【課題】面倒な調整の必要がなく、波長再現性が良好で、また、エッチング装置内のプラズマの発光状態が正常かどうかを容易にモニタできる安価な分光器を提供する。
【解決手段】固定形の回折格子３０で分光された分光光に対応した複数のスリットを有する固定形のスリット部３を設置するとともに、特定波長の分光光のみ透過可能なマスクをスリット部３の入射側前面に設置し、さらに複数の前記分光光のすべての検出が可能な大きさを有する検出器を備える。また、回折格子で反射されたゼロ次光を検出するゼロ次光検出器を設置することにより、ゼロ次光の信号出力がプラズマの発光状態と対応しているという性質を利用して、取得したゼロ次光の信号出力から、プラズマの発光状態をモニタする。 （もっと読む）

【課題】紫外線の膜へのダメージ量の正確な予測が行えるようにするシミュレーション方法を提供する。
【解決手段】粒子密度の微分方程式に基づくシミュレーションを行って算出した粒子密度に基づいて、可視領域の各波長の発光強度を計算し、対象とする製造プロセスにおける発光種及び発光波長の情報を参照して、計算した可視領域の各波長の発光強度と、実際に検出された可視領域の発光スペクトルとを比較して、電子エネルギー分布関数を求め、この電子エネルギー分布関数と、発光種に関する反応断面積とを用いて、紫外領域の発光スペクトルを予測し、予測した紫外領域の発光スペクトルから、半導体装置の製造における、紫外線によるダメージ量を予測するシミュレーション方法を実行する。 （もっと読む）

【課題】本発明は装置稼働率を低下させることなく安定したプロセス性能結果が得られるRun-to-Run制御によりプラズマ処理を行うプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明はプラズマ処理を行うプラズマ処理室と、プラズマ処理室内の状態をモニタするプロセスモニタと、プラズマ処理条件を構成するパラメータを制御するアクチュエータと、プロセスモニタによりモニタされたプロセスモニタ値とプロセスモニタの目標値との偏差および予め取得された、プロセスモニタ値とパラメータである操作変数との相関関係を用いて操作変数の補正量を算出するＮ＋１個の補正量計算ユニットと、Ｎ番目の操作変数の次に優先度の高い操作変数を追加するＮ個の操作変数追加ユニットとを備え、Ｎ番目の操作変数追加ユニットは、Ｎ＋１番目の補正量計算ユニットにより算出された補正量をＮ＋１番目の操作変数の補正量とすることを特徴とするプラズマ処理装置である。 （もっと読む）

【課題】エッチング終点付近の微小な発光強度変化を確実にかつ早い段階で検出して、エッチングの終点を迅速且つ確実に判定する方法を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置におけるエッチング処理の終点を判定するエッチング終点判定方法において、前記真空処理室内に生成されたプラズマの発光のうち予め設定された波長の光を抽出し、抽出された前記特定波長の光の発光強度を時系列データとして取得し、取得した時系列データをもとに回帰直線を演算するステップＳ２０４と、該ステップにより求めた回帰直線と前記時系列データとの時間軸方向の距離を演算するステップＳ２０６とを備え、該ステップにより求めた時間軸方向の距離をもとにエッチング処理の終点を判定するＳ２１１。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの温度を調整する方法および装置を提供すること。
【解決手段】ウェーハの材質をエッチングするエッチング・システム１００は、測定装置１１４、エッチングチャンバ１０２、および制御装置１１２を有する。測定装置１１４は、複数の設定位置でのウェーハのプロファイルに沿って微細寸法テストフィーチャ（ＣＤ）を測定する。エッチングチャンバ１０２は、ウェーハを保持するチャック１０８と、該チャック１０８内の各設定位置に隣接して配置される複数の発熱体１１０と、を有し、測定装置１１４からウェーハを受け取る。制御装置１１２は、ＣＤを受け取る測定装置１１４および発熱体１１０に接続される。この制御装置１１２は、エッチング処理前のリソグラフィ処理で生じるＣＤばらつきを補正するために、エッチング処理の温度依存であるエッチング特性を用いて、各設定位置の間の微細寸法のばらつきを減らす処理において、各発熱体の温度を調整する。 （もっと読む）

【課題】シリコン含有物を含む被処理基板のの表面にオングストロームオーダー〜ナノオーダーの微小凹凸を形成する粗化処理の処理性能を高める。
【解決手段】大気圧近傍の処理エリア２９に被処理基板９を配置する。フッ化水素蒸気及び水蒸気を含有するプロセスガスを供給系１０から処理エリア２９に供給する。調節部３によって、処理エリア２９の露点Ｔ_Ｄと被処理基板９の温度Ｔ_Ｓとの間の温度差（Ｔ_Ｄ−Ｔ_Ｓ）を０℃付近〜２０℃の範囲内の所定値になるように調節する。 （もっと読む）

