【課題】有機系の低誘電率膜であるシリコン、炭素、水素及び酸素を含む膜に対してエッチング及びアッシングをプラズマにより行うにあたり、プラズマによりこの低誘電率膜が受けたダメージを良好に回復させること。
【解決手段】エッチングを行った後、上部電極から供給するプラズマ発生用の電力を、基板の単位面積あたり１．９１Ｗ／ｃｍ²〜３．１８Ｗ／ｃｍ²となるように供給して、酸素ガス中をプラズマ化したときのプラズマ中の酸素ラジカルが多い状態として、このプラズマを用いてアッシング後の比誘電率が５．２以上となるようにアッシング処理を行い、その後有機ガスにより回復処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 自己集合ナノ構造をパターン化しそして多孔性誘電体層を形成する方法を提供する。
【解決手段】 自己集合ナノ構造をパターン化しそして多孔性誘電体を形成する方法は、１つの態様において、下側層を覆ってハードマスク層を設けるステップと、パターン化の間に保護されるべきハードマスク層の領域をフォトレジスト層により予め画定するステップと、ハードマスク層及びフォトレジスト層を覆って共重合体層を形成するステップと、共重合体層から自己集合ナノ構造を形成するステップと、自己集合ナノ構造をパターン化するためにエッチングするステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】基板上にエッチング処理により形成された凹部に露出する低誘電率絶縁膜から水分を脱離させた上で新たな水分を吸収し難くすることができるとともに，エッチング処理などにより凹部に露出する金属層に形成された不所望の金属化合物を除去する。
【解決手段】ウエハを所定の温度に加熱しつつ，このウエハ上に水素ラジカルを供給することによって，凹部に露出した金属層の表面をクリーニングするとともに，低誘電率絶縁膜を脱水する水素ラジカル処理工程（ステップＳ１３０）と，水素ラジカル処理が施されたウエハに所定の処理ガスを供給することによって，凹部に露出した低誘電率絶縁膜を疎水化する疎水化処理工程（ステップＳ１５０）とを有し，水素ラジカル処理工程と疎水化処理工程とを大気に晒すことなく連続して行う。 （もっと読む）

【課題】レジスト除去による凹部底部及び側面の絶縁膜損傷又は消失を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に絶縁膜（ストッパ膜１０２、低誘電率膜１０３、シリコン酸化膜１０７）を形成する工程と、絶縁膜に第１の凹部（ビア孔１０９）を形成する工程と、半導体基板の全面に第１のレジスト材料を塗布して第１のレジスト膜（レジスト膜１０８）を形成する工程と、半導体基板の全面に第２のレジスト材料を塗布して平坦な表面を有する第２のレジスト膜（レジスト膜１１２）を形成する工程と、前記半導体基板にバイアス高周波電力を印加した条件で酸素プラズマ雰囲気にさらして第２のレジスト膜及び第１のレジスト膜を除去する工程と、を含み、第１の凹部を形成する工程において、ビア孔１０９は、底部にＳｉ及びＣを構成元素として含む膜が設けられる。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜でのパターン差を低減して均一な加工を行なうため、低誘電率膜の吸湿量と吸湿物質の脱離量を考慮した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、マスクの初期開口率α_０を算出する（ステップＳ５１）。続いて、低誘電率膜からの吸湿物質の脱離量Ｘと吸湿時間の関係を算出する（ステップＳ５２）。そして、算出した吸湿物質の脱離量Ｘと吸湿時間の関係に基づいて、脱離量Ｆ（α）（＝Ｘ）と開口率との関係を求める。次に、脱離量Ｆ（α）（＝Ｘ）と開口率との関係から、脱離量が許容値以下となる許容開口率α_１を算出する（ステップＳ５３）。続いて、初期開口率α_０と許容開口率α_１とを比較する（ステップＳ５４）。このとき、初期開口率α_０が許容開口率α_１よりも小さい場合には、マスクパターンにダミーパターンを追加する（ステップＳ５６）。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜をドライエッチングしてコンタクトホールを形成する際に、高耐圧トランジスタのゲート絶縁膜が受けるダメージを低減できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１上にＨＶトランジスタ１０のゲート電極１３と、ＬＶトランジスタ２０のゲート電極２３と、ダミーゲート電極５３とを同時に形成する工程と、シリコン基板１上に層間絶縁膜３０を形成する工程と、層間絶縁膜３０を部分的にドライエッチングして、ゲート電極１３、２３、ダミーゲート電極５３上にそれぞれコンタクトホール３１、３３、３４を形成する工程と、を含み、コンタクトホール３１、３３、３４を形成する工程では、コンタクトホール３１の底面からゲート電極１３の表面が露出すると同時に、又はそれよりも前に、コンタクトホール３４の底面からダミーゲート電極５３の表面が露出するように層間絶縁膜３０をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜にプラズマエッチングによりビアホール等の接続用ホールを形成するにあたり、接続用ホールの配列密度の大小に係らず均一性の高いエッチングを行うことの可能な半導体装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上の層間絶縁膜１０上にパターンマスク１５を含む上層膜１６を形成し、次いで層間絶縁膜１０の表面が露出した状態で基板に脱水処理用のガスを供給して層間絶縁膜１０から水分を除去し、続いて層間絶縁膜１０をエッチングして、電気的接続部が埋め込まれる接続用ホールを形成する。 （もっと読む）

