基板処理装置及び基板保持体及び半導体装置の製造方法
【課題】デッドスペースを増加させることなく、基板の面内均一性を向上させることができる基板処理装置及び基板保持体及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の基板２を保持する基板保持体と、複数の基板２を前記基板保持体で保持しつつ処理する処理室とを備え、前記基板保持体は、基板２を載置可能に構成される基板載置部と、該基板載置部に載置された基板２の周縁一部のガス流れを規制する第１規制部材３５とを複数鉛直方向に第１間隙を成して備える固定支柱２６、底板３１と、前記基板載置部に載置された基板２の周縁他部のガス流れを規制する第２規制部材３６を複数鉛直方向に前記第１間隙を成して備え、前記第２規制部材３６を前記周縁他部のガス流れを規制する第１位置から前記第１規制部材３５と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう第２位置迄退避可能に構成されている可動支柱２７、支柱支持腕３３とを有する。
【解決手段】複数の基板２を保持する基板保持体と、複数の基板２を前記基板保持体で保持しつつ処理する処理室とを備え、前記基板保持体は、基板２を載置可能に構成される基板載置部と、該基板載置部に載置された基板２の周縁一部のガス流れを規制する第１規制部材３５とを複数鉛直方向に第１間隙を成して備える固定支柱２６、底板３１と、前記基板載置部に載置された基板２の周縁他部のガス流れを規制する第２規制部材３６を複数鉛直方向に前記第１間隙を成して備え、前記第２規制部材３６を前記周縁他部のガス流れを規制する第１位置から前記第１規制部材３５と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう第２位置迄退避可能に構成されている可動支柱２７、支柱支持腕３３とを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の基板を基板保持体により保持して処理する基板処理装置及び基板保持体及び半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置として、複数枚を一度に処理するバッチ式の基板処理装置があり、バッチ式の基板処理装置では、シリコンウェーハ等の基板を基板保持体（ボート）により支持し、ボートが処理炉内に装入され、ウェーハは処理炉内で基板保持体に保持された状態で処理される様になっている。
【０００３】
通常、ボートは複数本の支柱を有し、該支柱に基板保持用の溝が所定ピッチで刻設され、該溝にウェーハが装填されることで、ウェーハがボートに保持される様になっている。又ボートの中には、ウェーハ周縁から外方に向って張出す形状を有するリングがウェーハ間に設けられたものがあり、該リングによってウェーハ周縁部のガスの流れを規制し、基板に成膜される膜の面内均一性、特にウェーハ周辺部の均一性を向上させている。
【０００４】
更に、該リングはウェーハの装填、払出しの際に邪魔にならない様に一部が可動式になっている。
【０００５】
例えば、特許文献１には一部が可動式になっているリングを有するホルダボートが示されている。然し乍ら、特許文献１に示されるホルダボートは、可動部分が旋回移動し、ホルダボート本体から大きく離間する。この為、デッドスペースが増加するという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−１６３２９７号公報
【特許文献２】特開２００３−２５８０６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は斯かる実情に鑑み、デッドスペースを増加させることなく、基板の面内均一性を向上させることができる基板処理装置及び基板保持体及び半導体装置の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、複数の基板を保持する基板保持体と、複数の基板を前記基板保持体で保持しつつ処理する処理室とを備え、前記基板保持体は、基板を載置可能に構成される基板載置部と、該基板載置部に載置された基板の周縁一部のガス流れを規制する第１規制部材とを複数鉛直方向に第１間隙を成して備える本体部と、前記基板載置部に載置された基板の周縁他部のガス流れを規制する第２規制部材を複数鉛直方向に前記第１間隙を成して備え、前記第２規制部材を前記周縁他部のガス流れを規制する第１位置から前記第１規制部材と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう第２位置迄退避可能に構成されている可動部とを有する基板処理装置に係るものである。
【０００９】
又本発明は、基板を載置可能に構成される基板載置部と、該基板載置部に載置された基板の周縁一部のガス流れを規制する第１規制部材とを複数鉛直方向に第１間隙を成して備える本体部と、前記基板載置部に載置された基板の周縁他部のガス流れを規制する第２規制部材を複数鉛直方向に前記第１間隙を成して備え、前記第２規制部材を前記周縁他部のガス流れを規制する第１位置から前記第１規制部材と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう第２位置迄退避可能に構成されている可動部とを有する基板保持体に係るものである。
【００１０】
又本発明は、処理室に処理ガスを導入し、基板保持体の本体部に於ける基板載置部に載置された基板の周縁一部の前記処理ガスの流れを前記本体部に於ける第１規制部材にて規制し、前記基板保持体の可動部に於ける第２規制部材にて前記基板載置部に載置された基板の周縁他部の前記処理ガスの流れを規制しつつ、前記基板を処理する工程と、前記処理室から前記基板保持体を搬出し、前記可動部を動作し、前記第２規制部材を前記第１規制部材と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう位置迄退避し、前記基板載置部から基板を搬出する工程とを有する半導体装置の製造方法に係るものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、複数の基板を保持する基板保持体と、複数の基板を前記基板保持体で保持しつつ処理する処理室とを備え、前記基板保持体は、基板を載置可能に構成される基板載置部と、該基板載置部に載置された基板の周縁一部のガス流れを規制する第１規制部材とを複数鉛直方向に第１間隙を成して備える本体部と、前記基板載置部に載置された基板の周縁他部のガス流れを規制する第２規制部材を複数鉛直方向に前記第１間隙を成して備え、前記第２規制部材を前記周縁他部のガス流れを規制する第１位置から前記第１規制部材と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう第２位置迄退避可能に構成されている可動部とを有するので、第１規制部材と第２規制部材とで基板載置部に載置された基板の周縁のガス流れを規制することができ、基板面内膜厚均一性が向上し、第２規制部材の一部が重力方向に於いて重なる位置に回転退避可能としている為、退避しても第２規制部材が固定部より外側に嵩張ってしまうことがなく、デッドスペースを少なくすることができる。
【００１２】
又本発明によれば、基板を載置可能に構成される基板載置部と、該基板載置部に載置された基板の周縁一部のガス流れを規制する第１規制部材とを複数鉛直方向に第１間隙を成して備える本体部と、前記基板載置部に載置された基板の周縁他部のガス流れを規制する第２規制部材を複数鉛直方向に前記第１間隙を成して備え、前記第２規制部材を前記周縁他部のガス流れを規制する第１位置から前記第１規制部材と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう第２位置迄退避可能に構成されている可動部とを有するので、第１規制部材と第２規制部材とで基板載置部に載置された基板の周縁のガス流れを規制することができ、基板面内膜厚均一性が向上し、第２規制部材の一部が重力方向に於いて重なる位置に回転退避可能としている為、退避しても第２規制部材が固定部より外側に嵩張ってしまうことがなく、デッドスペースを少なくすることができる。
【００１３】
又本発明によれば、処理室に処理ガスを導入し、基板保持体の本体部に於ける基板載置部に載置された基板の周縁一部の前記処理ガスの流れを前記本体部に於ける第１規制部材にて規制し、前記基板保持体の可動部に於ける第２規制部材にて前記基板載置部に載置された基板の周縁他部の前記処理ガスの流れを規制しつつ、前記基板を処理する工程と、前記処理室から前記基板保持体を搬出し、前記可動部を動作し、前記第２規制部材を前記第１規制部材と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう位置迄退避し、前記基板載置部から基板を搬出する工程とを有するので、第１規制部材と第２規制部材とで基板載置部に載置された基板の周縁のガス流れを規制することができ、基板面内膜厚均一性が向上するという優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施例に係る基板処理装置の一例を示す斜視図である。
【図２】該基板処理装置の処理炉の縦断面図である。
【図３】本実施例に於けるガスの流れを規制する規制部材の説明図であり、（Ａ）はウェーハがなく規制部材の欠切部が閉じられている状態、（Ｂ）は第２規制部材が移動して欠切部が開放され、ツイーザが挿入された状態、（Ｃ）はウェーハが載置され、欠切部が閉じられた状態を示している。
【図４】該基板処理装置に於けるボート及びボート載置部の詳細図である。
【図５】第２規制部材を回転させる場合の、ボート回転機構の状態を示すボート回転機構の断面図である。
【図６】欠切部が２箇所ある場合の規制部材の平面図である。
【図７】欠切部が２箇所ある場合の第２規制部材に関する説明図である。
【図８】本発明が実施される他の基板処理装置を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照しつつ本発明の第１の実施例を説明する。
【００１６】
先ず、図１により本発明の実施例に係る基板処理装置１の概略を説明する。
【００１７】
シリコン等からなるウェーハ（基板）（図示せず）は、ウェーハキャリアとしてのカセット３に収納され、搬送される。
【００１８】
図１中、４は筐体であり、該筐体４の正面壁５の下方には、メンテナンス可能な様に設けられた開口部としての正面メンテナンス口（図示せず）が開設され、該正面メンテナンス口を開閉する正面メンテナンス扉（図示せず）が設けられている。該正面メンテナンス扉には図示しないカセット搬入搬出口（基板収容容器搬入搬出口）が前記筐体４内外を連通する様に開設されており、前記カセット搬入搬出口の前記筐体４内側にはカセットステージ（基板収容器受渡し台）６が設置されている。前記カセット３は前記カセットステージ６上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、又前記カセットステージ６上から搬出される様になっている。
【００１９】
該カセットステージ６には、工程内搬送装置によって、前記カセット３内のウェーハ２（図３参照）が垂直姿勢となり、前記カセット３のウェーハ出入れ口が上方向を向く様に載置される。前記カセットステージ６は、前記カセット３を前記筐体４後方に向けて９０°回転し、前記カセット３内のウェーハ２が水平姿勢となり、前記カセット３のウェーハ出入れ口が前記筐体４後方を向く様に動作可能となっている。
【００２０】
前記筐体４の前後方向の略中央部には、カセット棚（基板収容器載置棚）７が設置され、該カセット棚７には複数段複数列にて複数個の前記カセット３を保管する様に構成されている。前記カセット棚７には、後述するウェーハ移載機構８の搬送対象となる、前記カセット３が収納される移載棚９が設けられている。又、前記カセットステージ６の上方には予備カセット棚１１が設けられ、予備的に前記カセット３を保管する様になっている。
【００２１】
前記カセットステージ６と前記カセット棚７との間には、カセット搬送装置（基板収容器搬送装置）１２が設置されている。該カセット搬送装置１２は、前記カセット３を保持したまま昇降可能なカセットエレベータ（基板収容器昇降機構）１３と前記カセット３搬送機構としてのカセット搬送機構（基板収容器搬送機構）１４とで構成されており、前記カセットエレベータ１３とカセット搬送機構１４との連続動作により、前記カセットステージ６、前記カセット棚７、前記予備カセット棚１１との間で前記カセット３を搬送する様構成されている。
【００２２】
前記カセット棚７の後方には、前記ウェーハ移載機構（基板移載機構）８が設置されており、該ウェーハ移載機構８はウェーハ２を水平方向に回転ないし直動可能なウェーハ移載装置（基板移載装置）１５、及び該ウェーハ移載装置１５を昇降させる為のウェーハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１６とで構成されている。
【００２３】
前記ウェーハ移載装置１５はウェーハ２を吸着保持するツイーザ（基板搬送具）１７を複数枚有し、前記ウェーハ移載装置エレベータ１６との協働により、ボート（基板保持具）１８に対してウェーハ２を装填（チャージング）及び装脱（ディスチャージング）する様に構成されている。
【００２４】
前記筐体４の後部上方には、処理炉１９が設けられている。該処理炉１９の内部には処理室が形成され、該処理炉１９の下端部は炉口部となっており、該炉口部は炉口シャッタ（炉口開閉機構）２１によって開閉される様になっている。
【００２５】
前記処理炉１９の下方には、前記ボート１８を前記処理炉１９に昇降させる昇降機構としてのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）２２が設けられ、該ボートエレベータ２２の昇降台に連結された連結具としてのアーム２３には蓋体としてのシールキャップ２４が水平に据付けられており、該シールキャップ２４は前記ボート１８を垂直に支持し、前記処理炉１９の下端部を閉塞可能な様に構成されている。
【００２６】
前記ボート１８は複数本の支柱、図示の例では３本の固定支柱２６と、１本の可動支柱２７を有しており、計４本の固定支柱２６及び可動支柱２７によって処理ガスの流れを規制するリング形状の規制部材２８が支持されている。該規制部材２８は、鉛直方向に所定間隔で所定枚数設けられ、前記規制部材２８の中央に複数枚（例えば、５０枚〜１５０枚程度）のウェーハ２がその中心を揃えて鉛直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持される。前記ボート１８は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなっている。尚、前記ボート１８については、更に詳細に後述する。
