【課題】複数枚の基板を棚状に保持する基板保持具において、移載マージンを確保しながら、基板の配列間隔を狭くすること。
【解決手段】基板保持具（ウエハボート３）において、互いに分割可能に合体された第１のボート部１及び第２のボート部２を設ける。第１のボート部１のウエハＷ１の保持部１６ａ〜１６ｃと、第２のボート部２のウエハＷ２の保持部２６ａ〜２６ｃとは、ボート部１上のウエハＷ１とボート部２上のウエハＷ２とが交互に配列されるように、夫々の高さ位置が設定される。第１及び第２のボート部１、２に夫々ウエハＷ１、Ｗ２を移載してから、これらボート部１、２を合体させてウエハボート３を構成するため、ウエハボート３には、第１及び第２のボート部１，２へのウエハＷの移載時の配列間隔よりも狭い配列間隔でウエハＷを搭載することができる。 （もっと読む）

【課題】高温処理においても、サセプタ変形を抑制することができる基板処理技術を提供する。
【解決手段】基板が載置された載置体と、前記載置体が複数支持された載置体支持具と、前記載置体支持具が収容される反応管と、前記反応管の外側に設けられ、前記反応管内に収容された基板を加熱する加熱部とを備え、前記載置体の、前記基板と接触する面と前記載置体支持具と接触する面が、同じ粗さに表面加工されるように基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】昇降エレベータ機構の能力を大きくする必要性を回避して、この昇降エレベータ機構の高コスト化を抑制することが可能なローディングユニットを提供する。
【解決手段】基板Ｗに対して熱処理を施すために基板を複数枚保持した基板保持具５８を、筒体状の処理容器に対して昇降させるようにしたローディングユニットにおいて、基板保持具とキャップ６２とを保持して昇降させる昇降エレベータ機構と、処理容器の下端の開口部４４に位置するキャップを上方向へ押圧するために設けられた、圧電素子を用いた圧電アクチュエータ８８を有する押圧機構８６とを備える。これにより、昇降エレベータ機構の能力を大きくする必要性を回避して、この昇降エレベータ機構の高コスト化を抑制する。 （もっと読む）

【課題】地震等による破損の発生を防止する。
【解決手段】ボート２１７を支持する断熱筒２１８を有する基板処理装置において、断熱筒２１８をボート２１７の下に締結される上筒１０と、上筒１０の下に締結される下筒２０とから構成する。上筒１０はボート２１７と同質の炭化珪素で同径の円筒形状に形成し、ボートの下側端板２１７ａに炭化珪素のボルト１８によって締結する。下筒２０は石英で上筒１０と同径の円筒形状に形成し、上筒１０の上に印籠結合するとともに、ボルト２６によって締結する。ボルト２６は石英で形成し、基端部にねじ部２７、先端部にねじ部の無い接触部２８を形成する。ボルト２６は下筒２０に等間隔に突設された固定片２４のねじ孔２５にねじ部２７をねじ込み、接触部２８を上筒１０の側壁１１の熱通し孔１３の内周面に接触させる。 （もっと読む）

【課題】縦型炉内にカバーボート内の平面状の薄型半導体基板を搬入する改良型搬入装置を提供する。
【解決手段】バッチ処理用に構成される縦型炉において半導体基板を搬入する搬入装置に用いられるウエハボート組立体であって、半導体基板を保持するウエハボートと、これらの基板を実質的に取り巻くように構成されるカバーとを含むウエハボート組立体において：
ベース部と、ベース部に取り付けられる第１のカバー部分であって、少なくとも部分的にベース部上側周縁部に沿って延在する第１のカバー部分とを有する第１のウエハボート部分と；
第１のウエハボート部分に取外し可能に配設されると共に第１のカバー部分と協働するように構成される第２のカバー部分であって、少なくとも１つの加工処理対象の半導体基板を受ける受入れスロットを含む第２のカバー部分を有する第２のウエハボート部分とを具備するウエハボート組立体。 （もっと読む）

