【課題】先行処理工程で表面に堆積された堆積層の厚みを測定することで、プラズマ処理工程のエンドポイントを決定する方法を提供する。
【解決手段】本方法はこの方法は同一平面にて堆積層厚を測定するように設計されたセンサーを提供し、堆積層厚を変化させるようにプラズマ処理チャンバをプラズマに曝露し、時間の関数として堆積層厚を決定し、堆積層厚の実質的に安定した測定値で特徴付けられ、その開始がエンドポイントを表す堆積層厚の安定状態の条件を確認する。 （もっと読む）

【課題】様々な位置からのパラメータの測定結果を同期または時間相関させることができる計測システムおよび監視方法を提供する。
【解決手段】回路内の複数の位置の内の１つにおける高周波電力の電気的特性に基づいて出力信号をそれぞれ発生する複数のセンサチャネルであって、各センサチャネルが、高周波電力の電気的特性に基づいて第１の信号を発生するプローブ２０と、周期信号を発生する発振器６２と、センサチャネルのための出力信号を発生するために、前記第１の信号と前記周期信号とを混合するミキサ６４とを含む複数のセンサチャネルと、センサチャネルからの複数の出力信号に基づいて第２の出力信号を発生する高周波結合器７０，７２とを含む。 （もっと読む）

【課題】表面波プラズマ発生用アンテナから出力される電力やアンテナ直下のプラズマ状態を、プラズマ生成するための電界分布を乱すことなく直接検出することができるマイクロ波放射機構を提供すること。
【解決手段】マイクロ波放射機構４１は、表面波プラズマ発生用アンテナ８１と、誘電体からなる遅波材８２と、アンテナ８１から放射されたマイクロ波により表面波プラズマを生成するための電界が形成される誘電体部材８３と、電界センサ１１２またはプラズマ発光センサ１１３と、遅波材８２および表面波プラズマ発生用アンテナ８１を貫通するように設けられたセンサ挿入孔１１０とを具備し、センサ挿入孔１１０は、スロット内側に対応する領域に、同一の円周上にスロットの１以上の整数倍の個数が均等に形成されており、電界センサ１１２またはプラズマ発光センサ１１３は、センサ挿入孔１１０の少なくとも一つに挿入されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理チャンバの使用のために故障を検出する方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマチャンバ内でプラズマ処理が開始され、前記プラズマ処理に関するプラズマパラメータデータが、平面イオン流束（ＰＩＦ）タイプのプローブ１１０の使用により得られ、プローブ１１０の感知表面１１７は、プラズマに曝され、かつ前記プラズマチャンバ内のシャワーヘッド電極１１８の表面と同じ平面にあり、故障状態を示すために前記プラズマパラメータデータが評価される。 （もっと読む）

【課題】 高価な測定装置を用いることなく、小型で、簡便な方法によりプラズマの電子密度及び電子温度の測定が可能な測定プローブ及び測定装置を実現する。
【解決手段】 測定プローブ１０は、長さが異なる金属線からなる２本のアンテナ１２、１３を備えており、それぞれ矩形の平面領域Ａ内に、平行な２本の金属線を屈曲して配置し、一端でＵ字型に接続した形状に形成されている。アンテナ１２、１３は、厚さが異なる絶縁層１４、１５によりそれぞれ挟み込まれ、各アンテナに対応する共振周波数のシース厚依存性が異なるように構成されている。これにより、プラズマの電子密度ｎ_e及び電子温度Ｔ_eの共振周波数依存性から当該プラズマの電子密度ｎ_e及び電子温度Ｔ_eを算出することができる。 （もっと読む）

【課題】 低いトリミング速度でレジストトリミングを実施することにより、高精度で寸法をコントロールすることが可能なレジストトリミング方法を提供する。
【解決手段】 反応ガスのプラズマを生成するプラズマ生成工程と、生成したプラズマからイオン及び電子を除去し、ラジカルを選択的に取り出す除去工程と、イオン及び電子が除去されたプラズマをレジストパターンに照射することで、レジストパターンをトリミングするトリミング工程と、を含む。 （もっと読む）

