【課題】被処理物の被処理領域が均一に処理されるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１００２は、被処理領域１９０８の平面形状と同一の平面形状を有する第１の対向面１０２０を持つ第１の電極１０１２を備える第１の電極構造体１００４に支持されたワーク１９０２を線状の第２の対向面１０５０を持つ第２の電極１０４６を備える第２の電極構造体１０３６で走査する。また、プラズマ処理装置１００２は、第２の電極構造体１０３６でワーク１９０２を走査しながら第１の電極１０１２と第２の電極１０４６との間に電圧を印加し、第１の電極構造体１００４と第２の電極構造体１０３６との間隙１０３８にプラズマを発生させることにより、ワーク１９０２の上面１９０４にプラズマを作用させる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの表面をプラズマエッチングする工程を含むシリコンウェーハの加工方法において、ウェーハの厚みのムラを抑制するとともにウェーハ表面に突起形状が発生するのを抑制することが可能なシリコンウェーハの加工方法を提供する。
【解決手段】フッ酸を含む洗浄液によりシリコンウェーハの表面の自然酸化膜を除去する洗浄工程Ｓ６と、この洗浄工程の直後にシリコンウェーハの表面をプラズマエッチングするプラズマエッチング工程Ｓ７とを含み、洗浄工程Ｓ６は、洗浄液による洗浄時間、洗浄液の温度、及び洗浄液の濃度の少なくとも１つを調整して、シリコンウェーハの表面の自然酸化膜の厚みを０．３ｎｍよりも厚く、０．７ｎｍよりも薄く形成する。 （もっと読む）

【課題】有機膜および無機膜を備えた積層膜の各膜に対して均一に一貫処理を施す。
【解決手段】処理ガスを供給するガス供給管を備えた真空容器１と、該真空容器内に配置された基板電極３と、前記真空容器内で前記基板電極に対向して配置されたアンテナ電極７と、前記基板電極とアンテナ電極間の距離を処理雰囲気中で変更可能な電極間距離調整手段を備え、前記アンテナ電極に高周波エネルギを供給して供給された処理ガスに高周波エネルギを供給してプラズマを生成し、前記基板電極にイオン引き込み用高周波電圧を供給して、生成された前記プラズマ中のイオンを加速して前記基板電極上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、前記試料は有機膜と無機膜を積層した構造を備える絶縁膜構造を具備し、前記有機膜をエッチングするときは、前記無機膜をエッチングするときよりも前記電極間距離を大きく設定する。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン膜下層の金属材料を、ポリシリコン膜へダメージを与えずにエッチング処理する方法を提供する。
【解決手段】ポリシリコン膜１０５をエッチングした後に、カーボンを含むプラズマによりポリシリコン膜１０５の側壁にカーボンポリマの保護膜１０７を形成させることで、ウェハの高温化や処理圧力の低圧力化により揮発性をあげたエッチング条件下で、ハロゲン系ガスのプラズマにより下層膜である金属材料１０４のエッチング処理を行っても、ポリシリコン膜１０５のサイドエッチ及び側壁荒れを防止することができる。また、このカーボンポリマによる保護膜１０７により、金属材料１０４をエッチングする際に飛散した金属物質はポリシリコン膜１０５に直接付着することなく、アッシング工程によりカーボンポリマの保護壁１０７とともに簡単に取り除くことができる。 （もっと読む）

【課題】マイクロローディング効果の制限を受けることなく、さらにサイドエッチの少ない良好な形状を得ることのできるドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】プラズマを用いて、疎部および密部を有するパターンを表面に形成した試料をエッチングするドライエッチング方法において、パターンの疎部のエッチング速度に比べてパターンの密部のエッチング速度が速いＣＦ系ガスと窒素ガスを含むエッチングガスを用いた第１のエッチングステップと、パターンの密部のエッチング速度に比べてパターンの疎部のエッチング速度が速い第２のエッチングステップとを用いる。 （もっと読む）

