【課題】ハロゲンガスを用いることなく、かつ、ホールやトレンチの側壁形状をより垂直に近付けることのできる金属膜のドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】白金を含む金属膜を、マスク層を介してドライエッチングする金属膜のドライエッチング方法であって、水素ガスと二酸化炭素ガスとメタンガスと希ガスとを含む混合ガスからなるエッチングガスのプラズマを発生させて、金属膜をドライエッチングする。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面に凹部を有する場合においても、ドライエッチング加工における面内のエッチングレートを制御し、パターン精度に優れたテンプレートの製造装置及びテンプレートの製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、真空容器と、電極と、調整体と、を含むテンプレートの製造装置が提供される。前記真空容器は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能とされている。前記真空容器は、反応性ガスの導入口と排気口とを有する。前記電極は、前記真空容器の内部に設けられ、高周波電圧が印加される。前記調整体は、絶縁体を主成分とする。前記調整体は、前記電極の上に載置される基板の前記電極の側の面に設けられた凹部に挿入される。 （もっと読む）

【課題】窪部位を有する金型の成形面あるいは大きい部品の全面を均一に表面改質することが難しい。
【解決手段】チャンバ１の中を真空に近い状態にする。アノード電極５Ｂの中にアルゴンガスを供給する。電子の速度を窪部位のエッジの形状を喪失させない速度まで低下させるために必要十分な圧力のアルゴンガスをアノード電極５Ｂと被照射体６との間に介在させる。電子の加速空間Ｓとプラズマ空間Ｐと電子の減速空間Ｇが存在し得る範囲内でカソード電極５Ａと被照射体６との間の距離を可能な限り短くする。アノード電極５Ｂに電圧を供給してプラズマ空間Ｐにプラズマを発生させる。カソード電極５Ａと被照射体６との間に電圧を供給して電子ビームを発生させて被照射体６の選択された被照射面に電子ビームを照射する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ化が困難なガスのプラズマを容易に生成することができるプラズマ生成用ガスおよびプラズマ生成方法並びにこれにより生成された大気圧プラズマを提供する。
【解決手段】大気圧プラズマを生成するために用いられるプラズマ生成用ガスであって、プラズマとなることにより処理能力を有するとともに、プラズマ生成用ガス全体をプラズマ源に搬送するためのベースガス（キャリアーガス）としてのアルゴン（Ａｒ）と、前記大気圧プラズマの処理効果を向上する処理効果向上ガスとしての酸素ガスもしくは炭酸ガスとの混合ガスとした。 （もっと読む）

【課題】被処理物に形成された酸化膜に対して、酸化膜中に含まれる酸素原子を分離させるために必要な量以上の水素ラジカルを照射して酸化膜を高速に除去するとともに、前記水素ラジカルを含むプラズマの温度を調整して被処理物等へダメージフリーな酸化膜除去方法を提供することを目的とする。
【解決手段】被処理物の表面の原子が酸素原子、窒素原子または硫黄原子のうち少なくとも１種類と結合することにより形成された被膜に対して、プラズマ生成用ガスに電圧を印加することにより発生したプラズマを照射して前記被膜中の前記酸素原子、窒素原子または硫黄原子を除去する。 （もっと読む）

【課題】ハロゲンガスを用いずに少なくとも白金を含む層をエッチングすることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷに形成された白金マンガン層３７を所定のパターン形状を有するタンタル層３８を用いてエッチングする際、一酸化炭素ガス、水素ガス及びアルゴンガスを含む処理ガスを用い、該処理ガスにおける一酸化炭素ガス及び水素ガスの流量合計に対する水素ガスの流量比が５０％乃至７５％である。 （もっと読む）

【課題】基板から銅含有層の少なくとも一部を除去する方法を提供する。
【解決手段】第１反応チャンバ中で、銅含有表面層４の少なくとも一部を、ハロゲン化銅表面層５に変える工程と、第２反応チャンバ中で、光子含有雰囲気６に晒して、ハロゲン化銅表面層５の少なくとも一部を除去して、揮発性のハロゲン化銅生成物８の形成を始める工程とを含む。光子含有雰囲気６に晒す間に、この方法は、更に、第２反応チャンバから揮発性のハロゲン化銅生成物８を除去し、第２反応チャンバ中で揮発性のハロゲン化銅生成物８の飽和を避ける工程を含む。本発明の具体例にかかる方法は、銅含有層のパターニングに用いられる。例えば、本発明の具体例にかかる方法は、半導体デバイス中に銅含有相互接続構造を形成するのに使用される。 （もっと読む）

