プラズマ処理システム内でプラズマの閉じ込め状態を検出するための方法および装置
【課題】
【解決手段】容量結合ＲＦ駆動プラズマ処理チャンバ内でプラズマ閉じ込めの状態の変化を検出するための方法およびシステムが開示されている。１または複数の実施形態において、プラズマ非閉じ込め検出方法は、静電チャック（ＥＳＣ）の形態の電力供給された電極におけるＲＦ電圧と、ＥＳＣへのウエハの固定に関与する電源（ＰＳＵ）の開ループ応答とを能動的にポーリングできるアナログまたはデジタル回路を用いる。その回路は、ＥＳＣに供給されるＲＦ電圧の変化およびＰＳＵの開ループ応答の変化の両方を検出する手段を提供する。これらの電気信号を同時に監視することにより、開示されているアルゴリズムは、閉じ込め状態から非閉じ込め状態へプラズマが変化した時点を検出することができる。
【解決手段】容量結合ＲＦ駆動プラズマ処理チャンバ内でプラズマ閉じ込めの状態の変化を検出するための方法およびシステムが開示されている。１または複数の実施形態において、プラズマ非閉じ込め検出方法は、静電チャック（ＥＳＣ）の形態の電力供給された電極におけるＲＦ電圧と、ＥＳＣへのウエハの固定に関与する電源（ＰＳＵ）の開ループ応答とを能動的にポーリングできるアナログまたはデジタル回路を用いる。その回路は、ＥＳＣに供給されるＲＦ電圧の変化およびＰＳＵの開ループ応答の変化の両方を検出する手段を提供する。これらの電気信号を同時に監視することにより、開示されているアルゴリズムは、閉じ込め状態から非閉じ込め状態へプラズマが変化した時点を検出することができる。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
半導体製品の製造において、基板（例えば、半導体ウエハ）は、半導体デバイスを作り出すために、様々な層に対して蒸着、エッチング、および、研磨を連続的に行うことによって処理される。半導体業界では、ＲＦ（高周波）駆動プラズマを利用して、基板から材料をドライエッチングするのが一般的な方法である。プラズマエッチング処理の際、処理対象の基板の処理効率および歩留まりを向上させるためにプラズマの安定性および均一性を制御することが最重要である。これは、様々な方法によって実現されうる。その１つは、プラズマチャンバ内の機械的および電気的要素を用いてプラズマ形成を制御することによって、所望の処理領域にプラズマを閉じ込める方法である。これらの構成は当業者に周知であるため、本明細書ではこれ以上詳しく述べない。
【０００２】
プラズマ閉じ込めは十分に理解された技術であるが、閉じ込められたプラズマがプラズマチャンバ内で非閉じ込め状態に変化した時点を検出する必要がある。非閉じ込めプラズマは、粒子状汚染物質とプラズマの不均一性とを引き起こし、処理対象の基板の歩留まりの低下および／またはプラズマ処理システムへの損傷につながりうる。プラズマ閉じ込めの変化を検出するための現行の方法は、静電チャック（ＥＳＣ：electro-static chuck）の外側リングに取り付けられ、プラズマと直接接触する炭化ケイ素ピンを用いる。１９９８年４月７日発行の米国特許第５，７３７，１７７号が、かかる方法を開示している。この機器は、プラズマシース電位のＤＣ測定値を提供することによってプラズマ閉じ込めの変化を検出する比較的信頼性の高い手段を提供しているが、頻繁に交換の必要がある消耗部品であり、高ＲＦ電力ではプラズマの不均一性を引き起こす場合があり、粒子状汚染物質の問題を引き起こしうる。プラズマ閉じ込めの変化を検出するための別の方法は、ＯＥＳ技術（発光分光法：Optical Emission Spectroscopy）を利用したものである。しかしながら、ＯＥＳ信号の監視は極度に複雑であり、プラズマ閉じ込め事象を検出する方法としては、しばしば信頼性が低いことがわかっている。
【０００３】
したがって、プラズマ処理システム内で非閉じ込めプラズマ事象を検出するための代替方法および構成が望まれる。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
添付の図面では、限定ではなく例示を目的として本発明を図示する。なお、これらの添付図面においては、同様の構成要素には同様の符号が付されている。
【０００５】
【図１】本発明の一実施形態に従って、閉じ込められた多周波容量性ＲＦプラズマを生成するためのシステム構成の一例を示す図。
【０００６】
【図２】本発明の一実施形態に従って、図１のＲＦ要素を単純化した回路を示す図。
【０００７】
【図３】本発明の一実施形態に従って、ＥＳＣ極電圧とプラズマ閉じ込めの状態との相関関係を示す図。
【０００８】
【図４】本発明の一実施形態に従って、プラズマ非閉じ込め検出技術を実行するアルゴリズムの一例を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下では、添付図面に例示されたいくつかの実施形態を参照しつつ、本発明の詳細な説明を行う。以下の説明では、本発明の完全な理解を促すために、数多くの具体的な詳細事項が示されている。しかしながら、当業者にとって明らかなように、本発明は、これらの具体的な詳細事項の一部または全てがなくとも実施することが可能である。また、本発明が不必要に不明瞭となるのを避けるため、周知の処理工程および／または構造については、詳細な説明を省略した。
【００１０】
１または複数の実施形態において、容量結合ＲＦ駆動プラズマ処理チャンバ内のプラズマ閉じ込めの状態の変化を検出するための方法および装置が開示されている。１または複数の実施形態において、プラズマ非閉じ込め検出方法は、静電チャック（ＥＳＣ）の形態の電力供給された電極におけるＲＦ電圧と、ＥＳＣへのウエハの固定に関与するバイアス電源（ＰＳＵ）の開ループ応答とを能動的にポーリングできるアナログおよび／またはデジタル回路を用いる。本発明の実施形態は、ＥＳＣに供給されるＲＦ電圧の変化およびＰＳＵの開ループ応答の変化の両方の検出を容易にする。これらの電気信号を同時に監視することにより、開示されている技術は、閉じ込め状態から非閉じ込め状態へプラズマが変化した時点を検出することができる。
【００１１】
本発明の１または複数の実施形態では、ＥＳＣに供給されるＲＦ電圧（ＲＦ＿ＶＤＴ＿ＥＳＣ）およびＤＣバイアスＥＳＣ電源の開ループ応答（ＯＬＲ＿ＤＣ＿ＢＩＡＳ）の両方の変化率（導関数）および任意選択的に変化量が検査される。ＲＦ＿ＶＤＴ＿ＥＳＣの変化率が正の値であり、ＯＬＲ＿ＤＣ＿ＢＩＡＳの変化率が負の値であるレジームでは、異常状態の警告がトリガされる。プラズマ非閉じ込め事象を示すと予め経験的に決定されている特定の閾値を変化の大きさが上回った場合、１または複数の実施形態では、プラズマ非閉じ込め条件が起きたと見なされ、非閉じ込め警告信号が生成される。
【００１２】
