のＯ_２濃度をモニタリングする工程と、モニタリングされた前記エッチバックチャンバー内のＯ_２濃度に基づき、前記エッチバックチャンバー内のＯ_２濃度が所定濃度となるように、前記エッチバックチャンバーに導入されるエッチングガスの前記Ｏ_２濃度を制御する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ特性を求めるための方法を提供する。
【解決手段】一実施形態において、プラズマ特性を求めるための方法は、プラズマに異なる周波数で結合された第１及び第２波形の電流及び電圧情報のメトリックを得て、周波数の異なる波形のそれぞれから得たメトリックを用いて少なくとも１つのプラズマ特性を求めることを含む。別の実施形態において、本方法は周波数の関数としてのプラズマのプラズマインピーダンスモデルを提供し、モデルを用いて少なくとも１つのプラズマ特性を求めることを含む。更に別の実施形態において、本方法は周波数の関数としてのプラズマのプラズマインピーダンスモデルを提供し、プラズマに結合され、少なくとも２つの異なる周波数を有する波形について電流と電圧を測定し、モデルと測定した波形の電流と電圧とからプラズマのイオン質量を求めることを含む。 （もっと読む）