【課題】本発明は装置稼働率を低下させることなく安定したプロセス性能結果が得られるRun-to-Run制御によりプラズマ処理を行うプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明はプラズマ処理を行うプラズマ処理室と、プラズマ処理室内の状態をモニタするプロセスモニタと、プラズマ処理条件を構成するパラメータを制御するアクチュエータと、プロセスモニタによりモニタされたプロセスモニタ値とプロセスモニタの目標値との偏差および予め取得された、プロセスモニタ値とパラメータである操作変数との相関関係を用いて操作変数の補正量を算出するＮ＋１個の補正量計算ユニットと、Ｎ番目の操作変数の次に優先度の高い操作変数を追加するＮ個の操作変数追加ユニットとを備え、Ｎ番目の操作変数追加ユニットは、Ｎ＋１番目の補正量計算ユニットにより算出された補正量をＮ＋１番目の操作変数の補正量とすることを特徴とするプラズマ処理装置である。 （もっと読む）

【課題】より再現性よく安定してエッチング対象物の特定の局所的な特定の領域のみをプラズマエッチング加工することが可能なプラズマエッチング技術を提供する。
【解決手段】吸引型かつドライエッチング型のプラズマエッチング装置は、エッチング対象物2を固定し、三次元方向に移動可能なステージ3と、一方の端部が、ステージ3に固定されたエッチング対象物2に対向して設置されるプラズマ発生管8と、プラズマ発生用電源10と、このプラズマ発生用電源10に接続され、プラズマ発生管8の外側と内側に配置される一対のプラズマ発生用電極9と、プラズマ発生管の他方の端部に連結される排気管を有する排気装置11,12とを備え、プラズマ発生管8両端の圧力および圧力差、プラズマの発光並びにプラズマ中に含まれる反応生成物の種類とその量のうちの少なくともいずれかを計測する計測手段と、該計測手段からの情報に基づきプラズマの発生状態を制御するコンピュータ14を有する。 （もっと読む）

【課題】
プラズマ電位を、プローブ計測器に頼ることなく、質量分析器を応用して、イオン種の分析と併せて計測でき、質量分析とプラズマ電位計測の双方を行える割には安価に済むプラズマ電位計測方法及びそれを利用した装置を提供する
【課題を解決するための手段】
真空チャンバ１内の測定対象プラズマ２のプラズマ電位計測方法であって、該真空チャンバ１内に質量分析器３を配置し、前記プラズマ２と前記質量分析器３との間にバイアス電圧を印加して質量分析を実施し、イオンが検出された条件において、前記質量分析器３内のサプレッサー電圧を変化させていき、イオン電流が検出されなくなるサプレッサー電圧と前記バイアス電圧との関係からプラズマ電位を算出するプラズマ電位計測方法及び装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】真空装置中に存在する、特にプラズマにより生成したイオン計測の効率を高めるための方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマ装置中に設置した電極に、これに接続してプラズマ装置中の成分を分析できる質量分析器の計測部に対して高い（低い）電位を与え、これによってプラズマ中の正（負）イオンを質量分析器へ効率よく導入することを特徴とするプラズマ中のイオン計測方法、及び、プラズマ装置中に設置した電極に、これに接続してプラズマ装置中の成分を分析できる質量分析器の計測部に対して高い（低い）電位を与え、これによってプラズマ中の正（負）イオンを質量分析器へ効率よく導入することを特徴とするプラズマ中のイオン計測装置。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理にあたって、安価でコンパクトなプラズマ電位やイオン速度等のプラズマ状態の計測方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマと該分析器の間に印加した電圧と質量分析器において同一イオンが検出された条件との関係からイオン速度とプラズマ電位との関係を算出し、さらに該質量分析器をシングルプローブに見立てて、質量分析器とプラズマ間に連続的あるいは断続的に負から正の電圧を印加し、これらの関係からプラズマ電位を算出し、前記イオン速度とプラズマ電位との関係と算出したプラズマ電位との関係からプラズマ中のイオン速度を算出する。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で検査精度の向上と検査時間の短縮が可能なリークチェック方法及びリークチェック装置を提供する。
【解決手段】リークチェック方法は、排気装置により真空容器の内部を排気する工程と、前記排気を停止後、前記真空容器内の全圧力及び水分の分圧を計測する工程と、前記排気を停止してから所定時間経過後にそれぞれ計測された前記全圧力から前記水分の分圧分を除いた値に基づき真空容器のリークレートを検査する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマ電位を、プローブ計測器に頼ることなく、質量分析器を応用して、イオン種の分析と併せて計測でき、質量分析とプラズマ電位計測の双方を行える割りには安価に済むプラズマ電位計測方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマ２中のイオンの質量分析を行える質量分析器３（又は１９）と該プラズマとの間に少なくとも二つの異なる電圧をそれぞれ印加して各電圧Ｖｂごとに、他の電圧の場合と同一のイオンを検出できる、該質量分析器に応じた質量分析条件Ｘを求め、得られた各電圧Ｖｂと質量分析条件Ｘのデータに、式Ｖｂ＝ａＸ² −Ｖｐ（Ｖｐはプラズマ電位）を回帰式として該回帰式を最小二乗法を用いてフィッティングすることにより、該式におけるａ及びＶｐをそれぞれ算出することで、該プラズマ電位Ｖｐを求め、併せてイオン種を同定するためのａを求めるプラズマ電位計測方法及び装置。該方法を実施するためのプログラム及びそれを記録した記録媒体Ｍ１（Ｍ２）。 （もっと読む）

