【課題】被処理基板上の電子密度あるいはプロセス特性の分布特性を容易かつ自在に制御すること。
【解決手段】この容量結合型プラズマ処理装置は、上部電極を径方向で内側上部電極６０と外側上部電極６２とに二分割し、２つの可変直流電源８０，８２より独立した第１および第２直流電圧Ｖ_C，Ｖ_Eを両上部電極６０，６２に同時に印加するようにしている。これらの２つの直流電圧Ｖ_C，Ｖ_Eの組み合わせを適宜選択することにより、種種のアプリケーションにおいてプラズマプロセスやエッチング特性の均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】銅ダマシン関連のバック・エンド領域におけるエッチング装置等の運用に関して、無駄時間が発生していることが明らかとなった。すなわち、たとえば、銅ダマシン配線における層間膜のドライ・エッチング工程においては、５分に１度程度の高頻度でステージ温度の切り替えが発生していることが明らかとなった。これは、ドライ・エッチングのステージ温度等のデータが製造実行システムに登録されていないために、ロット優先度の高いロットが仕掛となるたびに、高頻度でステージ温度の切り替えが発生しているからである。
【解決手段】本願発明は、エッチング・ステージ温度等のように、条件変更に比較的長い準備時間を要する処理条件を製造実行システムに登録しておくことによって、効率のよいウエハ・プロセスの進行管理を実現するものである。 （もっと読む）

【課題】エッチング時におけるレジスト残りを防止することでコスト低減を実現した、パターン形成方法、コンタクトホールの形成方法、及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基材１上に形成された膜２上に金属膜３を形成し、金属膜３上にレジストマスク４を形成し、レジストマスク４を用いて金属膜３をドライエッチングして金属マスク４を形成する。この金属マスク４を用いて膜をドライエッチングしてパターニングし、金属マスク４を除去するパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】コンタクトのホール加工等におけるドライエッチングにおいて、エッチング対象のパターン占有率が微小であっても、エッチング終点を安定して検出することができる技術を提供する。
【解決手段】ドライエッチング終点検出方法であって、コンタクトホール等のドライエッチング工程において、プラズマ発光のスペクトル分析を利用するものである。そして、２波長の発光強度比の時系列データを二次微分演算して第２変極点（ｊｕｓｔ２）４０２でエッチング終点を検知することにより、エッチング終点検出の安定化を達成する。また、異常放電を同時に検出することにより、外乱を排除し、エッチング終点検出の安定化を達成する。 （もっと読む）

【課題】疎密に配置された複数のパターンを正確に形成できるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板１４上に第１絶縁膜１５を形成し、第１絶縁膜１５上に疎密に配置された第１開口パターン３１ａ〜３１ｄを有する第１マスク材３１を形成し、第１マスク材３１を用いて第１絶縁膜１５をエッチングして第１開口パターン３１ａ〜３１ｄを転写する工程と、第１マスク材３１を除去し、第１開口パターン１５ａ〜１５ｄの上面を塞いで第１絶縁膜１５上に、第１絶縁膜１５と異なる材質の第２絶縁膜３２を形成する工程と、第２絶縁膜３２上に、第１開口パターン１５ａ〜１５ｄと対向する第２開口パターン３６ａ〜３６ｄを有する第２マスク材３６を形成し、第２マスク材３６を用いて第２絶縁膜３２をエッチングし、第２マスク材３６を用いて第１絶縁膜１５を予め定められた深さまでエッチングする工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、NiSi(ニッケルシリサイド)を有する半導体デバイスの製造プロセスにおいて、ドライプロセス後の残渣を効果的に除去することが可能な残渣除去液を提供する。
【解決手段】ニッケルシリサイド（NiSi）を含む半導体基板をドライエッチング及び／又はアッシングした後に存在する残渣の除去液であって、（ａ）pKaが10以上のアミンのフッ化物塩、及びフッ化テトラアルキルアンモニウムを含むテトラアルキルアンモニウム塩からなる群より選ばれる少なくとも1種、（ｂ）酸、及び（ｃ）水を含み、該（ａ）の濃度が１５重量％以上であり、ｐＨが６〜９である残渣除去液に関する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング途中の半導体基板のエッチング状態を時間をかけずに観測する手段を提供し、かつその観測結果を後のエッチング条件に反映する方法を提供すること。
【解決手段】平行平板型のドライエッチング装置において、半導体基板を載置する電極とは反対の電極の内部に顕微鏡機能および膜厚測定機能を有するカメラを設置し、このカメラを用いて半導体基板のエッチング状態を観測できるようにした。カメラには上下移動機構、カメラ設置側の電極にはシャッター機構がついている。エッチング中はこのシャッターが閉じていて、エッチングガスやプラズマがカメラに接触しないようになっている。また、エッチング途中でシャッターを開き電極内部へ設置したカメラを用いて半導体基板を観測できる。さらに、シャッターは電極と同一または類似の材料から形成され、電極の一部となっていて、シャッター部がエッチング中のプラズマ状態を乱さない。 （もっと読む）