より詳細には、プラズマが閉じ込め状態から非閉じ込め状態に変化した時に、ＲＦ電圧パラメータを用いて算出されたＥＳＣバイアス値が実際のプラズマシース電圧に反比例したということが発見されている。システムをさらに検討すると、プラズマが閉じ込め状態から非閉じ込め状態に変化した時に、ＥＳＣ極の基準電圧の駆動に関与するＥＳＣ電源ユニット（ＰＳＵ）ＤＣ／ＤＣブリックの開ループ応答が、上昇したプラズマシース電圧の反射を振動させることが発見された。
【００１３】
図１は、閉じ込められた多周波容量性ＲＦプラズマを生成するためのシステム構成の一例であり、電力供給される電極は双極ＥＳＣである。プラズマは、さらに、１組の環状石英リングによって閉じ込められており、リングは、ガスの流れを制御することによって、プラズマが存在する空間を制御する。
【００１４】
プラズマ処理システム１００は、３つのＲＦ電源１０２、１０４、および、１０６が整合回路網１１０を介してＥＳＣチャック１０８にＲＦ電圧を印加する多周波容量結合プラズマ処理システムである。図１の例では、３つのＲＦ周波数（２ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、および、６０ＭＨｚ）が用いられているが、任意の数および範囲の周波数が用いられてよい。
【００１５】
ＥＳＣ１０８は、２つの極すなわち陽極１２０および陰極１２２を有する双極ＥＳＣである。ＥＳＣ ＰＳＵ １２６は、それぞれ、導電体１２８および１３０を介して極１２０および１２２にクランプ電圧を供給する。中央タップ１４０は、ＥＳＣ１０８のＤＣ電位を駆動して、ＥＳＣ１０８のＤＣ電位をバイアスする。
【００１６】
コンデンサ分配器網１５０（コンデンサ１５２および１５４を含む）ならびにＲＦ電圧プローブ１５６は、ＥＳＣバイアス設定点信号を導出するために用いられ、その信号は、ＥＳＣ１０８に供給されるＥＳＣバイアスを制御するために、フィードバック信号としてＥＳＣ ＰＳＵ１２６に入力される。ＲＦ電圧プローブ１５６に関するさらなる詳細については、Ｊｏｈｎ Ｖａｌｃｏｒｅ， Ｊｒ．によって２０１０年２月１０日に出願され、本願の権利者が所有する米国仮特許出願第６１／３０３，６２８号「ＢＩＡＳ ＣＯＭＰＥＮＳＡＴＩＯＮ ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤＳ ＴＨＥＲＥＦＯＲ」、および、Ｊｏｈｎ Ｖａｌｃｏｒｅ， Ｊｒ．によって２００９年１１月１９日に出願され、本願の権利者が所有する米国仮特許出願第６１／２６２，８８６号「ＭＥＴＨＯＤ ＡＮＤ ＤＥＶＩＣＥ ＦＯＲ ＣＯＭＰＥＮＳＡＴＩＮＧ ＷＡＦＥＲ ＢＩＡＳ ＩＮ Ａ ＲＦ ＤＲＩＶＥＮ ＰＬＡＳＭＡ ＣＨＡＭＢＥＲ」に開示されており、いずれも参照によって本明細書に組み込まれる。
【００１７】
後述するように、このフィードバックループに固有の遅延により、プラズマ非閉じ込め事象が起こった時に中央タップ１４０で検出可能な瞬間的な応答が存在する。この瞬間的な、基本的に開ループの応答は、短時間であり、ＲＦ電力プローブ１５６からのフィードバック信号が補償しうる前に生じる。ＥＳＣ ＰＳＵ１２５（ＯＬＲ＿ＤＣ＿ＢＩＡＳ）のこの瞬間的な開ループ応答の変化率および任意選択的に変化量を監視することによって、プラズマ非閉じ込め事象を示す２つの指標の一方が検出されうる。プラズマ非閉じ込め事象を示す２つの指標の他方は、上述のように、ＥＳＣチャック１０８に供給されるＲＦ電圧の変化率および任意選択的に変化量である。
【００１８】
図１の説明を補完すると、電力供給された電極１６８上にウエハが典型的に配置されており、電極１６８は、ＥＳＣチャック１０８の上方に配置されている。処理中、バルクプラズマ１７０がウエハの上方に形成され、１組の閉じ込めリング１７２および上側接地電極１７４によって閉じ込められる。
【００１９】
プラズマが閉じ込め状態から非閉じ込め状態へ移行した時にＥＳＣチャックに供給されるＲＦ電圧の変化率および量が増大することが発見されている。図２は、図１のＲＦ要素を単純化した回路を示す。図１のインピーダンス整合回路網１１０および独立したＲＦ電源（１０２、１０４、および、１０６）は、図２の１つのＲＦ電源２０２に統合されている。図１の電力供給される電極１６８、接地電極１７４、および、プラズマ閉じ込めリング１７２は、電力供給される電極１６８を示す極板２１０ａと、接地電極１７４を示す極板２１０ｂとを備えた単純な可変コンデンサ２１０によって表されている。
【００２０】
チャンバの静電容量が電極の表面積の一次関数であり、閉じ込めリングがチャンバ内で利用される有効表面積を制御するとすれば、図１の容量性チャンバの等価電気回路の一次近似は、誘導および抵抗回路要素を無視することによって図２のように単純化することができる。この単純化された回路は、プラズマインピーダンス、ＥＳＣチャックに供給されるＲＦ電圧の大きさ、および、プラズマ閉じ込めの状態の間の相関関係を示すために利用可能である。
【００２１】
ＲＦ電力が電圧の関数であり、プラズマインピーダンスが電圧およびチャンバの静電容量の関数であるとすれば、ＲＦ電力が一定であり、プラズマが閉じ込め状態から非閉じ込め状態へ移行することによって接地面積を増大させた時にチャンバの静電容量が増大した場合には、ＥＳＣチャックに供給されるＲＦ電圧は減少する。一定のＲＦ電力に対するＲＦ電圧と接地面積との間のこの相関は、プラズマ閉じ込めの変化を検出する際の基本的な要素を提供する。
【００２２】
より詳細には、静電容量は以下のように定義される：
【００２３】
Ｃ＝Ｋ＊Ｅ＊Ａ／Ｄ 式１
【００２４】
ここで、Ｃは静電容量、Ｋは電極の誘電率、Ｅは自由空間の誘電率、Ａは電極の面積、Ｄは電極間の距離である。
【００２５】
閉じ込め状態では、閉じ込めリングは、プラズマを抑制することによって静電容量を抑えるため、電極間で電流が流れる表面積を制限する。非閉じ込めプラズマは、面積Ａの増大を引き起こす。Ａが増大すると、静電容量Ｃも式１に従って増大する。
【００２６】
理想的なコンデンサについて、インピーダンスは以下のように定義される：
【００２７】
Ｚ＝ＳＱＲＴ（Ｒ＾２＋（１／（２＊Ｐｉ＊ｆ＊Ｃ）＾２） 式２
【００２８】
ここで、Ｒ＝０、Ｐｉは数学定数、ｆはＲＦ電源の周波数、Ｃは静電容量である。ｆが一定である場合、ＺがＣに反比例することが式２からわかる。
【００２９】
電力供給は、以下の式３に従う。
【００３０】
Ｐ＝Ｉ＊Ｖ＊ｃｏｓθ 式３
【００３１】
ここで、Ｐは電力、Ｉは電流、Ｖは電圧、θはＶおよびＩの間の位相である。
【００３２】
供給されるＲＦ電力は、インピーダンスの関数である。
【００３３】
Ｚ＝Ｖ／Ｉ 式４
【００３４】
ここで、Ｚはインピーダンス、Ｖは電圧、Ｉは電流である。
【００３５】
Ｒ＝０の場合、Ｚは、１／（２＊Ｐｉ＊ｆ＊Ｃ）と単純化されうる（上記の式２を参照）。
【００３６】
