【課題】ポリシリコンまたはハードマスクに対するＨｉｇｈ−Ｋ材（Ａｌ_２Ｏ_３等）との選択比を有するエッチング方法を提供する。
【解決手段】ハードマスク１１の層間絶縁膜（Ａｌ_２Ｏ_３等のＨｉｇｈ−Ｋ材）１４と層間絶縁膜に接するＰｏｌｙ−Ｓｉ１５を有する試料をプラズマエッチング装置を用いてエッチング処理する半導体装置の製造方法において、Ｈｉｇｈ−Ｋ材１４のエッチング処理を、ＢＣｌ_３とＨｅとＨＢｒを用いて、試料台の温度を常温として、高バイアス電圧を時間変調して印加して行い、さらにこのエッチング処理とＳｉＣｌ_４とＢＣｌ_３とＨｅを用いたデポ処理を繰り返し行う。 （もっと読む）

【課題】半導体装置製造において、リソグラフィ寸法より小さい加工寸法を得る。
【解決手段】多層レジストの加工方法は、基板１上に、下層４、中間層５及び上層レジスト６を順次形成する工程（ａ）と、リソグラフィ技術により、上層レジスト６をパターニングして第１の寸法を有する上層開口１６を設ける工程（ｂ）と、上層レジスト６をマスクとして中間層５をドライエッチングすることにより、上層開口１６の下方に、第２の寸法を有する中間層開口１５を形成する工程（ｃ）と、中間層５をマスクとして下層４をドライエッチングすることにより、中間層開口１５の下方に、第３の寸法を有する下層開口１４を形成する工程（ｄ）とを備える。工程（ｃ）において、第２の寸法が上部よりも下部において小さくなる形状に中間層開口１５を形成することにより、工程（ｄ）において、第３の寸法を第１の寸法よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】シリカ系絶縁膜を用いた半導体装置の製造方法に関し、ドライエッチングのダメージに起因する誘電率増加を回復するとともに、大気放置による誘電率の増加を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上に、シリカ系の絶縁材料の絶縁膜１０２を形成し、絶縁膜１０２をドライエッチングにより加工し、加工した絶縁膜１０２にシラン化合物を作用させることにより、ドライエッチングのダメージによって絶縁膜１０２内に導入されたＳｉ−ＯＨ結合にシラン化合物を反応させて疎水化し、絶縁膜１０２に光照射又は電子線照射を行うことにより、シラン化合物と反応していないＳｉ−ＯＨ結合を縮合させる。 （もっと読む）

【課題】アモルファスカーボン膜をハードマスク形状に加工する際、ボーイングやパターンの細りの起こらないアモルファスカーボンハードマスクの形成方法を提供する。
【解決手段】アモルファスカーボン膜１３を加工する際、途中まで加工した後（１６）、露出したアモルファスカーボン膜の側壁に酸化膜からなる保護膜１２ｂを形成する。特に、この保護膜を、アモルファスカーボン膜を加工する際の中間マスク層１２ａをスパッタリングすることで形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマの寸法より微細なパターン処理を行なうためのプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、プラズマ１を生成するための上部電極２、プラズマ処理の対象となる基材６を配置するステージ３、上部電極２に電圧を印加する電源４、上部電極２に設置された移動機構５、制御部１２０を含む。制御部１２０は、電源４、移動機構５の動作を制御し、プラズマ１の生成と、移動機構５による上部電極２の移動を繰り返す。移動機構５は、移動後のプラズマ１の基材６への照射領域が移動前の照射領域と重複するように上部電極２を移動する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールの形成工程を簡略化した強誘電体メモリ装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板上に強誘電体キャパシタ３を形成する工程と、強誘電体キャパシタ３を被覆する水素バリア膜１２を形成する工程と、水素バリア膜１２を被覆する層間絶縁膜１３を形成する工程と、Ｃ_４Ｆ_８ガスとＯ_２ガスとを含む混合ガスを用いたエッチングにより層間絶縁膜１３を貫通する貫通孔２２を形成する工程と、混合ガスを用いたエッチングにより水素バリア膜１２を貫通する貫通孔２１を貫通孔２２と連続して形成する工程とを備え、貫通孔２２の形成工程におけるＣ_４Ｆ_８ガスの流量及びＯ_２ガスの流量の和に対するＣ_４Ｆ_８ガスの流量の割合が、貫通孔２１の形成工程よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】レジストのサイドエッチングの発生が抑制され、下地膜を所望の形状に良好に加工することが可能なドライエッチング方法、及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下層レジスト１２０、中間層１３０、及び上層レジスト１４０が下から順に積層されてなる多層レジストを用いて下地膜１１０をエッチングするドライエッチング方法であって、下地膜１１０上に多層レジストを形成した後、上層レジスト１４０及び中間層１３０をマスクとして、第１のガス及び第２のガスを含むエッチングガスを用いて下層レジスト１２０をエッチングする工程（ａ）と、工程（ａ）の後、下層レジスト１２０をマスクとして、第２のガスを含むエッチングガスを用いて下地膜１１０をエッチングする工程（ｂ）とを備えている。第２のガスは、下地膜１１０をエッチングするためのガスである。 （もっと読む）

