【課題】形成されるパターンのアスペクト比が高くてもパターンが歪むのを防止することができるエッチング処理方法を提供する。
【解決手段】処理室１５内部にプラズマ生成用の高周波電力５５が印加され、サセプタ１２にイオン引き込み用の高周波電力５６が印加され、上部電極板２７に負の電位の直流電力が印加される基板処理装置１０において、ウエハＷ上のフォトレジスト膜４５において形成されたパターン４４の形状を改良する際、フォトレジスト膜４５をプラズマでエッチングし、該フォトレジスト膜４５を用いてＳｉＯ_２膜４０をプラズマでエッチングする際、負の電位の直流電力を上部電極板２７に印加するとともに、プラズマ生成用の高周波電力５５及びイオン引き込み用の高周波電力５６をパルス波状に印加してプラズマ生成用の高周波電力５５及びイオン引き込み用の高周波電力５６が印加されない状態を作り出す。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理プロセスの種類に応じて適切なマルチポール磁場の状態を容易に制御、設定することができ、良好な処理を容易に行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】磁場形成機構が、上下に分離して設けられた上側磁場形成機構２２ａと下側磁場形成機構２２ｂとから構成され、これらの上側磁場形成機構と下側磁場形成機構を、互いに近接、離間するよう上下方向に移動可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】従来技術ではデュアルダマシン構造Ｖｉａ工程のＬｏｗ−Ｋ膜エッチング後の孔底部のエッチングにおいて、ストッパ膜のエッチングが進行しない課題があった。
【解決手段】本発明はプラズマエッチングするデュアルダマシンプロセスにおいて、デュアルダマシンプロセスのＶｉａ加工方法は、Ｖｉａパターニングされた上層レジスト膜をマスクとして反射防止膜をエッチングする第１ステップと、上層レジスト膜及び反射防止膜をマスクとして下層レジスト膜をエッチングする第２ステップと、下層レジスト膜をマスクとして前記Ｌｏｗ−Ｋ膜をエッチングする第３ステップと、ストッパ膜のエッチング前にプラズマ処理を行う第４ステップと、ストッパ膜をエッチングする第５ステップとを有することである。 （もっと読む）

【課題】基板同士を接合する前に、当該基板の表面を適切に活性化する。
【解決手段】表面活性化装置の処理部７０は、処理ガスをプラズマ励起させてラジカルを生成するラジカル生成ユニット８０と、ラジカル生成ユニット８０で生成されたラジカルを用いて、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌの表面Ｗ_Ｕ１、Ｗ_Ｌ１を活性化する処理ユニット８１とを有している。処理ユニット８１は、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌを収容する処理容器１２０と、処理容器１２０内にラジカルを供給するラジカル供給口１３１と、ラジカル供給口１３１の下方に設けられ、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌを載置して熱処理する熱処理板１４０と、処理容器１２０内をラジカル供給口１３１側のラジカル供給領域Ｒ１と熱処理板１４０側の処理領域Ｒ２に区画するように設けられ、ラジカルをラジカル供給領域Ｒ１から処理領域Ｒ２に導入させるラジカル導入板１５０と、備えている。 （もっと読む）

【課題】経済性を備え、地球環境に対する影響が小さく、かつ必要とされる性能を有するドライエッチング剤を提供する。
【解決手段】化学式ＣＦ_３Ｃ≡ＣＸ（但し、ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＨ_３、ＣＦＨ_２、又はＣＦ_２Ｈを表す。）で表される化合物を含むドライエッチング剤を用いることにより、酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物、オキシフッ化物、シリサイド及びこれらの合金等を好適にエッチングできる。ドライエッチング剤は、大気中での分解性があり、地球温暖化への寄与もＣＦ_４やＣＦ_３Ｈ等のＰＦＣ類やＨＦＣ類より格段に低く、環境への負荷が低い。さらに、第二のガスとして、含酸素ガス、含ハロゲンガス、あるいは第三のガスとして不活性ガスと混合することで、飛躍的にプロセスウインドウを広げることができ、特殊な基板の励起操作等なしに高アスペクト比が要求される加工にも対応できる。 （もっと読む）