Ｚが近似的に１／（２＊Ｐｉ＊ｆ＊Ｃ）であるとすれば、式４から以下の式が得られる：
【００３７】
１／（２＊Ｐｉ＊ｆ＊Ｃ）＝Ｖ／Ｉ 式５
【００３８】
Ｃ＝Ｋ＊Ｅ＊Ａ／Ｄ（式１参照）なので、非閉じ込めプラズマ事象によってＡが増大すると、Ｃは増大し、Ｚは減少する。
【００３９】
さらに、Ｐ＝Ｉ＊Ｖ＊ｃｏｓθ（式３参照）なので、Ｐが一定かつθが一定である場合、Ｃが増大すれば、Ｖは減少し、Ｉは増大する。
【００４０】
したがって、図２および図２に関連する説明からわかるように、閉じ込めプラズマ状態から非閉じ込めプラズマ状態への移行は、ＥＳＣに供給されるＲＦ電圧の増大（正の導関数）を伴う。ＥＳＣに供給されるＲＦ電圧のこの増大の検出は、提案されている非閉じ込めプラズマ検出方法における一状態を示すものである。必要に応じて、誤検出を減らすように、大きさの閾値または大きさの変化の閾値が確立されうる。
【００４１】
ＥＳＣに供給されるＲＦ電圧とプラズマ閉じ込め状態との相関関係に加えて、ＥＳＣ極電圧とプラズマ閉じ込め状態との間に別の基本的な相関関係が存在することが発見されている。図３は、１または複数のＥＳＣ極電圧とプラズマ閉じ込め状態との間の相関関係を示す図である。図３のこの単純化したＤＣ等価回路には、極板３０２ａ（ＥＳＣクランプ電極を表す）および極板３０２ｂ（ウエハを表す）を含む平行板コンデンサ３０２が示されている。平行板コンデンサ３０２は、ＥＳＣ極とプラズマシースとの間に形成されており、セラミックおよびウエハが２つの極板の間の誘電体を形成する。
【００４２】
ＥＳＣ極はＤＣ電源３１０によって駆動され、シース電圧はＤＣ源として機能するプラズマの関数である。接地された電極の電圧に対する電力供給された電極の電圧の比が、電力供給された電極の面積に対する接地された電極の面積の比に等しい（その比がＤＣおよびＲＦの両方に当てはまる）とすると、接地電極の面積が非閉じ込めプラズマ事象の発生によって増大し、電力供給された電極の面積が一定のままである場合には、シース電圧が増大する。
【００４３】
図３において、ＥＳＣ極でのＤＣ電圧は、ＥＳＣ ＰＳＵ３１０によって供給される電圧、反対側の極における電荷、および、２つの極によって形成された静電容量の関数である。プラズマが閉じ込め状態から非閉じ込め状態へ変化するとシース電圧が増大し、極の間の静電容量は一定のままであるため、ＥＳＣ極は、シース電圧によって帯電される。この帯電効果は、プラズマが非閉じ込め状態になる時のＥＳＣ ＰＳＵ３１０のインパルス応答に見ることができる。
【００４４】
特に、中央タップのＤＣ電圧供給は、ＥＳＣ極電圧の帯電によって誘導された負荷変動の関数として振動する。中央タップのＤＣ供給は、プラズマシース電位にかかわらずウエハに対して一定のクランプ力を提供する目的で、ＥＳＣクランプ電圧供給のための基準電圧を維持するために用いられる。（中央タップに存在する）ＥＳＣ ＰＳＵ３１０の瞬間的な開ループ応答は、プラズマ閉じ込め状態（および、それに応じてプラズマ非閉じ込め状態）の検出に用いられる第２の指標を提供する。
【００４５】
プラズマが閉じ込め状態から非閉じ込め状態に変化したことに応じて起きるＥＳＣに供給されるＲＦ電圧の変化およびＥＳＣ ＰＳＵの開ループ応答の変化を用いれば、プラズマ閉じ込めの状態変化を検出するために必要なパラメータが得られる。
【００４６】
図４は、マイクロプロセッサ内におよび／またはコードによって実装されるアルゴリズムの一例のフローチャートであり、入力パラメータは、ＥＳＣ ＰＳＵ中央タップ（４０２）で測定されたＤＣ電圧、および、ＲＦ電圧プローブパラメータ（４０４）である。ＲＦ電圧プローブパラメータ４０４は、ＥＳＣにおけるＲＦ電圧の単一または複合の信号表現である。簡単のために、ＲＦ電圧パラメータを広帯域ＲＦ（ＢＢ ＲＦ：Broadband RF）信号と名付け、これ以降、ＢＢ ＲＦと呼ぶこととする。
【００４７】
ＢＢ ＲＦ信号およびＥＳＣ ＰＳＵ中央タップ電圧は、別個のローパスフィルタ（それぞれ４０８および４０６）を通して供給される。図４には、単純移動平均として知られる一次ローパスフィルタが示されている。ただし、アナログまたはデジタルにかかわらず、任意の他の適切なフィルタを用いてもよいことを理解されたい。次いで、各フィルタの出力は、それぞれの信号の電流サンプル（４１０および４１２）と比較される。比較はブロック４１４および４１６として図示されている。
【００４８】
ＥＳＣ ＰＳＵ中央タップ電圧（４１４）に十分な正の大きさの変化（ｄｖ／ｄｔ＞＞０）がある場合、イベントフラグが設定される（図４のブロック４２０における「ＰＳＵ＿ＥＶＥＮＴ＝１」）。同様に、ＢＢ ＲＦ信号が十分な負の大きさを有する（ｄｖ／ｄｔ＜＜０）場合（ブロック４１６）、イベントフラグが設定される（「ＲＦ＿ＥＶＥＮＴ＝１」（ブロック４２２））。いずれかのイベントフラグが同値のデジタル「オン」状態に設定されなかった場合、検出ループは、それぞれの信号について次の利用可能なサンプルのポーリングおよび比較を継続する（ブロック４２４および４２６）。
【００４９】
両方のイベントフラグがオンに切り換えられた場合（ブロック４３０）、デルタ関数が算出される。このデルタ関数は、ＥＳＣ ＰＳＵ中央タップ導関数の大きさに対するＲＦ ＢＢ導関数の大きさを算出する。導関数が互いに対して十分な大きさである場合（ブロック４３２）、ＲＦ供給電力の変更、チャンバへの圧力またはガス流量の変更、もしくは、閉じ込めリング位置の調節など、補正動作を実行できるように、「ＵＮＣＯＮＦＩＮＥＤ＿ＰＬＡＳＭＡ＝１」というイベントフラグ（４３４）が、プラズマチャンバの制御に関与するツールホスト（４３６）に送信される。
【００５０】
あるいは、中央タップ電圧の代わりに、または、中央タップ電圧に加えて、ＥＳＣベースプレートへの中央タップ電流を監視することも可能である。非閉じ込め事象中に図２に示したコンデンサを帯電させるために必要な突発電流も、潜在的な非閉じ込め処理条件事象を示す別の適切な指標となる。
【００５１】
１または複数の実施形態において、プラズマ非閉じ込め検出方法は、アナログローパスフィルタおよびコンパレータを用いてアナログドメイン内で、ならびに／もしくは、ＤＳＰ、ＦＰＧＡ／ＣＰＬＤ、または、マイクロプロセッサを用いてデジタルドメイン内で実装されてよい。１または複数の実施形態において、ＲＦ電圧プローブは、図１に示したように、インピーダンス整合回路網と、電力供給された電極との間の送電ラインに沿った任意の場所に配置されてよい。１または複数の実施形態において、ＥＳＣ ＰＳＵ中央タップ電圧は、ＥＳＣと、ＥＳＣ ＰＳＵの内部回路との間の任意の場所で測定されてよい。１または複数の実施形態において、図１に示したように、ＥＳＣのベースにおいて高インピーダンス電圧分配器が利用され、ＥＳＣ ＰＳＵ中央タップ電圧がＥＳＣ ＰＳＵの直接出力で測定される。次いで、これらの信号はいずれも、１または複数の実施形態において、同等の４０ＭＨｚクロックを有するＰＩＣ １８Ｆ４５２３ ８ビットマイクロプロセッサ（アリゾナ州チャンドラーのＭｉｃｒｏｃｈｉｐ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）に供給されてよい。
