【課題】ウェーハの温度を調整する方法および装置を提供すること。
【解決手段】ウェーハの材質をエッチングするエッチング・システム１００は、測定装置１１４、エッチングチャンバ１０２、および制御装置１１２を有する。測定装置１１４は、複数の設定位置でのウェーハのプロファイルに沿って微細寸法テストフィーチャ（ＣＤ）を測定する。エッチングチャンバ１０２は、ウェーハを保持するチャック１０８と、該チャック１０８内の各設定位置に隣接して配置される複数の発熱体１１０と、を有し、測定装置１１４からウェーハを受け取る。制御装置１１２は、ＣＤを受け取る測定装置１１４および発熱体１１０に接続される。この制御装置１１２は、エッチング処理前のリソグラフィ処理で生じるＣＤばらつきを補正するために、エッチング処理の温度依存であるエッチング特性を用いて、各設定位置の間の微細寸法のばらつきを減らす処理において、各発熱体の温度を調整する。 （もっと読む）

【課題】基板上の犠牲膜又は被処理膜のパターンの寸法を正確に測定し、基板上の被処理膜にスペース比率が１：１となるパターンを形成する。
【解決手段】検査用ウェハのモニターパターンの目標スペース比率を１：１と異なる比率に決定する（Ｓ１）。ライブラリのスペース比率の範囲を、目標スペース比率を含み１：１を含まない範囲に決定する（Ｓ２）。検査用ウェハに所定の処理を行い、被処理膜にモニターパターンを形成する（Ｓ３〜Ｓ８）。モニターパターンの寸法を測定する（Ｓ９）。モニターパターンの寸法を１：１のスペース比率の被処理膜のパターンの寸法に変換し（Ｓ１０）、変換された被処理膜のパターンの寸法に基づいて所定の処理の処理条件を補正する（Ｓ１１）。その後、補正された条件でウェハに所定の処理を行い、被処理膜に１：１のスペース比率のパターンを形成する（Ｓ１２〜Ｓ１７）。 （もっと読む）

【課題】露光処理、現像処理を行って形成したレジストパターンをスリミング処理する際に、スリミング処理後のレジストパターンの線幅のばらつきを低減させることができるレジストパターンのスリミング処理方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成したレジストパターンをスリミング処理するレジストパターンのスリミング処理方法において、レジストパターン上にレジストパターンを可溶化する反応物質を塗布し、次に予め決定された熱処理条件で熱処理し、次に現像処理することによって、レジストパターンにスリミング処理を行うスリミング処理工程と、スリミング処理工程前にレジストパターンの線幅を測定する第１の線幅測定工程とを含む。第１の線幅測定工程で測定した線幅の測定値に基づいて熱処理条件を決定する。 （もっと読む）

