【課題】プラズマＣＶＤ及びプラズマエッチングの分野において、生産コストの低減に必要な、高速で基板サイズの大面積化が可能なプラズマ表面処理方法およびプラズマ表面処理装置を提供する。
【解決手段】導波管を備えた空洞共振器１と、高周波電源２０と、インピーダンス整合器３２と、３端子サーキュレータ５０と、該３端子サーキュレータ５０に接続された無反射終端器５２及び反射波検知器５４とから成るプラズマ表面処理装置で、インピーダンスの整合を取るに際し、供給電力のアンテナ２からの反射波が最小に、かつ、該空洞共振器内部に放射される電力が最大になるように調整可能としたことを特徴とする。リッジ６１を有する導波管を用いることも特徴とする。 （もっと読む）

【課題】オートマッチング動作において不必要な速度低下やハンチングを招くことなく短時間で効率よく実質的な整合状態を確立できるようにする。
【解決手段】第２の整合アルゴリズムでは、インピーダンス座標上で、第１または第２基準線Ｃ_1S，Ｃ_2Sと直交する第３の基準線ＴＣ_1SまたはＴＣ_2Sを動作点移動制御の目標にして、Ｃ₁座標軸またはＣ₂座標軸上で動作点Ｚ_pをたとえばＺ_p(7)→Ｚ_p(8)→Ｚ_p(9)と移動させる。動作点Ｚ_p(9)の座標位置は原点Ｏ（整合点Ｚ_S）に非常に近い実現可能なベストの擬似的整合点Ｚ_Bであり、この位置で動作点Ｚ_pの移動を止める。 （もっと読む）

【解決手段】
ＲＦ駆動プラズマのＲＦ電圧信号を測定することによってウェハのバイアス電圧を補償するための方法および装置であって、少なくとも静電チャック（ＥＳＣ）、容量分圧器、信号処理および信号調節ネットワークを含むことを開示する。バイアス補償装置は、ＥＳＣのＲＦ電圧を検知する容量分圧器と、対象の特定のＲＦ信号をフィルタリングする目的のための信号調節ネットワークと、フィルタリングされたＲＦ信号からＤＣウェハ電位を計算するための信号処理部とを含む。 （もっと読む）

【課題】量産安定性と機差低減に関わるプラズマのイオンフラックスの量（プラズマ密度）と、その分布に関する装置状態を検知する手段を備えたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器１０８、ガス導入手段１１１、圧力制御手段、プラズマソース電源１０１、被処理物１１２を真空容器内に載置する下部電極１１３、高周波バイアス電源１１７を具備するプラズマ処理装置において、プラズマソース電源１０１と高周波バイアス電源１１７とは異なる発振周波数をプラズマ処理室内に発振するプローブ高周波発振手段１０３と、プローブ高周波発振手段１０３から発振される高周波をプラズマに接する面で受信する高周波受信部１１４、１１５と、プローブ高周波発振手段１０３と受信部１１４、１１５から形成せられる電気回路内の発振周波数毎のインピーダンス、反射率及び透過率、高調波成分の変動を測定する高周波解析手段１１０を具備する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置のプラズマを好適に制御するための方法を提供する。
【解決手段】真空プラズマ処理装置の高周波バイアス電源への反射電力量に不連続が起こる傾向を、高周波バイアス電源の出力電力を制御して、真空処理チャンバ内のプラズマ５０に供給される電力が実質的に一定になるようにして抑える。高周波バイアス電源の出力電力を、高周波バイアス電源とワークピースホルダ処理装置の電極とを接続するマッチングネットワーク１０８の容量変化よりも非常に速く変化させる。プラズマの容量インピーダンス成分を、チャンバ内のプラズマシースの厚みを光学的に測定することによって求める。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の高周波給電部において高周波パワー伝送効率の安定化をはかり、プラズマプロセスの再現性・信頼性を向上させる。
【解決手段】この容量結合型プラズマエッチング装置において、チャンバ１０内で半導体ウエハＷを載置するサセプタ１２には、高周波電源２８がマッチングユニット３０および給電棒３２を介して電気的に接続されている。給電棒３２の途中で、あるいはマッチングユニット３０内の整合器の後段で、短絡スイッチ付き抵抗器３５が挿入接続されることにより、整合器から見た負荷抵抗の値はプラズマ抵抗の値に抵抗器の値を加え合わせたものになり、それによってパワー伝送効率の高い安定領域でプラズマにＲＦパワーを供給することができる。 （もっと読む）