【００２７】
前記カセット棚７の上方には、清浄化した雰囲気であるクリーンエアを供給する様、供給ファン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット２９が設けられており、クリーンエアを前記筐体４の内部に流通させる様に構成されている。
【００２８】
又、前記ウェーハ移載装置エレベータ１６及び前記ボートエレベータ２２側と反対側である前記筐体４の左側端部には、クリーンエアを供給する様供給ファン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット（図示せず）が設置されており、図示しない該クリーンユニットから吹出されたクリーンエアは、前記ウェーハ移載装置１５、前記ボート１８を流通した後に、図示しない排気装置に吸込まれて前記筐体４の外部に排気される様になっている。
【００２９】
前記基板処理装置１を構成する各部位は、コントローラ９８に電気的に接続されている。該コントローラ９８は、前記基板処理装置１を構成する各部を所望の条件や、所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００３０】
次に、前記基板処理装置１の作動について説明する。尚、以下の説明に於いて、基板処理装置１を構成する各部の動作は前記コントローラ９８により制御される。
【００３１】
前記カセット３はカセット搬入搬出口（図示せず）から搬入され、前記カセットステージ６の上にウェーハ２が垂直姿勢且つ前記カセット３のウェーハ出入れ口が上方向を向く様に載置される。その後、前記カセット３は、前記カセットステージ６によって前記カセット３内のウェーハ２が水平姿勢となり、前記カセット３のウェーハ２出入れ口が前記筐体４の後方を向く様に、筐体４後方に右回りに縦方向９０°回転させられる。
【００３２】
次に、前記カセット３は、前記カセット棚７或は前記予備カセット棚１１の指定された棚位置へ前記カセット搬送装置１２によって自動的に搬送されて受渡され、一時的に保管された後、前記カセット棚７或は前記予備カセット棚１１から前記カセット搬送装置１２によって前記移載棚９に搬送されるか、或は直接該移載棚９に搬送される。
【００３３】
前記カセット３が前記移載棚９に移載されると、ウェーハ２は前記カセット３から前記ウェーハ移載装置１５の前記ツイーザ１７によりウェーハ出入れ口を通じてピックアップされ、ウェーハ２は前記ツイーザ１７に載置吸着された状態で搬送され、前記移載棚９の後方にある前記ボート１８に装填される。該ボート１８にウェーハ２を受渡した前記ウェーハ移載装置１５は前記カセット３に戻り、次のウェーハ２を前記ボート１８に装填する。
【００３４】
予め指定された枚数のウェーハ２が前記ボート１８に装填されると、前記炉口シャッタ２１によって閉じられていた前記処理炉１９の炉口部が、前記炉口シャッタ２１によって開放される。続いて、ウェーハ２群を保持した前記ボート１８は、前記シールキャップ２４が前記ボートエレベータ２２によって上昇され、前記処理炉１９の処理室に装入（ローディング）される。ローディング後は、該処理炉１９にてウェーハ２に任意の処理が実施される。処理後は、上述とは逆の手順でウェーハ２及び前記カセット３が前記筐体４の外部へ払出される。
【００３５】
図２は本発明の実施例で好適に用いられる基板処理装置の処理炉１９の概略構成図であり、縦断面図として示されている。
【００３６】
図２に示されている様に、処理炉１９は加熱機構としてのヒータ７１を有する。該ヒータ７１は円筒形状であり、支持基板としてのヒータベース７２に支持されることにより垂直に据付けられている。
【００３７】
前記ヒータ７１の内側には、該ヒータ７１と同心円状に反応管７３が配設されている。該反応管７３は内部反応管としてのインナチューブ７４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウタチューブ７５とから構成されている。前記インナチューブ７４は、例えば石英（ＳｉＯ2 ）又は炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。前記インナチューブ７４の内部には処理室７６が形成されており、ウェーハ２を前記ボート１８によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収納可能に構成されている。
【００３８】
前記アウタチューブ７５は、例えば石英又は炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、内径が前記インナチューブ７４の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、前記インナチューブ７４と同心円状に設けられている。
【００３９】
前記アウタチューブ７５の下方には、前記アウタチューブ７５と同心円状にマニホールド７７が配設されている。該マニホールド７７は、例えばステンレス等からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。該マニホールド７７は、前記インナチューブ７４と前記アウタチューブ７５に係合しており、これらを支持する様に設けられている。尚、前記マニホールド７７と前記アウタチューブ７５との間にはシール部材としてのＯリング７８が設けられている。前記マニホールド７７が前記ヒータベース７２に支持されることにより、前記反応管７３は垂直に据付けられた状態となっている。前記反応管７３と前記マニホールド７７により反応容器が形成される。
【００４０】
前記シールキャップ２４にはガス導入部としてのノズル７９が前記処理室７６内に連通する様に接続されており、前記ノズル７９にはガス供給管８１が接続されている。該ガス供給管８１の上流側には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）８２を介して図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源が接続されている。前記ＭＦＣ８２には、ガス流量制御部８３が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００４１】
前記マニホールド７７には、前記処理室７６内の雰囲気を排気する排気管８４が設けられている。該排気管８４は、前記インナチューブ７４と前記アウタチューブ７５との間に形成される筒状空間８５の下端部に連通している。前記排気管８４のマニホールド７７との接続側と反対側である下流側には圧力検出器としての圧力センサ８６及び圧力調整装置８７を介して真空ポンプ等の真空排気装置８８が接続されており、前記処理室７６内の圧力が所定の圧力（真空度）となる様真空排気し得る様に構成されている。前記圧力センサ８６及び前記圧力調整装置８７には、圧力制御部８９が電気的に接続されており、該圧力制御部８９は前記圧力センサ８６により検出された圧力に基づいて前記圧力調整装置８７により前記処理室７６内の圧力が所望の圧力となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００４２】
前記マニホールド７７の下方には、該マニホールド７７の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２４が設けられている。該シールキャップ２４は前記マニホールド７７の下端に垂直方向下側から当接される様になっている。該シールキャップ２４は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。前記シールキャップ２４の上面には前記マニホールド７７の下端と当接するシール部材としてのＯリング９１が設けられる。
【００４３】
前記シールキャップ２４の前記処理室７６と反対側（下面側）には、前記ボート１８を回転させるボート回転機構４０が設置されている。該ボート回転機構４０のボート回転軸４４は前記シールキャップ２４を貫通して、前記ボート１８に連結されており、該ボート１８を回転させることでウェーハ２を回転させる様に構成されている。
【００４４】
前記シールキャップ２４は前記ボートエレベータ２２によって垂直方向に昇降される様に構成されており、前記ボート１８を前記処理室７６に対し装入、装脱することが可能となっている。前記ボート回転機構４０及び前記ボートエレベータ２２には、駆動制御部９４が電気的に接続されており、所望の動作をする様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００４５】
前記ボート１８は、複数枚のウェーハ２を水平姿勢で且つ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持する様に構成されている。尚、前記ボート１８の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板５８（図４参照）が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、前記ヒータ７１からの熱が前記マニホールド７７側に伝わりにくくなる様構成されている。
【００４６】
前記反応管７３内には、温度検出器としての温度センサ９５が設置されている。前記ヒータ７１と前記温度センサ９５には、電気的に温度制御部９６が接続されており、前記温度センサ９５により検出された温度情報に基づき前記ヒータ７１への通電具合を調整することにより前記処理室７６内の温度が所望の温度分布となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００４７】
前記ガス流量制御部８３、前記圧力制御部８９、前記駆動制御部９４、前記温度制御部９６は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部９７に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部８３、圧力制御部８９、駆動制御部９４、温度制御部９６、主制御部９７はコントローラ９８として構成されている。
【００４８】
次に、上記構成に係る処理炉１９を用いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ＣＶＤ法によりウェーハ２上に薄膜を形成する方法について説明する。尚、以下の説明に於いて、基板処理装置１を構成する各部の動作は前記コントローラ９８により制御される。
【００４９】
複数枚のウェーハ２が前記ボート１８に装填（ウェーハチャージ）されると、図２に示されている様に、複数枚のウェーハ２を保持した前記ボート１８は、前記ボートエレベータ２２によって持ち上げられて前記処理室７６に搬入（ボートローディング）される。この状態で、前記シールキャップ２４は前記Ｏリング９１を介して前記マニホールド７７の下端をシールした状態となる。
【００５０】
前記処理室７６内が所望の圧力（真空度）となる様に真空排気装置８８によって真空排気される。この際、前記処理室７６内の圧力は、前記圧力センサ８６で測定され、この測定された圧力に基づき前記圧力調整装置８７が、フィードバック制御される。又、前記処理室７６内が所望の温度となる様に前記ヒータ７１によって加熱される。この際、前記処理室７６内が所望の温度分布となる様に前記温度センサ９５が検出した温度情報に基づき前記ヒータ７１への通電具合がフィードバック制御される。続いて、前記ボート回転機構４０により、前記ボート１８が回転されることで、ウェーハ２が回転される。
【００５１】
次いで、処理ガス供給源から供給され、前記ＭＦＣ８２にて所望の流量となる様に制御されたガスは、ガス供給管８１を流通して前記ノズル７９から前記処理室７６内に導入される。導入されたガスは前記処理室７６内を上昇し、前記インナチューブ７４の上端開口から前記筒状空間８５に流出して前記排気管８４から排気される。ガスは前記処理室７６内を通過する際にウェーハ２の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウェーハ２の表面上に薄膜が堆積（デポジション）される。
【００５２】
予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、前記処理室７６内が不活性ガスに置換されると共に、該処理室７６内の圧力が常圧に復帰される。
【００５３】
その後、前記ボートエレベータ２２により前記シールキャップ２４が下降されて、前記マニホールド７７の下端が開口されると共に、処理済ウェーハ２が前記ボート１８に保持された状態で前記マニホールド７７の下端から前記反応管７３の外部に搬出（ボートアンローディング）される。その後、処理済ウェーハ２は前記ボート１８より取出される（ウェーハディスチャージ）。
【００５４】
尚、一例迄、本実施例の処理炉にてウェーハを処理する際の処理条件としては、例えば、窒化珪素膜（Ｓｉ3 Ｎ4 膜）の成膜に於いては、処理温度３００℃以上８００℃以下、処理圧力１０Ｐａ以上１０００Ｐａ以下、ガス種、ガス供給流量としてアンモニア（ＮＨ3 ）ガス０．１ＳＬＭ以上０．５ＳＬＭ以下、ジクロロシラン（ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ）ガス０．３ＳＬＭ以上５ＳＬＭ以下が例示され、それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することでウェーハに処理がなされる。
【００５５】
又、図１〜図４を参照して前記ボート１８について説明する。
【００５６】
本実施例に於けるボート１８は、円板形状の底板３１、天板３２及び該底板３１、天板３２に掛渡り、鉛直に立設された前記固定支柱２６及び前記底板３１に対して半径方向に延出し、水平方向に回転可能に設けられた支柱支持腕３３及び該支柱支持腕３３の先端に鉛直に立設された前記可動支柱２７を有し、前記固定支柱２６、前記可動支柱２７に処理ガスの流れを規制する前記規制部材２８が設けられている。
【００５７】
前記各固定支柱２６には中心に向って水平方向に突出する基板載置ピン３４が設けられ、該基板載置ピン３４は前記規制部材２８の内縁よりも更に中心側に延出し、前記基板載置ピン３４の延出部分である内端部にウェーハ２が載置される様になっている。
【００５８】