【課題】シミュレーションの精度を向上できる形状シミュレーション装置を提供する。
【解決手段】シミュレーション装置のフラックス演算部は、有効立体角Ｓｅ、ウェハ開口率Ｒｗ及びセミローカル開口率Ｒｓに基づいて、計算点２２１毎の入射フラックスΓを演算する。有効立体角Ｓｅは、計算点２２１が当該計算点２２１を含むローカル領域２２３におけるパターンに遮蔽されずに開放される範囲を計算点２２１側から見込んだ立体角である。ウェハ開口率Ｒｗは、ウェハ２０１を覆うマスク２０７の面積に対するマスク２０７の開口面積の比である。セミローカル開口率Ｒｓは、ローカル領域２２３を含み、ウェハ２０１よりも狭いセミローカル領域２２７の面積に対する当該セミローカル領域２２７におけるマスク２０７の開口面積の比である。 （もっと読む）

【課題】エッチング速度に基づいて所望のエッチング量が得られるエッチング終了時期の判別方法の提供。
【解決手段】ＳｉＣ半導体基板１０（基板）上に窒素化合物層１２−２６を形成する。そして、窒素化合物層１６−２６をエッチングする。ここで、窒素化合物層１２−２６は、等間隔に配置され、窒素同位体Ｎ１５を含む複数のマーカー層１６，２０，２４を有する。また、窒素化合物層１６−２６をエッチングする際に、エッチング雰囲気中の窒素同位体Ｎ１５の含有量のピークを検出することでエッチング速度を求める。 （もっと読む）

【課題】Ｑｍａｓｓなどの質量分析装置を用いることなく，処理室内の水分量を検出する。
【解決手段】処理室１１０内を減圧し，処理室内を排気しながら所定のガスを導入し，そのガスのプラズマを励起するステップと，処理室に設けられたモニタ用窓部２００を介してその窓部を透過するプラズマの発光スペクトルのうち，処理室内の水分量と相関のある特定波長領域の光を受光して発光強度を取得するステップと，その発光強度に基づいて処理室内の水分量の変化を検出するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】反応槽のクリーニングのためのドライエッチングの終点判断を正確に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】製造装置の反応槽内で基板上に構造膜を形成することにより半導体装置を製造するプロセスにおいて、反応槽内のクリーニングを行う。すなわち、反応槽の内壁にホウ素を含有したシリコン窒化膜からなるプレコート膜を堆積させ（ステップＳ１１）、反応槽内において基板上に構造膜としてホウ素を含まないシリコン窒化膜を形成し（ステップＳ１２）、反応槽の内壁をドライエッチングしてクリーニングする（ステップＳ１３）。このとき、ドライエッチングは、反応槽から排出されるガスにホウ素が検出された後で終了させる。 （もっと読む）

本発明は、物質（１００，２００）を電子ビーム誘起エッチングする方法に関し、本方法は、少なくとも１種類のエッチングガスを、物体（１００，２００）に電子ビームが衝突する位置と同じ位置において、物体（１００，２００）に供給する方法ステップ、および、同時に、少なくとも１種類のエッチングガスによる自発的エッチングを減速または抑制するようにした少なくとも１種類のパッシベーションガスを供給する方法ステップを含むものである。 （もっと読む）

【課題】表面に酸化銅が形成された銅膜を有する基板に対し、有機酸にてドライクリーニングを施して酸化銅を除去する際に、その終点を簡便にかつ高精度で、迅速に検出することができる終点検出方法を提供すること。
【解決手段】処理室内に有機酸ガスを導入してドライ洗浄処理を行っている際の処理室内のガスまたは処理室から排出されたガスの分析を行って、酸化銅が形成されている際と酸化銅が除去された際との所定のガス成分の濃度変化に基づいて終点を検出する。 （もっと読む）

【解決手段】半導体プラズマ処理装置内で基板アーキングを検出する方法が提供されている。プラズマ処理装置の反応チャンバ内の基板支持体上に、基板が載置される。処理ガスが、反応チャンバ内に導入される。処理ガスからプラズマが生成され、基板は、プラズマで処理される。プラズマ処理中に反応チャンバ内で生成された選択ガス種のリアルタイム質量分析信号の強度が、監視される。選択ガス種は、基板アーキング現象によって生成されたものである。強度が閾値を越えた時に、アーキング現象が検出される。 （もっと読む）