【００５２】
１または複数の実施形態において、過渡応答のタイムスケールおよび方向は、駆動ＲＦ周波数と、各ＲＦ周波数に関連する電力量との関数であってよい。１または複数の実施形態において、より大きい電力を有するＲＦ信号が優勢になる傾向にあり、これらの周波数での応答は、より顕著でありうるため、検出の信頼性を高める。これらは、１または複数の実施形態において、検出戦略に組み込まれうる一般的な観察結果である。
【００５３】
以上からわかるように、本発明の実施形態は、侵入型のその場監視機器を用いる必要なしに、異常なプラズマ状態（一例としてはプラズマ非閉じ込め）の検出を可能にする。それにより、かかるその場監視機器に関連するプラズマ誘起摩耗、汚染、および、交換／洗浄に関する問題が防止される。ＥＳＣに供給されるＲＦ電圧の変化およびＥＳＣ ＰＳＵの開ループ応答の変化の両方を監視すること、ならびに、任意選択的に、誤検出を減らすための閾値設定を行うことによって、本発明の実施形態は、異常なプラズマ状態を検出するためのロバストな技術を提供し、それにより、ツールホストが、タイムリーに正確な測定値を提供すること、または、さらなる損傷を避けるためにツールを停止することを可能にする。
【００５４】
代表的な実施形態および最良の形態を開示したが、特許請求の範囲に規定されているように本発明の主題および精神の範囲内で、開示された実施形態に変形および変更を施すことができる。
【背景技術】
【０００１】
半導体製品の製造において、基板（例えば、半導体ウエハ）は、半導体デバイスを作り出すために、様々な層に対して蒸着、エッチング、および、研磨を連続的に行うことによって処理される。半導体業界では、ＲＦ（高周波）駆動プラズマを利用して、基板から材料をドライエッチングするのが一般的な方法である。プラズマエッチング処理の際、処理対象の基板の処理効率および歩留まりを向上させるためにプラズマの安定性および均一性を制御することが最重要である。これは、様々な方法によって実現されうる。その１つは、プラズマチャンバ内の機械的および電気的要素を用いてプラズマ形成を制御することによって、所望の処理領域にプラズマを閉じ込める方法である。これらの構成は当業者に周知であるため、本明細書ではこれ以上詳しく述べない。
【０００２】
プラズマ閉じ込めは十分に理解された技術であるが、閉じ込められたプラズマがプラズマチャンバ内で非閉じ込め状態に変化した時点を検出する必要がある。非閉じ込めプラズマは、粒子状汚染物質とプラズマの不均一性とを引き起こし、処理対象の基板の歩留まりの低下および／またはプラズマ処理システムへの損傷につながりうる。プラズマ閉じ込めの変化を検出するための現行の方法は、静電チャック（ＥＳＣ：electro-static chuck）の外側リングに取り付けられ、プラズマと直接接触する炭化ケイ素ピンを用いる。１９９８年４月７日発行の米国特許第５，７３７，１７７号が、かかる方法を開示している。この機器は、プラズマシース電位のＤＣ測定値を提供することによってプラズマ閉じ込めの変化を検出する比較的信頼性の高い手段を提供しているが、頻繁に交換の必要がある消耗部品であり、高ＲＦ電力ではプラズマの不均一性を引き起こす場合があり、粒子状汚染物質の問題を引き起こしうる。プラズマ閉じ込めの変化を検出するための別の方法は、ＯＥＳ技術（発光分光法：Optical Emission Spectroscopy）を利用したものである。しかしながら、ＯＥＳ信号の監視は極度に複雑であり、プラズマ閉じ込め事象を検出する方法としては、しばしば信頼性が低いことがわかっている。
【０００３】
したがって、プラズマ処理システム内で非閉じ込めプラズマ事象を検出するための代替方法および構成が望まれる。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
添付の図面では、限定ではなく例示を目的として本発明を図示する。なお、これらの添付図面においては、同様の構成要素には同様の符号が付されている。
【０００５】
【図１】本発明の一実施形態に従って、閉じ込められた多周波容量性ＲＦプラズマを生成するためのシステム構成の一例を示す図。
【０００６】
【図２】本発明の一実施形態に従って、図１のＲＦ要素を単純化した回路を示す図。
【０００７】
【図３】本発明の一実施形態に従って、ＥＳＣ極電圧とプラズマ閉じ込めの状態との相関関係を示す図。
【０００８】
【図４】本発明の一実施形態に従って、プラズマ非閉じ込め検出技術を実行するアルゴリズムの一例を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下では、添付図面に例示されたいくつかの実施形態を参照しつつ、本発明の詳細な説明を行う。以下の説明では、本発明の完全な理解を促すために、数多くの具体的な詳細事項が示されている。しかしながら、当業者にとって明らかなように、本発明は、これらの具体的な詳細事項の一部または全てがなくとも実施することが可能である。また、本発明が不必要に不明瞭となるのを避けるため、周知の処理工程および／または構造については、詳細な説明を省略した。
【００１０】
１または複数の実施形態において、容量結合ＲＦ駆動プラズマ処理チャンバ内のプラズマ閉じ込めの状態の変化を検出するための方法および装置が開示されている。１または複数の実施形態において、プラズマ非閉じ込め検出方法は、静電チャック（ＥＳＣ）の形態の電力供給された電極におけるＲＦ電圧と、ＥＳＣへのウエハの固定に関与するバイアス電源（ＰＳＵ）の開ループ応答とを能動的にポーリングできるアナログおよび／またはデジタル回路を用いる。本発明の実施形態は、ＥＳＣに供給されるＲＦ電圧の変化およびＰＳＵの開ループ応答の変化の両方の検出を容易にする。これらの電気信号を同時に監視することにより、開示されている技術は、閉じ込め状態から非閉じ込め状態へプラズマが変化した時点を検出することができる。
【００１１】
本発明の１または複数の実施形態では、ＥＳＣに供給されるＲＦ電圧（ＲＦ＿ＶＤＴ＿ＥＳＣ）およびＤＣバイアスＥＳＣ電源の開ループ応答（ＯＬＲ＿ＤＣ＿ＢＩＡＳ）の両方の変化率（導関数）および任意選択的に変化量が検査される。ＲＦ＿ＶＤＴ＿ＥＳＣの変化率が正の値であり、ＯＬＲ＿ＤＣ＿ＢＩＡＳの変化率が負の値であるレジームでは、異常状態の警告がトリガされる。プラズマ非閉じ込め事象を示すと予め経験的に決定されている特定の閾値を変化の大きさが上回った場合、１または複数の実施形態では、プラズマ非閉じ込め条件が起きたと見なされ、非閉じ込め警告信号が生成される。
