【課題】Ｍｎ含有膜やＣｕＭｎ含有合金膜等を、ＣＶＤ等の熱処理によって形成することにより、微細な凹部でも、高いステップカバレッジで埋め込むことができ、しかも、同一の処理装置で連続的な処理を行うようにして装置コストを大幅に低減化することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器１４内で、遷移金属を含む遷移金属含有原料ガスと酸素含有ガスとにより被処理体Ｗの表面に、熱処理により薄膜を形成する。これにより、例えばＭｎ含有膜やＣｕＭｎ含有合金膜等を、ＣＶＤ等の熱処理によって形成する際に、微細な凹部でも、高いステップカバレッジで埋め込むことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】工程数を少なくし、ステップカバレジも良好にし、しかも、Ｔｉ膜とシリコン層との界面部分の抵抗値の増加を抑制することが可能なバリヤ層の形成方法を提供する。
【解決手段】表面の少なくとも一部にシリコン層６が露出している被処理体Ｗの表面に、Ｔｉ膜とＴｉＮ膜よりなるバリヤ層１４を形成するバリヤ層の形成方法において、被処理体の表面に、シリコン層と接する部分がシリサイド化しないような温度でＴｉ膜を形成するＴｉ膜形成工程と、Ｔｉ膜上に前記シリコン層と接する部分がシリサイド化するような温度でＴｉＮ膜を形成するＴｉＮ膜形成工程とを有する。これにより、工程数を少なくでき、ステップカバレジも良好にし、しかも、Ｔｉ膜とシリコン層との界面部分の抵抗値の増加も抑制する。 （もっと読む）

【課題】特性異常の発生を低減することのできるリセスチャネル構造を有するトランジスタを含む半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体シリコン基板の活性領域に設けられた第一のリセスおよび素子分離領域に設けられた第二のリセスと、リセスチャネル構造を有するトランジスタと、を少なくとも有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、前記第一のリセス内部に設けられたゲート電極を有し、
前記ゲート電極は、前記第一のリセス内部に設けられた部分に加えて、前記第二のリセス内部に設けられた部分を有し、
前記第一のリセス内部に設けられた前記ゲート電極の部分と、前記第二のリセス内部に設けられた前記ゲート電極の部分とは、前記活性領域と前記素子分離領域との境界面と同一の面で互いに電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】薄く且つ連続的なＲｕ膜を形成する。
【解決手段】 反応室内で基板上にルテニウム（Ｒｕ）薄膜を堆積させる方法であって、（ｉ）反応室内にルテニウム前駆体のガスを供給して、非環式ジエニルを含むルテニウム複合体であるルテニウム前駆体のガスを基板に吸着させる段階と、（ｉｉ）励起した還元ガスを反応室内に供給して、基板に吸着されたルテニウム前駆体を活性化させる段階と、（ｉｉｉ）段階（ｉ）と（ｉｉ）を繰り返し、それにより基板上にルテニウム薄膜を形成する段階とを含む方法。 （もっと読む）

【課題】バリア性に優れたバリア膜を提供する。
【解決手段】真空槽内に基板を搬入して(Ｓ₁)、昇温させ(Ｓ₂)、含窒素ガスと含高融点金属ガスのうち、一方のガスを導入し(Ｓ₃)、該一方のガスを真空排気した後(Ｓ₄)、他方のガスを導入し(Ｓ₅)、該他方のガスを真空排気する(Ｓ6)。この工程を複数回繰り返して行うと(Ｓ₉)、基板表面に吸着された一方のガスと、後から導入された他方のガスとの間でＣＶＤ反応が生じるので、コンタクトホール内にバリア膜がコンフォーマルに成長し、ステップカバレージのよいバリア膜を得ることができる。ＣＶＤ反応を行う毎にパージガスを導入し(Ｓ₇)、真空排気すると(Ｓ₈)、基板や真空槽に吸着された副生成物ガスや未反応ガスがパージガスと交換されるので、より高純度なバリア膜を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の銅配線形成において、バリア膜として比抵抗が低く、バラツキの小さい窒化タングステン薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】下地膜２２、絶縁膜２３に形成された孔３１を有する基板２０をＣＶＤ装置に搬入する。アンモニアガスを導入し、電離した窒素及び水素を含むプラズマで基板表面２０をクリーニングする。この後プラズマを消滅させ、アンモニアガスに加えて六フッ化タングステンガスを導入し基板表面に窒化タングステン薄膜２４を成長する。さらにアンモニアガスに替えシランガスを導入し、タングステン薄膜２５を成長する。これにより積層構造のバリア膜３３を得る。低温でクリーニング後直ちに窒化タングステン薄膜の成長が開始でき、またこの積層構造のバリア膜はバリア性が高く比抵抗が低い。この後バリア膜の上に銅２６を成長しＣＭＰにより平坦化し銅配線２７とする。 （もっと読む）