工作物を処理するためのプラズマチャンバ内のプラズマプロセスパラメータを測定する検知デバイスは、基板に埋め込まれた１つまたは複数のセンサを有する基板を含む。基板は、プラズマチャンバ内でプラズマ処理される工作物と実質的に同じ材料である材料から作られた基板を有しうる。各センサは、基板表面と実質的に同じ材料から作られたコレクタ部分を含みうる。コレクタ部分は、基板の表面と同一平面上にある表面を含む。センサエレクトロニクスは、基板に埋め込まれ、コレクタ部分に結合される。基板表面がプラズマに暴露されると、プラズマによってもたらされる１つまたは複数の信号は、センサ（複数可）によって測定されうる。
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【課題】プラズマプロセスの外部条件を容易に最適化する。
【解決手段】本発明によれば、小型のプラズマ発生装置を用い、例えば４．Ａに示されるようにプラズマ密度が位置によって異なり、４．Ｂに示されるようにラジカル密度が位置によって異なる状態を形成できる。そこでこのような小型のプラズマ発生装置に、プラズマプロセスの被処理物や材料形成基板を配置し、当該被処理物等の表面でプラズマ密度やラジカル密度を測定しながらプラズマプロセスを実行する。プラズマプロセスの結果物を位置ごとに評価し、最も評価の高くなる位置でのプラズマ密度やラジカル密度を決定する。この上で、他の、大型或いは一括処理形のプラズマプロセスにおいて、当該最適なプラズマ密度やラジカル密度が生成できるように外部条件を調整する。この調整の際には、被処理物等をプラズマ処理等する必要がない。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ監視用プローブ、プラズマ監視装置及びプラズマ処理装置に関し、従来のプラズマモニターでは検出できなかったより微弱のプラズマの変化を精度良く検出する。
【解決手段】 プラズマに対向する面の少なくとも一部に開口部が設けられた導電性支持部材の開口部に誘電体部材を設置し、前記誘電体部材の前記プラズマに対向する面と反対側の面にプローブ電極を設けるとともに、前記誘電体部材の前記プラズマに対向する前面にエネルギーフィルターを設ける。 （もっと読む）

【解決手段】
ＲＦ駆動プラズマのＲＦ電圧信号を測定することによってウェハのバイアス電圧を補償するための方法および装置であって、少なくとも静電チャック（ＥＳＣ）、容量分圧器、信号処理および信号調節ネットワークを含むことを開示する。バイアス補償装置は、ＥＳＣのＲＦ電圧を検知する容量分圧器と、対象の特定のＲＦ信号をフィルタリングする目的のための信号調節ネットワークと、フィルタリングされたＲＦ信号からＤＣウェハ電位を計算するための信号処理部とを含む。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】容量結合ＲＦ駆動プラズマ処理チャンバ内でプラズマ閉じ込めの状態の変化を検出するための方法およびシステムが開示されている。１または複数の実施形態において、プラズマ非閉じ込め検出方法は、静電チャック（ＥＳＣ）の形態の電力供給された電極におけるＲＦ電圧と、ＥＳＣへのウエハの固定に関与する電源（ＰＳＵ）の開ループ応答とを能動的にポーリングできるアナログまたはデジタル回路を用いる。その回路は、ＥＳＣに供給されるＲＦ電圧の変化およびＰＳＵの開ループ応答の変化の両方を検出する手段を提供する。これらの電気信号を同時に監視することにより、開示されているアルゴリズムは、閉じ込め状態から非閉じ込め状態へプラズマが変化した時点を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】 高価な測定装置を用いることなく、小型で、簡便な方法によりプラズマの電子密度及び電子温度の測定が可能な測定プローブ及び測定装置を実現する。
【解決手段】 測定プローブ１０は、長さが異なる複数のスリット１３、１４を備え、絶縁膜１５、１６を設けることにより各スリットに対応して１つの測定プロープで複数の共振周波数を持つように構成されている。これにより、プラズマの電子密度ｎ_e及び電子温度Ｔ_eの共振周波数依存性から当該プラズマの電子密度ｎ_e及び電子温度Ｔ_eを算出することができる。 （もっと読む）

【課題】シミュレーションの精度を向上できる形状シミュレーション装置を提供する。
【解決手段】シミュレーション装置のフラックス演算部は、有効立体角Ｓｅ、ウェハ開口率Ｒｗ及びセミローカル開口率Ｒｓに基づいて、計算点２２１毎の入射フラックスΓを演算する。有効立体角Ｓｅは、計算点２２１が当該計算点２２１を含むローカル領域２２３におけるパターンに遮蔽されずに開放される範囲を計算点２２１側から見込んだ立体角である。ウェハ開口率Ｒｗは、ウェハ２０１を覆うマスク２０７の面積に対するマスク２０７の開口面積の比である。セミローカル開口率Ｒｓは、ローカル領域２２３を含み、ウェハ２０１よりも狭いセミローカル領域２２７の面積に対する当該セミローカル領域２２７におけるマスク２０７の開口面積の比である。 （もっと読む）

【課題】量産安定性と機差低減に関わるプラズマのイオンフラックスの量（プラズマ密度）と、その分布に関する装置状態を検知する手段を備えたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器１０８、ガス導入手段１１１、圧力制御手段、プラズマソース電源１０１、被処理物１１２を真空容器内に載置する下部電極１１３、高周波バイアス電源１１７を具備するプラズマ処理装置において、プラズマソース電源１０１と高周波バイアス電源１１７とは異なる発振周波数をプラズマ処理室内に発振するプローブ高周波発振手段１０３と、プローブ高周波発振手段１０３から発振される高周波をプラズマに接する面で受信する高周波受信部１１４、１１５と、プローブ高周波発振手段１０３と受信部１１４、１１５から形成せられる電気回路内の発振周波数毎のインピーダンス、反射率及び透過率、高調波成分の変動を測定する高周波解析手段１１０を具備する。 （もっと読む）