【課題】In-situでパターン側壁の抵抗及びそのパターン側壁に流れる電流を測定する。
【解決手段】プラズマチャンバ１内に設置された２個のセンサ１０−１，１０−２の片方にのみ、外部抵抗素子７を接続している。そのため、２個のセンサ１０−１，１０−２の上部電極１５及び下部電極１３間抵抗は互いに異なり、In-situにおいて異なる上部電極１５及び下部電極１３間の電位差が得られ、且つ、一方のセンサ１０−１の上部電極１５及び下部電極１３間にワイヤ１７−１１，１７−１２にて並列接続された外部抵抗素子７の抵抗値は既知であるため、In-situにおいてコンタクトホール１個当りのコンタクトホール側壁１６aの抵抗値が得られる。更に、コンタクトホール１個当りの抵抗が得られれば、コンタクトホール１個当りのコンタクトホール側壁１６aに流れる電流値を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理におけるトレーサビリティを確保することができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマ処理装置は、データ記録部３５と履歴情報記憶部４１と生産履歴ファイル作成部４２ａを備えた構成とする。データ記録部は、処理対象物に対するプラズマ処理が終了する毎に、日時データ，対象物特定データ，整合器１８等の運転状態を示すマシン出力データ，放電状態検出部３４による良否判定結果を示す判定データを読み取って履歴情報記憶部に時系列的に記憶する。生産履歴ファイル作成部は指定された期間または日時に基づいて日時データ４１ｋ，対象物特定データを含んだ処理済ワーク情報４１ｊ，マシン出力データ４１ｃ，判定データ４１ｆを履歴情報記憶部から読み取り、トレーサビリティに有用な生産履歴ファイルを作成する。 （もっと読む）

【課題】 材料プロセスツール及びパフォーマンスデータを用いてプロセスを制御する方法及びシステムを提供することである。
【解決手段】 本発明の一実施形態によれば、材料処理システム（１）は、プロセスツール（１０）及びプロセスパフォーマンス制御システム（１００）を含む。プロセスパフォーマンス制御システム（１００）は、プロセスツール（１０）に結合されたプロセスパフォーマンスコントローラ（５５）を含み、プロセスパフォーマンスコントローラ（５５）は、プロセスパフォーマンス予測モデル（１１０）と、プロセス方法補正フィルタ（１２０）と、プロセスコントローラ（１３０）と、プロセスパフォーマンスモデル補正アルゴリズム（１５０）とを含む。プロセスパフォーマンス予測モデル（１１０）は、プロセスツール（１０）に結合された複数のセンサからツールデータを受取り、プロセスパフォーマンスデータを予測するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】量産安定性と機差低減に関わるプラズマのイオンフラックスの量（プラズマ密度）と、その分布に関する装置状態を検知する手段を備えたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器１０８、ガス導入手段１１１、圧力制御手段、プラズマソース電源１０１、被処理物１１２を真空容器内に載置する下部電極１１３、高周波バイアス電源１１７を具備するプラズマ処理装置において、プラズマソース電源１０１と高周波バイアス電源１１７とは異なる発振周波数をプラズマ処理室内に発振するプローブ高周波発振手段１０３と、プローブ高周波発振手段１０３から発振される高周波をプラズマに接する面で受信する高周波受信部１１４〜１１６と、プローブ高周波発振手段１０３と受信部１１４〜１１６から形成せられる電気回路内の発振周波数毎のインピーダンス、反射率および透過率を測定する高周波解析手段１１０を具備する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ放電の状態を適正に監視して、異常放電の予兆を検出することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理装置における放電状態監視方法を提供することを目的とする。
【解決手段】処理室内のプラズマ放電の変化に応じて放電検出センサ２３に誘発され、信号記録部２０に記録された電位変化の信号を信号解析部３０によって検出して行われる放電状態監視のための解析処理において、電極部と処理対象物との間で発生する異常放電（第一アーク放電）の信号を第一検出部３３によって検出したカウンタ値Ｎ３と、処理室内の異物堆積により発生する微小アーク放電（第二アーク放電）の信号を第二検出部３５によって検出したカウンタ値Ｎ４に基づき、異常放電判定部３９によって差（Ｎ３−Ｎ４）を求めて判定用のしきい値ａ２と比較して、処理室内における異常放電の発生の可能性の有無を判定する。 （もっと読む）