【課題】有機不純物層の形成を抑え、且つ銅膜と下地となる金属との密着性のよい半導体装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】チタン等の酸化傾向の高い金属からなるバリアメタル層１３（下地膜）が被覆された基板（ウエハＷ）を処理容器内に載置し、水蒸気の供給の開始と同時またはその後、銅の有機化合物（例えばＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳ）からなる原料ガスを供給して、水蒸気により酸化物層１３ａが形成されたバリアメタル層１３の表面に銅膜を成膜する。次いで、このウエハＷに熱処理を施して、酸化物層１３ａを、バリアメタル層１３を構成する金属と銅との合金層１３ｂに変換する。 （もっと読む）

【課題】バリアメタルの材料となる高融点金属窒化物の成長工程を有する高融点金属窒化膜の形成方法に関し、配線のバリアメタルとなる高融点金属窒化物を低温で低抵抗に形成し、しかも、膜成長の際の反応生成物のチャンバ内の付着を防止するとともに、自然酸化膜の除去からコンタクトメタル、バリアメタルの成長までを減圧下で行うことを目的とする。
【解決手段】高融点金属のアルキルアミノ化合物を含むソースガスと還元性ガスとを使用して半導体基板上に化学気相成長法により高融点金属窒化膜を形成する高融点金属窒化膜の形成方法であって、還元性ガスを活性化する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】低抵抗の窒化物薄膜を低い成膜温度で形成する。
【解決手段】真空雰囲気中に高融点金属を有する原料ガスと窒素原子を有する含窒素還元ガスを導入し、高融点金属の窒化物薄膜２４を形成する際、窒素を有しない補助還元ガスを導入する。補助還元ガスによって析出した高融点金属が、析出した窒化物の高融点金属の不足分を補償し、化学量論組成比に近く、低比抵抗の窒化物薄膜２４を成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】Ｗを材質とするコンタクトプラグあるいはビアプラグを有する半導体装置およびその製造方法であって、コンタクトプラグあるいはビアプラグ内のバリアメタル膜を薄く形成する場合であっても、バリアメタル膜の下層に影響を与えにくい半導体装置およびその製造方法を実現する。
【解決手段】コンタクトホールまたはビアホール内に、ＴｉＮ膜等のバリアメタル膜を形成する。その後、ＷＦ₆ガスをＢ₂Ｈ₆ガスにより還元させるＣＶＤ法により、Ｗ核付け膜をバリアメタル膜上に形成する。そして、ＣＶＤ法によりＷ核付け膜上にコンタクトプラグまたはビアプラグとしてＷプラグを形成する。 （もっと読む）

【課題】配線不良防止及び製造工程の簡単化を図ることのできる金属配線及びその製造方法とこれを具備した表示基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板上に銅を含む金属物質で形成される金属膜と、前記金属膜の下部面と接触して形成される第１非晶質カーボン膜とを有することを特徴とする。これによって、非晶質カーボン膜を含む低抵抗金属配線を形成することにより製造工程の簡単化を図ることができ、又、配線不良を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】従来と比較して配線形成効率を高くすることができる半導体装置の配線加工装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の加工装置は、半導体装置１が搬入される第１の反応室２０と、第１の反応室２０内の半導体装置１にイオンビームを照射し、半導体装置１を加工するイオン銃２１と、第１の反応室２０に繋がっている第２の反応室３０と、第２の反応室３０内に配置され、半導体装置１上に導電材料を含むインクを吐出することにより配線を形成するインク吐出機構３１とを具備する。第２の反応室３０は減圧されているのが好ましい。このようにすると、インク吐出機構３１がインク詰まりを起こすことが抑制される。また粘度が高いインクも吐出することができる。 （もっと読む）