【課題】ホールパターンを高密度に形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被加工膜１上に複数の柱状の構造物を形成する工程と、複数の構造物に包囲された領域に窪み部が形成されるように、複数の構造物の側壁に側壁膜を形成する工程と、複数の構造物の上、及び窪み部の底部の側壁膜をエッチングして除去する工程と、側壁膜を残し、複数の構造物を選択的にエッチングする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】配線間隔の狭い回路において配線容量を低減させた配線構造及び半導体装置、並びにそれらの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】導電性の配線層８を形成する工程と、配線層８に配線パターンを形成する工程と、前記配線パターンの配線１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ間に絶縁性の配線層間膜１１を形成する工程と、配線層間膜１１の厚さ方向に、縦穴状の微細孔１４を複数形成する工程を有することを特徴とする。また、微細孔１４は、ナノ粒子１２またはナノ粒子１２を含有する材料からなるマスクを用いて、エッチングすることにより形成することができる。 （もっと読む）

【課題】製造工程が複雑になるのを抑制するとともに、製造が困難で製造に時間がかかるマスクを用いることなく、１回のリソグラフィ工程により接続孔および配線溝を形成するためのパターニングを行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、デュアルダマシン法により配線を形成する半導体装置の製造方法であって、配線３を覆うように絶縁膜４、レジスト５、および、感光性シリコンを含有するレジスト６を配置する工程と、クロムマスク２０を用いてレジスト５および６を同時に露光する工程と、レジスト６の露光された部分をシリル化する工程と、現像液を用いてレジスト５の感光部５ｂを除去する工程と、レジスト６のシリル化部６ａおよび６ｂをマスクとして絶縁膜４およびレジスト５の少なくとも一部を除去することにより、絶縁膜４に接続孔７と配線溝８とを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、プラズマ中のラジカル種を分離して直接測定し、真空チャンバ内のコンディションの変化を正確に把握する。
【解決手段】処理室２０１と、処理室に処理ガスを供給する手段と、処理室を減圧する真空排気手段２０８と、被処理体２０２を載置する被処理体戴置台２０４と、プラズマ生成のための高周波電源２０６とを有するプラズマ処理装置において、アスペクト比の異なる微細孔を有するフィルタを介して堆積する膜厚を測定する膜厚モニタ２１１を備える。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に、コンタクトプラグとワード配線のショートを防止することができる信頼性の高いコンタクトプラグの形成方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】上面及び側面が酸化シリコン膜２４及びサイドウォール２５で覆われたワード配線５を形成した後、ワード配線５を覆って全面に非晶質炭素膜からなる犠牲層間膜を形成する。そして、この犠牲層間膜をエッチングして第１コンタクトホールを形成した後、この第１コンタクトホール内に第１コンタクトプラグ７、８を形成する。その後、犠牲層間膜を除去して、半導体基板１上にコンタクトプラグの柱を形成し、その上に第１層間絶縁膜を形成する。この第１層間絶縁膜を表面から一部除去し、第１層間絶縁膜の表面に第１コンタクトプラグの上端面を露出させる。 （もっと読む）

【課題】配線間の容量の低減および配線抵抗のばらつきの低減が図られる半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】下部配線４を直接覆うようにシリコン窒化膜などの接続孔ストッパ膜６を形成する。その接続孔ストッパ膜を直接覆うように下部層間絶縁膜８を形成する。その下部層間絶縁膜を直接覆うように下部層間絶縁膜とはエッチング特性の異なる上部層間絶縁膜１０を形成する。その上部層間絶縁膜１０に異方性エッチングを施すことにより上部配線溝１８を形成する。その上部配線溝１８に上部配線２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 微小なコンタクトホールを狭いピッチで形成することができ、且つ露光装置に対する要求（高ＮＡ）の緩和及びチップ面積の縮小をはかる。
【解決手段】 半導体装置の製造方法であって、被処理膜１１上に、複数のコンタクトパターンのパターン開口を有し、且つ隣接するパターン開口を括れた状態で接続する接続開口を有するマスク材料膜２２を形成した後、マスク材料膜２２の各開口の側壁に側壁膜２５を形成することにより、パターン開口の径を小さくすると共に隣接するパターン開口を分離し、次いでマスク材料膜２２及び側壁膜２５をマスクとして被処理膜２１を選択的にエッチングしてコンタクトホールを形成する。 （もっと読む）