【解決手段】基板処理中にプラズマ処理システムの処理チャンバ内のプラズマ不安定性を検出するための構成が提供される。該構成は、処理チャンバの表面上に配され、少なくとも１つのプラズマプロセスパラメータを測定するように構成される、プローブ構成を含む。プローブ構成は、プラズマ対向センサ及び測定コンデンサを含み、プラズマ対向センサは、測定コンデンサの第１の板に接続される。プローブ構成は、また、測定コンデンサの第２の板に接続される検出構成も含む。該検出構成は、測定コンデンサを流れる誘起電流を、プラズマ不安定性を検出するために処理されるデジタル信号の集合に変換するように構成される。 （もっと読む）

【課題】処理室内に付着した生成物等により変動する電極インピーダンスの変動を抑制でき、プラズマで消費される電力の変動を防止する装置、方法の提供。
【解決手段】高周波電力が印加される下部電極２と誘電体２１を間に挟んでコンデンサを形成する導電リング２０をインピーダンス制御器２２を介してＧＮＤに接続し、下部電極２に高周波電源５から高周波を印加し、次に切替スイッチ２４を切替え、下部電極２をインピーダンス測定器２３に接続し、このとき、切替スイッチ２５を介して上部電極３をＧＮＤから切り離し、下部電極２とＧＮＤ間のインピーダンスをインピーダンス測定器２３で測定し、制御装置２６は、インピーダンス測定結果に基づき、インピーダンス制御器２２のインピーダンスを可変制御する。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】プラズマのインピーダンス測定を行なうことができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空槽１１に測定室１２を接続し、測定室１２内に探針３１，３２を配置しておく。真空槽１１には複数のプラズマ形成装置１６が設けられており、真空槽１１と測定室１２との間のシャッタ３５を開け、一台のプラズマ形成装置１６を選択して高周波電圧を印加し、真空槽１１内にプラズマを形成し、形成されたプラズマを負荷として、探針３１，３２から測定信号を印加し、そのプラズマのインピーダンスを求める。プラズマ形成装置１６毎にインピーダンス整合を行なうことができる。真空処理を行なう際にはシャッタ３５を閉じておくことができるので、エッチングガス等の処理ガスのプラズマによって探針３１，３２が損傷を受けないで済む。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマ非閉じ込め事象を検出するためのプラズマリアクタ内の構成を提供する。この構成は、プラズマリアクタ内に実装された容量式センサであるセンサを含む。センサは、プラズマ閉じ込め領域の外側に実装され、プラズマ非閉じ込め事象に関連するプラズマに対してセンサが露出された時に過渡電流を生成するように構成される。センサは、プラズマ非閉じ込め事象に関連するプラズマに向けられた少なくとも一枚の電気絶縁層を有する。この構成は、更に、センサに電気的に接続され、過渡電流を過渡電圧信号に変換すると共に、プラズマ非閉じ込め事象が存在するかを確認するために過渡電圧信号を処理する検出回路を備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ放電の有無や放電異常を正しく監視し、不具合発生に適切に対処することが可能なプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】処理対象物を処理室内に収容してプラズマ処理を行うプラズマ処理において、放電検出センサ２３にプラズマ放電の変化に応じて誘発される電位変化の信号を受信して電位変化を示す信号データとして一時的に信号記録部２０に記録し、記録された信号データを参照して、放電開始波のカウント値Ｎ１，異常放電のカウント値Ｎ２、微小アーク放電のカウント値Ｎ３などプラズマ放電の状態を示す指標データを信号解析部３０によって抽出し、装置制御部４０によって指標データを監視することによりプラズマ放電の状態を判定してプラズマ処理動作を適正に実行するためのリトライ処理、累積プラズマ処理、メンテナンス判定処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】リモートプラズマクリーニングは、成膜時と異なりプラズマ励起に適合した条件でないため、局所的にプラズマを励起すること自体が困難であり、また、光を使う方法では検出窓の曇りと言うCVDプロセスでは不可避の問題があり、量産工程に適合していない。
【解決手段】これらの問題を解決するための本願発明の概要は反応室においてプラズマを用いて反応ガスを励起して所望の膜を堆積するステップと同反応室にリモートプラズマ励起室で励起されたクリーニングガスを導入して非プラズマ励起雰囲気で同反応室をリモート・プラズマ・クリーニングするステップを繰り返す半導体集積回路装置の製造方法において、容量結合型のプラズマ励起システムにより反応室または反応室の排気のための真空系に局所プラズマを生成し、そのプラズマの電気的特性をモニタすることにより、リモート・プラズマ・クリーニングの終点を検出するものである。 （もっと読む）