【課題】簡便かつ的確に大気圧プラズマの良否検査を行うことができるプラズマ検査方法、プラズマ処理方法、プラズマ検査装置及びプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】測定試料４２の表面に大気圧プラズマＰＺを照射するプラズマ照射工程（ステップＳＴ８）と、大気圧プラズマＰＺが照射された測定試料４２の表面の状態を検出する表面状態検出工程（ステップＳＴ９）と、検出した測定試料４２の表面の状態に基づいて大気圧プラズマＰＺの状態の良否判定を行う判定工程（ステップＳＴ１０及びステップＳＴ１１）を実行する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成される被処理膜のパターンの線幅を基板面内で均一にする。
【解決手段】検査用ウェハの被処理膜にパターンを形成する（ステップＳ１）。被処理膜のパターンの線幅を測定する（ステップＳ２）。線幅測定結果に基づいて、ＰＥＢ装置における加熱温度を補正する（ステップＳ３）。外周部の線幅測定結果が目標線幅より大きい場合には、現像処理においてウェハの外周部に供給する現像液の供給量を増加させ、当該現像液の供給量を補正する（ステップＳ４）。外周部の線幅測定結果が目標線幅より小さい場合には、現像処理後においてウェハの外周部に処理液を供給させ、当該処理液の供給量を設定する（ステップＳ５）。ウェハにフォトリソグラフィー処理を行い、レジストパターンを形成する（ステップＳ６）。ウェハにエッチング処理を行い、被処理膜に所定のパターンを形成する（ステップＳ７）。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に形成された絶縁膜をドライエッチングする場合に、その終点検出の精度を向上させる。
【解決手段】ポリシリコンからなるゲート層７，８と、ＬＯＣＯＳ３上にポリシリコンからなる終点検出補助用のダミー層９を形成する。ゲート層７，８とダミー層９を形成した後、シリコン基板１上に、ゲート層７，８とダミー層９を覆って、ＴＥＯＳ膜１４を形成する。その後、ＴＥＯＳ膜１４、薄いゲート酸化膜５及び厚いゲート酸化膜６をドライエッチングすることにより、ゲート層７，８の側壁にサイドウォール１５を形成すると共に、ＬＯＣＯＳ３に囲まれた領域におけるシリコン基板１のＰウエル２の表面を露出させる。このドライエッチング時に、終点検出補助用のダミー層９が露出することにより、終点検出を補ってその検出精度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】実パターン上のチャージアップをリアルタイムに測定し、更に、自己整合バイアスのウェハ内面分布を測定する。
【解決手段】ウェハ表面の異なる箇所に複数のセンサ５０を貼着し、プラズマチャンバ内のステージ上に載置する。ＲＦバイアスを印加し、プラズマチャンバ内にプラズマ３２を発生させてウェハをプラズマ３２に曝す。ウェハをプラズマ３２に曝すと、電子遮蔽効果によって各センサ５０内のコンタクトホール５６の底に、チャージアップが発生する。即ち、コンタクトホールパターン表面とコンタクトホール５６の底との間に電荷の偏りができる。そのため、上部電極５５と下部電極５３に異なる電位が発生する。この時、上部電極５５及び下部電極５３の両方又は一方の電位を測定し、あるいは、上部電極５５及び下部電極５３間の電位差Δを測定し、モニタリングする。 （もっと読む）

【課題】チャージアップの測定中にセンサ機能の経時劣化が起きる等の課題を解決する。
【解決手段】プラズマプロセス検出用センサ３０は、ウェットエッチングにより、上部電極３５のホール直径Ｄ１０を殆ど広げることなく、絶縁膜３４のホール直径Ｄ１１を広げるようにしている。そのため、センサ３０をプラズマ４１に曝した場合、コンタクトホール底へ入射する正イオンｈは絶縁膜３４のホール本体内壁面に衝突し難くなる。その結果、絶縁膜３４のホール本体内壁面はダメージを受け難くなり、電気伝導をアシストする欠陥準位の発生を抑制することができる。よって、プラズマエッチング条件の環境下で、チャージアップの測定中にセンサ機能の経時劣化を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセス等でのプラズマ等からの紫外光によるダメージを定量的にリアルタイムで精度良くモニタリングする。
【解決手段】電圧源３５によって負のバイアス電圧−３０Ｖをモニタ対象物４０に印加すると共に、ＲＦバイアス電圧をプラズマ処理装置３０に印加し、モニタ対象物４０に対してプラズマ処理を行うと、プラズマ３２から発生した紫外光ＵＶにより、分離した２つのポリＳｉ電極４２−１，４２−２上のＳｉＯ２膜４３に、正孔ｈと電子ｅのペアが発生する。ポリＳｉ電極４２−１，４２−２に負のバイアス電圧−３０Ｖを印加することで、２つのポリＳｉ電極４２−１，４２−２間の間隙にトラップされた正孔ｈを誘導電流として電流計３６によりリアルタイムで計測できる。この誘導電流を紫外光ＵＶによるＳｉＯ２膜４３へのダメージの定量的指標としてモニタリングしている。 （もっと読む）