前記規制部材２８は保持されるウェーハ２の間に位置し、ウェーハ周縁から外方に向って張出す形状を有している。又、前記規制部材２８とウェーハ２とは鉛直方向に適宜な間隙が形成され、前記規制部材２８と前記ウェーハ２とは非接触となっている。
【００５９】
前記規制部材２８は、一部の円弧が欠切されたリング形状の第１規制部材３５、該第１規制部材３５の欠切部３７を充足する円弧形状をした第２規制部材３６から構成されており、前記第１規制部材３５は前記固定支柱２６に固定支持され、前記第２規制部材３６は前記可動支柱２７に固定支持されている。
【００６０】
前記支柱支持腕３３は前記ボート１８の軸心を中心に回転可能であり、前記底板３１に対して回転可能となっている。従って、前記支柱支持腕３３に立設された前記可動支柱２７は鉛直状態を維持して、前記ボート１８の軸心を中心に回転可能であり、前記可動支柱２７に固定された第２規制部材３６は前記第１規制部材３５に対して回転可能となっている。前記可動支柱２７は、前記第１規制部材３５の外径よりも外側に配置される様に前記支柱支持腕３３に立設されている。又、前記第２規制部材３６の外径は、前記第１規制部材３５の外径よりも大きい径で形成されている。
【００６１】
又、前記第２規制部材３６は前記第１規制部材３５に対して非接触であり、該第１規制部材３５、前記第２規制部材３６、前記ウェーハ２は、それぞれの間に鉛直方向で適宜な間隙が形成される様な配置となっている。好ましくは、前記第２規制部材３６の内径は、前記第１規制部材３５の内径と同径となる様に形成されている。
【００６２】
而して、前記底板３１、前記天板３２及び前記固定支柱２６、第１規制部材３５はボート本体部を構成し、前記支柱支持腕３３、前記可動支柱２７、前記第２規制部材３６は可動部を構成する。
【００６３】
図３（Ａ）〜図３（Ｃ）に於いて、前記第１規制部材３５と前記第２規制部材３６との関係について説明する。
【００６４】
図３（Ａ）は、前記第２規制部材３６が前記欠切部３７を充足した状態を示しており、前記第２規制部材３６と前記第１規制部材３５によって完全円状のリングが形成されている。
【００６５】
図３（Ｂ）は、前記可動支柱２７が図中反時計方向に回転した状態を示しており、前記可動支柱２７の回転により、前記第２規制部材３６は前記可動支柱２７と一体に回転し、該第２規制部材３６は前記第１規制部材３５に少なくとも一部が重合状態となり、前記欠切部３７を開放する。開放された該欠切部３７は、前記ツイーザ１７が進入、退避する為の搬送空間を形成する。
【００６６】
尚、図３（Ｂ）は、開放された前記欠切部３７に前記ツイーザ１７が進入し、前記基板載置ピン３４へウェーハ２を載置した状態を示している。又、図３（Ｃ）は、前記第２規制部材３６が前記欠切部３７を充足した状態を示している。更に、図３（Ｃ）は、前記基板載置ピン３４にウェーハ２が載置された状態も示している。
【００６７】
次に、図４を参照してボートエレベータ２２のボート載置部３９を説明する。
【００６８】
前記ボートエレベータ２２から水平方向に延びた前記アーム２３の先端部に前記シールキャップ２４が設けられている。前記アーム２３の下側から前記シールキャップ２４を気密に貫通する様にボート回転機構４０が設けられている。
【００６９】
前記ボート回転機構４０の下部に減速器４１が取付けられている。前記ボート回転機構４０の内部に中空の外回転軸４２が軸受４３を介して回転自在に設けられ、前記外回転軸４２の上端に中空のボート回転軸４４が前記外回転軸４２と同心に設けられている。
【００７０】
前記ボート回転軸４４は前記シールキャップ２４を貫通し、前記ボート回転軸４４の上端にはボート載置盤４５が固着され、該ボート載置盤４５に前記ボート１８が載置される。
【００７１】
前記減速器４１の内部にはウォームホイール４６が収納され、該ウォームホイール４６は前記外回転軸４２に嵌着されている。前記ウォームホイール４６にはウォーム４７が噛合され、該ウォーム４７は図示しないボート回転モータ（図示せず）の出力軸４８に嵌着されている。前記外回転軸４２の回転位置を検出する回転検出器（図示せず）が設けられ、前記外回転軸４２の前記シールキャップ２４に対する回転位置が検出される様になっており、又前記回転検出器は前記外回転軸４２、即ち前記ボート載置盤４５の基準位置を検出可能となっている。尚、前記回転検出器は前記外回転軸４２の回転を検出してもよく、或は前記出力軸４８の回転を検出してもよく、回転検出器としては例えば前記ボート回転モータに設けられたエンコーダが用いられる。
【００７２】
前記外回転軸４２、前記ボート回転軸４４の中心を貫通する内回転軸４９が、軸受５０を介して回転自在に設けられ、又前記内回転軸４９は気密にシールされている。該内回転軸４９の上端部は前記ボート載置盤４５より突出しており、前記内回転軸４９の上端に前記支柱支持腕３３が固着されている。前記内回転軸４９の下端部は半円柱状に一部が切除され、平坦面５１が形成されている。該平坦面５１は前記減速器４１の下面より下方に突出している。
【００７３】
前記内回転軸４９の下端部には弾性体としての捩りコイルバネである内回転軸用バネ５２が外嵌され、該内回転軸用バネ５２の一端は中心側に折曲げられ、前記平坦面５１に係合され、他端は接線方向に延出し、前記外回転軸４２に係合されている。特に図示していないが、前記内回転軸４９と前記外回転軸４２間には機械的にストッパが設けられ、前記内回転軸用バネ５２は前記内回転軸４９と前記外回転軸４２とがストッパを介して確実に当接する様に初期撓みが与えられている。
【００７４】
又、前記内回転軸４９と前記外回転軸４２とが当接した状態は、即ち、前記内回転軸４９と前記外回転軸４２との相対回転位置は、前記可動支柱２７と前記固定支柱２６との位置が図３（Ａ）、図３（Ｃ）の状態となっている。
【００７５】
前記減速器４１の下面にはスライド軸受５３を介してロックロッド５４が前記内回転軸４９の軸心に直交する方向に摺動自在に設けられ、前記ロックロッド５４の先端は前記平坦面５１に当接可能となっており、前記ロックロッド５４の基端はシリンダ、ソレノイド等、リニア駆動器であるロックアクチュエータ５５に連結されている。
【００７６】
而して、該ロックアクチュエータ５５により前記ロックロッド５４が進退され、該ロックロッド５４の先端が前記平坦面５１に当接離反する様になっており、前記ロックロッド５４が前記平坦面５１に当接した状態では、前記内回転軸４９の回転が拘束される。
【００７７】
前記内回転軸４９、前記内回転軸用バネ５２、前記ロックロッド５４、前記ロックアクチュエータ５５、前記支柱支持腕３３、前記可動支柱２７等は第２規制部材回転機構５６を構成する。
【００７８】
尚、前記内回転軸４９の回転を拘束する方法としては、前記内回転軸４９の下端に水平方向に延びるピンを設け、該ピンの回転面に対して係合部材を出入りさせる様にしてもよい。
【００７９】
図５により、前記第２規制部材３６の前記第１規制部材３５に対する回転（相対回転）作動について説明する。
【００８０】
通常状態（前記ウェーハ移載機構８によるウェーハ２の移載が行われていない場合）は、前記ロックアクチュエータ５５より前記ロックロッド５４が後退され、該ロックロッド５４が前記平坦面５１から離反している。即ち、前記外回転軸４２と前記内回転軸４９とがストッパを介して当接している状態である（図５（Ａ）参照）。
【００８１】
従って、前記支柱支持腕３３、前記可動支柱２７は、前記シールキャップ２４、前記固定支柱２６に対して相対回転していない状態であり、同様に前記第２規制部材３６が前記第１規制部材３５に対して相対回転していない状態であり、前記第２規制部材３６により前記欠切部３７が充足され、前記規制部材２８は完全円状態となっている（図３（Ａ）参照）。
【００８２】
次に、前記ロックアクチュエータ５５により前記ロックロッド５４を前進させ、該ロックロッド５４を前記平坦面５１に当接させ、前記内回転軸４９の回転を拘束する（図５（Ｂ）参照）。
【００８３】
前記内回転軸４９の回転を拘束した状態で、前記ボート回転モータ（図示せず）が駆動され、前記ウォーム４７、前記ウォームホイール４６を介し前記外回転軸４２が所定角度回転される。該外回転軸４２の回転方向は前記内回転軸用バネ５２を更に撓ませる方向であり、前記外回転軸４２の回転によって前記ボート回転軸４４を介して前記ボート載置盤４５が所定角度回転される。この時、前記内回転軸４９は回転を拘束されているので、該内回転軸４９は前記外回転軸４２に対して逆方向に所定角度相対回転する。この場合の回転角度は前記第２規制部材３６が前記欠切部３７を完全に開放する角度であり、前記ツイーザ１７の幅、ウェーハ２の外径等に対応して適宜決定され、本実施例では略３０°である。
【００８４】
又、前記ボート載置盤４５と共に前記固定支柱２６を介して第１規制部材３５が回転され、同時に前記欠切部３７も回転する。回転後の該欠切部３７の位置は、前記ウェーハ移載装置１５に対峙し、前記ツイーザ１７の進退方向と合致している（図３（Ｂ）参照）。
【００８５】
前記欠切部３７が開放され、前記ツイーザ１７が進入、退避する為の搬送空間が確保されるので、前記ウェーハ移載機構８により前記ボート１８にウェーハ２の移載が実行される。
【００８６】
ウェーハ２移載の前記ツイーザ１７の動きを略述すると、該ツイーザ１７はウェーハ２を載置した状態で、前記第１規制部材３５の上面と基板載置ピン３４の上面との間に挿入され、ウェーハ２が前記ボート１８の中心に達した位置で、若干降下する。前記ツイーザ１７の降下により、ウェーハ２が前記基板載置ピン３４に載置され、前記ウェーハ２の下面と前記ツイーザ１７の上面との間に間隙が生じる。この状態で、前記ツイーザ１７を後退させることで、ウェーハ２のボート１８への移載が完了する。
【００８７】
尚、ウェーハ２を前記ボート１８から払出す場合は、上記作動の逆を行えばよい。
【００８８】
又、前記ウェーハ２が前記基板載置ピン３４に載置された状態では、前記第２規制部材３６と前記規制部材２８、前記ウェーハ２との間にそれぞれ間隙が形成される。
【００８９】
前記ボート１８にウェーハ２が所定枚数装填され、前記ツイーザ１７が後退すると、前記ボート回転モータ（図示せず）が上記回転方向とは逆の方向に駆動される。前記内回転軸４９は前記ロックロッド５４により依然として回転が拘束されており、前記第２規制部材３６が前記第１規制部材３５に対して前記欠切部３７を充足する方向に相対回転される。回転方向は前記内回転軸用バネ５２を復元させる方向である。前記ボート載置盤４５が所定角度、逆方向に回転されると前記ロックアクチュエータ５５により前記ロックロッド５４が後退され、前記内回転軸４９はストッパ（図示せず）で前記外回転軸４２に対する回転方向の位置が決定される。
【００９０】
ここで、前記内回転軸４９を前記ボート載置盤４５に対して相対復帰させる為には、前記ロックロッド５４を後退させ、前記内回転軸用バネ５２の復元力により、前記内回転軸４９を逆方向に回転させることもできるが、前記内回転軸４９の急激な回転、停止は発塵を誘発する可能性があり、上記した様に、ボート回転モータによりゆっくり戻すのが好ましい。
【００９１】
前記ロックロッド５４による前記内回転軸４９のロックが解除された状態では、前記内回転軸４９と前記外回転軸４２とは前記内回転軸用バネ５２、ストッパを介して一体化された状態であり、前記ボート回転モータ（図示せず）により前記外回転軸４２を回転することで該外回転軸４２と前記内回転軸４９とが一体に、即ち前記第１規制部材３５と前記第２規制部材３６とは完全円状態を維持して一体に回転可能となる（図３（Ｃ）参照）。
【００９２】
上記した様に、前記炉口シャッタ２１により前記処理炉１９の炉口部が開放され、前記ボートエレベータ２２によって前記ボート１８が前記処理炉１９の処理室７６に装入される。
【００９３】
該処理炉１９の処理室でウェーハ２が加熱されると共に処理ガスが導入され、ウェーハ２に所要の処理がなされる。前記処理室では、前記ウェーハ２の周囲に前記規制部材２８（前記第１規制部材３５、前記第２規制部材３６）が存在するので、該規制部材２８によってウェーハ２の周縁部の処理ガスの流れが、ウェーハ２の内部での処理ガスの流れと同様となる様に規制される。この為、ウェーハ２の成膜の均一性が向上し、処理品質、歩留りの向上が図れる。
【００９４】
又、処理中、前記ボート回転機構４０により前記ボート１８が回転されるので、ウェーハ２に対する処理ガスの流れが均等化され、同様に、成膜の均一性が向上し、処理品質、歩留りが向上する。
【００９５】
尚、処理室の温度均一性を向上させる為、炉口部の断熱を行うのが好ましく、前記ボート１８の下部には多数枚の断熱板５８を装填し、断熱域を形成する。尚、断熱域については、前記規制部材２８は分割構造とはせずに、一体のリング形状としてもよく、或は規制部材２８を省略してもよい。更に、前記断熱域をボートキャップで構成してもよい。
【００９６】
図６、図７は、第２の実施例を示している。尚、図６は、前記ツイーザ１７がウェーハ２を載置してボート１８内に進入した状態を示しており、図７は簡略化し、前記第２規制部材３６の一段のみを示している。
【００９７】
第２の実施例では、ウェーハ移載機構８のツイーザ１７が掬上げ方式となっており、該ツイーザ１７の先端がウェーハ２より突出する。従って、前記ツイーザ１７の先端部と前記規制部材２８との干渉を避ける為、該規制部材２８には対峙する２箇所に欠切部３７ａ，３７ｂが形成される。
【００９８】
支柱支持腕３３は、前記底板３１の直径と同等の長さを有し、両端部に可動支柱２７ａ，２７ｂが立設され、該可動支柱２７ａ，２７ｂに前記欠切部３７ａ，３７ｂをそれぞれ充足する第２規制部材３６ａ，３６ｂが固着される。
【００９９】
好適には、前記ツイーザ１７の進入方向基端側に位置する前記第２規制部材３６ａの円弧の長さを前記ツイーザ１７の進入方向先端側に位置する前記第２規制部材３６ｂの円弧長よりも大きくし、更に、前記ツイーザ１７の進入方向基端側に位置する前記欠切部３７ａの円弧長を前記ツイーザ１７の進入方向先端側に位置する前記欠切部３７ｂの円弧長より大きくするとよい。
【０１００】
これにより、前記可動支柱２７ａと前記ツイーザ１７又は該ツイーザ１７に載置されたウェーハ２との干渉の可能性をより一層抑制することができ、より完全に前記ウェーハ２を移載することができる。
【０１０１】
前記支柱支持腕３３を正逆回転することで、前記可動支柱２７ａ，２７ｂを介して前記第２規制部材３６ａ，３６ｂが前記第１規制部材３５に対して正逆回転し、前記欠切部３７ａ，３７ｂを開放又は充足する。
【０１０２】
尚、好適には前記内回転軸４９に、更に前記底板３１に係合解除可能なロック部材を設けるとよい。前記内回転軸４９は、前記底板３１との係合を解除させる第１位置と前記ロック部材を前記底板３１に係合させる第２位置との間で回転可能とし、地震等に備える場合には、ホルダボートの倒れを抑制することができ、ホルダボートの倒れを抑制する必要がないときにはロックを解除することができる。