【課題】微細なラインアンドスペースパターンを含むパターンを精度良く形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、被加工膜（被加工材）１上に芯材４を形成する工程と、芯材４の上面および側面を覆うように第２の膜（被覆膜）５を形成する工程と、第２の膜５を形成した後、芯材４を除去する工程と、芯材４を除去した後、第２の膜５を芯材４の側面に位置していた部分を残して除去し、側壁スペーサーマスク７に加工する工程と、側壁スペーサーマスク７をマスクとして用いて、被加工膜１をエッチング加工する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板の凹凸を維持しながら、堆積技術よりも低コスト、かつ、高スループットでコンフォーマルな膜を成膜し、パターンを形成するパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】凹凸を有した下地層上に、この下地層の凹凸に沿って触媒膜３を成膜する工程と、触媒膜３上に、流動性材料を塗布して塗布膜４を成膜する工程と、塗布膜４を触媒膜３に沿って反応させ、塗布膜４内に、溶剤に対して不溶な不溶化層５を形成する工程と、溶剤を用いて塗布膜４の未反応部分を除去し、不溶化層５を残す工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、開口部内の残渣を検出すると同時に除去することにより、高いスループットで半導体装置の歩留り、信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、複数の開口部が形成されたウェーハｗが搬入され、検査、処理されるチャンバ１１と、ウェーハｗの所定位置に電子ビーム１４を照射する機構１５、１６と、電子ビーム１４の照射により、複数の開口部より残渣を有する開口部を検出する機構１７と、活性化されることにより残渣の除去が可能なプロセスガスを、チャンバ１１内に供給するガス供給機構１８と、チャンバ１１内の圧力を制御して排気するガス排出機構１９を備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、電荷貯蔵膜をパターニングする時に下部に形成されたトンネル絶縁膜が損傷するのを防止することができる半導体素子の製造方法を提供することを可能にすることを目的としている。
【解決手段】 トンネル絶縁膜及び絶縁物質で形成される電荷貯蔵膜を含む積層膜が形成された半導体基板が提供される段階と、前記電荷貯蔵膜上の前記積層膜をパターニングして前記電荷貯蔵膜の一部が露出される段階及びＨＢｒガス、Ｃｌ_２ガス及びＨＣｌガスのいずれか一つまたはこれらの混合ガスをエッチングガスとして用いて露出された前記電荷貯蔵膜をエッチングする段階を含む構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比１０以上のコンタクトホール形成に際して、デポ物の除去効率を高める半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】コンタクトホールのホールエッチング後、フルオロカーボン系ガスと酸素を酸素過多で含む処理ガスでバイアス無印加の条件でライトエッチングし、ホール３側壁に付着するＣ−Ｆ結合を有する反応生成物５をプラズマ処理で除去し、その後ＷＥＴ処理によりホール底に残存するデポ物４を除去してから、ホール内に導電材料を埋め込みコンタクトプラグ７を形成する。 （もっと読む）