【課題】ビア底の銅拡散バリア絶縁膜をドライエッチングで除去した後、ビア底にたまったポリマーをウエット・エッチングで除去すると、ロット内の一部のウエハで下層の銅配線が消滅する現象が起こる。
【解決手段】ビア底の銅拡散バリア絶縁膜をドライエッチングで除去した後、ビア底にたまったポリマーをウエット・エッチングで除去する間、非酸化性乾燥ガス雰囲気で保管することにより、ポリマーが雰囲気中の酸素や水分を取り込むことを防止するものである。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜に埋め込んだタングステンプラグの上に形成されるＡｌ配線のカバレッジが低下する。
【解決手段】シリコン酸化膜４４にタングステン膜６０を堆積し、これをエッチバックして、コンタクトホール４６内にタングステンプラグ４８が形成される。その際に生じるシリコン酸化膜４４の上面とタングステンプラグ４８の上面との間の段差３０を、アルゴンイオンによるスパッタエッチングを行って平滑化する。しかる後、Ａｌ膜を蒸着しパターニングして、タングステンプラグ４８に接続される第１Ａｌ配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増大を抑えながら、コンタクト抵抗のばらつきを低減できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の絶縁膜上に第１の導電層を形成する工程と、第１の導電層を覆うように第２の絶縁膜を形成する工程と、第２の絶縁膜上にレジストマスクを形成する工程と、前記レジストマスクを用いた第１のドライエッチングにより、第２の絶縁膜に、第１の導電層に達するホールを形成する工程と、前記レジストマスクを除去する工程と、前記ホールの底に露出した第１の導電層を第２のドライエッチングにより除去して、このホールが第１の絶縁膜に達し且つこのホール内の側面に第１の導電層を露出させる工程と、前記ホール内に導電材を埋め込んで、このホール内の側面に露出した第１の導電層と接触する導電プラグを形成する工程と、第２の絶縁膜上に、前記導電プラグに接続する第２の導電層を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された有機膜をエッチングするにあたり、良好なエッチング形状を得ること。
【解決手段】シリコン含有膜をプラズマによりエッチングして当該膜上のパターンマスクのパターンを転写する工程と、前記パターンマスクを除去して前記シリコン含有膜の表面を露出させる工程と、プラズマ中の酸素の活性種により前記シリコン含有膜のパターンを介して前記有機膜の表面をエッチングし、凹部を形成する工程と、その後、前記シリコン含有膜をスパッタして前記凹部の内壁面にシリコン含有物からなる保護膜を形成する工程と、凹部を、プラズマ中の酸素の活性種により前記シリコン含有膜のパターンを介して更に深さ方向にエッチングする工程と、を行うことで、凹部の側壁を酸素の活性種から保護しながらエッチングを行うことができるため良好なパターン形状が得られる。 （もっと読む）

【課題】被エッチング膜の上に積層された、有機膜と、その有機膜の上に積層されたレジストパターンが開口したレジスト膜とを備える、被エッチング膜のエッチングマスクとなる複数層レジストの前記有機膜に、高い垂直性を有するマスクパターンを形成すること。
【解決手段】前記複数層レジストの前記有機膜を、二酸化炭素と水素とを含む処理ガスをプラズマ化して得たプラズマにより前記レジストパターンに沿ってエッチングして、前記被エッチング膜をエッチングするためのマスクパターンを形成する。実験により複数層レジストを構成する有機膜に垂直性が高いマスクパターンを得ることができることが示されている。 （もっと読む）