【課題】シリコンの表面を、凹凸がナノオーダーになる程度に粗化する方法を提供する。
【解決手段】ＣＦ_４とＡｒとＨ_２Ｏを含むフッ素系原料ガスを大気圧近傍下のプラズマ空間１３に導入して、ＨＦを含むフッ素系反応ガスを生成する。このフッ素系反応ガスと、Ｏ_３を含む酸化性反応ガスと、プラズマ空間１３を経ないＮ_２等の希釈用不活性ガスとを混合して処理ガスを得、この処理ガスをシリコン基板９からなる被処理物に接触させる。フッ素系反応ガスと希釈用不活性ガスの流量比を、（フッ素系反応ガス）：（希釈用不活性ガス）＝２：３〜２：１２とし、好ましくは２：５〜２：８にする。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物の洗浄処理の効率化して洗浄ガスの供給量を減らし、経済性に優れたドライ洗浄装置用反応炉を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体製造装置における汚染部品を洗浄する装置であって、洗浄ガス導入管１６とガス排出管２０を有する反応室８と、反応室８内で汚染部品２２を支持する支持手段４と、汚染部品２２を反応室８内で高温に保持するための遮熱部材７ａ，７ｂと、反応室８内を加熱する加熱手段３とを備え、前記洗浄ガス導入管１６を反応室８内の下部に配置した。これにより、反応室８内の下部から供給された洗浄ガスは、加熱装置３で加熱されて上部へ移動するので、汚染部品２２の汚染物と効率的に反応させることができ、効率的に汚染部品２２を洗浄することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】処理ガス中に雰囲気ガスより重い成分が含まれていても、ほぼ垂直に立てた被処理物の処理を過不足無く均一に行なう。
【解決手段】被処理物９の被処理面９ａを略垂直に向ける。略垂直に分布する吹出し口２１ａを有するノズル２０を被処理物９と対向させる。雰囲気ガスより重い反応成分を含む処理ガスをノズル２０に導入する。吹出し口２１ａの近傍で流速調節用の窒素ガスを処理ガスに混入する。混入後の処理ガスを吹出し口２１ａから吹き出す。吹き出し時の処理ガスの流速が０．１ｍ／ｓ〜０．５ｍ／ｓになるよう、流速調節用ガスの混入流量を調節する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ雰囲気の周囲に存在する銅による影響を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の上方に絶縁膜１８〜２１を形成する工程と、絶縁膜１８〜２１上にレジスト膜２４を形成する工程と、レジスト膜２４の上方にマスク膜２５を形成する工程と、マスク膜２５の上方にレジストパターン２７を形成する工程と、レジストパターン２７をマスクにしてマスク膜２５をエッチングする工程と、酸素ガスとハイドロフロロカーボンガスの混合ガスを導入し、３０ｍＴｏｒｒ以上の圧力の雰囲気内で、マスク膜２５から露出する領域のレジスト膜２４をエッチングする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】中性粒子ビームにより、プラズマ処理に比べて被処理物に損傷を与えることなく有機半導体化合物をエッチングすることが可能なエッチング方法を提供する。
【解決手段】有機半導体からなる薄膜２８が形成されている基板２６に中性粒子ビームを照射することによってエッチングを行なうエッチング方法であり、中性粒子ビームは酸素からなることが好ましく、有機半導体はアセン類、ビススチリルベンゼン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、フタロシアニン類、ペリレン誘導体、フラーレンまたはフラーレン誘導体のいずれかであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】難エッチング材料を不活性ガスによりエッチングする際に残渣なく加工する方法を提供する。
【解決手段】難エッチング性の金属薄膜２上に、断面形状がハンマーヘッド型となるようにレジスト４を形成した後に前記金属薄膜をドライエッチングし、その後前記レジストを除去する。前記ハンマーヘッド型の断面形状を有するレジストパターンは、現像液に対する溶解速度が異なる２種類のレジストを積層塗布して露光・現像することによって得る。 （もっと読む）

一部の実施形態では、プラズマ処理ツールを利用して処理対象物に対して材料を堆積させる。例えば、材料をコンフォーマルに堆積させる方法が開示される。本実施形態では、プラズマシースの形状を変更して、処理対象物に対して材料が入射角度の範囲で衝撃を与えるようにする。この入射角度の範囲を経時的に変更することにより、様々なフィーチャを堆積することが可能となる。別の実施形態では、プラズマ処理ツールを利用して処理対象物をエッチングする。この実施形態では、プラズマシースの形状を変更して、処理対象物に対してイオンが入射角度の範囲で衝撃を与えるようにする。この入射角度の範囲を経時的に変更することにより、様々な形状のフィーチャを作成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】電極間のリーク電流の発生及び応力集中が効果的に抑制されるとともに、高密度化が可能であり、さらに、圧電体層のプラズマダメージが抑制された圧電素子を提供する。
【解決手段】圧電素子１０は、支持体１２と、支持体１２上に形成されている下部電極１６と、下部電極１６上に形成されている圧電体層２０と、圧電体層２０上に下部電極１６と対向するように形成されている上部電極２４と、を有し、圧電体層２０の下部電極１６側の面が上部電極２４側の面よりも大きくなるように圧電体層２０の下部電極１６側の周囲に段差部２０Ａが形成されている。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマ処理チャンバーの基板デチャックシステムは、基板のデチャック時に、電位スパイクを減少させて、基板をＥＳＣ（静電チャック）から取り外せるように構成される。 （もっと読む）