【課題】成膜精度に悪影響を及ぼさず、かつ高温に耐え得るウェーハの積層構造を有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウェーハ１４を内周側で保持するホルダベース１１０と、ホルダベース１１０の外周側を保持するホルダ保持部ＨＳを有する各ボート柱３１ａ〜３１ｃとを備え、ホルダベース１１０の外径寸法をウェーハ１４の外径寸法よりも大きくし、かつホルダベース１１０をホルダ保持部ＨＳから取り外せるようにした。ホルダベース１１０と各ボート柱３１ａ〜３１ｃとを溶接等により固着しなくて済み、ホルダベース１１０および各ボート柱３１ａ〜３１ｃをＳｉＣ等で形成して、容易に高温に耐え得るウェーハの積層構造を実現できる。また、ホルダベース１１０によって、各ボート柱３１ａ〜３１ｃからウェーハ１４を離間させることができるので、成膜精度に悪影響を及ぼすのを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】処理の均一性を確保しつつ基板保持具の搭載枚数を従来よりも増やす基板保持具を提供する。
【解決手段】被処理基板ｗに所定の熱処理を施す熱処理方法において、基板保持具１１に裏面を上面にした被処理基板ｗを上下方向に所定の間隔で保持し、表面を上面にした被処理基板の周縁部を支持環３４で支持した単板ユニット３５を構成し、上記基板保持具１１は、被処理基板ｗの周囲を取り囲むように配置された複数本の支柱２７と、該支柱２７に被処理基板ｗを保持する爪部３６と、上記単板ユニット３５の支持環３４の外周に適宜間隔で突設された突片を介して単板ユニット３５を支持するユニット支持部３７とを有することにより、上記被処理基板ｗの裏面同士の間隔を表面同士の間隔よりも狭くしている。 （もっと読む）

【課題】コールドウォール型加熱装置であっても、被加熱物における端部温度低下を抑制し、面内温度分布の均等化を図ることのできるサセプタを提供する。
【解決手段】課題を解決するためのサセプタは、垂直方向に複数、積層配置された上で誘導加熱されるサセプタ１４（１４ａ〜１４ｆ）であって、熱伝導により加熱を行なう被加熱物載置面１５ａと、被加熱物載置面１５ａの裏面側に位置し、被加熱物載置面１５ａに載置されるウエハ３０よりも大きな開口と、ウエハ３０の外縁部３０ａに向けて傾けられた側壁１５ｃとを有する凹部からなる輻射加熱面１５ｂとを備えることを特徴とする。また、このような特徴を有するサセプタ１４における前記凹部は、サセプタ１４の中心に近づくにつれて深さが深くなるように形成すると良い。 （もっと読む）

【課題】反応容器のメンテナンス処理を削減しつつ、反応容器に収納できる基板の枚数を増やす。
【解決手段】処理炉２０２内のボート２１７の外周側に、各ウェハ２００の積載方向に延在し、かつ各ウェハ２００の周方向に所定の間隙を成すよう複数のカーボン支柱２３４を設け、各カーボン支柱２３４を誘導加熱装置２０６で誘導加熱し、各カーボン支柱２３４からの輻射熱で各ウェハ２００を加熱するようにした。よって、基板処理装置１０１をコールドウォール方式としつつ、処理炉２０２内に収納できるウェハ２００の枚数を増やすことができる。ホットウォール方式の基板処理装置に比して、処理炉２０２の内部全体を処理温度に昇温しなくて済むので、アウターチューブ２０５の内壁等に半導体膜が形成されるのを抑制して、ひいては処理炉２０２のメンテナンス処理を削減できる。 （もっと読む）

【課題】基板の底面における各辺の近傍の略全長に渡って当接するように支持部材を配置し、プロセスパターン領域に劣化を生じることなく基板の大きな撓みを防止する。
【解決手段】ワーク積載装置１０は、支柱２１，２２、第１固定支持部材３１、第２固定支持部材３２及び可動支持部材３３を含む。支柱２１，２２は、台座１１の４隅に配置され、支持部材３１〜３３を上下方向に沿って等間隔に配置された複数の支持位置の各々で保持する。第１固定支持部材３１及び第２固定支持部材３２は、ワーク１００の第１〜３の辺の各々に平行な上端が、ワーク１００の第１〜３の辺の各々の端部内で、全長にわたって水平となるように支柱２１，２２に固定される。可動支持部材３３は、ワーク１００の底面における第４の辺に平行な上端が、ワーク１００の第４の辺の端部内で、全長にわたって水平となるように支柱２２に上下方向に着脱自在に保持される。 （もっと読む）