【００１２】
より詳細には、プラズマが閉じ込め状態から非閉じ込め状態に変化した時に、ＲＦ電圧パラメータを用いて算出されたＥＳＣバイアス値が実際のプラズマシース電圧に反比例したということが発見されている。システムをさらに検討すると、プラズマが閉じ込め状態から非閉じ込め状態に変化した時に、ＥＳＣ極の基準電圧の駆動に関与するＥＳＣ電源ユニット（ＰＳＵ）ＤＣ／ＤＣブリックの開ループ応答が、上昇したプラズマシース電圧の反射を振動させることが発見された。
【００１３】
図１は、閉じ込められた多周波容量性ＲＦプラズマを生成するためのシステム構成の一例であり、電力供給される電極は双極ＥＳＣである。プラズマは、さらに、１組の環状石英リングによって閉じ込められており、リングは、ガスの流れを制御することによって、プラズマが存在する空間を制御する。
【００１４】
プラズマ処理システム１００は、３つのＲＦ電源１０２、１０４、および、１０６が整合回路網１１０を介してＥＳＣチャック１０８にＲＦ電圧を印加する多周波容量結合プラズマ処理システムである。図１の例では、３つのＲＦ周波数（２ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、および、６０ＭＨｚ）が用いられているが、任意の数および範囲の周波数が用いられてよい。
【００１５】
ＥＳＣ１０８は、２つの極すなわち陽極１２０および陰極１２２を有する双極ＥＳＣである。ＥＳＣ ＰＳＵ １２６は、それぞれ、導電体１２８および１３０を介して極１２０および１２２にクランプ電圧を供給する。中央タップ１４０は、ＥＳＣ１０８のＤＣ電位を駆動して、ＥＳＣ１０８のＤＣ電位をバイアスする。
【００１６】
コンデンサ分配器網１５０（コンデンサ１５２および１５４を含む）ならびにＲＦ電圧プローブ１５６は、ＥＳＣバイアス設定点信号を導出するために用いられ、その信号は、ＥＳＣ１０８に供給されるＥＳＣバイアスを制御するために、フィードバック信号としてＥＳＣ ＰＳＵ１２６に入力される。ＲＦ電圧プローブ１５６に関するさらなる詳細については、Ｊｏｈｎ Ｖａｌｃｏｒｅ， Ｊｒ．によって２０１０年２月１０日に出願され、本願の権利者が所有する米国仮特許出願第６１／３０３，６２８号「ＢＩＡＳ ＣＯＭＰＥＮＳＡＴＩＯＮ ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤＳ ＴＨＥＲＥＦＯＲ」、および、Ｊｏｈｎ Ｖａｌｃｏｒｅ， Ｊｒ．によって２００９年１１月１９日に出願され、本願の権利者が所有する米国仮特許出願第６１／２６２，８８６号「ＭＥＴＨＯＤ ＡＮＤ ＤＥＶＩＣＥ ＦＯＲ ＣＯＭＰＥＮＳＡＴＩＮＧ ＷＡＦＥＲ ＢＩＡＳ ＩＮ Ａ ＲＦ ＤＲＩＶＥＮ ＰＬＡＳＭＡ ＣＨＡＭＢＥＲ」に開示されており、いずれも参照によって本明細書に組み込まれる。
【００１７】
後述するように、このフィードバックループに固有の遅延により、プラズマ非閉じ込め事象が起こった時に中央タップ１４０で検出可能な瞬間的な応答が存在する。この瞬間的な、基本的に開ループの応答は、短時間であり、ＲＦ電力プローブ１５６からのフィードバック信号が補償しうる前に生じる。ＥＳＣ ＰＳＵ１２５（ＯＬＲ＿ＤＣ＿ＢＩＡＳ）のこの瞬間的な開ループ応答の変化率および任意選択的に変化量を監視することによって、プラズマ非閉じ込め事象を示す２つの指標の一方が検出されうる。プラズマ非閉じ込め事象を示す２つの指標の他方は、上述のように、ＥＳＣチャック１０８に供給されるＲＦ電圧の変化率および任意選択的に変化量である。
【００１８】
図１の説明を補完すると、電力供給された電極１６８上にウエハが典型的に配置されており、電極１６８は、ＥＳＣチャック１０８の上方に配置されている。処理中、バルクプラズマ１７０がウエハの上方に形成され、１組の閉じ込めリング１７２および上側接地電極１７４によって閉じ込められる。
【００１９】
プラズマが閉じ込め状態から非閉じ込め状態へ移行した時にＥＳＣチャックに供給されるＲＦ電圧の変化率および量が増大することが発見されている。図２は、図１のＲＦ要素を単純化した回路を示す。図１のインピーダンス整合回路網１１０および独立したＲＦ電源（１０２、１０４、および、１０６）は、図２の１つのＲＦ電源２０２に統合されている。図１の電力供給される電極１６８、接地電極１７４、および、プラズマ閉じ込めリング１７２は、電力供給される電極１６８を示す極板２１０ａと、接地電極１７４を示す極板２１０ｂとを備えた単純な可変コンデンサ２１０によって表されている。
【００２０】
チャンバの静電容量が電極の表面積の一次関数であり、閉じ込めリングがチャンバ内で利用される有効表面積を制御するとすれば、図１の容量性チャンバの等価電気回路の一次近似は、誘導および抵抗回路要素を無視することによって図２のように単純化することができる。この単純化された回路は、プラズマインピーダンス、ＥＳＣチャックに供給されるＲＦ電圧の大きさ、および、プラズマ閉じ込めの状態の間の相関関係を示すために利用可能である。
【００２１】
ＲＦ電力が電圧の関数であり、プラズマインピーダンスが電圧およびチャンバの静電容量の関数であるとすれば、ＲＦ電力が一定であり、プラズマが閉じ込め状態から非閉じ込め状態へ移行することによって接地面積を増大させた時にチャンバの静電容量が増大した場合には、ＥＳＣチャックに供給されるＲＦ電圧は減少する。一定のＲＦ電力に対するＲＦ電圧と接地面積との間のこの相関は、プラズマ閉じ込めの変化を検出する際の基本的な要素を提供する。
【００２２】
より詳細には、静電容量は以下のように定義される：
【００２３】
Ｃ＝Ｋ＊Ｅ＊Ａ／Ｄ 式１
【００２４】
ここで、Ｃは静電容量、Ｋは電極の誘電率、Ｅは自由空間の誘電率、Ａは電極の面積、Ｄは電極間の距離である。
【００２５】
閉じ込め状態では、閉じ込めリングは、プラズマを抑制することによって静電容量を抑えるため、電極間で電流が流れる表面積を制限する。非閉じ込めプラズマは、面積Ａの増大を引き起こす。Ａが増大すると、静電容量Ｃも式１に従って増大する。
【００２６】
理想的なコンデンサについて、インピーダンスは以下のように定義される：
【００２７】
Ｚ＝ＳＱＲＴ（Ｒ＾２＋（１／（２＊Ｐｉ＊ｆ＊Ｃ）＾２） 式２
【００２８】
ここで、Ｒ＝０、Ｐｉは数学定数、ｆはＲＦ電源の周波数、Ｃは静電容量である。ｆが一定である場合、ＺがＣに反比例することが式２からわかる。
【００２９】
電力供給は、以下の式３に従う。
【００３０】
Ｐ＝Ｉ＊Ｖ＊ｃｏｓθ 式３
【００３１】
ここで、Ｐは電力、Ｉは電流、Ｖは電圧、θはＶおよびＩの間の位相である。
【００３２】
供給されるＲＦ電力は、インピーダンスの関数である。
【００３３】
Ｚ＝Ｖ／Ｉ 式４
【００３４】
ここで、Ｚはインピーダンス、Ｖは電圧、Ｉは電流である。
【００３５】