【課題】ハロゲンガスを用いずに銅部材のエッチングレートを高くすることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０において、円滑化された表面５０を有するＣｕ層４０を得た後、水素ガスにメタンガスを添加した処理ガスを処理室１５の内部空間へ導入し、該処理ガスからプラズマを生じさせて、酸化層４２のエッチングの際に生じた酸素ラジカル５２、並びにメタンから生じた炭素ラジカル５３を処理室１５の内部空間に存在させ、酸素ラジカル５２や炭素ラジカル５３から有機酸を生成し、該有機酸をＣｕ層４０の銅原子と反応させて銅原子を含む有機酸の錯体を生成し、さらに、該生成された錯体を蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】環境負荷を低減し、かつ従来のプラズマストリッパーに比べて格段に高速、短時間で被皮処理ワイヤの表面処理を可能にした同軸マグネトロンプラズマストリッパーを提供する。
【解決手段】内部に動作ガスが導入される筒状の外側陽極電極１２と、外側陽極電極１２内に同軸的に配置された線状の中心陽極電極１３を備える。さらに、外側陽極電極１２内に中心陽極電極１３を囲うように配置されて軸方向に移送される陰極となる複数の被処理ワイヤ１４と、外側陽極電極１２内に軸心方向の磁界Ｂを発生させる磁界発生手段１５とを備える。被処理ワイヤ１４の周りで発生するマグネトロンプラズマ１０で被処理ワイヤ１４の表面処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングにより、強誘電体層のテーパー角を７０°以上に加工し、かつ側壁にエッチング生成物が付着しない圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に下部電極膜１２と強誘電体層１３と上部電極膜１４がこの順に積層された処理対象物上に有機物からなるレジスト１５を配置する。化学構造中にハロゲン元素を含むガス（ただし、Ｃｌ₂は除く）と希ガスとの混合ガスをプラズマ化し、レジスト１５と処理対象物２１に接触させ、また処理対象物２１下の電極にバイアス電圧を印加して、プラズマ中のイオンを入射させ、異方性エッチングする。エッチングされた側面のテーパー角度は７０°以上に形成され、側面にエッチング生成物は付着しない。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理空間からの排気を均一に行う。
【解決手段】プラズマ処理空間を囲う真空チャンバ２と、その壁を貫通する開口２ａに対して外側から吸引口５１ａが連通接続された真空ポンプ５０と、プラズマ処理空間に臨んで基板を乗載可能な基板支持体１２とを備えたプラズマ処理装置において、真空ポンプ５０を介して真空チャンバに基板支持体１２を固設する。また、その支持脚１２ａが、開口２ａの中央を通り、真空ポンプ５０の支軸５２を兼ねるようにする。さらに、その支軸５２を中空の杆体にする。これにより、プラズマ処理空間から開口に至る排気路が基板支持体の周りで同じになるうえ、その開口のところでも同一性が維持されて、排気が均一になる。コンパクトな装置にもなる。 （もっと読む）

【課題】装置を特に複雑化することなく、被処理物上でのプラズマの均一性を損なわずに、耐圧誘電体部材の内表面における不均一な反応生成物の付着防止と削れ防止とがバランスよくほぼ均一に達成できるようにする。
【解決手段】耐圧誘電体部材５を介し減圧可能なチャンバ１内に反応ガスからのプラズマ６を発生させて対向電極３上の被処理物２に働かせエッチングなどのプラズマ処理を行わせる第１の電極４と、第１の電極４と前記耐圧誘電体部材５との間に設けられて耐圧誘電体部材５の内表面５ａの反応生成物が付着するのを防止する第２の電極７とを備え、第２の電極７の耐圧誘電体部材５の内表面５ａからの電極距離Ｌ２を、それらの各対向域における耐圧誘電体部材５の内表面５ａでの反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との部分的な違いに応じて設定することにより、上記の目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】金属材料の表面積を大きく増加させることのできる金属材料表面へのワイヤ状突起物の形成方法、及び該ワイヤ状突起物を備える金属材料を提供する。
【解決手段】アルゴンガス等の不活性ガスをチャンバ内に導入しながら、高周波電力の出力によりチャンバ内にプラズマを発生して、チャンバ内に設置された金属材料の表面のスパッタエッチングを行う（ステップＳ３）。これにより、金属材料の表面に円錐状突起物が形成される。さらに、アルゴンガスに加えて、水或いは水素をチャンバ内に導入しながら、引き続き、高周波電力の出力によりチャンバ内にプラズマを発生して、金属材料の表面のスパッタエッチングを行う（ステップＳ４）。これにより、金属材料の表面にワイヤ状突起物が形成される。ワイヤ状突起物は、円錐状突起物の先端から成長している。 （もっと読む）

【課題】基準面からの凹面の厚さを均一化する加工方法を提供する。
【解決手段】ラジカル反応による無歪精密加工方法は、複数の凹面が形成された被加工物２０と加工電極４とを相対的に走査させて、被加工物をラジカル反応により加工する方法であって、被加工物２０の複数の凹面３１〜３６の基準面２２からの厚さを被加工面のほぼ中央の座標位置でそれぞれ個別に測定する工程と、これらの測定値を複数の凹面毎に加工電極４の走査方向に連続する近似曲線Ｃを作成する工程と、この近似曲線Ｃから厚さの最小値を算出する工程と、近似曲線Ｃに基づき任意の座標位置の基準面から厚さを算出し、任意の座標位置の基準面から厚さと最小値との差を加工量として算出する工程と、加工量に基づき、加工電極４の走査速度を算出する工程と、を有し、走査速度に基づき加工時間を制御する。このような加工方法によれば、複数の凹面の基準面２２からの厚さを均一化できる。 （もっと読む）

