【課題】スロット板及び誘電体窓が熱膨張しても、スロット板が摩耗したり、スロット板としての導電膜が誘電体板から剥離したりするのを防止できるマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】誘電体板２２にスロット板２３のスロット２３ａ内に突出する凸部２２ｃを設ける。そして、誘電体板２２の凸部２２ｃの表面を誘電体窓１２の表面から誘電体窓１２に向かって外方に突出させる。スロット板２３を誘電体窓１２に直接接触させると、スロット板２３及び誘電体窓１２の熱膨張係数の差による伸び量のずれが発生する。誘電体板２２の凸部２２ｃを誘電体窓１２に接触させ、スロット板２３を誘電体窓１２に接触させないことにより、スロット板２３及び誘電体窓１２が熱膨張してもスロット板２３が摩耗したり、スロット板２３としての導電膜が誘電体板２２から剥離するのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング加工を行ったウェハにおけるデガスの影響による異物の発生を低減する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、各ウェハ１５０を略水平にして複数のウェハ１５０を上下に並べて収容するとともに、側方に設けられたドア１０４を含む収納容器１００に、ドライエッチング加工が行われた複数のウェハを順次収容する工程と、ドア１０４が開いた状態で、収納容器１００に収容すべきすべてのウェハ１５０が当該収容容器に収容されてから３０秒以上、収納容器１００内のウェハ１５０に対して水平方向からパージガスを吹き付ける工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】第１領域におけるライナー膜の膜厚と、第２領域におけるライナー膜の膜厚とが互いに異なる半導体装置において、コンタクトホールの形成時に、活性領域及び素子分離領域に削れが形成されることを防止する。
【解決手段】ゲート構造体Ｇｂが密に配置された第１領域におけるライナー膜２２ｂ及び層間絶縁膜２３に、互いに隣接するゲート構造体同士の間の領域を開口して、底部に第１の膜厚を有するライナー膜が残存する第１のコンタクトホール２８ｒを形成する。次に、ゲート構造体が疎に配置された第２領域におけるライナー膜及び層間絶縁膜に、互いに隣接するゲート構造体同士の間の領域を開口して、底部に第２の膜厚を有するライナー膜が残存する第２のコンタクトホール３４ｒを形成する。次に、第１のコンタクトホールの底部に残存するライナー膜、及び第２のコンタクトホールの底部に残存するライナー膜を除去する。第１の膜厚と第２の膜厚とは、同等である。 （もっと読む）