Ｒ＝０の場合、Ｚは、１／（２＊Ｐｉ＊ｆ＊Ｃ）と単純化されうる（上記の式２を参照）。
【００３６】
Ｚが近似的に１／（２＊Ｐｉ＊ｆ＊Ｃ）であるとすれば、式４から以下の式が得られる：
【００３７】
１／（２＊Ｐｉ＊ｆ＊Ｃ）＝Ｖ／Ｉ 式５
【００３８】
Ｃ＝Ｋ＊Ｅ＊Ａ／Ｄ（式１参照）なので、非閉じ込めプラズマ事象によってＡが増大すると、Ｃは増大し、Ｚは減少する。
【００３９】
さらに、Ｐ＝Ｉ＊Ｖ＊ｃｏｓθ（式３参照）なので、Ｐが一定かつθが一定である場合、Ｃが増大すれば、Ｖは減少し、Ｉは増大する。
【００４０】
したがって、図２および図２に関連する説明からわかるように、閉じ込めプラズマ状態から非閉じ込めプラズマ状態への移行は、ＥＳＣに供給されるＲＦ電圧の増大（正の導関数）を伴う。ＥＳＣに供給されるＲＦ電圧のこの増大の検出は、提案されている非閉じ込めプラズマ検出方法における一状態を示すものである。必要に応じて、誤検出を減らすように、大きさの閾値または大きさの変化の閾値が確立されうる。
【００４１】
ＥＳＣに供給されるＲＦ電圧とプラズマ閉じ込め状態との相関関係に加えて、ＥＳＣ極電圧とプラズマ閉じ込め状態との間に別の基本的な相関関係が存在することが発見されている。図３は、１または複数のＥＳＣ極電圧とプラズマ閉じ込め状態との間の相関関係を示す図である。図３のこの単純化したＤＣ等価回路には、極板３０２ａ（ＥＳＣクランプ電極を表す）および極板３０２ｂ（ウエハを表す）を含む平行板コンデンサ３０２が示されている。平行板コンデンサ３０２は、ＥＳＣ極とプラズマシースとの間に形成されており、セラミックおよびウエハが２つの極板の間の誘電体を形成する。
【００４２】
ＥＳＣ極はＤＣ電源３１０によって駆動され、シース電圧はＤＣ源として機能するプラズマの関数である。接地された電極の電圧に対する電力供給された電極の電圧の比が、電力供給された電極の面積に対する接地された電極の面積の比に等しい（その比がＤＣおよびＲＦの両方に当てはまる）とすると、接地電極の面積が非閉じ込めプラズマ事象の発生によって増大し、電力供給された電極の面積が一定のままである場合には、シース電圧が増大する。
【００４３】
図３において、ＥＳＣ極でのＤＣ電圧は、ＥＳＣ ＰＳＵ３１０によって供給される電圧、反対側の極における電荷、および、２つの極によって形成された静電容量の関数である。プラズマが閉じ込め状態から非閉じ込め状態へ変化するとシース電圧が増大し、極の間の静電容量は一定のままであるため、ＥＳＣ極は、シース電圧によって帯電される。この帯電効果は、プラズマが非閉じ込め状態になる時のＥＳＣ ＰＳＵ３１０のインパルス応答に見ることができる。
【００４４】
特に、中央タップのＤＣ電圧供給は、ＥＳＣ極電圧の帯電によって誘導された負荷変動の関数として振動する。中央タップのＤＣ供給は、プラズマシース電位にかかわらずウエハに対して一定のクランプ力を提供する目的で、ＥＳＣクランプ電圧供給のための基準電圧を維持するために用いられる。（中央タップに存在する）ＥＳＣ ＰＳＵ３１０の瞬間的な開ループ応答は、プラズマ閉じ込め状態（および、それに応じてプラズマ非閉じ込め状態）の検出に用いられる第２の指標を提供する。
【００４５】
プラズマが閉じ込め状態から非閉じ込め状態に変化したことに応じて起きるＥＳＣに供給されるＲＦ電圧の変化およびＥＳＣ ＰＳＵの開ループ応答の変化を用いれば、プラズマ閉じ込めの状態変化を検出するために必要なパラメータが得られる。
【００４６】
図４は、マイクロプロセッサ内におよび／またはコードによって実装されるアルゴリズムの一例のフローチャートであり、入力パラメータは、ＥＳＣ ＰＳＵ中央タップ（４０２）で測定されたＤＣ電圧、および、ＲＦ電圧プローブパラメータ（４０４）である。ＲＦ電圧プローブパラメータ４０４は、ＥＳＣにおけるＲＦ電圧の単一または複合の信号表現である。簡単のために、ＲＦ電圧パラメータを広帯域ＲＦ（ＢＢ ＲＦ：Broadband RF）信号と名付け、これ以降、ＢＢ ＲＦと呼ぶこととする。
【００４７】
ＢＢ ＲＦ信号およびＥＳＣ ＰＳＵ中央タップ電圧は、別個のローパスフィルタ（それぞれ４０８および４０６）を通して供給される。図４には、単純移動平均として知られる一次ローパスフィルタが示されている。ただし、アナログまたはデジタルにかかわらず、任意の他の適切なフィルタを用いてもよいことを理解されたい。次いで、各フィルタの出力は、それぞれの信号の電流サンプル（４１０および４１２）と比較される。比較はブロック４１４および４１６として図示されている。
【００４８】
ＥＳＣ ＰＳＵ中央タップ電圧（４１４）に十分な正の大きさの変化（ｄｖ／ｄｔ＞＞０）がある場合、イベントフラグが設定される（図４のブロック４２０における「ＰＳＵ＿ＥＶＥＮＴ＝１」）。同様に、ＢＢ ＲＦ信号が十分な負の大きさを有する（ｄｖ／ｄｔ＜＜０）場合（ブロック４１６）、イベントフラグが設定される（「ＲＦ＿ＥＶＥＮＴ＝１」（ブロック４２２））。いずれかのイベントフラグが同値のデジタル「オン」状態に設定されなかった場合、検出ループは、それぞれの信号について次の利用可能なサンプルのポーリングおよび比較を継続する（ブロック４２４および４２６）。
【００４９】
両方のイベントフラグがオンに切り換えられた場合（ブロック４３０）、デルタ関数が算出される。このデルタ関数は、ＥＳＣ ＰＳＵ中央タップ導関数の大きさに対するＲＦ ＢＢ導関数の大きさを算出する。導関数が互いに対して十分な大きさである場合（ブロック４３２）、ＲＦ供給電力の変更、チャンバへの圧力またはガス流量の変更、もしくは、閉じ込めリング位置の調節など、補正動作を実行できるように、「ＵＮＣＯＮＦＩＮＥＤ＿ＰＬＡＳＭＡ＝１」というイベントフラグ（４３４）が、プラズマチャンバの制御に関与するツールホスト（４３６）に送信される。
【００５０】
あるいは、中央タップ電圧の代わりに、または、中央タップ電圧に加えて、ＥＳＣベースプレートへの中央タップ電流を監視することも可能である。非閉じ込め事象中に図２に示したコンデンサを帯電させるために必要な突発電流も、潜在的な非閉じ込め処理条件事象を示す別の適切な指標となる。
【００５１】
１または複数の実施形態において、プラズマ非閉じ込め検出方法は、アナログローパスフィルタおよびコンパレータを用いてアナログドメイン内で、ならびに／もしくは、ＤＳＰ、ＦＰＧＡ／ＣＰＬＤ、または、マイクロプロセッサを用いてデジタルドメイン内で実装されてよい。１または複数の実施形態において、ＲＦ電圧プローブは、図１に示したように、インピーダンス整合回路網と、電力供給された電極との間の送電ラインに沿った任意の場所に配置されてよい。１または複数の実施形態において、ＥＳＣ ＰＳＵ中央タップ電圧は、ＥＳＣと、ＥＳＣ ＰＳＵの内部回路との間の任意の場所で測定されてよい。１または複数の実施形態において、図１に示したように、ＥＳＣのベースにおいて高インピーダンス電圧分配器が利用され、ＥＳＣ ＰＳＵ中央タップ電圧がＥＳＣ ＰＳＵの直接出力で測定される。次いで、これらの信号はいずれも、１または複数の実施形態において、同等の４０ＭＨｚクロックを有するＰＩＣ １８Ｆ４５２３ ８ビットマイクロプロセッサ（アリゾナ州チャンドラーのＭｉｃｒｏｃｈｉｐ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）に供給されてよい。