【０１０３】
又、ロック部材、ボート１８の回転、第２規制部材３６の相対回転をさせる機構を、ボート載置部に集約して設置しているので、有機汚染物・パーティクル等の発生を抑制し、更に発生した汚染物のウェーハ２に対する影響を抑制できる。
【０１０４】
上述した様に、本発明によれば、以下に挙げる効果の内、少なくとも１つ以上の効果を奏する。
【０１０５】
（１）基板処理時には、前記第１規制部材３５と前記第２規制部材３６とで基板載置部に載置された基板の周縁の処理ガス流れを規制することができ、基板面内膜厚均一性を向上させることができる。
【０１０６】
（２）基板載置部への基板挿入出時には、前記第２規制部材３６を前記第１規制部材３５と少なくとも一部が重なる位置迄退避することで、基板搬送具（ツイーザ）１７と前記第２規制部材３６とを干渉させることなく基板を挿入出することができる。
【０１０７】
（３）基板挿入出時に前記第２規制部材３６を前記第１規制部材３５とその一部が重力方向に於いて重なる位置に回転退避させることで、前記基板搬送具（ツイーザ）１７と前記ボート（可動リング部）１８との干渉の懸念が無くなる。その為、基板間ピッチを小さくすることができ、載置枚数（１バッチでの処理枚数）を増加させることができる。
【０１０８】
（４）その一部が重力方向に於いて重なる位置に回転退避可能としている為、退避しても前記第２規制部材３６が固定部より外側に嵩張ってしまうことがない。その為、デッドスペースを少なくすることができる。
【０１０９】
（５）前記第２規制部材３６が、基板搬送具の進退方向であって対向する少なくとも２箇所に設けられており、回転部は、前記第２規制部材３６を前記２箇所から前記第１規制部材３５と重力方向（鉛直方向）に重なり合う位置迄、同時に回転可能としている為、掬上げ方式の基板搬送にも対応することができる。即ち、掬上げ方式の場合、前記ツイーザ１７の進行方向奥側で基板の周端を前記ツイーザ１７が保持するがこの保持する際に可動リング部を退避させることができる為、可動リング部と干渉することなく掬上げ方式での基板搬送を可能とすることができる。
【０１１０】
（６）回転部が前記２箇所に設けられる第２規制部材３６を固定リング部と重力方向（鉛直方向）に重なり合う様に同時に回転させることで、スループットを向上させることができる。
【０１１１】
（７）前記第１規制部材３５、前記第２規制部材３６を含む前記ボート１８を一体回転可能とする為、ウェーハ膜厚面内均一性を確保することができる。
【０１１２】
（８）回転部には、前記ボート本体部を回転させる第１回転軸と前記ボート本体部と前記可動部とを一体回転させる第２回転軸とが同軸状に形成されていることにより、前記ボート１８より下方に回転機構を集約することができ、回転体の磨耗により発生する有機汚染物やパーティクル等による前記ボート（固定における基板載置部）１８に載置された基板への悪影響を抑制できる。
【０１１３】
図８は、本発明を他の基板処理装置６０に実施した場合を示している。尚、図８中、図１中で示したものと同等のものには同符号を付し、その説明を省略する。
【０１１４】
該基板処理装置６０に使用されるカセット３は密閉式であり、前記基板処理装置６０外ではウェーハ２は前記カセット３に密閉された状態で搬送され、前記基板処理装置６０の内部に前記カセット３の蓋を開閉するカセットオープナ６１を具備している。
【０１１５】
又、筐体４の内部、ボートエレベータ２２と対向した位置に、ボート交換装置６２を有し、複数のボート１８を用いてウェーハ２の該ボート１８への装填、払出しと基板処理とを並行して実行できる様にし、スループットの向上を図っている。
【０１１６】
図８に於いて、６３はボート１８にウェーハ２の装填、払出しを行うウェーハ移載位置６３を示し、６４は処理済のボート１８を一時的に保管するボート待機位置を示している。
【０１１７】
前記ウェーハ移載位置６３でウェーハ２が装填されたボート１８は前記ボート交換装置６２によって前記シールキャップ２４に移載され、前記ボートエレベータ２２によって前記処理炉１９に装入される。
【０１１８】
処理が完了すると、処理済ボート１８は前記ボート交換装置６２によって前記ボート待機位置６４に移載され、未処理ウェーハが装填されたボート１８が前記ボート交換装置６２によって前記シールキャップ２４に移載され、再び未処理ボート１８が前記処理炉１９に装入される。前記ウェーハ移載位置６３が空きになると、前記ボート交換装置６２により処理済ボート１８が前記ボート待機位置６４から前記ウェーハ移載位置６３に移載され、処理済ボート１８からウェーハ２が払出される。
【０１１９】
上記作動の繰返しにより、ウェーハ２処理中にウェーハ２の装填、払出しが行われ、ウェーハ２移載の無駄な時間がなくなるのでスループットが向上する。
【０１２０】
前記基板処理装置６０に本発明を実施することで、基板処理時には、第１規制部材３５と第２規制部材３６とで基板載置部に載置された基板の周縁の処理ガス流れを規制することができ、基板面内膜厚均一性を向上させることができる等、上記したと同等の効果が得られる。
【０１２１】
（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
【０１２２】
（付記１）複数の基板を保持する基板保持体と、複数の基板を前記基板保持体で保持しつつ処理する処理室とを備え、前記基板保持体は、基板を載置可能に構成される基板載置部と、該基板載置部に載置された基板の周縁一部のガス流れを規制する第１規制部材とを複数鉛直方向に第１間隙を成して備える本体部と、前記基板載置部に載置された基板の周縁他部のガス流れを規制する第２規制部材を複数鉛直方向に前記第１間隙を成して備える可動部を有し、前記第１規制部材が周方向に第２間隙を有し、前記第２規制部材は前記第２間隙を充足する形状を有し、前記第２規制部材を前記第２間隙を充足する第１位置から前記第２間隙を開放し、前記第１規制部材と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう第２位置迄退避可能にしたことを特徴とする基板処理装置。
【０１２３】
（付記２）付記１に於いて、前記第１規制部材及び前記第２規制部材は、前記第２規制部材が前記第１位置に位置する際に前記第１規制部材及び前記第２規制部材とで前記基板載置部に支持された基板の全周縁を囲う様に構成されている基板処理装置。
【０１２４】
（付記３）付記１に於いて、更に前記第２規制部材が前記第１位置と前記第２位置とで移動可能に前記可動部を回転させる回転機構が構成されている基板処理装置。
【０１２５】
（付記４）付記１に於いて、前記第１規制部材は、円弧状で形成された第１円弧体が周方向に第２間隙を残置して複数設けられており、前記第２規制部材は、円弧状で形成された第２円弧体が周方向に第３間隙を成して複数設けられている基板処理装置。
【０１２６】
（付記５）付記４に於いて、更に、前記第２間隙を通して前記基板載置部に基板を搬送する基板搬送具を有する基板処理装置。
【０１２７】
（付記６）付記４に於いて、複数の前記第２円弧体は、複数の前記第１円弧体の周方向に於ける少なくとも２箇所の第２間隙を同時に充足する様移動可能に構成されている基板処理装置。
【０１２８】
（付記７）付記３に於いて、前記回転機構は、更に前記本体部と前記可動部とを一体回転可能な様に構成されている基板処理装置。
【０１２９】
（付記８）付記７に於いて、前記回転機構には、前記可動部を前記本体部に対して回転させる第１回転軸と前記本体部と前記可動部とを一体回転させる第２回転軸とが同軸状に形成されている基板処理装置。
【０１３０】
（付記９）付記８に於いて、前記本体部を前記第２回転軸若しくは前記可動部に係合させるロック部を更に有する基板処理装置。
【０１３１】
（付記１０）複数の基板を保持する基板保持体と、複数の基板を前記基板保持体で保持しつつ処理する処理室とを備え、前記基板保持体は、互いに平行に複数設けられる第１支柱と、該第１支柱に対して鉛直方向に第１間隙を成して複数設けられ、ガス流れを規制する第１規制部材と、前記第１支柱若しくは前記第１規制部材に夫々設けられる基板を載置可能に構成される基板載置部とを少なくとも備える本体部と、前記第１支柱と平行に設けられる第２支柱と、該第２支柱に対して鉛直方向に前記第１間隙を成して複数設けられ、ガス流れを規制する第２規制部材とを少なくとも備える可動部とを有し、該可動部の前記第２規制部材は、前記第１規制部材がガス流れを規制する前記基板載置部に載置された基板の周縁一部とは異なる周縁他部のガス流れを規制する第１位置と前記第１規制部材と前記第２規制部材とが前記第１支柱と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう第２位置とで移動可能に構成されていることを特徴とする基板処理装置。
【０１３２】
（付記１１）基板を載置可能に構成される基板載置部と、該基板載置部に載置された基板の周縁一部のガス流れを規制する第１規制部材とを複数鉛直方向に第１間隙を成して備える本体部と、前記基板載置部に載置された基板の周縁他部のガス流れを規制する第２規制部材を複数鉛直方向に前記第１間隙を成して備え、前記第２規制部材を前記周縁他部のガス流れを規制する第１位置から前記第１規制部材と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう第２位置迄退避可能に構成されている可動部とを有することを特徴とする基板保持体。
【０１３３】
（付記１２）付記１１に於いて、前記第１規制部材は、円弧状で形成された第１円弧体が周方向に第２間隙を成して複数設けられており、前記第２規制部材は、円弧状で形成された第２円弧体が周方向に第３間隙を成して複数設けられている基板保持体。
【０１３４】
（付記１３）付記１１に於いて、互いに平行に複数設けられる第１支柱と、該第１支柱に対して鉛直方向に第１間隙を成して複数設けられ、ガス流れを規制する第１規制部材と、前記第１支柱若しくは前記第１規制部材に夫々設けられる基板を載置可能に構成される基板載置部とを少なくとも備える本体部と、前記第１支柱と平行に設けられる第２支柱と、該第２支柱に対して鉛直方向に前記第１間隙を成して複数設けられ、ガス流れを規制する第２規制部材とを少なくとも備える可動部とを有し、該可動部の前記第２規制部材は、前記第１規制部材がガス流れを規制する前記基板載置部に載置された基板の周縁一部とは異なる周縁他部のガス流れを規制する第１位置と前記第１規制部材と前記第２規制部材とが前記第１支柱と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう第２位置とで移動可能に構成されている基板保持体。
【０１３５】
（付記１４）処理室に処理ガスを導入し、基板保持体の本体部に於ける基板載置部に載置された基板の周縁一部の前記処理ガスの流れを前記本体部に於ける第１規制部材にて規制し、前記基板保持体の可動部に於ける第２規制部材にて前記基板載置部に載置された基板の周縁他部の前記処理ガスの流れを規制しつつ、前記基板を処理する工程と、前記処理室から前記基板保持体を搬出し、前記可動部を動作し、前記第２規制部材を前記第１規制部材と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう位置迄退避し、前記基板載置部から基板を搬出する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０１３６】
（付記１５）付記１４の前記基板搬出工程に於いて、前記処理室から前記基板保持体を搬出しつつ前記可動部を動作し、前記第２規制部材を前記第１規制部材と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう位置迄退避する半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【０１３７】
１ 基板処理装置
２ ウェーハ
３ カセット
８ ウェーハ移載機構
１７ ツイーザ
１８ ボート
２２ ボートエレベータ
２３ アーム
２４ シールキャップ
２６ 固定支柱
２７ 可動支柱
２８ 規制部材
３１ 底板
３３ 支柱支持腕
３４ 基板載置ピン
３５ 第１規制部材
３６ 第２規制部材
３７ 欠切部
４２ 外回転軸
４９ 内回転軸
５２ 内回転軸用バネ
５４ ロックロッド
５５ ロックアクチュエータ
５８ 断熱板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の基板を基板保持体により保持して処理する基板処理装置及び基板保持体及び半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置として、複数枚を一度に処理するバッチ式の基板処理装置があり、バッチ式の基板処理装置では、シリコンウェーハ等の基板を基板保持体（ボート）により支持し、ボートが処理炉内に装入され、ウェーハは処理炉内で基板保持体に保持された状態で処理される様になっている。
【０００３】
通常、ボートは複数本の支柱を有し、該支柱に基板保持用の溝が所定ピッチで刻設され、該溝にウェーハが装填されることで、ウェーハがボートに保持される様になっている。又ボートの中には、ウェーハ周縁から外方に向って張出す形状を有するリングがウェーハ間に設けられたものがあり、該リングによってウェーハ周縁部のガスの流れを規制し、基板に成膜される膜の面内均一性、特にウェーハ周辺部の均一性を向上させている。
【０００４】
更に、該リングはウェーハの装填、払出しの際に邪魔にならない様に一部が可動式になっている。
【０００５】
例えば、特許文献１には一部が可動式になっているリングを有するホルダボートが示されている。然し乍ら、特許文献１に示されるホルダボートは、可動部分が旋回移動し、ホルダボート本体から大きく離間する。この為、デッドスペースが増加するという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−１６３２９７号公報