マスクパターンを基板上に形成した後にエッチングプロセスによって所望のパターンを形成するように前記基板を処理する方法は、前記基板上に2つの層を形成する工程、前記マスクパターン又は前記2つの層のうちの1層のエッチングパターンの幅を測定する工程、並びに、前記の測定された幅に基づいて、前記エッチングプロセスにおいて用いられるHBr及び他の気体のうちのいずれか1つの流速を調節する工程を有する。前記2つの層は、シリコン窒化物層及び有機誘電層を有して良い。
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【課題】効率的な製造工程を提供し、製造コストを低減することができる半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造装置１００は、ウェハカセット２，３，４と、ウェハの洗浄および表面改質を行う装置５と、ウェハの位置合わせを行う装置６と、ウェハ表面にパッシベーション膜となる材料を射出する装置７と、パッシベーション膜の外観検査を行う装置８と、パッシベーション膜に熱処理を行う装置９と、処理順にウェハを各装置に搬送する装置１０を備えている。製造装置１００では、インクジェット技術を用いて、洗浄後のウェハ表面に、選択的にパッシベーション膜のパターンを形成する。次いで、パッシベーション膜のパターンが、所望のパターン条件を有しているか否かを検査する。パッシベーション膜が所望のパターンで形成されている場合に、パッシベーション膜を硬化および焼成する熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体製造装置を構成する部品を洗浄する際に、反応管内壁、特に封止キャップの内壁への反応生成物の付着を抑制して、作業者が安全に作業することができる洗浄方法及び洗浄装置を得る。
【解決手段】窒化物半導体製造装置内の汚染された部品９を、反応管１内で塩素系ガスを主成分とする洗浄ガスと接触させて汚染物質を除去した後、反応管１を冷却する際に、反応管１の両端開口部を閉塞する封止キャップ２と、封止キャップ２の封止面側に封止面との間に空間を有するように近接して設けられた防着板３との間にシールガスを流しながら冷却することを特徴とする窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】磁性層の表面を酸化またはハロゲン化させることなく、かつ、ダストによって表面が汚染されず、製造工程が複雑にならない磁気的に分離した磁気記録パターンが形成された磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性基板上１に磁性層２を形成する工程と、磁性層２の上に磁気記録パターンを形成するためのマスク層３を形成する工程と、磁性層２のマスク層３に覆われていない部位にイオンビーム１０を照射し、該部位７の磁性層２の上層部を除去すると共に、下層部８の磁気特性を改質する工程をこの順で有し、イオンビーム１０には、質量の異なる２種以上の正イオンを使用し、イオンビームを形成するイオンガンが、イオン源からの正イオンを基板側に押し出す正電極と、正イオンを基板側に加速させる負電極を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマによる放射器および絶縁管の変質やエッチングを防止する。
【解決手段】上端部が閉塞板１１ｂで閉塞され、下端部が開放端に形成された筒状の筐体３１と、閉塞板１１ｂの内面に立設された筒状の放射器１４と、不活性ガスＧ１を筐体３１内を経由して開放端まで搬送して筐体３１の外部に放出させる絶縁管１１ｃとを備え、筐体３１は内部に供給された反応性ガスＧ２を開放端から外部に放出して開放端の前方に反応性ガス雰囲気を形成する反応性ガス供給路として構成され、放射器１４が供給された高周波信号Ｓ１を放射して、絶縁管１１ｃ内にプラズマ化した不活性ガスＧ１による一次プラズマＰ１を発生させる。一次プラズマＰ１は、絶縁管１１ｃの先端部から反応性ガス雰囲気中に放出されて反応性ガスＧ２をプラズマ化させ、処理対象体６をプラズマ処理するための二次プラズマ等Ｐ２を発生させる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕダマシン多層配線構造におけるセミ・グローバル配線の形成方法において、ダマシン配線構造を形成する際、ドライ・エッチングによりビア底のエッチ・ストップ絶縁膜を除去した後、ビア底表面上のカーボン系堆積物等を抑制する為に、窒素プラズマ処理を行うことが一般的である。その後、連続放電によって窒素プラズマ除電を行ってウエハ搬送するシーケンスを実行すると、ビア・チェーン終端部にて、ある閾値以上の長さを有するパッド引き出し配線に接続された終端部のビア底で、Ｃｕえぐれが発生ことが、本願発明者らの検討によって明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、ダマシン・セミ・グローバル配線等のビア・ホール形成工程において、ビア底エッチ・ストップ膜に対するドライ・エッチング処理後、同処理室内で行われる窒素プラズマ処理に引き続いて、アルゴン・プラズマによる除電処理を実行するものである。 （もっと読む）