【課題】プラズマ工程において、インピーダンスをマッチングする基板処理装置及びインピーダンスマッチング方法が提供される。
【解決手段】本発明の一実施形態による基板処理装置は、高周波電力を発生させる高周波電源と、前記高周波電力を利用してプラズマ工程を遂行する工程チャンバーと、前記工程チャンバーの変化するインピーダンスを補償するマッチング回路と、前記工程チャンバーと前記マッチング回路との間に配置されて前記工程チャンバーのインピーダンスを減衰させるトランスフォーマと、を含む。 （もっと読む）

【課題】様々な位置からのパラメータの測定結果を同期または時間相関させることができる計測システムおよび監視方法を提供する。
【解決手段】回路内の複数の位置の内の１つにおける高周波電力の電気的特性に基づいて出力信号をそれぞれ発生する複数のセンサチャネルであって、各センサチャネルが、高周波電力の電気的特性に基づいて第１の信号を発生するプローブ２０と、周期信号を発生する発振器６２と、センサチャネルのための出力信号を発生するために、前記第１の信号と前記周期信号とを混合するミキサ６４とを含む複数のセンサチャネルと、センサチャネルからの複数の出力信号に基づいて第２の出力信号を発生する高周波結合器７０，７２とを含む。 （もっと読む）

【課題】
プラズマ処理システムにおいて、ベースラインを動的に設定する方法が提供される。
【解決手段】
方法は、第１の基板を処理することを含む。方法は、第１の基板に関する第１の信号データを収集することも含む。方法は、第１の信号データをベースラインに対して比較することをさらに含む。方法は、第１の信号データがベースラインの上方の最高レベルとベースラインの下方の最低レベルとの間の信頼性レベルの範囲内にある場合に第１の信号データをベースラインの再計算に含めることをさらに含む。 （もっと読む）

【課題】ＤＣバイアス電圧に応答した制御を含む真空プラズマプロセッサを提供する。
【解決手段】十分な電力を有するＡＣ電気エネルギーを電極の少なくとも１つに供給することによって室内のガスをプラズマに励起して、電極の少なくとも１つを介してガスに供給されたＡＣ電気エネルギーにより（ａ）供給されたＡＣ電気エネルギーの周波数におけるプラズマ励起ＡＣ電場を第１電極アセンブリと第２電極アセンブリとの間に存在させ（ｂ）ＤＣバイアス電圧を室内のガスがプラズマに励起されるのに応答して電極の少なくとも１つに発生させ、ＤＣバイアス電圧の指示に応答してプラズマ励起ＡＣ電場を制御する。 （もっと読む）

【課題】異常放電の判定精度を向上させることが可能な、異常検出装置及び異常検出方法を提供する。
【解決手段】処理室内に載置されたウエハであってプラズマ処理後のウエハの脱離開始から搬送ゲートバルブが開くまでの動作を監視し、動作をウエハ脱離時の動作として特定する監視部７２と、特定されたウエハ脱離時の動作中、処理室内に高周波電力を印加する高周波電源と整合器との間もしくは被処理体を載置する載置台として機能する下部電極と整合器との間に設けられた方向性結合器から出力される進行波または反射波の少なくともいずれかの高周波信号を取得する取得部７３と、取得された高周波信号の波形パターンを解析する解析部７４と、高周波信号の波形パターンの解析結果に基づき異常放電の有無を判定する取得部７３と、を備えることを特徴とする異常検出装置７０が提供される。 （もっと読む）

【課題】傾斜ベース検出タスクを閾値ベース検出タスクに変換する方法を提供する。
【解決手段】モニターされている処理の値に対応する一組の点についての近似方程式を規定すること１４０で開始する。その後、モニターされている処理の現在点における期待値が予測される１４２。次に、モニターされている処理の現在点における測定値と対応する期待値との差が計算される１４４。それから、逐次点についてこの差がモニターされることにより、測定値と期待値との間の偏差値を検出する１４６。次に、モニターされている処理の遷移点は、偏差値の検出に基づいて識別される１４８。 （もっと読む）

【課題】モニタデータの処理に伴う管理装置の内部の負荷を低減する。
【解決手段】基板処理システムが備える管理装置は、モニタデータを基板処理装置から収集する収集手段と、モニタデータを一時的に格納する複数の一時格納手段と、モニタデータを蓄積する蓄積手段と、一時格納手段を監視する監視手段と、を備え、監視手段は、モニタデータの格納に伴う一時格納手段の負荷を監視し、一時格納手段の負荷が所定の閾値より高い状態を検出すると、負荷の低い他の一時格納手段をモニタデータの格納先に指定する。 （もっと読む）