【００５２】
１または複数の実施形態において、過渡応答のタイムスケールおよび方向は、駆動ＲＦ周波数と、各ＲＦ周波数に関連する電力量との関数であってよい。１または複数の実施形態において、より大きい電力を有するＲＦ信号が優勢になる傾向にあり、これらの周波数での応答は、より顕著でありうるため、検出の信頼性を高める。これらは、１または複数の実施形態において、検出戦略に組み込まれうる一般的な観察結果である。
【００５３】
以上からわかるように、本発明の実施形態は、侵入型のその場監視機器を用いる必要なしに、異常なプラズマ状態（一例としてはプラズマ非閉じ込め）の検出を可能にする。それにより、かかるその場監視機器に関連するプラズマ誘起摩耗、汚染、および、交換／洗浄に関する問題が防止される。ＥＳＣに供給されるＲＦ電圧の変化およびＥＳＣ ＰＳＵの開ループ応答の変化の両方を監視すること、ならびに、任意選択的に、誤検出を減らすための閾値設定を行うことによって、本発明の実施形態は、異常なプラズマ状態を検出するためのロバストな技術を提供し、それにより、ツールホストが、タイムリーに正確な測定値を提供すること、または、さらなる損傷を避けるためにツールを停止することを可能にする。
【００５４】
代表的な実施形態および最良の形態を開示したが、特許請求の範囲に規定されているように本発明の主題および精神の範囲内で、開示された実施形態に変形および変更を施すことができる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理チャンバにおいてプラズマ非閉じ込めを検出するための方法であって、前記プラズマ処理チャンバは静電（ＥＳＣ）チャックを有し、前記方法は、
前記ＥＳＣチャックにＲＦ電圧を印加する工程と、
前記ＥＳＣチャックにＤＣバイアス電圧を印加するよう構成されたＥＳＣ電源ユニットを準備する工程であって、前記ＥＳＣ電源ユニットは、前記ＲＦ電圧を受けるように接続された中央タップを有する、工程と、
プラズマ非閉じ込め状態を示す変化について、前記ＲＦ電圧および前記中央タップを同時に監視する工程と、
前記プラズマ非閉じ込め状態が前記監視工程によって検出された場合に、前記プラズマ非閉じ込め状態の存在を示すために信号を供給する工程と、
を備える、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記ＲＦ電圧は、少なくとも２つのＲＦ周波数を含む広帯域ＲＦ電圧である、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記監視工程は、前記ＲＦ電圧の変化を検出する工程を含む、方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、前記監視工程は、さらに、前記変化の大きさが所定の閾値を超えるか否かを判定する工程を含む、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、前記監視工程は、前記ＲＦ電圧の正の変化を検出する工程を含む、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、前記監視工程は、前記中央タップにおける開ループＤＣ応答の変化を検出する工程を含む、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、前記監視工程は、さらに、前記変化の大きさが所定の閾値を超えるか否かを判定する工程を含む、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、前記監視工程は、前記中央タップにおける開ループＤＣ応答の正の変化を検出する工程を含む、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、前記開ループＤＣ応答は、開ループＤＣ電圧である、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、前記開ループＤＣ応答は、開ループＤＣ電流である、方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、前記監視工程は、前記ＲＦ電圧の変化を検出する工程と、前記中央タップにおける開ループＤＣ応答の変化を検出する工程とを含む、方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法であって、前記信号は、前記プラズマ非閉じ込め状態の検出に応じて補正動作を自動的に開始するためのフィードバック信号として用いられる、方法。
【請求項１３】
プラズマ処理チャンバにおいてプラズマ非閉じ込めを検出するための装置であって、前記プラズマ処理チャンバは静電（ＥＳＣ）チャックを有し、前記ＥＳＣチャックはＲＦ電圧を受けるよう構成され、前記装置は、
前記ＥＳＣチャックにＤＣバイアス電圧を印加するよう構成されたＥＳＣ電源ユニットであって、前記ＲＦ電圧を受けるように接続された中央タップを有する、ＥＳＣ電源ユニットと、
プラズマ非閉じ込め状態を示す変化について、前記ＲＦ電圧と前記中央タップにおける開ループＤＣ応答とを分析するための手段と、
を備える、装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の装置であって、前記ＲＦ電圧は、少なくとも２つのＲＦ周波数を含む広帯域ＲＦ電圧である、装置。
【請求項１５】
請求項１３に記載の装置であって、前記分析するための手段は、前記ＲＦ電圧の正の変化を少なくとも検出するよう構成される、装置。
【請求項１６】
請求項１３に記載の装置であって、前記分析するための手段は、さらに、前記ＲＦ電圧の変化の大きさが所定の閾値を超えるか否かを判定するよう構成される、装置。
【請求項１７】
請求項１３に記載の装置であって、前記分析するための手段は、前記中央タップにおける開ループＤＣ応答の正の変化を少なくとも検出するよう構成される、装置。
【請求項１８】
請求項１３に記載の装置であって、前記分析するための手段は、さらに、前記開ループＤＣ応答の変化の大きさが所定の閾値を超えるか否かを判定するよう構成される、装置。
【請求項１９】
請求項１３に記載の装置であって、前記開ループＤＣ応答は、開ループＤＣ電圧である、装置。
【請求項２０】
請求項１３に記載の装置であって、前記開ループＤＣ応答は、開ループＤＣ電流である、装置。
