【課題】 絶縁膜及びその上のＡＲＬ膜に埋め込まれた配線同士の間における短絡を防止する。
【解決手段】 基板１００上に形成されたＦＳＧ膜１０９及びＡＲＬ膜１１０に複数の配線用溝１１１を形成した後、各配線用溝１１１が完全に埋まるようにＡＲＬ膜１１０の上にバリアメタル膜（窒化タンタル膜１１２）及び配線用導電膜（銅膜１１３及び１１４）を順次堆積する。その後、各配線用溝１１１の外側の銅膜１１３及び１１４を研磨により除去した後、各配線用溝１１１の外側の窒化タンタル膜１１２を研磨により除去する。その後、研磨時に基板１００に付着した異物を除去した後、銅膜１１３及び１１４の研磨工程と同じ種類の研磨剤を用いてＡＲＬ膜１１０の表面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜及びその上のＡＲＬ膜に埋め込まれた配線同士の間における短絡を防止する。
【解決手段】 基板１００上に形成されたＦＳＧ膜１０９及びＡＲＬ膜１１０に複数の配線用溝１１１を形成した後、各配線用溝１１１が完全に埋まるようにＡＲＬ膜１１０上にバリアメタル膜（窒化タンタル膜１１２）及び配線用導電膜（銅膜１１３及び１１４）を順次堆積する。その後、各配線用溝１１１の外側の銅膜１１３及び１１４を研磨により除去した後、各配線用溝１１１の外側の窒化タンタル膜１１２を研磨により除去する。その後、研磨時に研磨パッド及び基板１００に付着した異物を同時に除去した後、ＡＲＬ膜１１０の表面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜に埋め込まれた配線同士の間における短絡を防止する。
【解決手段】 基板１００上に形成されたＦＳＧ膜１０９に複数の配線用溝１１０を形成した後、各配線用溝１１０が完全に埋まるようにＦＳＧ膜１０９の上にバリアメタル膜（窒化タンタル膜１１１）及び配線用導電膜（銅膜１１２及び１１３）を順次堆積する。その後、各配線用溝１１０の外側の銅膜１１２及び１１３を研磨により除去した後、各配線用溝１１０の外側の窒化タンタル膜１１１を研磨により除去する。その後、研磨時に基板１００に付着した異物を除去した後、ＦＳＧ膜１０９の表面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】銅配線の寿命を増大させ、同時に、密着性を高め、ストレスマイグレーション耐性を向上させる。
【解決手段】Ｃｕ１６とバリアメタル１２、あるいはＣｕ１６とキャップ層１９との界面近傍に、不純物１５を固溶させる、不純物１５を析出させる、非晶質Ｃｕ１４を存在させるまたはＣｕとの化合物を形成することにより、界面近傍の空孔を減らし、Ｃｕのエレクトロマイグレーション（ＥＭ）に対する界面拡散の寄与を減少させ、寿命を増大させ、同時に、密着性を高め、ストレスマイグレーション耐性を向上させた。 （もっと読む）

【課題】感光性絶縁膜を用いたダマシン配線法により、微細で信頼性の高い多層配線構造を形成する。
【解決手段】感光性ポリシラザンを主成分とした感光性絶縁膜で第１ビアホール６を有するビアホール用絶縁膜７を形成し、全面にスピン塗布法で第２の感光性絶縁膜８を形成する。そして、フォトリソグラフィ法による露光／現像のみで上記第１ビアホール６の上部に配線溝９あるいは第２ビアホール１０を形成する。そして、この配線溝９および第２ビアホール１０に導電体材料を埋め込んでデュアルダマシン配線を形成する。ここで、感光性絶縁膜の下層に反射防止機能を有しそのまま層間絶縁膜として使用できる絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 低コストにて歩留まり，信頼性，電気的特性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】 絶縁膜６０上の下層絶縁膜６１に銅の下層配線６２を形成（Ｓ６１）した後、プラズマＣＶＤ法により層間絶縁膜６３，ストッパ膜６４を順次形成し、ストッパ膜６４における下層配線６２上に孔６４ａを形成してから、ドライエッチングして層間絶縁膜６３にコンタクトホール６３ａを形成する（Ｓ６２）。その後、上層絶縁膜６５を形成しマスク６６を介してドライエッチングすることにより、上層絶縁膜６５に溝部６５ａを形成すると共に、コンタクトホール６３ａ中の上層絶縁膜６５を除去する（Ｓ６３）。そして、バリア膜６７を形成（Ｓ６４）した後、Ｃｕ−Ｎｉ膜，Ｃｕ−Ｚｎ膜，Ｃｕ−Ｚｎ−Ｎｉ膜のうち何れかを堆積してシード膜６８を形成する（Ｓ６５）。 （もっと読む）

