【課題】 電子ビーム誘起蒸着法を用いてナノ構造を作成する際に途中でナノ構造物を傾けることなく電子ビームの入射軸方向の制御を行うことができることを含め、ナノ構造作成の自由度を高め、応用範囲を広げることのできる新規な、電子ビーム誘起蒸着法を用いたナノ構造作成制御方法を提供する。
【解決手段】 この出願の発明の電子ビーム誘起蒸着法を用いたナノ構造作成制御方法は、原料となる元素を含んだガスを材料上に流しながら、電子ビームを材料上の所望位置に向かって照射する電子ビーム誘起蒸着法によりナノ構造を作成する方法において、電子ビームの焦点位置を、電子ビームの照射面に対して高さ方向に制御することにより、電子ビームの入射軸方向の制御を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】テンプレートを必要としない酸化イリジウム（ＩｒＯｘ）ナノチューブの形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、基板を提供すること、（メチルシクロペンタジエニル）（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）前駆物質を導入すること、前駆物質反応ガスとして酸素を導入すること、１から５０Ｔｏｒｒの範囲内の最終圧力を確立すること、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）処理を使用することにより、基板の表面からＩｒＯｘ中空ナノチューブを成長させることとを包含する。代表的には、（メチルシクロペンタジエニル）（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）前駆物質がアンプルの中で６０から９０℃の範囲内の第１の温度に初期加熱され、前駆物質を導入する移送ラインの中においては第１の温度に保たれる。前駆物質はＡｒなどの不活性搬送ガスと混合され得、または前駆物質反応ガスである酸素が搬送ガスとして使用され得る。 （もっと読む）

【課題】 ２以上の導線層の層間配線に多層カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）が使用される配線構造の低抵抗化を図ることの可能な配線構造を得ること。
【解決手段】 配線構造では、２以上の導電層の層間配線に多層ＣＮＴが使用される。前記多層ＣＮＴに含まれるグラフェンシートにより形成され、前記多層ＣＮＴの成長基点から遠い側の端部に同心状に形成される複数の環状の切り口が、導電層にそれぞれ接触する。ＣＮＴのキャップ層の部分を介さずに、導電層とグラフェンシートが接するので、それらの間の接触抵抗は従来よりも小さくなる。 （もっと読む）

集積回路中のデュアルダマシン（ｄｕａｌ ｄａｍａｓｃｅｎｅ）構造、特に多孔質材料中に形成された開口部のコンフォーマリティの裏張り（ｌｉｎｉｎｇ）のための方法及び構造が提供される。トレンチ（ｔｒｅｎｃｈ）及びコンタクトビア（ｃｏｎｔａｃｔ ｖｉａ）が絶縁層中に形成される。これらのトレンチ及びビアの側壁上のポアがブロックされ、次いでこの構造は、所望のライニング材料の単層を形成するために交互に化学物質に曝される。例示的なプロセスフローにおいて、シーリング層の化学または物理気相成長法（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｏｒ ｐｈｙｓｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）（ＣＶＤまたはＰＶＤ）により、不完全なコンフォーマリティに起因してポアをブロックする。交互のプロセスも、自己飽和（ｓｅｌｆ−ｓａｔｕｒａｔｉｎｇ）、自己制御（ｓｅｌｆ−ｌｉｍｉｔｉｎｇ）原子層堆積（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）（ＡＬＤ）プロセスと比較して減少されたコンフォーマリティを達成するようなパルス間隔及びパルス幅の選択によって構成され得る。なお別の構成において、異方性多孔質構造を有する層が、上部表面を選択的に溶融することによってシールされ得る。次いで、自己制御、自己飽和原子層堆積（ＡＬＤ）反応により、有意にポアを充填することなくブロッキングが行われる。
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【課題】素子回路線幅の超微細化、パターン縦横比の増加、および蒸着温度の低下にもかかわらず、膜特性、段差塗布性、大気／湿気露出に対する膜質変化に対する安定性の全てを満足させる多重積層膜構造の金属窒化膜の蒸着方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１蒸着速度で第１下部金属窒化膜を形成し、前記第１下部金属窒化膜上に第２蒸着速度で第２下部金属窒化膜を形成し、前記２段階によって形成された下部ＴｉＮ膜上に、窒素（Ｎ）含有量の多い上部金属窒化膜を第３蒸着速度で形成することからなり、前記ｎ番目膜の蒸着速度は、第２蒸着速度≧第１蒸着速度≧第３蒸着速度である。本発明によれば、基板上にＴｉＮ積層膜を形成することで、大気／湿気露出に対する安定性を向上させることができ、クラスタシステムの同一反応チャンバーまたは相違した反応チャンバーで容易に基板上にＴｉＮ積層膜を形成することができる。 （もっと読む）

【目的】 ポーラス状に形成される多孔質低誘電率（ｐ−ｌｏｗｋ）膜内へのバリアメタルに用いたメタルの拡散を抑制することを目的とする。
【構成】 ｐ−ｌｏｗｋ膜を基体上に形成するｐ−ｌｏｗｋ膜形成工程（Ｓ１０２）と、前記ｐ−ｌｏｗｋ膜表面側に形成される空孔が前記ｐ−ｌｏｗｋ膜内部側の空孔へ連結する連結位置における開口サイズより大きい分子（Ｔａ−Ｒ１）を前記ｐ−ｌｏｗｋ膜表面に吸着させるＴａ［Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）_２］_５供給工程（Ｓ１０６）と、前記分子（Ｔａ−Ｒ１）と反応するＮＨ_３を供給し、ＴａＮ膜を形成するＮＨ_３供給工程（１１０）と、前記開口サイズより小さい分子（Ｔａ−Ｒ２）を吸着させるＴａＣｌ_５供給工程（Ｓ１１４）と、前記分子（Ｔａ−Ｒ２）と反応するＮＨ_３を供給し、ＴａＮ膜をさらに形成するＮＨ_３供給工程（１２０）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

集積回路デバイス製造のための半導体基板のような基板上への、超臨界流体を利用した物質の蒸着。蒸着は、基板表面に蒸着される物質の前駆体を含む、超臨界流体をベースとする組成物を使用して行われる。そのようなアプローチにより、気相蒸着工程に必要な揮発性および搬送性がないために、蒸着への適用には全く不適切であった前駆体の使用が可能になる。 （もっと読む）