【課題】段差を有する膜構造を高精度にエッチングするプラズマ処理装置またはドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】真空容器１０７と、この真空容器内部の処理室内に配置されその上面にエッチング対象のウェハ１１２が載せられる下部電極１１３と、下部電極１１３にバイアス電位を形成するための高周波電力を供給するバイアス印加装置１１８，１２０と、前記処理室内に反応性ガスを導入するガス供給手段１１１と、前記処理室内にプラズマを生成するための電界を供給する電界供給手段１０１〜１０３と、前記高周波電力により前記ウェハ１１２に入射する前記プラズマ中のイオンのエネルギーの分布を調節する調節装置１２７とを備えたプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ及びプラズマエッチングの分野において、生産コストの低減に必要な、高速で基板サイズの大面積化が可能なプラズマ表面処理方法およびプラズマ表面処理装置を提供する。
【解決手段】導波管を備えた空洞共振器１と、高周波電源２０と、インピーダンス整合器３２と、３端子サーキュレータ５０と、該３端子サーキュレータ５０に接続された無反射終端器５２及び反射波検知器５４とから成るプラズマ表面処理装置で、インピーダンスの整合を取るに際し、供給電力のアンテナ２からの反射波が最小に、かつ、該空洞共振器内部に放射される電力が最大になるように調整可能としたことを特徴とする。リッジ６１を有する導波管を用いることも特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング処理の実施中に異常が発生した場合に、基板とステージとの間に供給される冷却用ガスの圧力に起因して基板がステージ上より跳ね上がって位置ズレが生じることを防止する。
【解決手段】ドライエッチング処理の異常発生が検出された場合に、ステージおよび基板の間に供給される第１流路内の冷却用ガスの圧力と処理室内の圧力との間の差圧を減少させる処理を開始する。これにより、エッチング処理中に異常が発生した場合であっても、処理室内の圧力と第１流路内の圧力との差圧が減少されるため、差圧により基板がステージより跳ね上がって位置ズレ等が生じることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】ウエハ処理後のパターンの出来映え形状を高精度で予測することのできる技術を提供する。
【解決手段】各反応生成物の量をそれぞれプラズマ発光強度によって表し、これらを規格化する。そして、規格化された各反応生成物のプラズマ発光強度をそれぞれ予測値補正データに変換し、これら予測値補正データのなかから開口率に応じた最適な予測値補正データを選択し、この最適な予測値補正データを、モニタリング信号から得られた予測値データに加えることにより、パターンの出来映え形状を予測する。 （もっと読む）

【課題】イオンのエネルギーおよびフラックスの装置間差を低減することが可能な制御装置、プラズマ処理装置、及び制御方法を提供する。
【解決手段】本実施形態の制御装置は、処理室内に配され被処理基板が載置される電極と、前記電極に電力を供給する第１の電源回路と、前記処理室内における前記電極から隔てられた空間にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記プラズマ発生部に電力を供給する第２の電源回路とを有するプラズマ処理装置を制御する制御装置であって、前記第１の電源回路から出力されるパラメータを検知する検知部と、前記検知部により検知されたパラメータが目標値に一致するように、前記第１および前記第２の電源回路により供給される電力を制御する制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】
プラズマ電位を、プローブ計測器に頼ることなく、質量分析器を応用して、イオン種の分析と併せて計測でき、質量分析とプラズマ電位計測の双方を行える割には安価に済むプラズマ電位計測方法及びそれを利用した装置を提供する
【課題を解決するための手段】
真空チャンバ１内の測定対象プラズマ２のプラズマ電位計測方法であって、該真空チャンバ１内に質量分析器３を配置し、前記プラズマ２と前記質量分析器３との間にバイアス電圧を印加して質量分析を実施し、イオンが検出された条件において、前記質量分析器３内のサプレッサー電圧を変化させていき、イオン電流が検出されなくなるサプレッサー電圧と前記バイアス電圧との関係からプラズマ電位を算出するプラズマ電位計測方法及び装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】高精度なプラズマ処理が可能となるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】測定記憶ユニット３０１に格納された高周波バイアス電圧Ｖｅｓｃと高周波バイアス電流Ｉｅｓｃと、測定記憶ユニット３０１に格納された静静電チャック機構の抵抗分Ｒｅｓｃと誘導分Ｌｅｓｃと容量成分Ｃｅｓｃと、積分定数Ａと、を用いて被処理基板の電圧Ｖｗを推定する計算ユニット３０２と、計算ユニット３０２で推定された被処理基板の電圧Ｖｗに基づいて、高周波バイアス電源１１７の制御信号を作成し、前記制御信号を高周波バイアス電源１１７に送信する制御ユニット３０３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ファラデーシールドに印加される高周波電圧を安定かつ高精度に制御できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明は、試料をプラズマ処理する真空処理室と真空処理室内に配置され、試料を載置する試料台と真空処理室外に設けられた誘導アンテナと誘導アンテナに高周波電力を供給する高周波電源とプラズマと容量結合し、高周波電源から整合器を介して高周波電圧を印加されるファラデーシールドとを具備するプラズマ処理装置において、整合器は、可変コンデンサとインダクタンスから構成された直列共振回路と可変コンデンサのモータを制御するモータ制御部とファラデーシールドに印加される高周波電圧を検出する高周波電圧検出部とを備え、ファラデーシールドに印加される高周波電圧をフィードバック制御することを特徴とするプラズマ処理装置である。 （もっと読む）