【課題】パッド電極の腐食を抑制することによって、パッド電極とワイヤーボンド、若しくは、パッド電極とバンプとの接合強度が高い固体撮像装置を提供する。
【解決手段】アルミニウム材料からなるパッド電極３が設けられた半導体基板２と、半導体基板上に成膜され、パッド電極３の上方領域がフッ素系ガスをエッチングガスとするドライエッチング処理によって開口した絶縁膜４と、絶縁膜４の上層に成膜され、パッド電極３の表面を被覆する保護膜６とを備える固体撮像装置であり、保護膜６はドライエッチング処理時のエッチングガスを堆積させて成膜したフロロカーボンである。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシン法による解像限界以下の溝（トレンチ）及び凹部（孔又はビア）のパターンをＣＤ値を高精度に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被エッチング層上に、第１のハードマスク膜と、第２のハードマスク膜とを成膜する成膜工程Ｓ１１と、第１のピッチを有し、第２のハードマスク膜よりなるパターンであって、溝のパターンを形成する際のエッチングマスクとなる溝形成用マスクパターンを形成するための第１の溝形成用マスクパターン形成工程Ｓ１２〜Ｓ１４と、第４のピッチで設けられた開口部を有する第２のレジスト膜と、第２のレジスト膜の開口部と連通し、第２のレジスト膜の開口部の寸法より小さい寸法の開口部を有する第１の有機膜とよりなる第２レジストパターンを用いて、第１のハードマスク膜をエッチングする第１の凹部形成用マスクパターン形成工程Ｓ１５〜Ｓ１８とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】脆弱な低比誘電率層間絶縁膜を備えた半導体素子を有する半導体装置では、半導体素子の周縁部において層間隔離が生じる虞があった。
【解決手段】半導体素子１の主面には、回路素子が形成されており、また、比誘電率が２．５以下である絶縁層６を一層以上含む積層膜４が存在している。半導体素子１の周縁では、積層膜４が形成されておらず、積層膜４の下に位置する半導体基板２が露出している。半導体基板２の上面２ａのうち積層膜４から露出する部分には、切り欠き部３３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、プラズマ処理装置のクリーニング方法であり、プラズマ処理室表面を効率良く清浄化し、スループットを向上できるプラズマ処理装置のクリーニングの方法を提供する。また、クリーニング中にウエハを設置する電極表面がプラズマに曝されないので電極の劣化を防止することができる。更に、クリーニングと同時に被処理体である低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）上に形成されたレジストマスクを除去する方法を提供する。
【解決手段】
スループットを向上させる手法として、ＣｘＦｘ系ガスを用いてエッチングされた低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）を、そのまま下部電極に載置した状態でＣＯ₂ガスによりプラズマクリーニングを行い、プラズマ処理室表面に付着したデポ物を除去する。この時、同時にＬｏｗ−ｋ膜上にパターニングされたレジストマスクを除去できるため、処理時間の大幅な短縮化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＣＯ₂プラズマに晒された低誘電率絶縁膜のダメージを回復させて、低誘電率絶縁膜を良好な状態にすることができ、半導体装置における性能の向上と信頼性の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】基板に形成された低誘電率絶縁膜をエッチングするエッチング処理工程と、当該エッチング処理工程の後に基板をＣＯ₂プラズマに晒すＣＯ₂プラズマ処理工程と、ＣＯ₂プラズマ処理工程の後に、低誘電率絶縁膜に紫外線を照射する紫外線処理工程とを有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】繋ぎ露光において、マスクパターンの一端部を幅広に形成したマスクを使用しなくても、マスクの相対的な位置ずれに伴う配線抵抗の増大や配線信頼性の低下などの電気的な特性劣化を抑制する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板上で隣り合う第１の露光領域及び第２の露光領域のうち、第１の露光領域に第１の露光マスクを用いて形成された第１配線パターン101と、第１配線パターン101と繋ぎ合わせるための配線パターンとして、第１配線パターン101と同層でかつ第２の露光領域に第２の露光マスクを用いて形成された第２配線パターン102と、第１配線パターン101と第２配線パターン102との繋ぎ合わせ部分に形成されたビア103,104と、ビア103,104の間に形成された繋ぎパターン105とを備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜に対して、高選択比にシリコン窒化膜をエッチングすることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、フルオロカーボンガスを含むエッチングガスを用いて、シリコン窒化膜５の上に設けられた層間絶縁膜６をドライエッチングする第一の工程と、第一の工程に引き続き、酸化性ガスを供給してプラズマを発生させて、サイドウォール４の上に設けられたシリコン窒化膜５をドライエッチングする第二の工程と、を含み、第二の工程は、フルオロカーボンガスを供給しないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に形成する配線溝および接続孔が互いに位置ずれするのを抑制しながら、製造の容易化を図ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、レジスト１４および１５を順次塗布する工程と、マスク２０を介してレジスト１５に対する露光を行った後、シリル化部１５ａおよび１５ｂを形成する工程と、シリル化部１４ａを形成する工程と、シリル化部１５ａを除去し、レジスト１５および１４をパターニングした後、レジスト１５および１４をマスクとして絶縁膜１３をエッチングすることによって接続孔１３ｂを形成する工程と、シリル化部１４ａを除去し、レジスト１４をパターニングした後、レジスト１５をマスクとして絶縁膜１３をエッチングすることによって配線溝１３ａを形成する工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比エッチングを行う際に，エッチングレートとレジスト選択比の両方を従来以上に向上させることができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】堆積性を有するエッチングガス（例えばフルオロカーボン系ガス）を含む処理ガスにＳＦ_６ガスを添加ガスとして加えて処理室１０２内に導入してプラズマを形成し，その際に添加ガスの流量を調整することによって，ウエハＷ上に堆積する堆積物の膜厚を制御するとともに，堆積物の硬さを制御しながら，被エッチング膜のエッチングを進行させる。 （もっと読む）

【課題】
誘電率を低減したＳｉＣ膜を銅拡散防止膜として用いることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、−ＣＨ_２−結合が環状にＳｉの２つの結合手を接続し、残り２つのＳｉの結合手に官能基Ｒ１，Ｒ２がそれぞれ結合され、官能基Ｒ１、Ｒ２は酸素を含まず２重結合を含む、原料を用いて、半導体基板上方に、酸素を含まない第１のＳｉＣ膜を成膜し、第１のＳｉＣ膜上に第１絶縁膜を成膜して、第１のＳｉＣ膜及び第１絶縁膜を含む層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜に銅配線を埋め込み、銅配線を覆って、層間絶縁膜上に、第１のＳｉＣ膜と同じ原料を用いて第２のＳｉＣ膜を成膜する。 （もっと読む）

太陽電池の製造方法が記載される。製造方法では、先ず、誘電体層が上に設けられた基板を準備する。次に、誘電体層の上にピンホールフリーのマスク層を形成する。最後に、マスクを利用せずに、ピンホールフリーのマスク層をパターニングして、パターニングされたピンホールフリーのマスク層を形成する。 （もっと読む）