【特許文献２】特開２００３−２５８０６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は斯かる実情に鑑み、デッドスペースを増加させることなく、基板の面内均一性を向上させることができる基板処理装置及び基板保持体及び半導体装置の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、複数の基板を保持する基板保持体と、複数の基板を前記基板保持体で保持しつつ処理する処理室とを備え、前記基板保持体は、基板を載置可能に構成される基板載置部と、該基板載置部に載置された基板の周縁一部のガス流れを規制する第１規制部材とを複数鉛直方向に第１間隙を成して備える本体部と、前記基板載置部に載置された基板の周縁他部のガス流れを規制する第２規制部材を複数鉛直方向に前記第１間隙を成して備え、前記第２規制部材を前記周縁他部のガス流れを規制する第１位置から前記第１規制部材と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう第２位置迄退避可能に構成されている可動部とを有する基板処理装置に係るものである。
【０００９】
又本発明は、基板を載置可能に構成される基板載置部と、該基板載置部に載置された基板の周縁一部のガス流れを規制する第１規制部材とを複数鉛直方向に第１間隙を成して備える本体部と、前記基板載置部に載置された基板の周縁他部のガス流れを規制する第２規制部材を複数鉛直方向に前記第１間隙を成して備え、前記第２規制部材を前記周縁他部のガス流れを規制する第１位置から前記第１規制部材と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう第２位置迄退避可能に構成されている可動部とを有する基板保持体に係るものである。
【００１０】
又本発明は、処理室に処理ガスを導入し、基板保持体の本体部に於ける基板載置部に載置された基板の周縁一部の前記処理ガスの流れを前記本体部に於ける第１規制部材にて規制し、前記基板保持体の可動部に於ける第２規制部材にて前記基板載置部に載置された基板の周縁他部の前記処理ガスの流れを規制しつつ、前記基板を処理する工程と、前記処理室から前記基板保持体を搬出し、前記可動部を動作し、前記第２規制部材を前記第１規制部材と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう位置迄退避し、前記基板載置部から基板を搬出する工程とを有する半導体装置の製造方法に係るものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、複数の基板を保持する基板保持体と、複数の基板を前記基板保持体で保持しつつ処理する処理室とを備え、前記基板保持体は、基板を載置可能に構成される基板載置部と、該基板載置部に載置された基板の周縁一部のガス流れを規制する第１規制部材とを複数鉛直方向に第１間隙を成して備える本体部と、前記基板載置部に載置された基板の周縁他部のガス流れを規制する第２規制部材を複数鉛直方向に前記第１間隙を成して備え、前記第２規制部材を前記周縁他部のガス流れを規制する第１位置から前記第１規制部材と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう第２位置迄退避可能に構成されている可動部とを有するので、第１規制部材と第２規制部材とで基板載置部に載置された基板の周縁のガス流れを規制することができ、基板面内膜厚均一性が向上し、第２規制部材の一部が重力方向に於いて重なる位置に回転退避可能としている為、退避しても第２規制部材が固定部より外側に嵩張ってしまうことがなく、デッドスペースを少なくすることができる。
【００１２】
又本発明によれば、基板を載置可能に構成される基板載置部と、該基板載置部に載置された基板の周縁一部のガス流れを規制する第１規制部材とを複数鉛直方向に第１間隙を成して備える本体部と、前記基板載置部に載置された基板の周縁他部のガス流れを規制する第２規制部材を複数鉛直方向に前記第１間隙を成して備え、前記第２規制部材を前記周縁他部のガス流れを規制する第１位置から前記第１規制部材と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう第２位置迄退避可能に構成されている可動部とを有するので、第１規制部材と第２規制部材とで基板載置部に載置された基板の周縁のガス流れを規制することができ、基板面内膜厚均一性が向上し、第２規制部材の一部が重力方向に於いて重なる位置に回転退避可能としている為、退避しても第２規制部材が固定部より外側に嵩張ってしまうことがなく、デッドスペースを少なくすることができる。
【００１３】
又本発明によれば、処理室に処理ガスを導入し、基板保持体の本体部に於ける基板載置部に載置された基板の周縁一部の前記処理ガスの流れを前記本体部に於ける第１規制部材にて規制し、前記基板保持体の可動部に於ける第２規制部材にて前記基板載置部に載置された基板の周縁他部の前記処理ガスの流れを規制しつつ、前記基板を処理する工程と、前記処理室から前記基板保持体を搬出し、前記可動部を動作し、前記第２規制部材を前記第１規制部材と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう位置迄退避し、前記基板載置部から基板を搬出する工程とを有するので、第１規制部材と第２規制部材とで基板載置部に載置された基板の周縁のガス流れを規制することができ、基板面内膜厚均一性が向上するという優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施例に係る基板処理装置の一例を示す斜視図である。
【図２】該基板処理装置の処理炉の縦断面図である。
【図３】本実施例に於けるガスの流れを規制する規制部材の説明図であり、（Ａ）はウェーハがなく規制部材の欠切部が閉じられている状態、（Ｂ）は第２規制部材が移動して欠切部が開放され、ツイーザが挿入された状態、（Ｃ）はウェーハが載置され、欠切部が閉じられた状態を示している。
【図４】該基板処理装置に於けるボート及びボート載置部の詳細図である。
【図５】第２規制部材を回転させる場合の、ボート回転機構の状態を示すボート回転機構の断面図である。
【図６】欠切部が２箇所ある場合の規制部材の平面図である。
【図７】欠切部が２箇所ある場合の第２規制部材に関する説明図である。
【図８】本発明が実施される他の基板処理装置を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照しつつ本発明の第１の実施例を説明する。
【００１６】
先ず、図１により本発明の実施例に係る基板処理装置１の概略を説明する。
【００１７】
シリコン等からなるウェーハ（基板）（図示せず）は、ウェーハキャリアとしてのカセット３に収納され、搬送される。
【００１８】
図１中、４は筐体であり、該筐体４の正面壁５の下方には、メンテナンス可能な様に設けられた開口部としての正面メンテナンス口（図示せず）が開設され、該正面メンテナンス口を開閉する正面メンテナンス扉（図示せず）が設けられている。該正面メンテナンス扉には図示しないカセット搬入搬出口（基板収容容器搬入搬出口）が前記筐体４内外を連通する様に開設されており、前記カセット搬入搬出口の前記筐体４内側にはカセットステージ（基板収容器受渡し台）６が設置されている。前記カセット３は前記カセットステージ６上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、又前記カセットステージ６上から搬出される様になっている。
【００１９】
該カセットステージ６には、工程内搬送装置によって、前記カセット３内のウェーハ２（図３参照）が垂直姿勢となり、前記カセット３のウェーハ出入れ口が上方向を向く様に載置される。前記カセットステージ６は、前記カセット３を前記筐体４後方に向けて９０°回転し、前記カセット３内のウェーハ２が水平姿勢となり、前記カセット３のウェーハ出入れ口が前記筐体４後方を向く様に動作可能となっている。
【００２０】
前記筐体４の前後方向の略中央部には、カセット棚（基板収容器載置棚）７が設置され、該カセット棚７には複数段複数列にて複数個の前記カセット３を保管する様に構成されている。前記カセット棚７には、後述するウェーハ移載機構８の搬送対象となる、前記カセット３が収納される移載棚９が設けられている。又、前記カセットステージ６の上方には予備カセット棚１１が設けられ、予備的に前記カセット３を保管する様になっている。
【００２１】
前記カセットステージ６と前記カセット棚７との間には、カセット搬送装置（基板収容器搬送装置）１２が設置されている。該カセット搬送装置１２は、前記カセット３を保持したまま昇降可能なカセットエレベータ（基板収容器昇降機構）１３と前記カセット３搬送機構としてのカセット搬送機構（基板収容器搬送機構）１４とで構成されており、前記カセットエレベータ１３とカセット搬送機構１４との連続動作により、前記カセットステージ６、前記カセット棚７、前記予備カセット棚１１との間で前記カセット３を搬送する様構成されている。
【００２２】
前記カセット棚７の後方には、前記ウェーハ移載機構（基板移載機構）８が設置されており、該ウェーハ移載機構８はウェーハ２を水平方向に回転ないし直動可能なウェーハ移載装置（基板移載装置）１５、及び該ウェーハ移載装置１５を昇降させる為のウェーハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１６とで構成されている。
【００２３】
前記ウェーハ移載装置１５はウェーハ２を吸着保持するツイーザ（基板搬送具）１７を複数枚有し、前記ウェーハ移載装置エレベータ１６との協働により、ボート（基板保持具）１８に対してウェーハ２を装填（チャージング）及び装脱（ディスチャージング）する様に構成されている。
【００２４】
前記筐体４の後部上方には、処理炉１９が設けられている。該処理炉１９の内部には処理室が形成され、該処理炉１９の下端部は炉口部となっており、該炉口部は炉口シャッタ（炉口開閉機構）２１によって開閉される様になっている。
【００２５】
前記処理炉１９の下方には、前記ボート１８を前記処理炉１９に昇降させる昇降機構としてのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）２２が設けられ、該ボートエレベータ２２の昇降台に連結された連結具としてのアーム２３には蓋体としてのシールキャップ２４が水平に据付けられており、該シールキャップ２４は前記ボート１８を垂直に支持し、前記処理炉１９の下端部を閉塞可能な様に構成されている。
【００２６】
前記ボート１８は複数本の支柱、図示の例では３本の固定支柱２６と、１本の可動支柱２７を有しており、計４本の固定支柱２６及び可動支柱２７によって処理ガスの流れを規制するリング形状の規制部材２８が支持されている。該規制部材２８は、鉛直方向に所定間隔で所定枚数設けられ、前記規制部材２８の中央に複数枚（例えば、５０枚〜１５０枚程度）のウェーハ２がその中心を揃えて鉛直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持される。前記ボート１８は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなっている。尚、前記ボート１８については、更に詳細に後述する。
【００２７】
前記カセット棚７の上方には、清浄化した雰囲気であるクリーンエアを供給する様、供給ファン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット２９が設けられており、クリーンエアを前記筐体４の内部に流通させる様に構成されている。
【００２８】
又、前記ウェーハ移載装置エレベータ１６及び前記ボートエレベータ２２側と反対側である前記筐体４の左側端部には、クリーンエアを供給する様供給ファン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット（図示せず）が設置されており、図示しない該クリーンユニットから吹出されたクリーンエアは、前記ウェーハ移載装置１５、前記ボート１８を流通した後に、図示しない排気装置に吸込まれて前記筐体４の外部に排気される様になっている。
【００２９】
前記基板処理装置１を構成する各部位は、コントローラ９８に電気的に接続されている。該コントローラ９８は、前記基板処理装置１を構成する各部を所望の条件や、所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００３０】
次に、前記基板処理装置１の作動について説明する。尚、以下の説明に於いて、基板処理装置１を構成する各部の動作は前記コントローラ９８により制御される。
【００３１】
前記カセット３はカセット搬入搬出口（図示せず）から搬入され、前記カセットステージ６の上にウェーハ２が垂直姿勢且つ前記カセット３のウェーハ出入れ口が上方向を向く様に載置される。その後、前記カセット３は、前記カセットステージ６によって前記カセット３内のウェーハ２が水平姿勢となり、前記カセット３のウェーハ２出入れ口が前記筐体４の後方を向く様に、筐体４後方に右回りに縦方向９０°回転させられる。
【００３２】
次に、前記カセット３は、前記カセット棚７或は前記予備カセット棚１１の指定された棚位置へ前記カセット搬送装置１２によって自動的に搬送されて受渡され、一時的に保管された後、前記カセット棚７或は前記予備カセット棚１１から前記カセット搬送装置１２によって前記移載棚９に搬送されるか、或は直接該移載棚９に搬送される。
【００３３】
前記カセット３が前記移載棚９に移載されると、ウェーハ２は前記カセット３から前記ウェーハ移載装置１５の前記ツイーザ１７によりウェーハ出入れ口を通じてピックアップされ、ウェーハ２は前記ツイーザ１７に載置吸着された状態で搬送され、前記移載棚９の後方にある前記ボート１８に装填される。該ボート１８にウェーハ２を受渡した前記ウェーハ移載装置１５は前記カセット３に戻り、次のウェーハ２を前記ボート１８に装填する。
【００３４】
予め指定された枚数のウェーハ２が前記ボート１８に装填されると、前記炉口シャッタ２１によって閉じられていた前記処理炉１９の炉口部が、前記炉口シャッタ２１によって開放される。続いて、ウェーハ２群を保持した前記ボート１８は、前記シールキャップ２４が前記ボートエレベータ２２によって上昇され、前記処理炉１９の処理室に装入（ローディング）される。ローディング後は、該処理炉１９にてウェーハ２に任意の処理が実施される。処理後は、上述とは逆の手順でウェーハ２及び前記カセット３が前記筐体４の外部へ払出される。
【００３５】
図２は本発明の実施例で好適に用いられる基板処理装置の処理炉１９の概略構成図であり、縦断面図として示されている。
【００３６】
図２に示されている様に、処理炉１９は加熱機構としてのヒータ７１を有する。該ヒータ７１は円筒形状であり、支持基板としてのヒータベース７２に支持されることにより垂直に据付けられている。
【００３７】