【課題】ビアファースト方法を用いるデュアルダマシン配線の形成において、レジストポイズニングを抑制する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板１０１上に層間絶縁膜１０８を形成する工程（ａ）と、層間絶縁膜１０８にビアホール１０９を形成する工程（ｂ）と、ビアホール１０９内にダミープラグ１１１を形成する工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後、層間絶縁膜１０８上に第１のバリア絶縁膜１２０を形成し、更にその上に反射防止膜１０５を形成するする工程（ｄ）と、第１のバリア絶縁膜１２０上に、配線溝形成用開口１１４を有するレジストマスク１１３を形成する工程（ｅ）と、レジストマスク１１３をマスクとして層間絶縁膜１０８、第１のバリア絶縁膜１２０及びダミープラグ１１１のそれぞれ一部を除去することにより、ダミープラグ１１１の残存部分に接続する配線溝を形成する工程（ｆ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】画素特性が良好で、製造が容易な構造を有する半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】少なくとも絶縁膜上に形成された金属膜をエッチングして金属配線を得る工程と、前記金属配線をマスクとして前記絶縁膜の１部をエッチングする工程とを含み、前記絶縁膜の１部のエッチングが、高周波電力の供給下及び真空下での塩素ガスと塩素化合物ガスとを含む処理用ガスに由来するプラズマによるエッチングであり、前記塩素ガスと塩素化合物ガスとが、２〜５倍の塩素化合物ガスの流量に対する塩素ガスの流量の比率で用いられることを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】コンパクトで処理コストの低減を可能ならしめるシリル化処理装置を用いることが可能な、層間絶縁膜のダメージ部をシリル化するシリル化処理方法を提供すること。
【解決手段】エッチング処理、アッシング処理、薬液処理、洗浄処理のうちの少なくとも１つの処理によってダメージを受けたダメージ部を有する層間絶縁膜を備えた基板をチャンバ４２内に収容し、上記基板を所定の温度に加熱し、チャンバ４２を排気し、チャンバ４２内が所定の真空度に到達したらチャンバ４２の排気操作を停止し、チャンバ４２内を所定の減圧雰囲気に保持し、シリル化剤の蒸気または不活性ガスに所定量のシリル化剤の蒸気を含ませた処理ガスをチャンバ４２に供給し、上記シリル化剤の蒸気または処理ガスをチャンバ４２内で略均一に拡散させ、上記層間絶縁膜のダメージ部をシリル化する。 （もっと読む）

【課題】配線幅の異なる複数の配線層の間隔を小さくする。
【解決手段】半導体装置は、基板上の任意のレベル層に設けられ、かつ露光技術の解像限界より小さい配線幅及び間隔を有するパターンで形成された複数の第１の配線層１２と、同一レベル層内で複数の第１の配線層１３の間に設けられ、かつ第１の配線層１３より大きい配線幅を有する第２の配線層１４とを含む。第１の配線層１２と第２の配線層１３との間隔は、第１の配線層１３の間隔と同じである。 （もっと読む）

【課題】露出した面に形成された凹部側壁の凹凸を低減して、凹部の側壁の表面荒れが原因の半導体装置の特性劣化を防ぐ。
【解決手段】露出した面に凹部１０４が形成された基板（１００）表面側から、基板の表面に対して斜めの方向からガスクラスタイオンビーム２００を照射することにより凹部１０４の側壁にガスクラスタイオンビーム２００を照射する。 （もっと読む）

【課題】エッチング加工後のアモルファスカーボン膜をウエット洗浄した際の酸化による劣化を抑制することができるアモルファスカーボン膜の処理方法を提供すること。
【解決手段】基板上に成膜され、ドライエッチング後にウエット洗浄処理が施されたアモルファスカーボン膜の処理方法であって、ウエット洗浄処理後、上層の形成前に、アモルファスカーボン膜の表面改質処理を行う。 （もっと読む）

【課題】微小パターン形成後にマスクを剥離することのできるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施の形態によるパターン形成方法は、被処理体上に、第１のＣ含有膜と、並列配置された所定の方向に長手方向を有する第１の無機層のパターンと、を積層する工程と、前記第１のＣ含有膜および前記第１の無機層のパターン上に、第２のＣ含有膜と、少なくとも一部が並列配置されて前記第１の無機層のパターンと交差する第２の無機層のパターンと、を積層する工程と、前記第１および第２のＣ含有膜の、前記第１および第２の無機層のパターンの少なくとも一方の略直下以外に位置する領域をエッチングにより除去し、前記第１および第２の無機層のパターンならびにエッチング加工された前記第１および第２のＣ含有膜を含むエッチングマスクを形成する工程と、前記エッチングマスクを用いて前記被処理体にエッチングを施し、前記被処理体のパターンを形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】露光装備の最大解像度より微細なパターンを形成すること。
【解決手段】半導体基板上に第１のエッチングマスクパターンを形成する段階と、上記第１のエッチングマスクパターンに対応する段差を維持し得る厚さで第１のエッチングマスクを含む上記半導体基板上に補助膜を形成する段階と、上記第１のエッチングマスクパターンの側壁に形成された上記補助膜の間の空間に第２のエッチングマスクパターンを形成する段階と、上記第１のエッチングマスクパターン上に形成された上記補助膜を除去して両端の下部が互いに連結されて上記両端が上部に突出した第１の補助膜パターンを形成する段階と、上記第１のエッチングマスクパターン及び上記第２のエッチングマスクパターンを除去する段階及び上記第１の補助膜パターンの上記両端が隔離されるように上記両端間をエッチングして第２の補助膜パターンを形成する段階を含む。 （もっと読む）