【請求項１】
プラズマ処理チャンバにおいてプラズマ非閉じ込めを検出するための方法であって、前記プラズマ処理チャンバは静電（ＥＳＣ）チャックを有し、前記方法は、
前記ＥＳＣチャックにＲＦ電圧を印加する工程と、
前記ＥＳＣチャックにＤＣバイアス電圧を印加するよう構成されたＥＳＣ電源ユニットを準備する工程であって、前記ＥＳＣ電源ユニットは、前記ＲＦ電圧を受けるように接続された中央タップを有する、工程と、
プラズマ非閉じ込め状態を示す変化について、前記ＲＦ電圧および前記中央タップを同時に監視する工程と、
前記プラズマ非閉じ込め状態が前記監視工程によって検出された場合に、前記プラズマ非閉じ込め状態の存在を示すために信号を供給する工程と、
を備える、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記ＲＦ電圧は、少なくとも２つのＲＦ周波数を含む広帯域ＲＦ電圧である、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記監視工程は、前記ＲＦ電圧の変化を検出する工程を含む、方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、前記監視工程は、さらに、前記変化の大きさが所定の閾値を超えるか否かを判定する工程を含む、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、前記監視工程は、前記ＲＦ電圧の正の変化を検出する工程を含む、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、前記監視工程は、前記中央タップにおける開ループＤＣ応答の変化を検出する工程を含む、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、前記監視工程は、さらに、前記変化の大きさが所定の閾値を超えるか否かを判定する工程を含む、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、前記監視工程は、前記中央タップにおける開ループＤＣ応答の正の変化を検出する工程を含む、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、前記開ループＤＣ応答は、開ループＤＣ電圧である、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、前記開ループＤＣ応答は、開ループＤＣ電流である、方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、前記監視工程は、前記ＲＦ電圧の変化を検出する工程と、前記中央タップにおける開ループＤＣ応答の変化を検出する工程とを含む、方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法であって、前記信号は、前記プラズマ非閉じ込め状態の検出に応じて補正動作を自動的に開始するためのフィードバック信号として用いられる、方法。
【請求項１３】
プラズマ処理チャンバにおいてプラズマ非閉じ込めを検出するための装置であって、前記プラズマ処理チャンバは静電（ＥＳＣ）チャックを有し、前記ＥＳＣチャックはＲＦ電圧を受けるよう構成され、前記装置は、
前記ＥＳＣチャックにＤＣバイアス電圧を印加するよう構成されたＥＳＣ電源ユニットであって、前記ＲＦ電圧を受けるように接続された中央タップを有する、ＥＳＣ電源ユニットと、
プラズマ非閉じ込め状態を示す変化について、前記ＲＦ電圧と前記中央タップにおける開ループＤＣ応答とを分析するための手段と、
を備える、装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の装置であって、前記ＲＦ電圧は、少なくとも２つのＲＦ周波数を含む広帯域ＲＦ電圧である、装置。
【請求項１５】
請求項１３に記載の装置であって、前記分析するための手段は、前記ＲＦ電圧の正の変化を少なくとも検出するよう構成される、装置。
【請求項１６】
請求項１３に記載の装置であって、前記分析するための手段は、さらに、前記ＲＦ電圧の変化の大きさが所定の閾値を超えるか否かを判定するよう構成される、装置。
【請求項１７】
請求項１３に記載の装置であって、前記分析するための手段は、前記中央タップにおける開ループＤＣ応答の正の変化を少なくとも検出するよう構成される、装置。
【請求項１８】
請求項１３に記載の装置であって、前記分析するための手段は、さらに、前記開ループＤＣ応答の変化の大きさが所定の閾値を超えるか否かを判定するよう構成される、装置。
【請求項１９】
請求項１３に記載の装置であって、前記開ループＤＣ応答は、開ループＤＣ電圧である、装置。
【請求項２０】
請求項１３に記載の装置であって、前記開ループＤＣ応答は、開ループＤＣ電流である、装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公表番号】特表２０１３−５１１８１５（Ｐ２０１３−５１１８１５Ａ）
【公表日】平成２５年４月４日（２０１３．４．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−５４００９９（Ｐ２０１２−５４００９９）
【出願日】平成２２年１１月１９日（２０１０．１１．１９）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２０１０／０５７４７８
【国際公開番号】ＷＯ２０１１／０６３２６２
【国際公開日】平成２３年５月２６日（２０１１．５．２６）
【出願人】（５９２０１００８１）ラム リサーチ コーポレーション (467)
【氏名又は名称原語表記】ＬＡＭ ＲＥＳＥＡＲＣＨ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２５年４月４日（２０１３．４．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１１月１９日（２０１０．１１．１９）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２０１０／０５７４７８
【国際公開番号】ＷＯ２０１１／０６３２６２
【国際公開日】平成２３年５月２６日（２０１１．５．２６）
【出願人】（５９２０１００８１）ラム リサーチ コーポレーション (467)
【氏名又は名称原語表記】ＬＡＭ ＲＥＳＥＡＲＣＨ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ
【Ｆターム（参考）】
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