【課題】ボートの柱部と断熱板の端との間隔の差やばらつきを抑制でき、膜厚均一性と生産性を向上させることが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板が収容される基板収容器と、複数の断熱板が保管される断熱板保管部と、複数の基板と断熱板が積載されるボートと、複数の基板と断熱板が積載されたボートを収容し、前記ボート上の複数の基板を処理する処理室と前記基板収容器と前記ボートとの間で基板の移載を行い、前記断熱板保管部と前記ボートとの間で断熱板の移載を行う基板移載装置とを備えるように、基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数の基板に同時に薄膜を形成したり熱処理するための基板加工装置に関し、加工工程のために加工チャンバーに搬入されるボートに積載された複数の基板が均一に加熱されるようにすることによって、複数の前記基板を均一に加工することができる基板加工装置に関する。
【解決手段】本発明は、基板を支持するための基板支持台および一つまたは複数の噴射口が形成された第１ガス配管を含む基板ホルダーと、複数の基板ホルダーが積載され、前記第１ガス配管に連結される第２ガス配管を含むボートと、前記ボートに積載された複数の基板を加工するための空間を提供する加工チャンバーと、前記ボートを前記加工チャンバーの内部に搬入および搬出させるための移送部と、前記加工チャンバーの外側に位置する第１加熱手段と、前記第２ガス配管に連結される第３ガス配管を含み、前記第２ガス配管へ加熱または冷却されたガスを供給するためのガス供給部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】被処理物を搬送する際に、当該被処理物の処理品質に悪影響を与えるような粉塵の発生を抑えることが可能となる連続拡散処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の板状の被処理物Ｗを載せる搬送台５０と、搬送台５０を搬入する搬入部から当該搬送台５０を搬出する搬出部まで直線状に延びる筒状の加熱炉１と、加熱炉１内に搬送台５０を順次搬入し加熱炉１内を搬送した搬送台５０を順次搬出する搬送装置２と、加熱炉１内を通過する搬送台５０に載せた被処理物Ｗを加熱する加熱装置３と、加熱炉１内に拡散処理のためのガスを供給するガス供給装置４１とを備えている。搬送台５０は、転がり軸受６０により加熱炉１の底面を転がる車輪部５２を備えている。 （もっと読む）

【課題】被処理物の拡散処理を連続的に行うことができる構成でありながら、被処理物の大きさとは関係のない要因によって、加熱炉が大型化するのを防ぐことが可能となる連続拡散処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の板状の被処理物を載せる搬送台５０と、直線状に延びる筒状の加熱炉１と、加熱炉１内に搬送台５０を順次搬入し、加熱炉１内を搬送した搬送台５０を順次搬出する搬送装置２と、搬送台５０に載せた被処理物を加熱する加熱装置３と、加熱炉１内に拡散処理のためのガスを供給するガス供給装置４１とを備えている。搬送装置２は、搬入部１１の上流側に位置する搬送台５０を押すことにより当該搬送台５０を加熱炉１内へ搬入すると共に、搬入した搬送台５０によって、先に搬入されている搬送台５０を搬出部１２側へ押して加熱炉１内を列状として搬送する。 （もっと読む）