【課題】放電検出センサによって放電状態の監視を行う構成において、放電状態の検出を適正に行うことができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマ処理の実行に際して設定された処理条件によってテスト放電を実行して取得された電位変化のデータに基づいて、判定パラメータ設定部３４によって放電開始判定時間３６、放電開始判定閾値３７および異常放電判定閾値３８を設定し、プラズマ処理実行段階において放電開始判定時間が経過するまでに検出された電位変化を放電開始判定閾値と比較してプラズマ放電が正常に開始されたか否かを判定し、放電開始判定時間が経過した後に検出された電位変化を異常放電判定閾値と比較して異常放電の有無を判定する。これにより、判定パラメータを適正且つ容易に設定して放電状態の検出を適正に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】In-situでパターン側壁の抵抗及びそのパターン側壁に流れる電流を測定する。
【解決手段】プラズマチャンバ１内に設置された２個のセンサ１０−１，１０−２の片方にのみ、外部抵抗素子７を接続している。そのため、２個のセンサ１０−１，１０−２の上部電極１５及び下部電極１３間抵抗は互いに異なり、In-situにおいて異なる上部電極１５及び下部電極１３間の電位差が得られ、且つ、一方のセンサ１０−１の上部電極１５及び下部電極１３間にワイヤ１７−１１，１７−１２にて並列接続された外部抵抗素子７の抵抗値は既知であるため、In-situにおいてコンタクトホール１個当りのコンタクトホール側壁１６aの抵抗値が得られる。更に、コンタクトホール１個当りの抵抗が得られれば、コンタクトホール１個当りのコンタクトホール側壁１６aに流れる電流値を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】中性粒子ビームが照射される被処理体の加工状態を把握するため、被処理体と同じ位置において中性粒子ビームの諸特性（全エネルギーフラックス、残留イオン、光エネルギーフラックス）を観測することが可能な測定ユニットを提供する。
【解決手段】測定ユニット１２は、真空処理空間内にあって、中性粒子ビームが照射される被処理体１１と同じ領域内に収容可能なチップ状の基材と、該基材に配された全エネルギーフラックスの測定部および残留イオンの測定部と、を少なくとも備える。 （もっと読む）

【課題】 高価な測定装置を用いることなく、高圧力プラズマの電子密度および／また電子衝突周波数測定が可能な測定方法及び測定装置を実現する。
【解決手段】 本発明の高圧力プラズマの電子密度、電子衝突周波数の測定方法及びプラズマ特性測定装置１によれば、プローブ１０を高圧力プラズマＰに挿入し、高周波発振器２１によりプローブ１０に周波数を掃引しながら高周波パワーを供給し、反射係数スペクトル表示部２５により、プローブ１０から反射されるパワーにより得られる反射係数のスペクトルを測定し、プローブ１０の共振スペクトルを検出し、当該共振スペクトルから共振周波数及び共振の半値幅を算出し、プラズマ特性算出部２６において、当該共振周波数及び共振の半値幅に基づいて、高圧力プラズマの電子密度および／また電子衝突周波数を算出することができる。 （もっと読む）

【課題】エッチング中の基板表面のＶｐｐ（ＲＦバイアス電圧のピーク間電圧差）又はＶｄｃ（自己バイアス電圧）を正確に測定し、高精度加工を可能にするとともに、基板間の加工再現性を向上させる。
【解決手段】被エッチング材料の表面に保護膜により所定のマスクパターンが形成された基板(28)をチャンバ(12)内に配置し、チャンバ(12)内にプロセスガスを供給しながら、当該チャンバ内にプラズマを発生させ、マスクパターンの開口部分に対応する被エッチング材料をエッチングするエッチング工程と、エッチング工程におけるエッチング処理中に、基板(28)のマスクパターンが形成されている面の被エッチング材料の表面に接触させた導電性部材(36)を介して当該基板表面の電圧を測定する電圧測定工程と、電圧測定工程の測定結果に基づいてエッチング条件を制御する制御工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理における異常放電の原因を究明するための有用なデータを取得することができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板９を処理室３ａ内に収容してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、処理室３ａ内の異常放電を検出する放電検出センサ２３、処理室３ａ内を窓部２ａを介して撮影して動画データを出力するカメラ２６を備え、異常放電を検出した場合に、プラズマ発生時点または基板９を搬入する搬入開始時点など、異常放電の検出時点から所定時間だけ遡った遡及時点および異常放電の検出時点の双方を含んで設定される抽出対象時間帯に対応する動画データを履歴データとして記憶させる。これにより、プラズマ処理における異常放電の原因を究明するための有用なデータを取得することができる。 （もっと読む）