【課題】ＴＳＶ(Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ ｈｏｌｅ)加工用の薄化Ｓｉ基板の支持ガラスの熱伝導効率を上げることで、加工処理速度や、成膜速度、膜質を向上させる。
【解決手段】凹部１６と凸部１７からなる凹凸パターン１５を裏面１２側に形成した、再利用可能な支持ガラス基板１１の表面１３側に接着剤２４で貼り合わせた薄化半導体基板１９をＥＳＣ電極２上に載置することによって前記半導体基板１９の冷却を促進し、ＴＳＶ加工速度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ中における負イオンの利用効率を高め、強誘電体や貴金属などの難エッチング材であっても高速エッチングを可能とし、装置の簡略化、低コスト化を図る。
【解決手段】基板(20)に対してトランス結合されたバイアス用高周波電源(52)と当該トランス(56)の二次側に直列接続されたバイアス用直流電源(54)とを用い、高周波電圧と直流電圧とを重畳させた基板バイアス電圧を基板(20)に印加する。基板バイアス電圧の自己バイアス電圧Ｖdcとピーク−ピーク間電位差Ｖppを独立に制御可能とし、Ｖdcを０Ｖ以上にすることが好ましい。プラズマ生成部(14)で生成される表面波プラズマの表面波共鳴密度は、4．1×10⁸cm^-3以上1．0×10¹¹cm^-3以下であることが好ましい。この条件を満たすようプラズマ生成用高周波電源(36)の周波数と誘電体部材（30）の比誘電率の組合せが設計される。 （もっと読む）

本発明による鋼板通板装置は、進行する鋼板の厚さ変化に対応しながら鋼板を通板させる上下部シールロールと、前記鋼板の幅変化に対応しながら前記シールロールと協働してチャンバ壁を通過する鋼板を包囲状態でシールするように提供される鋼板シールユニットと、を含む。
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【課題】低気圧から高気圧まで広い動作気圧に対応できる高密度プラズマを用いて、環境負荷を低減し、かつ高速での被皮処理ワイヤの表面処理を可能にした高密度プラズマストリッパーを提供する。
【解決手段】動作ガスが導入されるチャンバ４２と、チャンバ内に配置されチャンバを貫通して移送される被処理ワイヤ４３と、チャンバ内に被処理ワイヤを取り囲むように配置され各誘電体で被覆された複数の導電体４４［４４Ａ〜４４Ｃ］と、複数の導電体のそれぞれに同電位の高電圧低周波電圧あるいは高電圧三相交流電圧を印加する交流電源と、被処理ワイヤに負の直流バイアス電圧を印加する直流バイアス電源とを備える。そして、処理ワイヤ４３の周りで発生する、チャンバと被処理ワイヤとの間の直流放電と、被処理ワイヤと複数の導電体との間の誘電体バリア放電とからなる複合プラズマで、被処理ワイヤ４４の表面処理を行う。 （もっと読む）

本発明は、微粒子化の低減を示すプラズマエッチング耐性層で基板をコーティングする方法であって、基板にコーティング層を適用するステップを含む方法を含み、コーティング層は、約２０ミクロン以下の厚さを有し、ある時間にわたってフッ素ベースのプラズマに曝露された後のコーティング層は、コーティング層の断面に広がるいかなるクラックまたは亀裂も実質的に含まない。［００６２］記載される方法によって調製されるコーティングされた基板。また、本発明には、フッ素ベースの半導体ウエハー処理プロトコルで構造要素として使用するためのコーティングされた基板も含まれ、コーティングは、約２０ミクロン以下の厚さを有するコーティング層であり、ある時間にわたってフッ素ベースのプラズマに曝露された後のコーティング層は、コーティング層の断面に広がるいかなるクラックまたは亀裂も実質的に含まず、微粒子化の低減を示す。
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【課題】既存のコーティングを除去する領域の幅を場合毎に望ましい寸法に調整できるようにする方法と装置を提供する。
【解決手段】本発明によれば、基板（４）のコーティングした面に向けられたプラズマの助けによって、コーティング、特に金属含有コーティングを備える基板（４）の一部の範囲、特に周辺ゾーン（１１）で層を除去する。プラズマヘッド（１０）を基板（４）に対してしかるべく位置合わせすること、及び／または対応する必要な数のプラズマヘッド（１０）を動作させて、１列の互いに隣接して配置したいくつかのプラズマヘッド（１０）または修正可能な断面を有する１つのプラズマヘッドから、望ましい層除去幅でプラズマを基板に向けることによって、層を除去するゾーン（１１）の幅を調整すればよい。層の厚さ全体にわたるコーティングを部分的にだけ除去することも可能である。 （もっと読む）