【課題】生産効率の向上と処理品質の向上とを両立させることが可能となる連続拡散処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の板状の被処理物を載せる搬送台５０と、直線状に延びる筒状の加熱炉１と、加熱炉１内に搬送台５０を順次搬入し、加熱炉１内を搬送した搬送台５０を順次搬出する搬送装置２と、加熱炉１内を通過する搬送台５０に載せた被処理物を加熱する加熱装置３と、加熱炉１内の搬入部１１から搬出部１２までの間を、搬送方向に複数のゾーンに区画している複数の隔壁部材７と、ゾーン毎に個別にガスを供給すると共に、当該ゾーン毎に個別にガスを排出するガス給排装置４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置で一括して処理される複数枚の半導体基板上に形成する膜の品質ばらつきを低減することができる技術を提供する。
【解決手段】加熱処理の前段階では、複数のガス供給孔２３２２のそれぞれの形成位置（高さ）が、高さ方向において、隣接するウェハ２００間の中央位置に近い位置からずれるように配置する。これにより、実際に加熱処理が実施された場合、ずらした高さが、加熱処理でのボート２１７とガス供給部２３２１の熱膨張率の相違に起因した伸び代の相違で吸収されて、加熱処理を実施する際には、各ウェハ２００の表面に効率よく、かつ、均一に処理ガスを供給することができる。 （もっと読む）

【課題】サセプタに対して水平磁束を与える場合であってもサセプタ水平面の温度分布制御を可能とし、かつバッチ処理による熱処理を可能とする半導体基板熱処理装置を提供する。
【解決手段】水平配置されたサセプタ１４上に載置されたウエハ３０をサセプタ１４を誘導加熱することで間接加熱する半導体熱処理装置１０であって、サセプタ１４の外周側に配置され、サセプタ１４におけるウエハ載置面と平行な方向に交流磁束を形成する誘導加熱コイル２０と、サセプタ１４を水平回転させる回転テーブル１８と、を備え、サセプタ１４は、中心側に位置する薄肉部１４ａと、外縁側に位置する厚肉部１４ｂとより構成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】デッドスペースを増加させることなく、基板の面内均一性を向上させることができる基板処理装置及び基板保持体及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の基板２を保持する基板保持体と、複数の基板２を前記基板保持体で保持しつつ処理する処理室とを備え、前記基板保持体は、基板２を載置可能に構成される基板載置部と、該基板載置部に載置された基板２の周縁一部のガス流れを規制する第１規制部材３５とを複数鉛直方向に第１間隙を成して備える固定支柱２６、底板３１と、前記基板載置部に載置された基板２の周縁他部のガス流れを規制する第２規制部材３６を複数鉛直方向に前記第１間隙を成して備え、前記第２規制部材３６を前記周縁他部のガス流れを規制する第１位置から前記第１規制部材３５と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう第２位置迄退避可能に構成されている可動支柱２７、支柱支持腕３３とを有する。 （もっと読む）

【課題】 組立容易であり、しかも、シェルの積層間に形成される隙間の気密性を維持することの可能な加熱装置及び加熱装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】複数の筒状のシェルユニット５１を積層することにより形成したシェル５０の中に基板を処理する処理室を設ける。このシェル５０の内周に支持されると共に基板を加熱するヒーター２０を備える。これらシェルユニット５１の積層間に形成される隙間５０ｓを変形可能な封止部材５２で封止する。シェルユニット５１の端部近傍にシェル５０の外周側に突出する第一の鍔５３を設ける。シェルユニット５１の端部に対し隙間５０ｓで対向するシェルユニット５１の端部近傍にシェル５０の外周側に突出する第二の鍔５９を設ける。封止部材５２は第一の鍔５３と第二の鍔５９との間に配置される。第一の鍔５３は封止部材５２が筒状の外側へ移動することを規制する規制部５３ｂを備える。 （もっと読む）

【課題】処理管からボートを搬出する初期段階で発生する蓋の振動を抑制する。
【解決手段】基板を載置するボートと、ボートを収納する処理管と、ボートが載置され処理管の下端に設けられた炉口を開閉する蓋と、蓋を昇降させる昇降機構と、昇降機構を駆動するモータと、処理管の下端面と蓋との間を密封する密封部材と、処理管の下端面もしくは蓋の表面から密封部材を引き離す時に生じる蓋の変形の回復期に基板がボート内の載置位置に留まるようにモータのトルクを制御する制御部と、を有する。 （もっと読む）