【課題】時間を費やさない簡便な手順でエッチング量を正確に確定することのできる半導体デバイスのエッチング量判定方法を提供する。
【解決手段】エッチング量判定方法は基板上にステップ状の複数の区域を有するモニター部を備えた擬似電極を形成する。次いで、試料の電極と同時にモニター部の第１区域および第２区域をエッチングし、このとき現われる基板の露出面積に基づいてエッチング量を確定する（１次判定）。次いで、電極と同時にモニター部の第２区域をエッチングし、このとき現われる基板の露出面積に基づいてエッチング量を確定する（最終判定）。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス及びその構成要素に係るプロセスをｉｎ−ｓｉｔｕ、ｅｘ−ｓｉｔｕ、及びインラインでモニター及び最適化する方法
【解決手段】半導体上でデバイス及び構成要素、並びに関連する基材をｉｎ−ｓｉｔｕのプロセスで制御、モニター、最適化、及び製造する方法及びシステムは、光照射システム及び電気プローブ回路を含む。前記光照射システムは、光源と、ｉｎ−ｓｉｔｕで基材の光学的特性を測定する検知器とを含む。電気プローブ回路によって、電圧及び電流が加えられる。電気プローブ回路は、光照射による基材の電気特性変化、電圧、及び／又は電流を測定する。光学的及び電気的測定によって、ｉｎ−ｓｉｔｕのプロセスが制御される。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置に使用される寸法は、ますます微細化されている。寸法が微細化され、導電膜配線のエッチング時における下地膜のエッチングにより、導電膜配線パターンの寸法測定が正確に行えないという問題がある。
【解決手段】本発明の寸法測定パターンは、導電膜配線の寸法測定点となる導電膜配線の両端部を含む領域における下地膜を、導電膜配線のエッチングガスに対しエッチングされない材料とする。そのため測長ＳＥＭにて観察した時の２次電子画像のコントラスト波形が配線幅にあたるピークのみを安定して得られ、正確に導電膜配線の寸法測定が実施できる。 （もっと読む）

基板上のプローブ電極構造を記載し、このプローブ電極構造は、第１プローブ電極及びこれに隣接する第２プローブ電極を層配列上に備え、この層配列は全体的に、基板からプローブ電極に向かって、導電性の最下層、電気絶縁性の中央層、及び導電性の最上層を備えている。本発明のプローブ電極構造は、第１プローブ電極外の領域から最上層を除去することを目的としたエッチングステップ中の、第１プローブ電極のアンダーカットを検出する手段を提供する。第１電極の第１エッジからの許容可能な距離を超えるアンダーカットは、第１プローブ開口部内の第１最上層プローブ部分を除去し、このことは、第１プローブ電極と第２プローブ電極との間の電気抵抗の検出可能な変化を生じさせる。
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【課題】半導体装置の製造工程において、エッチング量のモニタ精度を向上させる。
【解決手段】絶縁膜（バンク）１３によって所望の形状に区画された領域（開口部ＯＡ１）内に、膜厚の異なる検査パターン１７ａ〜１７ｄを形成し、ＴＦＴを構成するゲート絶縁膜１７のエッチング工程のモニタとして使用し、例えば、ゲート絶縁膜１７と同等もしくはゲート絶縁膜より若干厚い膜厚の検査パターン（例えば１７ｃ）が消失した時点で、エッチングを終了する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングにおける、パターンが密な部分のエッチングレートとその他の部分のエッチングレートとの差を評価することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 絶縁膜２上に形成され、互いに離間かつ略平行に配置され、互いが電気的に分離された複数の第１の導体パターンを有する第１のＴＥＧパターン４ｃと、絶縁膜２上に形成され、互いに離間かつ略平行に配置された複数の第２の導体パターン、及び、前記複数の第２の導体パターンを互いに接続する第３の導体パターンを有している第２のＴＥＧパターン４ｅと、いずれかの前記第１の導体パターンに接続された第１の検査用ゲート電極４ａと、第２のＴＥＧパターン４ｅに接続された第２の検査用ゲート電極４ｂと、第１の検査用ゲート電極４ａの下に位置する第１の検査用ゲート絶縁膜３ａと、第２の検査用ゲート電極４ｂの下に位置する第２の検査用ゲート絶縁膜３ｂとを具備する。 （もっと読む）