前記ヒータ７１の内側には、該ヒータ７１と同心円状に反応管７３が配設されている。該反応管７３は内部反応管としてのインナチューブ７４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウタチューブ７５とから構成されている。前記インナチューブ７４は、例えば石英（ＳｉＯ2 ）又は炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。前記インナチューブ７４の内部には処理室７６が形成されており、ウェーハ２を前記ボート１８によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収納可能に構成されている。
【００３８】
前記アウタチューブ７５は、例えば石英又は炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、内径が前記インナチューブ７４の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、前記インナチューブ７４と同心円状に設けられている。
【００３９】
前記アウタチューブ７５の下方には、前記アウタチューブ７５と同心円状にマニホールド７７が配設されている。該マニホールド７７は、例えばステンレス等からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。該マニホールド７７は、前記インナチューブ７４と前記アウタチューブ７５に係合しており、これらを支持する様に設けられている。尚、前記マニホールド７７と前記アウタチューブ７５との間にはシール部材としてのＯリング７８が設けられている。前記マニホールド７７が前記ヒータベース７２に支持されることにより、前記反応管７３は垂直に据付けられた状態となっている。前記反応管７３と前記マニホールド７７により反応容器が形成される。
【００４０】
前記シールキャップ２４にはガス導入部としてのノズル７９が前記処理室７６内に連通する様に接続されており、前記ノズル７９にはガス供給管８１が接続されている。該ガス供給管８１の上流側には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）８２を介して図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源が接続されている。前記ＭＦＣ８２には、ガス流量制御部８３が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００４１】
前記マニホールド７７には、前記処理室７６内の雰囲気を排気する排気管８４が設けられている。該排気管８４は、前記インナチューブ７４と前記アウタチューブ７５との間に形成される筒状空間８５の下端部に連通している。前記排気管８４のマニホールド７７との接続側と反対側である下流側には圧力検出器としての圧力センサ８６及び圧力調整装置８７を介して真空ポンプ等の真空排気装置８８が接続されており、前記処理室７６内の圧力が所定の圧力（真空度）となる様真空排気し得る様に構成されている。前記圧力センサ８６及び前記圧力調整装置８７には、圧力制御部８９が電気的に接続されており、該圧力制御部８９は前記圧力センサ８６により検出された圧力に基づいて前記圧力調整装置８７により前記処理室７６内の圧力が所望の圧力となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００４２】
前記マニホールド７７の下方には、該マニホールド７７の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２４が設けられている。該シールキャップ２４は前記マニホールド７７の下端に垂直方向下側から当接される様になっている。該シールキャップ２４は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。前記シールキャップ２４の上面には前記マニホールド７７の下端と当接するシール部材としてのＯリング９１が設けられる。
【００４３】
前記シールキャップ２４の前記処理室７６と反対側（下面側）には、前記ボート１８を回転させるボート回転機構４０が設置されている。該ボート回転機構４０のボート回転軸４４は前記シールキャップ２４を貫通して、前記ボート１８に連結されており、該ボート１８を回転させることでウェーハ２を回転させる様に構成されている。
【００４４】
前記シールキャップ２４は前記ボートエレベータ２２によって垂直方向に昇降される様に構成されており、前記ボート１８を前記処理室７６に対し装入、装脱することが可能となっている。前記ボート回転機構４０及び前記ボートエレベータ２２には、駆動制御部９４が電気的に接続されており、所望の動作をする様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００４５】
前記ボート１８は、複数枚のウェーハ２を水平姿勢で且つ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持する様に構成されている。尚、前記ボート１８の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板５８（図４参照）が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、前記ヒータ７１からの熱が前記マニホールド７７側に伝わりにくくなる様構成されている。
【００４６】
前記反応管７３内には、温度検出器としての温度センサ９５が設置されている。前記ヒータ７１と前記温度センサ９５には、電気的に温度制御部９６が接続されており、前記温度センサ９５により検出された温度情報に基づき前記ヒータ７１への通電具合を調整することにより前記処理室７６内の温度が所望の温度分布となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００４７】
前記ガス流量制御部８３、前記圧力制御部８９、前記駆動制御部９４、前記温度制御部９６は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部９７に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部８３、圧力制御部８９、駆動制御部９４、温度制御部９６、主制御部９７はコントローラ９８として構成されている。
【００４８】
次に、上記構成に係る処理炉１９を用いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ＣＶＤ法によりウェーハ２上に薄膜を形成する方法について説明する。尚、以下の説明に於いて、基板処理装置１を構成する各部の動作は前記コントローラ９８により制御される。
【００４９】
複数枚のウェーハ２が前記ボート１８に装填（ウェーハチャージ）されると、図２に示されている様に、複数枚のウェーハ２を保持した前記ボート１８は、前記ボートエレベータ２２によって持ち上げられて前記処理室７６に搬入（ボートローディング）される。この状態で、前記シールキャップ２４は前記Ｏリング９１を介して前記マニホールド７７の下端をシールした状態となる。
【００５０】
前記処理室７６内が所望の圧力（真空度）となる様に真空排気装置８８によって真空排気される。この際、前記処理室７６内の圧力は、前記圧力センサ８６で測定され、この測定された圧力に基づき前記圧力調整装置８７が、フィードバック制御される。又、前記処理室７６内が所望の温度となる様に前記ヒータ７１によって加熱される。この際、前記処理室７６内が所望の温度分布となる様に前記温度センサ９５が検出した温度情報に基づき前記ヒータ７１への通電具合がフィードバック制御される。続いて、前記ボート回転機構４０により、前記ボート１８が回転されることで、ウェーハ２が回転される。
【００５１】
次いで、処理ガス供給源から供給され、前記ＭＦＣ８２にて所望の流量となる様に制御されたガスは、ガス供給管８１を流通して前記ノズル７９から前記処理室７６内に導入される。導入されたガスは前記処理室７６内を上昇し、前記インナチューブ７４の上端開口から前記筒状空間８５に流出して前記排気管８４から排気される。ガスは前記処理室７６内を通過する際にウェーハ２の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウェーハ２の表面上に薄膜が堆積（デポジション）される。
【００５２】
予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、前記処理室７６内が不活性ガスに置換されると共に、該処理室７６内の圧力が常圧に復帰される。
【００５３】
その後、前記ボートエレベータ２２により前記シールキャップ２４が下降されて、前記マニホールド７７の下端が開口されると共に、処理済ウェーハ２が前記ボート１８に保持された状態で前記マニホールド７７の下端から前記反応管７３の外部に搬出（ボートアンローディング）される。その後、処理済ウェーハ２は前記ボート１８より取出される（ウェーハディスチャージ）。
【００５４】
尚、一例迄、本実施例の処理炉にてウェーハを処理する際の処理条件としては、例えば、窒化珪素膜（Ｓｉ3 Ｎ4 膜）の成膜に於いては、処理温度３００℃以上８００℃以下、処理圧力１０Ｐａ以上１０００Ｐａ以下、ガス種、ガス供給流量としてアンモニア（ＮＨ3 ）ガス０．１ＳＬＭ以上０．５ＳＬＭ以下、ジクロロシラン（ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ）ガス０．３ＳＬＭ以上５ＳＬＭ以下が例示され、それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することでウェーハに処理がなされる。
【００５５】
又、図１〜図４を参照して前記ボート１８について説明する。
【００５６】
本実施例に於けるボート１８は、円板形状の底板３１、天板３２及び該底板３１、天板３２に掛渡り、鉛直に立設された前記固定支柱２６及び前記底板３１に対して半径方向に延出し、水平方向に回転可能に設けられた支柱支持腕３３及び該支柱支持腕３３の先端に鉛直に立設された前記可動支柱２７を有し、前記固定支柱２６、前記可動支柱２７に処理ガスの流れを規制する前記規制部材２８が設けられている。
【００５７】
前記各固定支柱２６には中心に向って水平方向に突出する基板載置ピン３４が設けられ、該基板載置ピン３４は前記規制部材２８の内縁よりも更に中心側に延出し、前記基板載置ピン３４の延出部分である内端部にウェーハ２が載置される様になっている。
【００５８】
前記規制部材２８は保持されるウェーハ２の間に位置し、ウェーハ周縁から外方に向って張出す形状を有している。又、前記規制部材２８とウェーハ２とは鉛直方向に適宜な間隙が形成され、前記規制部材２８と前記ウェーハ２とは非接触となっている。
【００５９】
前記規制部材２８は、一部の円弧が欠切されたリング形状の第１規制部材３５、該第１規制部材３５の欠切部３７を充足する円弧形状をした第２規制部材３６から構成されており、前記第１規制部材３５は前記固定支柱２６に固定支持され、前記第２規制部材３６は前記可動支柱２７に固定支持されている。
【００６０】
前記支柱支持腕３３は前記ボート１８の軸心を中心に回転可能であり、前記底板３１に対して回転可能となっている。従って、前記支柱支持腕３３に立設された前記可動支柱２７は鉛直状態を維持して、前記ボート１８の軸心を中心に回転可能であり、前記可動支柱２７に固定された第２規制部材３６は前記第１規制部材３５に対して回転可能となっている。前記可動支柱２７は、前記第１規制部材３５の外径よりも外側に配置される様に前記支柱支持腕３３に立設されている。又、前記第２規制部材３６の外径は、前記第１規制部材３５の外径よりも大きい径で形成されている。
【００６１】
又、前記第２規制部材３６は前記第１規制部材３５に対して非接触であり、該第１規制部材３５、前記第２規制部材３６、前記ウェーハ２は、それぞれの間に鉛直方向で適宜な間隙が形成される様な配置となっている。好ましくは、前記第２規制部材３６の内径は、前記第１規制部材３５の内径と同径となる様に形成されている。
【００６２】
而して、前記底板３１、前記天板３２及び前記固定支柱２６、第１規制部材３５はボート本体部を構成し、前記支柱支持腕３３、前記可動支柱２７、前記第２規制部材３６は可動部を構成する。
【００６３】
図３（Ａ）〜図３（Ｃ）に於いて、前記第１規制部材３５と前記第２規制部材３６との関係について説明する。
【００６４】
図３（Ａ）は、前記第２規制部材３６が前記欠切部３７を充足した状態を示しており、前記第２規制部材３６と前記第１規制部材３５によって完全円状のリングが形成されている。
【００６５】
図３（Ｂ）は、前記可動支柱２７が図中反時計方向に回転した状態を示しており、前記可動支柱２７の回転により、前記第２規制部材３６は前記可動支柱２７と一体に回転し、該第２規制部材３６は前記第１規制部材３５に少なくとも一部が重合状態となり、前記欠切部３７を開放する。開放された該欠切部３７は、前記ツイーザ１７が進入、退避する為の搬送空間を形成する。
【００６６】
尚、図３（Ｂ）は、開放された前記欠切部３７に前記ツイーザ１７が進入し、前記基板載置ピン３４へウェーハ２を載置した状態を示している。又、図３（Ｃ）は、前記第２規制部材３６が前記欠切部３７を充足した状態を示している。更に、図３（Ｃ）は、前記基板載置ピン３４にウェーハ２が載置された状態も示している。
【００６７】
次に、図４を参照してボートエレベータ２２のボート載置部３９を説明する。
【００６８】
前記ボートエレベータ２２から水平方向に延びた前記アーム２３の先端部に前記シールキャップ２４が設けられている。前記アーム２３の下側から前記シールキャップ２４を気密に貫通する様にボート回転機構４０が設けられている。
【００６９】
前記ボート回転機構４０の下部に減速器４１が取付けられている。前記ボート回転機構４０の内部に中空の外回転軸４２が軸受４３を介して回転自在に設けられ、前記外回転軸４２の上端に中空のボート回転軸４４が前記外回転軸４２と同心に設けられている。
【００７０】
前記ボート回転軸４４は前記シールキャップ２４を貫通し、前記ボート回転軸４４の上端にはボート載置盤４５が固着され、該ボート載置盤４５に前記ボート１８が載置される。
【００７１】
前記減速器４１の内部にはウォームホイール４６が収納され、該ウォームホイール４６は前記外回転軸４２に嵌着されている。前記ウォームホイール４６にはウォーム４７が噛合され、該ウォーム４７は図示しないボート回転モータ（図示せず）の出力軸４８に嵌着されている。前記外回転軸４２の回転位置を検出する回転検出器（図示せず）が設けられ、前記外回転軸４２の前記シールキャップ２４に対する回転位置が検出される様になっており、又前記回転検出器は前記外回転軸４２、即ち前記ボート載置盤４５の基準位置を検出可能となっている。尚、前記回転検出器は前記外回転軸４２の回転を検出してもよく、或は前記出力軸４８の回転を検出してもよく、回転検出器としては例えば前記ボート回転モータに設けられたエンコーダが用いられる。
