【課題】基材上にパターンを低温かつ低コストで形成することができると共に、リフトオフを容易にできるパターン構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係るパターン構造体の製造方法では、基材１０上に、インクジェット法によりリフトオフ材１２を形成する。次に、基材１０及びリフトオフ材１２上に、原子層堆積法により機能膜１４を形成する。次に、リフトオフ法によりリフトオフ材１２を除去することによって、基材１０上に、機能膜１４からパターン１４ａを形成する。リフトオフ材１２は、樹脂と溶媒とを含むインクを基材１０上に塗布した後、溶媒を除去することによって形成される。溶媒は、樹脂に対する第１溶解性を有する第１溶媒と、第１溶解性よりも低い第２溶解性を有する第２溶媒とを含む。第１溶媒は第２溶媒に相溶する。 （もっと読む）

【課題】種々の材料のガスクラスタイオンのビーム（ＧＣＩＢ）エッチングプロセスを実行するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】第１の材料、第２の材料及び前記第１の材料及び／又は第２の材料を曝露する表面を持つ基板を保持するための基板ホルダ回りを減圧環境に維持し、１又はそれ以上の目標エッチングプロセス特性を選択し、少なくとも１つのエッチングガスを含む加圧ガスからガスクラスタイオンビーム（ＧＣＩＢ）を形成し；前記１又はそれ以上の目標エッチングプロセス特性を達成するために前記ＧＣＩＢについてのＧＣＩＢプロセス条件の１又はそれ以上のＧＣＩＢ性質を設定し；前記減圧環境を通じて前記ＧＣＩＢを加速し；及び前記基板の前記表面の少なくとも１部分に前記ＧＣＩＢを照射して、前記第１の材料及び前記第２の材料の少なくとも１部分をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜にコンタクト部に到達する高アスペクト比のホールを形成する際に、ホール内のコンタクト材料とコンタクト部との間で十分なコンタクトがとれるようなホールを形成すること。
【解決手段】基板上にＢおよびＰの少なくとも一方を含むシリコン酸化物からなる第１の酸化膜と、その上に形成された、ＢおよびＰを含まないシリコン酸化物からなる第２の酸化膜とを有し、さらに第１の酸化膜および第２の酸化膜の界面より下方に形成されたコンタクト部を有する被処理体を準備し（ステップ１）、第２の酸化膜と前記第１の酸化膜をエッチングしてコンタクト部に到達するホールを形成し（ステップ２）、ＨＦガスおよび不活性ガスを用いたドライプロセスにより第１の酸化膜をエッチングし、第１の酸化膜のコンタクト部上方領域のホール部分を広げる（ステップ３）。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマ処理チャンバーの基板デチャックシステムは、基板のデチャック時に、電位スパイクを減少させて、基板をＥＳＣ（静電チャック）から取り外せるように構成される。 （もっと読む）

【課題】基板上に堆積されるべき物質は、半導体処理チャンバの種々の表面上の望ましくない物質を堆積する。高製造品質を維持するために、これを定期的、かつ最小の休止時間で、洗浄する必要があり、その方法と装置を提供する。
【解決手段】洗浄ガス混合物１０６の予備反応器１０２、と、そのバッファータンク１０７を有する装置を用い、ある時間に亘ってバッファータンク１０７に貯蔵した後、半導体処理チャンバ１００へ導入して、プラズマの発生なしで、かつ３００℃未満の温度で、前記チャンバの種々の表面から望ましくない物質を取除く。処理ガスとしては、ＮＦ３：ＮＯを１：１〜５：１で予備反応させたガスを用いる。又、表面上の望ましくない物質としては、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ、ＳｉＯ２，ＳｉＮ、ＳｉＯＮ，ポリＳｉ、αＳｉ、微結晶Ｓｉ、やＭ（Ｍ；Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｗ）の、Ｍ、ＭＮ、ＭＯｘ、ＭＯＮ、ＭＳｉＯｘＮｙ等が有る。 （もっと読む）

【課題】画素特性が良好で、製造が容易な構造を有する半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】少なくとも絶縁膜上に形成された金属膜をエッチングして金属配線を得る工程と、前記金属配線をマスクとして前記絶縁膜の１部をエッチングする工程とを含み、前記絶縁膜の１部のエッチングが、高周波電力の供給下及び真空下での塩素ガスと塩素化合物ガスとを含む処理用ガスに由来するプラズマによるエッチングであり、前記塩素ガスと塩素化合物ガスとが、２〜５倍の塩素化合物ガスの流量に対する塩素ガスの流量の比率で用いられることを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】エッチ処理に高アスペクト比を適用するための異方性特徴部を形成する方法を提供する。本願に記載の本方法は高アスペクト比の特徴部のプロファイルと寸法の制御を円滑に行い、有利である。
【解決手段】一実施形態において、基板上で誘電体層を異方性エッチングする方法は、誘電体層上にパターンマスク層が配置された基板をエッチチャンバ内に配置し、少なくともフッ素・炭素含有ガスとケイ素・フッ素ガスを含むガス混合物をエッチチャンバに供給し、ガス混合物から形成したプラズマの存在下で誘電体層に特徴部をエッチングすることを含む。 （もっと読む）