【課題】有機シロキサンを主成分とする絶縁膜にエッチング処理によって凹部を形成する際に、凹部の底部に異常形状が形成されるのを抑制する。
【解決手段】層間絶縁膜を構成する有機シロキサンを主成分とする有機絶縁膜２に形成された溝や孔等のような凹部４内に導体膜を埋め込むことで埋込配線構造を構成する半導体集積回路装置の製造方法において、有機絶縁膜２上にフォトレジスト膜３を形成した後、そのフォトレジスト膜３をエッチングマスクとして有機絶縁膜２に溝や孔等のような凹部４を形成する際に、その凹部４の底部に異常形状が形成されるのを抑制するために、ＣＦ系のガス／Ｎ₂／Ａｒガスを用いたプラズマドライエッチング処理を施すことにより凹部４を形成した。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホール側壁に付着した有機膜の抵抗値を簡単且つ的確に測定する。
【解決手段】基板２０上に形成された下部電極であるポリＳｉ膜２２ａと、このポリＳｉ膜２２ａ上にＢＰＳＧ膜２３を介して形成された中間電極であるポリＳｉ膜２４ａと、このポリＳｉ膜２４ａ上にＢＰＳＧ膜２５を介して選択的に形成されたホトレジスト膜からなるホールパターン２６ａと、このホールパターン２６ａをマスクにしてプラズマエッチングにより形成され、ポリＳｉ膜２４ａ，２２ａを貫通するコンタクトホール２７と、このコンタクトホール２７の形成時に、コンタクトホール側壁に付着する有機膜２８と、を有する半導体装置を用意する。そして、ポリＳｉ膜２２ａ，２４ａ上に有機膜・レジスト膜２６ｂが被着された状態で、ポリＳｉ膜２２ａ，２４ａ上から、プローブ針３１により複数回コンタクトを実施し、有機膜２８の抵抗値を測定する。 （もっと読む）

【課題】使用に伴う製造装置の性能劣化を抑えつつ、高品質の半導体装置を安定して製造する。
【解決手段】チャンバ内を水素を含むプラズマを用いて処理することによってクリーニングし（ステップＳ１）、クリーニングされたチャンバを用い、ウェーハにエッチングによりトレンチやビアホールを形成する等の加工を行う（ステップＳ２，Ｓ３）。チャンバ内のクリーニングに水素を含むプラズマを用いることにより、チャンバ内にＣｕ等の金属が含まれたポリマが付着していた場合でも、そのような付着物が効果的に除去されるようになる。それにより、付着物に起因した製造装置の性能劣化を抑えることが可能になり、高品質の半導体装置を安定して製造することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】処理対象の基板に対し、半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部であって、エッチング対象膜に転写するための開口部をマスク膜又は中間膜に形成する基板処理方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＮ膜５１、反射防止膜５２及びフォトレジスト膜５３が順に積層され、フォトレジスト層５３は反射防止膜５２の一部を露出させる開口部５４を有する基板Ｗを処理する基板処理方法であって、一般式ＣｘＨｙＦｚ（ｘ、ｙ、ｚは、正の整数）で表わされるデポ性ガス、例えばＣＨ３Ｆガス及びＳＦ６ガスの混合ガスから生成されたプラズマによってフォトレジスト膜５３の開口部５４の側壁面にデポを堆積させて縮小させると共に、反射防止膜５２をエッチングして縮小した開口部５４に対応する開口部を反射防止膜５２に形成するシュリンクエッチングステップを有する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜や下地膜に与えるダメージを低減可能なプラズマ処理方法の提供。
【解決手段】処理室１の中心部側と側壁の近傍側にそれぞれ独立して処理ガスを供給するガス供給手段４１、４２と、被処理体Ｗを載置する試料載置電極１３と、プラズマ生成用高周波電源２１と、アンテナ１１と、処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段１７を有するプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、プラズマを用いて被処理体Ｗの絶縁膜エッチング処理を行ない、その後被処理体Ｗを試料載置電極１３に載置したまま処理室中央部から大流量の不活性ガスを処理室１の側壁近傍にのみ堆積物除去ガスを供給し、さらにプラズマ密度分布を制御することにより処理室中心部側のプラズマ密度と処理室側壁近傍のプラズマ密度を異ならせて処理室側壁の堆積膜を除去する堆積膜除去処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】ウエハ処理に従い消耗するフォーカスリング厚さを監視する。
【解決手段】真空容器１と、被加工試料設置手段５と高周波電力導入手段４と高周波バイアス電力導入手段７を有し、真空容器１内に導入されたガスを高周波電力導入手段４から導入された高周波電力でプラズマ化したプラズマにより被加工試料６の表面処理を行うプラズマ処理装置であって、被加工試料設置手段５上に載置された被加工試料６の周囲に円環状部材１１を備え、真空容器１側壁に対向してアスペクト比が３以上の一対の筒を設け、それぞれの筒はその先端をガラス材により真空に封じられ、それぞれの筒はガラス材の大気側に真空容器内に向けて配置された光源１５または真空容器内に向けて配置された受光手段１６を有しており、円環状部材１１表面を通過してきた光を受光手段１６にて受光する。 （もっと読む）