【課題】歩留りが高く、且つエアギャップにより配線間の容量を十分に低減できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１上に配線間絶縁膜１０３を堆積した後、配線間絶縁膜１０３に配線溝１０４を形成し、その後、配線溝１０４の内部に下部配線１０７を形成する。配線間絶縁膜１０３の上及び下部配線１０７の上に保護膜１０９を形成した後、保護膜１０９上にハードマスク膜１１０を形成し、その後、ハードマスク膜１１０をパターン化する。パターン化されたハードマスク膜１１０を用いて、保護膜１０９及び配線間絶縁膜１０３を部分的に除去することにより、エアギャップ溝１１２を形成し、その後、エアギャップ溝１１２の上部を塞ぐように層間絶縁膜１１３を形成することにより、エアギャップ１１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】水素化シリコンオキシカーバイド材料に基づく低−ｋ誘電体材料に特に有用な酸素フリーの水素プラズマアッシングプロセスを提供する。
【解決手段】メインアッシング工程は、水素（５０）及び任意の窒素（５４）、大量の水蒸気（６０）、更に大量のアルゴン（８０）又はヘリウムのプラズマ（４８）に、予めエッチングしておいた誘電体層を露出することを含む。ポーラス低−ｋ誘電体については特に、メインアッシングプラズマは、更に、メタン等の炭化水素ガス（８４）を含有する。メインアッシングは、水素及び任意の窒素等の水素含有還元ガスのプラズマにより、短い表面処理を施しておいてもよい。 （もっと読む）

【課題】大面積において均一な高密度プラズマを励起し、原料ガス供給の均一化および反応副生成物ガスの高速除去ができるプラズマ装置を提供する。
【解決手段】４４０６は真空容器、４４０７は電極Ｉ、４４０８は基体、４４１０はシャワープレート、４４１１は電極ＩＩ、４４１２はガス導入口、４４１３は磁場の印加ロ手段、４４１４は真空ポンプ。磁場の印加手段４４１３として、複数の永久磁石を環状に並べたダイポールリングマグネットが用いられている。ガス導入口４４１２から導入されたガスは、シャワープレート４４１０の多数の小孔からプロセス空間に放出される。この導入ガス、及び基体表面から放出された反応生成ガスは、基体側部の磁場の印加手段４４１３ａ及び４４１３ｂに挟まれた空間を通り、複数の真空ポンプ４４１４から外部へ排気される。真空ポンプ４４１４の上部には、ガスのコンダクタンスを低下させないよう比較的広い空間が設けてある。 （もっと読む）

【課題】限界寸法の減じた開口部を、基板層にエッチングする方法が記載されている。
【解決手段】リソグラフィーによりパターン化されたフォトレジストとパターン化されていない有機反射コーティング（ＢＡＲＣ）を含む多層マスクが、エッチングされる基板層上に形成される。ＢＡＲＣ層は、大きな負のエッチングバイアスによりエッチングされて、フォトレジストに、リソグラフィーにより画定された寸法より小さく、多層マスクの開口部の限界寸法を減じる。ＢＡＲＣエッチングの大きな負のエッチングバイアスを利用して、限界寸法の減じた開口部を、基板層にエッチングする。大きな負のエッチングバイアスにより、ＢＡＲＣに開口部をプラズマエッチングするには、ＣＨＦ_３等の重合化学物質を利用する。更なる実施形態において、低圧で提供される重合化学物質は、高周波容量結合源により比較的低電力で電圧印加される。 （もっと読む）

【課題】受光部上に開口部を形成するためのレジスト膜にクラックが生じることにより、意図しない部分の層間絶縁膜まで、エッチングされる。
【解決手段】エッチングマスクとして用いるレジストパターンの形状を、応力を分散させる形状に形成する。応力はレジストを露光し、現像した後にポストベークを施すことによってレジストが硬化されるために生じる。この応力を分散させるために、レジストパターンは平面形状で角を有しない形状に形成される。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜にコンタクト部に到達する高アスペクト比のホールを形成する際に、ホール内のコンタクト材料とコンタクト部との間で十分なコンタクトがとれるようなホールを形成すること。
【解決手段】基板上にＢおよびＰの少なくとも一方を含むシリコン酸化物からなる第１の酸化膜と、その上に形成された、ＢおよびＰを含まないシリコン酸化物からなる第２の酸化膜とを有し、さらに第１の酸化膜および第２の酸化膜の界面より下方に形成されたコンタクト部を有する被処理体を準備し（ステップ１）、第２の酸化膜と前記第１の酸化膜をエッチングしてコンタクト部に到達するホールを形成し（ステップ２）、ＨＦを含むガスによるドライプロセスにより第１の酸化膜をエッチングし、第１の酸化膜のコンタクト部上方領域のホール部分を広げる（ステップ３）。 （もっと読む）