【００７２】
前記外回転軸４２、前記ボート回転軸４４の中心を貫通する内回転軸４９が、軸受５０を介して回転自在に設けられ、又前記内回転軸４９は気密にシールされている。該内回転軸４９の上端部は前記ボート載置盤４５より突出しており、前記内回転軸４９の上端に前記支柱支持腕３３が固着されている。前記内回転軸４９の下端部は半円柱状に一部が切除され、平坦面５１が形成されている。該平坦面５１は前記減速器４１の下面より下方に突出している。
【００７３】
前記内回転軸４９の下端部には弾性体としての捩りコイルバネである内回転軸用バネ５２が外嵌され、該内回転軸用バネ５２の一端は中心側に折曲げられ、前記平坦面５１に係合され、他端は接線方向に延出し、前記外回転軸４２に係合されている。特に図示していないが、前記内回転軸４９と前記外回転軸４２間には機械的にストッパが設けられ、前記内回転軸用バネ５２は前記内回転軸４９と前記外回転軸４２とがストッパを介して確実に当接する様に初期撓みが与えられている。
【００７４】
又、前記内回転軸４９と前記外回転軸４２とが当接した状態は、即ち、前記内回転軸４９と前記外回転軸４２との相対回転位置は、前記可動支柱２７と前記固定支柱２６との位置が図３（Ａ）、図３（Ｃ）の状態となっている。
【００７５】
前記減速器４１の下面にはスライド軸受５３を介してロックロッド５４が前記内回転軸４９の軸心に直交する方向に摺動自在に設けられ、前記ロックロッド５４の先端は前記平坦面５１に当接可能となっており、前記ロックロッド５４の基端はシリンダ、ソレノイド等、リニア駆動器であるロックアクチュエータ５５に連結されている。
【００７６】
而して、該ロックアクチュエータ５５により前記ロックロッド５４が進退され、該ロックロッド５４の先端が前記平坦面５１に当接離反する様になっており、前記ロックロッド５４が前記平坦面５１に当接した状態では、前記内回転軸４９の回転が拘束される。
【００７７】
前記内回転軸４９、前記内回転軸用バネ５２、前記ロックロッド５４、前記ロックアクチュエータ５５、前記支柱支持腕３３、前記可動支柱２７等は第２規制部材回転機構５６を構成する。
【００７８】
尚、前記内回転軸４９の回転を拘束する方法としては、前記内回転軸４９の下端に水平方向に延びるピンを設け、該ピンの回転面に対して係合部材を出入りさせる様にしてもよい。
【００７９】
図５により、前記第２規制部材３６の前記第１規制部材３５に対する回転（相対回転）作動について説明する。
【００８０】
通常状態（前記ウェーハ移載機構８によるウェーハ２の移載が行われていない場合）は、前記ロックアクチュエータ５５より前記ロックロッド５４が後退され、該ロックロッド５４が前記平坦面５１から離反している。即ち、前記外回転軸４２と前記内回転軸４９とがストッパを介して当接している状態である（図５（Ａ）参照）。
【００８１】
従って、前記支柱支持腕３３、前記可動支柱２７は、前記シールキャップ２４、前記固定支柱２６に対して相対回転していない状態であり、同様に前記第２規制部材３６が前記第１規制部材３５に対して相対回転していない状態であり、前記第２規制部材３６により前記欠切部３７が充足され、前記規制部材２８は完全円状態となっている（図３（Ａ）参照）。
【００８２】
次に、前記ロックアクチュエータ５５により前記ロックロッド５４を前進させ、該ロックロッド５４を前記平坦面５１に当接させ、前記内回転軸４９の回転を拘束する（図５（Ｂ）参照）。
【００８３】
前記内回転軸４９の回転を拘束した状態で、前記ボート回転モータ（図示せず）が駆動され、前記ウォーム４７、前記ウォームホイール４６を介し前記外回転軸４２が所定角度回転される。該外回転軸４２の回転方向は前記内回転軸用バネ５２を更に撓ませる方向であり、前記外回転軸４２の回転によって前記ボート回転軸４４を介して前記ボート載置盤４５が所定角度回転される。この時、前記内回転軸４９は回転を拘束されているので、該内回転軸４９は前記外回転軸４２に対して逆方向に所定角度相対回転する。この場合の回転角度は前記第２規制部材３６が前記欠切部３７を完全に開放する角度であり、前記ツイーザ１７の幅、ウェーハ２の外径等に対応して適宜決定され、本実施例では略３０°である。
【００８４】
又、前記ボート載置盤４５と共に前記固定支柱２６を介して第１規制部材３５が回転され、同時に前記欠切部３７も回転する。回転後の該欠切部３７の位置は、前記ウェーハ移載装置１５に対峙し、前記ツイーザ１７の進退方向と合致している（図３（Ｂ）参照）。
【００８５】
前記欠切部３７が開放され、前記ツイーザ１７が進入、退避する為の搬送空間が確保されるので、前記ウェーハ移載機構８により前記ボート１８にウェーハ２の移載が実行される。
【００８６】
ウェーハ２移載の前記ツイーザ１７の動きを略述すると、該ツイーザ１７はウェーハ２を載置した状態で、前記第１規制部材３５の上面と基板載置ピン３４の上面との間に挿入され、ウェーハ２が前記ボート１８の中心に達した位置で、若干降下する。前記ツイーザ１７の降下により、ウェーハ２が前記基板載置ピン３４に載置され、前記ウェーハ２の下面と前記ツイーザ１７の上面との間に間隙が生じる。この状態で、前記ツイーザ１７を後退させることで、ウェーハ２のボート１８への移載が完了する。
【００８７】
尚、ウェーハ２を前記ボート１８から払出す場合は、上記作動の逆を行えばよい。
【００８８】
又、前記ウェーハ２が前記基板載置ピン３４に載置された状態では、前記第２規制部材３６と前記規制部材２８、前記ウェーハ２との間にそれぞれ間隙が形成される。
【００８９】
前記ボート１８にウェーハ２が所定枚数装填され、前記ツイーザ１７が後退すると、前記ボート回転モータ（図示せず）が上記回転方向とは逆の方向に駆動される。前記内回転軸４９は前記ロックロッド５４により依然として回転が拘束されており、前記第２規制部材３６が前記第１規制部材３５に対して前記欠切部３７を充足する方向に相対回転される。回転方向は前記内回転軸用バネ５２を復元させる方向である。前記ボート載置盤４５が所定角度、逆方向に回転されると前記ロックアクチュエータ５５により前記ロックロッド５４が後退され、前記内回転軸４９はストッパ（図示せず）で前記外回転軸４２に対する回転方向の位置が決定される。
【００９０】
ここで、前記内回転軸４９を前記ボート載置盤４５に対して相対復帰させる為には、前記ロックロッド５４を後退させ、前記内回転軸用バネ５２の復元力により、前記内回転軸４９を逆方向に回転させることもできるが、前記内回転軸４９の急激な回転、停止は発塵を誘発する可能性があり、上記した様に、ボート回転モータによりゆっくり戻すのが好ましい。
【００９１】
前記ロックロッド５４による前記内回転軸４９のロックが解除された状態では、前記内回転軸４９と前記外回転軸４２とは前記内回転軸用バネ５２、ストッパを介して一体化された状態であり、前記ボート回転モータ（図示せず）により前記外回転軸４２を回転することで該外回転軸４２と前記内回転軸４９とが一体に、即ち前記第１規制部材３５と前記第２規制部材３６とは完全円状態を維持して一体に回転可能となる（図３（Ｃ）参照）。
【００９２】
上記した様に、前記炉口シャッタ２１により前記処理炉１９の炉口部が開放され、前記ボートエレベータ２２によって前記ボート１８が前記処理炉１９の処理室７６に装入される。
【００９３】
該処理炉１９の処理室でウェーハ２が加熱されると共に処理ガスが導入され、ウェーハ２に所要の処理がなされる。前記処理室では、前記ウェーハ２の周囲に前記規制部材２８（前記第１規制部材３５、前記第２規制部材３６）が存在するので、該規制部材２８によってウェーハ２の周縁部の処理ガスの流れが、ウェーハ２の内部での処理ガスの流れと同様となる様に規制される。この為、ウェーハ２の成膜の均一性が向上し、処理品質、歩留りの向上が図れる。
【００９４】
又、処理中、前記ボート回転機構４０により前記ボート１８が回転されるので、ウェーハ２に対する処理ガスの流れが均等化され、同様に、成膜の均一性が向上し、処理品質、歩留りが向上する。
【００９５】
尚、処理室の温度均一性を向上させる為、炉口部の断熱を行うのが好ましく、前記ボート１８の下部には多数枚の断熱板５８を装填し、断熱域を形成する。尚、断熱域については、前記規制部材２８は分割構造とはせずに、一体のリング形状としてもよく、或は規制部材２８を省略してもよい。更に、前記断熱域をボートキャップで構成してもよい。
【００９６】
図６、図７は、第２の実施例を示している。尚、図６は、前記ツイーザ１７がウェーハ２を載置してボート１８内に進入した状態を示しており、図７は簡略化し、前記第２規制部材３６の一段のみを示している。
【００９７】
第２の実施例では、ウェーハ移載機構８のツイーザ１７が掬上げ方式となっており、該ツイーザ１７の先端がウェーハ２より突出する。従って、前記ツイーザ１７の先端部と前記規制部材２８との干渉を避ける為、該規制部材２８には対峙する２箇所に欠切部３７ａ，３７ｂが形成される。
【００９８】
支柱支持腕３３は、前記底板３１の直径と同等の長さを有し、両端部に可動支柱２７ａ，２７ｂが立設され、該可動支柱２７ａ，２７ｂに前記欠切部３７ａ，３７ｂをそれぞれ充足する第２規制部材３６ａ，３６ｂが固着される。
【００９９】
好適には、前記ツイーザ１７の進入方向基端側に位置する前記第２規制部材３６ａの円弧の長さを前記ツイーザ１７の進入方向先端側に位置する前記第２規制部材３６ｂの円弧長よりも大きくし、更に、前記ツイーザ１７の進入方向基端側に位置する前記欠切部３７ａの円弧長を前記ツイーザ１７の進入方向先端側に位置する前記欠切部３７ｂの円弧長より大きくするとよい。
【０１００】
これにより、前記可動支柱２７ａと前記ツイーザ１７又は該ツイーザ１７に載置されたウェーハ２との干渉の可能性をより一層抑制することができ、より完全に前記ウェーハ２を移載することができる。
【０１０１】
前記支柱支持腕３３を正逆回転することで、前記可動支柱２７ａ，２７ｂを介して前記第２規制部材３６ａ，３６ｂが前記第１規制部材３５に対して正逆回転し、前記欠切部３７ａ，３７ｂを開放又は充足する。
【０１０２】
尚、好適には前記内回転軸４９に、更に前記底板３１に係合解除可能なロック部材を設けるとよい。前記内回転軸４９は、前記底板３１との係合を解除させる第１位置と前記ロック部材を前記底板３１に係合させる第２位置との間で回転可能とし、地震等に備える場合には、ホルダボートの倒れを抑制することができ、ホルダボートの倒れを抑制する必要がないときにはロックを解除することができる。
【０１０３】
又、ロック部材、ボート１８の回転、第２規制部材３６の相対回転をさせる機構を、ボート載置部に集約して設置しているので、有機汚染物・パーティクル等の発生を抑制し、更に発生した汚染物のウェーハ２に対する影響を抑制できる。
【０１０４】
上述した様に、本発明によれば、以下に挙げる効果の内、少なくとも１つ以上の効果を奏する。
【０１０５】
（１）基板処理時には、前記第１規制部材３５と前記第２規制部材３６とで基板載置部に載置された基板の周縁の処理ガス流れを規制することができ、基板面内膜厚均一性を向上させることができる。
【０１０６】
（２）基板載置部への基板挿入出時には、前記第２規制部材３６を前記第１規制部材３５と少なくとも一部が重なる位置迄退避することで、基板搬送具（ツイーザ）１７と前記第２規制部材３６とを干渉させることなく基板を挿入出することができる。
【０１０７】
（３）基板挿入出時に前記第２規制部材３６を前記第１規制部材３５とその一部が重力方向に於いて重なる位置に回転退避させることで、前記基板搬送具（ツイーザ）１７と前記ボート（可動リング部）１８との干渉の懸念が無くなる。その為、基板間ピッチを小さくすることができ、載置枚数（１バッチでの処理枚数）を増加させることができる。
【０１０８】
（４）その一部が重力方向に於いて重なる位置に回転退避可能としている為、退避しても前記第２規制部材３６が固定部より外側に嵩張ってしまうことがない。その為、デッドスペースを少なくすることができる。
【０１０９】
（５）前記第２規制部材３６が、基板搬送具の進退方向であって対向する少なくとも２箇所に設けられており、回転部は、前記第２規制部材３６を前記２箇所から前記第１規制部材３５と重力方向（鉛直方向）に重なり合う位置迄、同時に回転可能としている為、掬上げ方式の基板搬送にも対応することができる。即ち、掬上げ方式の場合、前記ツイーザ１７の進行方向奥側で基板の周端を前記ツイーザ１７が保持するがこの保持する際に可動リング部を退避させることができる為、可動リング部と干渉することなく掬上げ方式での基板搬送を可能とすることができる。
【０１１０】
（６）回転部が前記２箇所に設けられる第２規制部材３６を固定リング部と重力方向（鉛直方向）に重なり合う様に同時に回転させることで、スループットを向上させることができる。
【０１１１】
（７）前記第１規制部材３５、前記第２規制部材３６を含む前記ボート１８を一体回転可能とする為、ウェーハ膜厚面内均一性を確保することができる。
【０１１２】
（８）回転部には、前記ボート本体部を回転させる第１回転軸と前記ボート本体部と前記可動部とを一体回転させる第２回転軸とが同軸状に形成されていることにより、前記ボート１８より下方に回転機構を集約することができ、回転体の磨耗により発生する有機汚染物やパーティクル等による前記ボート（固定における基板載置部）１８に載置された基板への悪影響を抑制できる。
【０１１３】
図８は、本発明を他の基板処理装置６０に実施した場合を示している。尚、図８中、図１中で示したものと同等のものには同符号を付し、その説明を省略する。
【０１１４】
該基板処理装置６０に使用されるカセット３は密閉式であり、前記基板処理装置６０外ではウェーハ２は前記カセット３に密閉された状態で搬送され、前記基板処理装置６０の内部に前記カセット３の蓋を開閉するカセットオープナ６１を具備している。
【０１１５】
又、筐体４の内部、ボートエレベータ２２と対向した位置に、ボート交換装置６２を有し、複数のボート１８を用いてウェーハ２の該ボート１８への装填、払出しと基板処理とを並行して実行できる様にし、スループットの向上を図っている。
【０１１６】
図８に於いて、６３はボート１８にウェーハ２の装填、払出しを行うウェーハ移載位置６３を示し、６４は処理済のボート１８を一時的に保管するボート待機位置を示している。
【０１１７】
前記ウェーハ移載位置６３でウェーハ２が装填されたボート１８は前記ボート交換装置６２によって前記シールキャップ２４に移載され、前記ボートエレベータ２２によって前記処理炉１９に装入される。