【課題】回路パターンが形成された半導体基板上に積層された絶縁膜の平坦化を図ると共に、該絶縁膜の膜厚のバラツキを抑制することができる半導体装置の製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】Ａ-Ａ線までエッチングされると、ＳＯＧ膜１６からＢＰＳＧ膜１４の一部が露出する。ＢＰＳＧ膜１４の一部が露出する点が「露出開始点」である。エッチング中の酸素原子のプラズマ発光強度の時間変化を観測して「露出開始点」を検出する。この「露出開始点」を基準として「エッチング終点」を設定するＥＰＤ検出を行い、ＢＰＳＧ膜１４の露出開始後もエッチングを継続し、ＢＰＳＧ膜１４の全面が露出するＢ-Ｂ線に到達する前に、Ｃ-Ｃ線でエッチングを終了する。 （もっと読む）

【課題】受光部上に開口部を形成するためのレジスト膜にクラックが生じることにより、意図しない部分の層間絶縁膜まで、エッチングされる。
【解決手段】エッチングマスクとして用いるレジストパターンの形状を、応力を分散させる形状に形成する。応力はレジストを露光し、現像した後にポストベークを施すことによってレジストが硬化されるために生じる。この応力を分散させるために、レジストパターンは平面形状で角を有しない形状に形成される。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜にコンタクト部に到達する高アスペクト比のホールを形成する際に、ホール内のコンタクト材料とコンタクト部との間で十分なコンタクトがとれるようなホールを形成すること。
【解決手段】基板上にＢおよびＰの少なくとも一方を含むシリコン酸化物からなる第１の酸化膜と、その上に形成された、ＢおよびＰを含まないシリコン酸化物からなる第２の酸化膜とを有し、さらに第１の酸化膜および第２の酸化膜の界面より下方に形成されたコンタクト部を有する被処理体を準備し（ステップ１）、第２の酸化膜と前記第１の酸化膜をエッチングしてコンタクト部に到達するホールを形成し（ステップ２）、ＨＦを含むガスによるドライプロセスにより第１の酸化膜をエッチングし、第１の酸化膜のコンタクト部上方領域のホール部分を広げる（ステップ３）。 （もっと読む）

【課題】コンタクト抵抗の低抵抗化と、コンタクト抵抗の面内ばらつきの低減とを両立することができる半導体装置の製造方法およびプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】コンタクトホール底部に対して、堆積物および半導体基板中のダメージ層の除去を目的として実施されるライトエッチング処理を、放電管２の周囲に配置されたリング状の電極１と半導体基板３との距離を調整した状況下で行う。当該距離は予め取得された、電極１と半導体基板３との間の距離と、コンタクト抵抗およびコンタクト抵抗のばらつきとの関係に基づいて設定することができる。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】チューブを絶縁層の開口形成領域上に絶縁層に接して配置し、そのチューブを通して処理剤（エッチングガス又はエッチング液）を絶縁層に吐出する。吐出（された処理剤（エッチングガス又はエッチング液）によって、絶縁層を選択的に除去し、絶縁層に開口を形成する。従って、導電層上に開口を有する絶縁層が形成され、絶縁層下の導電層が開口の底面に露出する。露出された導電層と接するように開口に導電膜を形成し、導電層と導電膜を絶縁層に設けられた開口において電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】 フォトレジストパターンをマスクとして下地膜をエッチングする際に、適正なパターンを形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１の膜１６上にフォトレジストパターン１８を形成する工程と、フォトレジストパターンをマスクとして用いて、第１の膜に第１の膜のエッチングレートを高める所定の注入物を注入し、第１の膜に注入層１６ａを形成する工程と、フォトレジストパターンをマスクとして用いて、注入層の少なくとも一部である第１の膜の第１の部分をエッチングする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】所定のエッチング条件がエッチング開口性が低くなるようなものである場合であっても、良好な開口性および選択性を両立することができるプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】処理容器１０内にエッチング対象の酸化膜、パターン化されたフォトレジストが順次形成された半導体ウエハＷを搬入し、下部電極１６に載置し、処理容器１０内に処理ガスとしてＣ_ｘＦ_ｙ、希ガス、Ｏ_２を含むものを供給し、上部電極３４にプラズマ生成用の高周波を印加し、下部電極１６にバイアス用の高周波を印加し、処理ガスのプラズマを生成して酸化膜をエッチングするにあたり、ウエハ温度やパターン形状等のエッチング条件が、エッチング開口性が低くなるようなものである場合に、上部電極３４に、良好なエッチング開口性が得られるように所定の直流電圧を印加する。 （もっと読む）

【解決手段】 本発明は、成膜、エッチング、あるいは、表面変質等のプラズマを用いたプロセスの際、Ｘｅを含むガスを用いて行うことを特徴とする。
【課題】 本発明は、基板、あるいは、新たに基板上に堆積・形成する膜および基板の中に、イオン照射に起因して導入される欠陥を劇的に減少させるプラズマプロセス方法を提供することを目的とする。 （もっと読む）