【課題】 下層の金属膜の抵抗増大、及び水の吸湿による低誘電率絶縁膜の誘電率上昇を招くことなく、銅付着物を除去することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 銅を用いた電気的接続部材４が形成された第１の層間絶縁膜２上に形成され、電気的接続部材４に達する溝７を有する第２の層間絶縁膜６の表面から、有機酸ガスと酸化性ガスとを用いて銅付着物１３を除去する工程と、第２の層間絶縁膜６の溝７の底に露出した電気的接続部材４の表面を還元する工程と、還元された電気的接続部材４上、及び第２の層間絶縁膜６上に、バリアメタル層８を形成する工程と、バリアメタル層８上に、銅を用いた導電膜９を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板中の構造体に熱ストレスが加わり難いドライクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】 酸化銅、及び有機汚染物質の少なくともいずれか一方が基板表面に形成、もしくは付着した被処理基板をチャンバ内に設置する工程（ステップ１）と、チャンバ内の雰囲気を有機化合物ガス雰囲気として被処理基板の基板表面にガスクラスターイオンビームを照射し、基板表面に形成、もしくは付着した酸化銅、及び有機汚染物質の少なくともいずれか一方を除去する工程（ステップ２）とを具備する。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストパターンを小径化しつつエッチングする際に、高レートで小径化することができ、その際のフォトレジスト膜の表面状態を良好にし、亀裂を修復することができるプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】エッチング対象膜とエッチングパターンとして開口が形成されたフォトレジスト膜とを有するウエハＷをチャンバ１０内のサセプタ１６に配置し、チャンバ１０内にＣＦ_４ガス、ＣＨ_２Ｆ_２ガス、Ｃ_５Ｆ_８ガスを含む処理ガスを導入し、上部電極３４に高周波電力を印加してプラズマを生成させるとともに、 上部電極３４に直流電圧を印加し、生成されたプラズマにより、フォトレジスト膜に形成された開口を小径化させつつフォトレジスト膜に形成された開口を介してエッチング対象膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ膜を下地膜としてＳｉＯＣ系のＬｏｗ−ｋ膜をエッチングする場合等、下地膜に対して選択比を十分に取り難い場合であっても、高選択比および高エッチングレートで被エッチング膜をエッチングすることができるプラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】真空排気可能な処理容器10内に、上部電極34と下部電極16を対向するように配置し、上部電極34プラズマ形成用の高周波電力を供給する第１の高周波電源48を接続し、下部電極16にイオン引き込みバイアス用の高周波電力を印加する第２の高周波電源90を接続し、第２の高周波電源90に制御器95を設け、この制御器95は、第２の高周波電源90を、ウエハＷの所定の膜にポリマーが堆積される第１のパワーとウエハＷの所定の膜のエッチングが進行する第２のパワーとの間で所定周期でパワー変調するパワー変調モードで動作するように制御する。 （もっと読む）

【課題】湾曲を軽減し上下比を改善するためにアドバンスドパターニングフィルム（ＡＰＦ）を用いてウェハをエッチングする方法である。
【解決手段】ＡＰＦ層を有するウェハを約１６２ＭＨｚで作動する電源を備えた処理チャンバ内に設置し、処理ガスをチャンバに供給し、１６２ＭＨｚ電源を用いてソース電力を印加し、バイアス電力をウェハに印加することを含む。処理ガスは水素ガス（Ｈ_２）、窒素ガス（Ｎ_２）、及び一酸化炭素ガス（ＣＯ）を含む。Ｈ_２：Ｎ_２の比は約１：１である。加えて、ウェハ温度を調節してエッチング特性を改善する。 （もっと読む）

電子素子、特にＴＦＴ、蓄積コンデンサまたはスタック装置の導電層間の交差部等を備えるものが開示されている。電子素子は、電極を形成する第１の導電層を基板上に備える。第２の導電層により形成された第２の電極は第１の電極から少なくとも誘電体層により隔てられている。この誘電体層は電気絶縁材料の中間層、好ましくは絶縁破壊に対して高い耐性を有する中間層と、光パターニング可能な電気絶縁材料のさらなる層とを包含する。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシン構造において、ビアのボトム径を一定以上確保するとともに、ビアのトップ径を一定以下の大きさとすることにより、ビア抵抗を抑え、ＥＭ耐性・ＳｉＶ耐性を確保するとともに、ＩＬＤ−ＴＤＤＢ耐性を確保した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法が、前記層間絶縁膜に、フルオロカーボン系ガスおよびＮ_２ガスを含むエッチングガスを用いたドライエッチングによりビアホールを形成する工程と、つづいて前記層間絶縁膜に、前記ビアホールに接続する配線溝を形成し、当該層間絶縁膜に前記下層導電膜に接続するデュアルダマシン配線を形成するためのデュアルダマシン配線溝を形成する工程とを含み、前記ビアホールを形成する工程において、ビアホールをボーイング形状に形成し、および前記配線溝を形成する工程において、前記ビアホールが最大径となる近傍領域の位置までエッチングして、配線溝を形成するとともに、前記配線溝の下部に順テーパー形状のビアを形成する。 （もっと読む）

【課題】回路パターンが形成された半導体基板上に積層された絶縁膜の平坦化を図ると共に、該絶縁膜の膜厚のバラツキを抑制することができる半導体装置の製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】Ａ-Ａ線までエッチングされると、ＳＯＧ膜１６からＢＰＳＧ膜１４の一部が露出する。ＢＰＳＧ膜１４の一部が露出する点が「露出開始点」である。エッチング中の酸素原子のプラズマ発光強度の時間変化を観測して「露出開始点」を検出する。この「露出開始点」を基準として「エッチング終点」を設定するＥＰＤ検出を行い、ＢＰＳＧ膜１４の露出開始後もエッチングを継続し、ＢＰＳＧ膜１４の全面が露出するＢ-Ｂ線に到達する前に、Ｃ-Ｃ線でエッチングを終了する。 （もっと読む）