【課題】大気圧プラズマにて被処理物を処理するに際してプラズマ点灯後のプラズマの点灯状態やプラズマの照射状態を確認できて信頼性の高いプラズマ処理を確保することができる大気圧プラズマ処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】大気圧近傍の所定の反応空間１１に第１のガス１５を供給するとともに反応空間１１近傍のアンテナ１３又は電極に高周波電圧を印加して一次プラズマ１６を発生させ、発生した一次プラズマ１６又は前記一次プラズマ１６を第２のガス１８に衝突させて発生させた二次プラズマ２１を被処理表面６に向けて照射し、被処理表面６をプラズマ処理する大気圧プラズマ処理方法において、一次プラズマ１６の点灯後の反射波の大きさを検出し、反射波の大きさを第１の所定値と比較して一次プラズマ１６が点灯しているか否かを確認するようにした。 （もっと読む）

【課題】誘導結合型のプラズマ処理装置において、高周波給電部（特に整合器）内のパワー損失を少なくして、プラズマ生成効率を向上させること。
【解決手段】この誘導結合型プラズマ処理装置は、同軸アンテナ群５４とトランス部６８との間で複数の独立した閉ループの二次回路９６，９８を形成し、可変コンデンサ６４，６６の静電容量を可変することにより、同軸アンテナ群５４の内側アンテナ５８および外側アンテナ６０でそれぞれ流れる二次電流Ｉ_2A，Ｉ_2Bを各々任意かつ独立に制御して、半導体ウエハＷ上のプラズマ密度分布を径方向で自在に制御できるようにしている。 （もっと読む）

【課題】複数の処理条件が切り替わる際における、インピーダンス整合が取れるとともにプラズマが安定化するまでに要する時間を短縮することに適した電源制御装置を提供する。
【解決手段】１つの実施形態によれば、処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生部を有するプラズマ処理装置の電源制御装置であって、前記プラズマ発生部に電力を供給するための高周波電源と、第１の処理条件のプロセス情報に対応した第１の整合値と第２の処理条件のプロセス情報に対応した第２の整合値と前記第１の処理条件から前記第２の処理条件へ切り替わる過渡状態のプロセス情報に対応した第３の整合値とを含む整合情報を記憶する記憶部と、前記整合情報に基づきインピーダンス整合を行う整合回路とを備えたことを特徴とする電源制御装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置と半導体装置の製造方法において異常放電の有無を判断すること。
【解決手段】チャンバ１１内のステージ１２上にシリコン基板１１を載置するステップP1と、第１のステップの後、チャンバ１２内にプラズマ２２を発生させるステップP2と、プラズマ２２が発生している状態で、ステージ１２の電位V_sとプラズマ２２の発光強度Iとが同時に変動したときに、チャンバ１１内で異常放電が発生していたと判断するステップP5とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】異なるプラズマ処理装置との間における加工寸法のばらつきを低減できる半導体装置の製造方法、電源回路、及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、プラズマ処理装置を用いた半導体装置の製造方法であって、処理室内の電極に半導体基板を載置する載置工程と、電源回路から前記電極に電力を供給するとともに、前記処理室内における前記電極から隔てられた空間にプラズマを発生させる発生工程と、前記発生工程で発生したプラズマの電位と電力が供給された前記電極の電位との差であるバイアス電圧を検出する検出工程と、前記検出工程で検出されたバイアス電圧が目標値に一致するように前記電源回路の容量値を補正する補正工程と、前記補正工程が行われた後に前記検出工程で検出されたバイアス電圧が前記目標値に一致した状態で、前記プラズマ処理装置を用いて前記半導体基板を加工する加工工程とを備えている。 （もっと読む）