【課題】化学処理チャンバ及び／又は熱処理チャンバを保護するシステムを提供する。
【解決手段】内表面の少なくとも一部分上に形成された保護バリアを有する温度制御された化学処理チャンバを備え、基材上の露出表面層を非プラズマ環境の下で化学的に変化させる化学処理システムと；温度制御された熱処理チャンバを備え、化学変化された基材上の前記表面層を熱処理する熱処理システムと；前記熱処理システムおよび前記化学処理システムに接続された断熱組立体と；を備える処理システムにより上記課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】マスクに形成されたマスク膜のパターン形状を保ちながら、マスク膜に付着したシリコン酸化物を含む異物を除去することができるマスク洗浄方法、マスク洗浄装置及びペリクルを提供する。
【解決手段】マスクの洗浄方法は、シリコン酸化物を含む異物が付着したマスク膜を表面に有するマスクを用意する工程と、希フッ酸蒸気を含む洗浄ガスにおいて、マスク膜に対するエッチングレートよりも異物に対するエッチングレートが高くなる温度にマスクを保持する工程と、マスクの表面に洗浄ガスを供給して異物をエッチングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】面取り基板のルーティング方法を提供する。
【解決手段】基板４の環状周囲ゾーン上にプラズマを用いて保護材料層６を堆積するステップと、前記基板の正面４１上に前記基板の縁部４３から所定の距離に延在する保護材料リング６０を残してアクセス可能な環状周囲ゾーン４００’の境界を定めるようにプラズマを用いて前記保護材料を部分的にエッチングするステップと、基板４の前記アクセス可能な環状周囲ゾーンを有するレベルのプラズマを用いてルーティングされる前記基板を構成する材料の厚さをエッチングするステップと、プラズマを用いて保護材料リング６０を除去するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】
真空処理室の残留ガスと導入ガスを高速に置換することのできる真空処理装置を提供する。
【解決手段】
真空処理室１０９内に、それぞれ異なるガスを導入する複数の処理ステップにより試料１１７の処理を行なう真空処理装置において、複数の処理ステップを継続する時、前ステップ終了時のガス流量を定常処理時の設定値より減少させる、または後ステップの開始時のガス流量を設定値より増加させる、または前ステップ終了時のガス流量を設定値より減少させ、且つ後ステップの開始時のガス流量を設定値より増加させる。これにより高速置換が可能となり安定した真空処理が実現できる。 （もっと読む）

【課題】複雑な工程を要することなく、簡易にターボ分子ポンプの内部に付着した付着物を除去することのできる基板処理装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】処理ガス供給機構１０２からの処理ガスの供給を停止する工程と、ターボ分子ポンプ１０３を停止する工程と、真空ポンプ１０４を駆動してターボ分子ポンプ１０３の排気側圧力を低下させつつターボ分子ポンプ１０３を加熱機構１０７によって加熱してターボ分子ポンプ１０３内に付着した付着物を除去する除去工程とを実施する。 （もっと読む）

本発明は、低圧プラズマ工程によって被覆された適応性ナノコーティングに関する。本発明はまた、そのような適応性ナノコーティングを、三次元ナノ構造体、特に導電性および非導電性要素を含む三次元構造体の上に形成する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】アニール後のＳｉＣ表面を清浄かつ平滑に保ち良好な特性のデバイスを作成する方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１の表面層に不純物のドーピングを行なう工程と、不純物がドーピングされたＳｉＣ基板の表面に、不活性ガス雰囲気中でカーボン膜２を堆積する工程と、カーボン膜が堆積されたＳｉＣ基板をアニール処理する工程と、アニール処理されたＳｉＣ基板に堆積されているカーボン膜を除去する工程とを含むことを特徴とするＳｉＣ半導体素子の製造方法。好ましくはカーボン膜は水素濃度が５at％以下であること。カーボン膜を堆積する工程はＥＣＲスパッタ法、ＲＦスパッタ法、ＤＣスパッタ法、およびイオンビームスパッタ法のうちのいずれかの方法を用いてカーボン膜を堆積すること。カーボン膜を除去する工程は、水素プラズマ、硫化フッ素プラズマ、フッ化カーボンプラズマ、窒素プラズマを用いてカーボン膜を除去する。 （もっと読む）