【課題】 予備実験を伴うことなくエッチングの終了確認を容易にし、サイドエッチングに起因するマイクロローディング効果、異形化を抑制もしくは防止することのできるエッチング方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１をエッチングしてパターンを形成するエッチング方法において、半導体基板１に形成する所望のパターンの領域以外に疑似パターン３を設け、エッチングと同時に疑似パターン３のエッチングの終点を監視し、この終点が所定の深さＤになったときに、エッチングを終了させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 正確性（検出精度）が向上されたエッチング終点の検出方法を提供する。
【解決手段】 本発明によるエッチング終点の検出方法は、(a)エッチング対象物１２０のパターン領域上にマスク１３２を形成する過程と、(b)マスク１３２によりカバーされなかった前記エッチング対象物１２０のエッチング領域上に少なくとも一つのエッチング表示子１３４，１３６を供給する過程と、(c)マスク１３２を使用して前記エッチング対象物１２０をエッチングする過程と、(d) 前記エッチング表示子１３４，１３６の存在の有無によって、マスク１３２によりカバーされた残留対象物のサイズを判定する過程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】外乱による影響を抑制することのできるプラズマ処理装置および処理方法を提供する。
【解決手段】真空処理室内に収容した試料に処理を施すプラズマ処理装置２３と、前記処理中のプロセス量をモニタするセンサ２４と、前記センサからのモニタ出力および予め設定した加工結果の予測式をもとに加工結果を推定する加工結果推定モデル２５と、前記加工結果の推定モデルの推定結果をもとに加工結果が目標値となるように処理条件の補正量を計算する最適レシピ計算モデル２６を備え、該最適レシピ計算モデルが生成したレシピをもとに前記プラズマ処理装置２３を制御する。 （もっと読む）

【課題】微細パターン部分のエッチングレートが、ウェハ全面において容易に測定できる、時間的にもコスト的にも優れたエッチング工程のモニター方法を提供する。
【解決手段】モニター基板は、半導体基板の上に、被エッチング膜と光学的特性の異なる下地膜および中間膜が形成され、中間膜の上に被エッチング膜が形成され、被エッチング膜の上にマスクパターンが形成されている。マスクパターンには、各々異なる開口寸法のホールパターンが配置された複数個のブロックが形成され、各々のブロック内には、同一開口寸法のホールパターンが二次元的な範囲に複数個配列されている。被エッチング膜のエッチング処理を行い、その後、被エッチング膜および下地膜のエッチング速度に比較して中間膜のエッチング速度が高い条件で、等方的に中間膜を除去する追加エッチング処理を行った後に、光学顕微鏡を用いて各々のブロックの平均的な光学的特性の観察を行う。 （もっと読む）

【課題】 改良されたフォーカスリングに対する方法および装置を提供することである。
【解決手段】 プラズマ処理システム内で基板ホルダに組み合わせるように構成されたフォーカスリングアセンブリは、フォーカスリングの寿命を決定する１つ以上の消耗インジケータを有するフォーカスリングを具備し、そこにおいて、このフォーカスリングを基板ホルダに組み合わさせることは、プラズマ処理システムのフォーカスリングの自動−センタリングを容易にする。例えば、基板ホルダにマウントされたリングをセンタリングすることは、フォーカスリング上の嵌合形態で組み合わせるように構成されたセンタリング形態を有することができる。 （もっと読む）