【課題】シリサイドブロック層の除去方法を工夫することで、良好な抵抗値を持つシリサイド層を形成することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】シリサイドブロック層１０を反応性イオンエッチングで除去する際、反応性イオンエッチングの終点検出前よりも反応性イオンエッチングの終点検出後のほうが、イオン引き込み用のバイアス高周波電力の電圧振幅値であるＶｐｐが高くなるように設定する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングにおいて、ナノメートルスケールの加工寸法（ＣＤ）ばらつきを制御することを可能とする。
【解決手段】ウエハ開口率および局所パターンの立体角に応じて、反応生成物フラックスと立体角の積で表される加工側壁に入射する堆積物量を制御する形状シミュレータ３１と、前記形状シミュレータ３１で得られたデータベースとドライエッチング中のエッチング状態から検出された実測値とを比較してエッチングプロセスの補正値を算出し、該補正値をドライエッチング装置１のエッチングチャンバ１１に指示する制御部１３とを備え、前記エッチングチャンバ１１で行うエッチングプロセスのパラメータをリアルタイムに補正することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レジスト剥離などのプラズマ処理の際、プラズマ損傷の監視がその場(in situ)で可能な、非破壊で簡単な分析方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理の際、低誘電率(low-k)膜が損傷した場合、反応生成物の１つは水であり、温度が１００〜１５０℃より低ければ、低誘電率膜（孔内）に吸収されたままである。水分子を破壊し、電子励起された酸素原子を形成できる高エネルギーＥＵＶフォトン（Ｅ＞２０ｅＶ）を放射するプラズマ（例えば、Ｈｅ）が、吸収された水を検出するために用いられる。励起された酸素は、７７７ｎｍの光学放射から検出される。従って、吸収された水の濃度が高くなるほど、より強い（酸素）信号が検出される。酸素信号の強度は、前の剥離ステップでのプラズマ損傷の測定手段となる。提案した分析方法は、プラズマ処理の直後、その場(in situ)で実施できる。最も好ましくは、酸素ラジカルの光学放射は、プラズマチャンバ内のチャックステップの際に監視される。 （もっと読む）

【課題】プロセス処理中のモニタリングでは検知できない外乱による処理結果への影響を抑制する。
【解決手段】高周波電力による処理ガスプラズマ生成手段および被処理基板載置台を備えた処理室４０１と、前記被処理基板に逐次プラズマ処理を施す装置コントローラ４０４と、処理開始から前記被処理基板に対する処理ステップ開始までの過渡状態検出手段４０７と、検出された過渡状態期間と処理結果との関連を表す処理結果の予測モデル４１１、および処理結果の目標値をもとに、処理結果の予測誤差を算出する誤差量算出手段４１０と、前記誤差量算出手段が算出した予測誤差、および該予測誤差と処理条件の関連を格納した最適条件算出モデル４１４をもとに前記予測誤差を補償するに要する処理条件を算出する最適条件算出手段４１３を備え、前記装置コントローラは、前記最適条件算出手段が算出した最適条件にしたがって被処理基板にプラズマ処理を施す。 （もっと読む）

【課題】エッチングの終了を時間管理する場合よりも精度良くエッチングできる半導体装置とその製造方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、ＳｉＣ基板１の表面上に導電膜２を形成する工程と、導電膜２とＳｉＣ基板１を反応させて、導電膜２の材料がＳｉＣ基板１に拡散したＮｉＳｉ層３、ＳｉＣ基板１の珪素により珪化したＮｉ_２Ｓｉ層４、グラファイト５および球状炭素６を生成する工程と、グラファイト５、球状炭素６およびＮｉ_２Ｓｉ層４を、珪素と比較して炭素と結合し易い雰囲気中でエッチングするエッチング工程とを含む。更に、エッチング工程中に放出される炭素放出量がピークを超えて、かつ、所定値以下になった場合にエッチング工程を終了する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉを含む基板の表面に形成された、深さが２μｍ以上のパターンを有するナノ構造体、及び高アスペクトでナノオーダーのパターンを有するナノ構造体を製造する方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉを含む基板の表面に形成された、深さが２μｍ以上のパターンを有するナノ構造体であって、
前記パターンの表面にＧａ又はＩｎを含み、該Ｇａ又はＩｎの濃度の最大値が前記基板の深さ方向に前記パターンの表面より５０ｎｍ以内に位置しているナノ構造体を構成する。
また、その製造方法として、前記Ｓｉを含む基板の表面に集束したＧａイオン又はＩｎイオンを照射して、該基板の表面を削りながらＧａイオン又はＩｎイオンを注入し、該基板の表面にＧａ又はＩｎを含む層を形成し、これをエッチングマスクとしてドライエッチングする方法を構成する。 （もっと読む）