【課題】高マイクロ波の特性であるプラズマのモードジャンプにより、高電力側の高選択比領域を使用できず、一定のマージンだけ離れたところでプロセス開発を行ってきた問題点を解決し、エッチングに有効なプロセス領域を拡大し、特により高密度領域、すなわち高電力側への拡大を実現し、ゲート酸化膜とシリコン膜との高選択比のドライエッチング方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマを発生させるためのマイクロ波をパルス状にパルス変調し、オン時のマイクロ波電力値をカットオフ現象が生じる電力値より高く設定し、デューティー比を６５％以下、好ましくは５０％以下に変化させることにより、マイクロ波の平均電力を制御する。さらに、パルスのオフ時間が５０μｓ以上になるようにパルスの繰り返し周波数を制御する。 （もっと読む）

【課題】急速交互プロセス（ＲＡＰ）制御技術を提供する。
【解決手段】ＲＡＰシステム、及びこれを動作させる方法は、ＲＡＰチャンバ（ＲＡＰＣ）と、これに結合され、対応するプロセスガス源流量コントローラを各々が含む、複数のプロセスガス源と、ＲＡＰＣに結合されたバイアス信号源と、ＲＡＰＣに結合されたプロセスガス検出器と、ＲＡＰＣ、バイアス信号源、プロセスガス検出器、及び複数のプロセスガス源に結合されたＲＡＰＣコントローラとを含み、ＲＡＰＣコントローラは、第１のＲＡＰ段階を開始させるためのロジックを含み、該第１のＲＡＰ段階を開始させるためのロジックは、第１のプロセスガスをＲＡＰＣに投入するためのロジックと、ＲＡＰＣの中で第１のプロセスガスを検出するためのロジックと、ＲＡＰＣの中で第１のプロセスガスが検出された後に、対応する第１の段階バイアス信号をＲＡＰＣに印加するためのロジックとを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炭化珪素膜成膜後に成膜チャンバー内に付着した炭化珪素を含む付着物をｉｎ−ｓｉｔｕで精度よく除去可能な炭化珪素成膜装置及び炭化珪素除去方法を提供することを課題とする。
【解決手段】フッ素含有ガスを供給するフッ素含有ガス供給手段１３と、酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給手段１４と、フッ素含有ガス供給手段１３及び酸素含有ガス供給手段１４と接続され、フッ素含有ガス及び酸素含有ガスをプラズマ化させると共に、プラズマ化したフッ素含有ガス及びプラズマ化した酸素含有ガスを成膜チャンバー１１内に供給するプラズマ発生手段１５と、成膜チャンバー１１からの排ガスを分析する排ガス分析手段１９と、排ガス分析手段１９の分析結果に基づき、フッ素含有ガス供給手段１３、酸素含有ガス供給手段１４、及びプラズマ発生手段１５を制御する制御手段２１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】より再現性よく安定してエッチング対象物の特定の局所的な特定の領域のみをプラズマエッチング加工することが可能なプラズマエッチング技術を提供する。
【解決手段】吸引型かつドライエッチング型のプラズマエッチング装置は、エッチング対象物2を固定し、三次元方向に移動可能なステージ3と、一方の端部が、ステージ3に固定されたエッチング対象物2に対向して設置されるプラズマ発生管8と、プラズマ発生用電源10と、このプラズマ発生用電源10に接続され、プラズマ発生管8の外側と内側に配置される一対のプラズマ発生用電極9と、プラズマ発生管の他方の端部に連結される排気管を有する排気装置11,12とを備え、プラズマ発生管8両端の圧力および圧力差、プラズマの発光並びにプラズマ中に含まれる反応生成物の種類とその量のうちの少なくともいずれかを計測する計測手段と、該計測手段からの情報に基づきプラズマの発生状態を制御するコンピュータ14を有する。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体処理装置或いはリアクタ同士の間での処理室内部或いはプラズマの状態の差を低減することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】リアクタ１０１内部の処理室１２０内の試料台１０８内に配置された電極に高周波電源１２５からの電力が整合器１２４を介して供給しつつ前記プラズマを用いてウエハ１０７が処理されるプラズマ処理装置であって、前記処理中に前記電界の電力を複数の値に変動させて検出された前記電力の値の変化に対する前記プラズマの発光の強度、前記プラズマの発光の強度の時間変動の大きさ、前記整合器の整合位置及び前記電極に供給される前記高周波電力の電圧の値の変化を含む特性データのうち少なくとも２つ種類のデータの値の遷移点の前記電力の特定の値が、別のリアクタにおいて前記ウエハと同じ種類のウエハの前記処理中に検出された前記特性データを用いて検出された前記特定の値に合わせる。 （もっと読む）