【０１１８】
処理が完了すると、処理済ボート１８は前記ボート交換装置６２によって前記ボート待機位置６４に移載され、未処理ウェーハが装填されたボート１８が前記ボート交換装置６２によって前記シールキャップ２４に移載され、再び未処理ボート１８が前記処理炉１９に装入される。前記ウェーハ移載位置６３が空きになると、前記ボート交換装置６２により処理済ボート１８が前記ボート待機位置６４から前記ウェーハ移載位置６３に移載され、処理済ボート１８からウェーハ２が払出される。
【０１１９】
上記作動の繰返しにより、ウェーハ２処理中にウェーハ２の装填、払出しが行われ、ウェーハ２移載の無駄な時間がなくなるのでスループットが向上する。
【０１２０】
前記基板処理装置６０に本発明を実施することで、基板処理時には、第１規制部材３５と第２規制部材３６とで基板載置部に載置された基板の周縁の処理ガス流れを規制することができ、基板面内膜厚均一性を向上させることができる等、上記したと同等の効果が得られる。
【０１２１】
（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
【０１２２】
（付記１）複数の基板を保持する基板保持体と、複数の基板を前記基板保持体で保持しつつ処理する処理室とを備え、前記基板保持体は、基板を載置可能に構成される基板載置部と、該基板載置部に載置された基板の周縁一部のガス流れを規制する第１規制部材とを複数鉛直方向に第１間隙を成して備える本体部と、前記基板載置部に載置された基板の周縁他部のガス流れを規制する第２規制部材を複数鉛直方向に前記第１間隙を成して備える可動部を有し、前記第１規制部材が周方向に第２間隙を有し、前記第２規制部材は前記第２間隙を充足する形状を有し、前記第２規制部材を前記第２間隙を充足する第１位置から前記第２間隙を開放し、前記第１規制部材と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう第２位置迄退避可能にしたことを特徴とする基板処理装置。
【０１２３】
（付記２）付記１に於いて、前記第１規制部材及び前記第２規制部材は、前記第２規制部材が前記第１位置に位置する際に前記第１規制部材及び前記第２規制部材とで前記基板載置部に支持された基板の全周縁を囲う様に構成されている基板処理装置。
【０１２４】
（付記３）付記１に於いて、更に前記第２規制部材が前記第１位置と前記第２位置とで移動可能に前記可動部を回転させる回転機構が構成されている基板処理装置。
【０１２５】
（付記４）付記１に於いて、前記第１規制部材は、円弧状で形成された第１円弧体が周方向に第２間隙を残置して複数設けられており、前記第２規制部材は、円弧状で形成された第２円弧体が周方向に第３間隙を成して複数設けられている基板処理装置。
【０１２６】
（付記５）付記４に於いて、更に、前記第２間隙を通して前記基板載置部に基板を搬送する基板搬送具を有する基板処理装置。
【０１２７】
（付記６）付記４に於いて、複数の前記第２円弧体は、複数の前記第１円弧体の周方向に於ける少なくとも２箇所の第２間隙を同時に充足する様移動可能に構成されている基板処理装置。
【０１２８】
（付記７）付記３に於いて、前記回転機構は、更に前記本体部と前記可動部とを一体回転可能な様に構成されている基板処理装置。
【０１２９】
（付記８）付記７に於いて、前記回転機構には、前記可動部を前記本体部に対して回転させる第１回転軸と前記本体部と前記可動部とを一体回転させる第２回転軸とが同軸状に形成されている基板処理装置。
【０１３０】
（付記９）付記８に於いて、前記本体部を前記第２回転軸若しくは前記可動部に係合させるロック部を更に有する基板処理装置。
【０１３１】
（付記１０）複数の基板を保持する基板保持体と、複数の基板を前記基板保持体で保持しつつ処理する処理室とを備え、前記基板保持体は、互いに平行に複数設けられる第１支柱と、該第１支柱に対して鉛直方向に第１間隙を成して複数設けられ、ガス流れを規制する第１規制部材と、前記第１支柱若しくは前記第１規制部材に夫々設けられる基板を載置可能に構成される基板載置部とを少なくとも備える本体部と、前記第１支柱と平行に設けられる第２支柱と、該第２支柱に対して鉛直方向に前記第１間隙を成して複数設けられ、ガス流れを規制する第２規制部材とを少なくとも備える可動部とを有し、該可動部の前記第２規制部材は、前記第１規制部材がガス流れを規制する前記基板載置部に載置された基板の周縁一部とは異なる周縁他部のガス流れを規制する第１位置と前記第１規制部材と前記第２規制部材とが前記第１支柱と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう第２位置とで移動可能に構成されていることを特徴とする基板処理装置。
【０１３２】
（付記１１）基板を載置可能に構成される基板載置部と、該基板載置部に載置された基板の周縁一部のガス流れを規制する第１規制部材とを複数鉛直方向に第１間隙を成して備える本体部と、前記基板載置部に載置された基板の周縁他部のガス流れを規制する第２規制部材を複数鉛直方向に前記第１間隙を成して備え、前記第２規制部材を前記周縁他部のガス流れを規制する第１位置から前記第１規制部材と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう第２位置迄退避可能に構成されている可動部とを有することを特徴とする基板保持体。
【０１３３】
（付記１２）付記１１に於いて、前記第１規制部材は、円弧状で形成された第１円弧体が周方向に第２間隙を成して複数設けられており、前記第２規制部材は、円弧状で形成された第２円弧体が周方向に第３間隙を成して複数設けられている基板保持体。
【０１３４】
（付記１３）付記１１に於いて、互いに平行に複数設けられる第１支柱と、該第１支柱に対して鉛直方向に第１間隙を成して複数設けられ、ガス流れを規制する第１規制部材と、前記第１支柱若しくは前記第１規制部材に夫々設けられる基板を載置可能に構成される基板載置部とを少なくとも備える本体部と、前記第１支柱と平行に設けられる第２支柱と、該第２支柱に対して鉛直方向に前記第１間隙を成して複数設けられ、ガス流れを規制する第２規制部材とを少なくとも備える可動部とを有し、該可動部の前記第２規制部材は、前記第１規制部材がガス流れを規制する前記基板載置部に載置された基板の周縁一部とは異なる周縁他部のガス流れを規制する第１位置と前記第１規制部材と前記第２規制部材とが前記第１支柱と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう第２位置とで移動可能に構成されている基板保持体。
【０１３５】
（付記１４）処理室に処理ガスを導入し、基板保持体の本体部に於ける基板載置部に載置された基板の周縁一部の前記処理ガスの流れを前記本体部に於ける第１規制部材にて規制し、前記基板保持体の可動部に於ける第２規制部材にて前記基板載置部に載置された基板の周縁他部の前記処理ガスの流れを規制しつつ、前記基板を処理する工程と、前記処理室から前記基板保持体を搬出し、前記可動部を動作し、前記第２規制部材を前記第１規制部材と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう位置迄退避し、前記基板載置部から基板を搬出する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０１３６】
（付記１５）付記１４の前記基板搬出工程に於いて、前記処理室から前記基板保持体を搬出しつつ前記可動部を動作し、前記第２規制部材を前記第１規制部材と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう位置迄退避する半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【０１３７】
１ 基板処理装置
２ ウェーハ
３ カセット
８ ウェーハ移載機構
１７ ツイーザ
１８ ボート
２２ ボートエレベータ
２３ アーム
２４ シールキャップ
２６ 固定支柱
２７ 可動支柱
２８ 規制部材
３１ 底板
３３ 支柱支持腕
３４ 基板載置ピン
３５ 第１規制部材
３６ 第２規制部材
３７ 欠切部
４２ 外回転軸
４９ 内回転軸
５２ 内回転軸用バネ
５４ ロックロッド
５５ ロックアクチュエータ
５８ 断熱板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板を保持する基板保持体と、複数の基板を前記基板保持体で保持しつつ処理する処理室とを備え、前記基板保持体は、基板を載置可能に構成される基板載置部と、該基板載置部に載置された基板の周縁一部のガス流れを規制する第１規制部材とを複数鉛直方向に第１間隙を成して備える本体部と、前記基板載置部に載置された基板の周縁他部のガス流れを規制する第２規制部材を複数鉛直方向に前記第１間隙を成して備え、前記第２規制部材を前記周縁他部のガス流れを規制する第１位置から前記第１規制部材と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう第２位置迄退避可能に構成されている可動部とを有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記第１規制部材及び前記第２規制部材は、前記第２規制部材が前記第１位置に位置する際に前記第１規制部材及び前記第２規制部材とで前記基板載置部に支持された基板の全周縁を囲う様に構成されている請求項１の基板処理装置。
【請求項３】
前記第２規制部材が前記第１位置と前記第２位置とで移動可能とする回転機構が構成されている請求項１の基板処理装置。
【請求項４】
基板を載置可能に構成される基板載置部と、該基板載置部に載置された基板の周縁一部のガス流れを規制する第１規制部材とを複数鉛直方向に第１間隙を成して備える本体部と、前記基板載置部に載置された基板の周縁他部のガス流れを規制する第２規制部材を複数鉛直方向に前記第１間隙を成して備え、前記第２規制部材を前記周縁他部のガス流れを規制する第１位置から前記第１規制部材と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう第２位置迄退避可能に構成されている可動部とを有することを特徴とする基板保持体。
【請求項５】
処理室に処理ガスを導入し、基板保持体の本体部に於ける基板載置部に載置された基板の周縁一部の前記処理ガスの流れを前記本体部に於ける第１規制部材にて規制し、前記基板保持体の可動部に於ける第２規制部材にて前記基板載置部に載置された基板の周縁他部の前記処理ガスの流れを規制しつつ、前記基板を処理する工程と、前記処理室から前記基板保持体を搬出し、前記可動部を動作し、前記第２規制部材を前記第１規制部材と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう位置迄退避し、前記基板載置部から基板を搬出する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１】
複数の基板を保持する基板保持体と、複数の基板を前記基板保持体で保持しつつ処理する処理室とを備え、前記基板保持体は、基板を載置可能に構成される基板載置部と、該基板載置部に載置された基板の周縁一部のガス流れを規制する第１規制部材とを複数鉛直方向に第１間隙を成して備える本体部と、前記基板載置部に載置された基板の周縁他部のガス流れを規制する第２規制部材を複数鉛直方向に前記第１間隙を成して備え、前記第２規制部材を前記周縁他部のガス流れを規制する第１位置から前記第１規制部材と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう第２位置迄退避可能に構成されている可動部とを有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記第１規制部材及び前記第２規制部材は、前記第２規制部材が前記第１位置に位置する際に前記第１規制部材及び前記第２規制部材とで前記基板載置部に支持された基板の全周縁を囲う様に構成されている請求項１の基板処理装置。
【請求項３】
前記第２規制部材が前記第１位置と前記第２位置とで移動可能とする回転機構が構成されている請求項１の基板処理装置。
【請求項４】
基板を載置可能に構成される基板載置部と、該基板載置部に載置された基板の周縁一部のガス流れを規制する第１規制部材とを複数鉛直方向に第１間隙を成して備える本体部と、前記基板載置部に載置された基板の周縁他部のガス流れを規制する第２規制部材を複数鉛直方向に前記第１間隙を成して備え、前記第２規制部材を前記周縁他部のガス流れを規制する第１位置から前記第１規制部材と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう第２位置迄退避可能に構成されている可動部とを有することを特徴とする基板保持体。
【請求項５】
処理室に処理ガスを導入し、基板保持体の本体部に於ける基板載置部に載置された基板の周縁一部の前記処理ガスの流れを前記本体部に於ける第１規制部材にて規制し、前記基板保持体の可動部に於ける第２規制部材にて前記基板載置部に載置された基板の周縁他部の前記処理ガスの流れを規制しつつ、前記基板を処理する工程と、前記処理室から前記基板保持体を搬出し、前記可動部を動作し、前記第２規制部材を前記第１規制部材と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう位置迄退避し、前記基板載置部から基板を搬出する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１１−１９８９５７（Ｐ２０１１−１９８９５７Ａ）
【公開日】平成２３年１０月６日（２０１１．１０．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−６３１６７（Ｐ２０１０−６３１６７）
【出願日】平成２２年３月１８日（２０１０．３．１８）
【出願人】（０００００１１２２）株式会社日立国際電気 (5,007)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１０月６日（２０１１．１０．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月１８日（２０１０．３．１８）
【出願人】（０００００１１２２）株式会社日立国際電気 (5,007)
【Ｆターム（参考）】
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