【課題】透明窓への反応生成物の堆積、または処理面積の減少などによる影響を受けずに終点検出を可能にする。
【解決手段】終点検出システム５は、整合回路４より反射波成分の計測値を取得するが、ウェーハ処理の反射波成分の場合、プラズマ処理開始直後の反射波成分は安定しないので、最初の１０秒間は終点を検出しないように設定する。最初の１０秒間以降において、反射波成分の値が一定値（２０Ｗ）以上になったとき、終点検出を開始する。終点検出システム５は、検出したプラズマ処理終点の信号を装置制御システム６へ送り高周波電力の印加を停止する。 （もっと読む）

【課題】段差を有する膜構造を高精度にエッチングするプラズマ処理装置またはドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】真空容器１０７と、この真空容器内部の処理室内に配置されその上面にエッチング対象のウェハ１１２が載せられる下部電極１１３と、下部電極１１３にバイアス電位を形成するための高周波電力を供給するバイアス印加装置１１８，１２０と、前記処理室内に反応性ガスを導入するガス供給手段１１１と、前記処理室内にプラズマを生成するための電界を供給する電界供給手段１０１〜１０３と、前記高周波電力により前記ウェハ１１２に入射する前記プラズマ中のイオンのエネルギーの分布を調節する調節装置１２７とを備えたプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】電極構造の特別な改変や磁界装置等の大掛かりな外部装置の付加を必要とせずに、プラズマ密度分布制御の自由度を改善すること。
【解決手段】サセプタ１２主面の静電チャック３８は、膜状の誘電体４０の中に半径方向で分割された中心導体４２および周辺導体４４を埋設している。中心導体４２には、外付けのＤＣ電源４６が中心インピーダンス調整部６４を介して電気的に接続されている。周辺導体４４には、別の外付けＤＣ電源５４が周辺インピーダンス調整部６６を介してインピーダンス回路５６を介して電気的に接続されている。サセプタ１２主面の中心部および周辺部より処理空間Ｓに向けてそれぞれ放射されるＲＦ電子電流の比を中心および周辺インピーダンス調整部６４，６６により任意に可変調整することができる。 （もっと読む）