【課題】アモルファスカーボン膜などの酸化によりパターン精度が劣化する材料からなるハードマスク膜上に保護膜とマスク膜の積層膜を形成し、マスク膜をダブルパターニング技術を用いてパターニングすると、保護膜も２回のエッチングに曝されて、保護膜としての機能が損なわれ、パターニングに使用する有機膜除去のアッシングの際に、ハードマスク膜が酸化されてパターン精度が劣化し、忠実なパターン転写ができなくなる。
【解決手段】マスク膜６の２回目のエッチングの際に、パターニングに用いる有機膜（反射防止膜７ｂ、８ｂ）をマスク膜６表面は露出するが、保護膜５表面は露出しないようにエッチングし、マスク膜６のみを選択的にパターニングすることで、その後の残存する有機膜のアッシング除去に際して、ハードマスク膜４を酸化から保護する保護膜５の機能を確保でき、パターン転写の忠実性を確保できる。 （もっと読む）

【課題】Low-k膜を有する試料のプラズマアッシング処理において、高速にアッシング処理を行いつつ、Low-k膜に対する膜ダメージを抑制または低減する処理方法を提供する。
【解決手段】Low-k膜１５を有する試料をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、前記試料をプラズマエッチングする工程と、炭化水素系ガスであるメタン(CH₄)ガス１９と希ガスであるアルゴン(Ar)ガスとからなる混合ガスを用いて、プラズマエッチング工程でプラズマエッチングされたレジストマスク１３、炭素ハードマスク１４、反応生成物１６が付着したLow-k膜１５を有する試料を、メタン(CH₄)ガス１９からの炭素（C+)ラジカル１８と水素(H+)ラジカル１９により、プラズマアッシングする工程を有するプラズマ処理方法である。 （もっと読む）

【課題】処理ガスの供給を交互に切り換える際に，これらの処理ガスが混ざり合うことなく，過渡現象を従来以上に抑制する。
【解決手段】ウエハのプラズマ処理中に少なくとも２種類以上の処理ガス（例えばＣ_４Ｆ_６ガスとＣ_４Ｆ_８ガス）を交互に切り換えて処理室内に供給する際に，切り換える処理ガスを供給する各ガス供給路については，そのガス供給路に設けられたマスフローコントローラ（ＭＦＣ）の下流側の開閉バルブを開いたまま，マスフローコントローラに所定流量とゼロ流量を繰り返して設定することによって，各処理ガスの供給を交互にオンオフする。 （もっと読む）

【課題】 エッチングの終点を精度良く制御する。
【解決手段】エッチング装置１は、処理ユニット２と制御ユニット３とを有する。処理ユニット内のプラズマの発光強度は、ＯＥＳ検出器２１で取得され、エッチング制御装置３１が非線形回帰分析して回帰式を決定する。非線形回帰分析は、プラズマの発光強度がピークを超えた第１の時間までに取得したプラズマの発光強度を用いて行われ、回帰式を用いてエッチング終点となる第２の時間が算出される。エッチング終点は、第１の時間から発光強度が所定値だけ減少する時間として算出される。エッチング装置１は、エッチング終点に達したら、エッチングを終了する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の側壁側にサイドウォールを精度よく形成することが可能な半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】まず、ＳＯＩ基板５の一方面側においてゲート電極３４上及びゲート電極３４の周囲の領域に第１絶縁膜４０を形成する。次に、第１絶縁膜４０上に積層させる構成で第１絶縁膜４０とは材質の異なる第２絶縁膜４２を形成する。そして、第１絶縁膜４０及び第２絶縁膜４２におけるゲート電極３４の側壁３４ａ側の部分を残しつつ、第２絶縁膜４２よりも第１絶縁膜４０のほうが、エッチング速度が遅くなるように第１絶縁膜４０及び第２絶縁膜４２を除去し、ゲート電極３４の側壁３４ａ側にサイドウォール４５を形成する。 （もっと読む）

【課題】処理経過時間毎に異常範囲設定したグラフと比較して異常検知することにより、設定値とは無関係にモニタ値が一定ではないデータの異常を検知する基板処理装置を提供する。
【解決手段】本願発明の基板処理装置は、複数のステップから構成される各種レシピをファイルとして少なくとも格納する記憶部と、少なくとも前記ファイルのパラメータ編集を行うための操作画面を表示する表示部と、該表示部等を介して入力された指示データや前記レシピ編集時におけるパラメータ設定値を入力する入力部とを少なくとも備えた操作部と、各ステップにおいて、前記パラメータ設定値、ステップ終了条件、異常監視条件のそれぞれが指定される所定のレシピを実行する制御部とを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理室内の付着物の堆積を取り除く処理のタイミングをより適切にすることで、プラズマ処理装置の非稼働時間を低減し、処理の効率向上させるプラズマ処理装置及びその運転方法を提供する。
【解決手段】真空容器の内部に配置された処理室内にウエハを配置してこの処理室内にプラズマを形成して処理するプラズマ処理装置の運転方法であって、予め定められた間隔で前記処理室内にプラズマを形成してこの処理室内側の壁面の付着物を除去するクリーニング動作を行うクリーニング用モードを有し、このモードにおいて検出した前記プラズマを用いたクリーニングの際の付着物の量と前記プラズマを用いたクリーニング後の前記処理室のリーク量との各々が所定の値以下である場合に前記クリーニング用モードを終了する。 （もっと読む）