高速の原子層エッチング（ALET）を行うシステムおよび方法であり、パルスプラズマ源と、反応チャンバを有している。プラズマ源は、螺旋状コイル電極と、冷却されるファラデーシールドと、管の上部に配置されたカウンタ電極と、ガス注入口とを有し、反応チャンバは基板サポートと境界電極を有する。この方法は、プラズマエッチングチャンバの中にエッチング可能な基板を設置する段階と、基板の表面上に生成層を形成する段階と、プラズマ源をパルス駆動することによって生成層の一部を除去する段階と、その後、生成層を形成する段階と生成層の一部を除去する段階とを繰り返してエッチングされた基板を形成する段階を有する。
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【解決手段】ワークピースをテクスチャリングもしくは製造する方法を開示する。ワークピースは、たとえば太陽電池であってよい。テクスチャリングは、プラズマとプラズマシースとの間の境界の形状が絶縁性調整器により調整されたプラズマを用いたエッチングもしくは局所的スパッタリングであってよい。エッチング工程間もしくはスパッタリング工程間でワークピースを回転させてピラミッドを形成してよい。絶縁性調整器により調整されたプラズマから形成されるイオンにより、ワークピースの領域をエッチングもしくはスパッタリングして、ドーピングしてもよい。これらのドープ領域に金属層を形成してよい。 （もっと読む）

【課題】低誘電率層間絶縁膜と多層配線とを備える半導体装置において、低誘電率層間絶縁膜の表面が雰囲気に露出して吸湿するのを防止し、また、金属配線の界面及び低誘電率層間絶縁膜がコンタクトホール内に露出してオーバーエッチングされるのを防止することを目的とする。
【解決手段】水分の透過を防止しつつエッチングストッパとしても機能するエッチング防止膜１４を低誘電率層間絶縁膜３の表面に形成し、更に、水分の透過を防止しつつエッチングストッパとしても機能するエッチング防止膜６を形成して、吸湿防止効果を有するエッチング防止膜を二重にする。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの製造プロセスにおいて、シリコン酸化膜、窒化シリコン膜、シリコン含有低誘電率膜等のシリコン含有膜のエッチング速度の低下を防ぎ、レジストや下地のシリコンなどに対して、選択的にエッチングすることができるドライエッチングガス及びそれを用いたエッチング方法を提供する。
【解決手段】ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２を含むドライエッチングガス。ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２の含有率は、流量比５〜１００％であることが好ましい。 （もっと読む）

【目的】Ｃｕ配線寿命の劣化と絶縁膜の絶縁性劣化を共に低減する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、チャンバ内面にシリコン（Ｓｉ）膜を表面層とする多層膜を形成する工程（Ｓ１０２）と、前記多層膜が内面に形成されたチャンバ内に、表面に銅（Ｃｕ）配線と絶縁膜とが形成された基板を配置して、希ガスプラズマ処理を行なう工程（Ｓ１０６）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、対レジスト選択比や加工形状のエッチング性能に優れるだけでなく、入手が容易で、環境に負荷をかけるＣＦ₄を実質的に副生しない新規なエッチングガスを提供する。
【解決手段】
ＣＨＦ₂ＣＯＦを含んでなるエッチングガスであって、Ｏ₂、Ｏ₃、ＣＯ、ＣＯ₂、Ｆ₂、ＮＦ₃、Ｃｌ₂、Ｂｒ₂、Ｉ₂、ＸＦ_n（式中、ＸはＣｌ、ＩまたはＢｒを表し、ｎは１≦ｎ≦５の整数を表す。）、ＣＨ₄、ＣＨ₃Ｆ、ＣＨ₂Ｆ₂、ＣＨＦ₃、Ｎ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｋｒなど、または、ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₂，Ｃ₂Ｈ₄，Ｃ₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₄、Ｃ₃Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₈、ＨＩ、ＨＢｒ、ＨＣｌ、ＣＯ、ＮＯ、ＮＨ₃、Ｈ₂など、または、ＣＨ₄、ＣＨ₃Ｆ、ＣＨ₂Ｆ₂、ＣＨＦ₃の中から選ばれた少なくとも１種のガスを添加物として含むエッチングガス。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に形成する溝の寸法を制御しやすい半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、デュアルダマシンのビアが形成された下側絶縁膜と、ビアを埋め下側絶縁膜上に延在しレジスト材料でできた樹脂膜と、樹脂膜上に形成された酸化シリコン膜と、酸化シリコン膜上方に形成されたレジストパターンとを有するエッチング対象物に対し、レジストパターンをマスクとし、Ｃ_４Ｆ_６、ＣＨＦ_３、Ｃ_４Ｆ_８、及びＣＨ_３Ｆから選択されたガスの使用量、及び、Ｏ_２及びＡｒから選択されたガスの使用量を定めるレシピを複数含みエッチングチャンバの制御装置に記憶されたレシピ群から選択されたレシピで、酸化シリコン膜をエッチングして、ハードマスクを形成する工程と、ハードマスクを用い、樹脂膜及び下側絶縁膜をエッチングして、デュアルダマシンのトレンチを形成する工程とを有する。 （もっと読む）