【課題】 導体層の研磨中に導体層の剥がれを防止できる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板１０の一方の面１０ａに少なくとも孔１０ｂを形成する工程と、基板１０の一方の面１０ａ上、他方の面１０ｅ上及び側面１０ｆ上と、孔１０ｂの内面上とに、めっき給電層１４を形成する工程と、電解めっきにより、めっき給電層１４を介して、基板１０の一方の面１０ａ上、他方の面１０ｅ上及び側面１０ｆ上に形成され、かつ孔１０ｂを埋め込む金属層１８を形成する工程と、金属層１８を研磨することにより、孔１０ｂに金属層１８が埋め込まれた金属層のパターン１７ａ，１７ｂを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 銅を配線材として用いても、微細な配線構造の形成が可能で、製造の工程数が少なく、低コスト化が可能な配線構造を提供する。
【解決手段】 半導体素子が形成された基板上に絶縁膜１０３が多層形成され、絶縁膜１０３に形成された配線溝およびビアホールに金属配線剤が充填されて、配線および接続プラグが形成された配線構造において、絶縁膜１０３のうち少なくとも一層が対電子線感光性を有する材料から形成されており、絶縁膜１０３の層間にはバリア絶縁膜１０４を有し、前記金属配線剤は銅を含むものである。 （もっと読む）

【課題】 銅を配線材として用いても、微細な配線構造の形成が可能で、製造の工程数が少なく、低コスト化が可能な配線構造の製造方法を提供する。
【解決手段】 配線構造の製造方法が、半導体素子２０１の上にＷプラグ２０３（下層配線）が形成された基板上に、対電子線感光性を有する材料を含む第二層間絶縁膜２０４（絶縁膜）を形成する工程と、第二層間絶縁膜２０４に電子線を照射して、第二層間絶縁膜２０４を露光する工程と、第二層間絶縁膜２０４を現像して未露光部を除去し、配線溝および／またはビアホールおよび／またはコンタクトホールを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 機械的強度が強く、かつ、放熱性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１０上に形成される配線層のうち、第１層から第３層を、コンタクト部１１及びビア１４ａ，１４ｂにタングステン、配線１３ａ〜１３ｃに銅をそれぞれ用いてシングルダマシン工程によって形成し、第４層から第６層を、ビア１５ａ〜１５ｃ及び配線１３ｄ〜１３ｆに銅を用いてデュアルダマシン工程によって形成し、かつ、第４層から第６層におけるビア１５ａ〜１５ｃの径を第１層から第３層におけるコンタクト部１１及びビア１４ａ，１４ｂの径の１２．９倍以上とする。 （もっと読む）

【課題】 金属配線の微細化とエレクトロマイグレーションの抑制との両立を図ることができる多層配線構造を工程数の増加を招くことなく実現する。
【解決手段】 第１の金属配線１３の一端部１３ａと第２の金属配線１５の一端部１５ａとは第１のプラグ１６を介して接続されており、第１の金属配線１３の他端部１３ｂと第３の金属配線１７の一端部１７ａとは第２のプラグ１８を介して接続されている。第１、第２及び第３の金属配線１３、１５、１７の配線幅は、互いに等しいと共に第１及び第２のプラグ１６、１８の径ともほぼ等しい。第１の金属配線１３の他端部１３ｂの配線幅は、第１の金属配線１３の一端部１３ａ及び第３の金属配線１７の一端部１７ａの配線幅よりも大きい。第２の金属配線１５の一端部１５ａの配線幅は第１の金属配線１３の一端部１３ａの配線幅よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】その中にマイクロトレンチを含まない低誘電体層間絶縁膜金属導体配線構造およびそのような構造の形成方法を提供する。
【解決手段】導体抵抗に対する制御は、第１の原子組成を有する多孔性の低誘電体層間絶縁膜の線とバイア誘電体層との間に位置する第２の原子組成を有する埋込みエッチング停止層により行われる。本発明の配線構造は、また、二重波形模様タイプの配線構造を形成する際に助けになるハードマスクを含む。第１および第２の組成は、エッチング選択性が少なくとも１０：１またはそれ以上になるように選択され、特定の原子組成および他の発見できる量を有する多孔性の低誘電体層間絶縁膜有機材料または無機材料の特定のグルーブから選択される。 （もっと読む）