【課題】 外場を加えることなく、基板に対し水平方向であってかつ所定の方向にナノチューブを成長させる方法を提供し、さらにこの方法を利用した配線形成方法及び配線を提供することにある。
【解決手段】 基板上に触媒源を設け、化学気相成長法により触媒源からカーボンナノチューブをを基板の表面の原子配列の方位に沿って成長させる。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブを用いた配線を高価なエッチング装置などを用いることなく、簡易な方法で実現することができる配線技術を提供する。
【解決手段】 基板１１の表面にＡｌなどからなる下層配線１２を形成した後（図２（ａ）参照）、下層配線１２のうちカーボンナノチューブ１６を配置すべき箇所に触媒金属含有層１４を形成する。次に、熱ＣＶＤ法などにより触媒金属含有層１４の上にカーボンナノチューブ１６を形成し、触媒金属含有層１４からカーボンナノチューブ１６を垂直方向に選択的に成長させる（図２（ｂ）参照）。さらに、カーボンナノチューブ１６を選択成長させた基板１１の上に塗布法を用いて層間絶縁膜１３を形成した後（図２（ｃ）参照）、スパッタ法などによりカーボンナノチューブ１６の上端部及び層間絶縁膜１３を覆う上層配線層１５を形成する（図２（ｄ）参照）。 （もっと読む）

【課題】Ｔｉ前駆体、その製造方法、該Ｔｉ前駆体を利用したＴｉ−含有薄膜の製造方法及び該Ｔｉ−含有薄膜を提供する。
【解決手段】下記式で表示されるＴｉ−含有薄膜製造用のＴｉ前駆体、該Ｔｉ前駆体の製造方法、該Ｔｉ前駆体を利用したＴｉ−含有薄膜の製造方法及び該Ｔｉ−含有薄膜である。
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【課題】ＬＩＳの更なる高集積化に伴って要求されている超微細化孔への埋め込み特性や、精密な段差被覆性の実現が可能な薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法によって基体上に金属原子含有薄膜を製造する方法であり、基体にパルスバイアス電圧を印加しながら該金属原子含有薄膜を形成する薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 主配線材料であるＡｌと主電極材料であるＰｔとの反応を効果的に抑制することができる強誘電体キャパシタの配線構造を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板と、半導体基板の上方に形成される第１電極と、第１電極上に形成される金属酸化物誘電体からなる容量絶縁膜と、容量絶縁膜上に形成される第２電極と、第２電極の上面の一部を露出する第１開口部を有し第１電極、容量絶縁膜及び第２電極を覆うように形成される絶縁膜と、第１開口部内及び絶縁膜上に形成されるアモルファス構造を有する第１バリア膜と、第１バリア膜の上方に形成される配線膜と、を備えることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

処理容器内の被処理基板に成膜する成膜方法であって、ハロゲン元素を含まない有機金属化合物からなる第１の原料ガスを前記処理容器内に供給した後、前記第１の原料ガスを前記処理容器内から除去する第１の工程と、水素または水素化合物を含む第２の原料ガスを前記処理容器内に供給した後、前記第２の原料ガスを前記処理容器内から除去する第２の工程とを繰り返してなる第１の膜成長工程と、金属ハロゲン化物からなる第３の原料ガスを前記処理容器内に供給した後、前記第３の原料ガスを前記被処理基板から除去する第３の工程と、水素または水素化合物を含む第４の原料ガスを前記処理容器内に供給した後、前記第４の原料ガスを前記処理容器内から除去する第４の工程とを繰り返してなる第２の膜成長工程からなる成膜方法を用いた。
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多層配線構造を有する半導体装置において、Ｃｕビアプラグ部への応力集中を抑制する多層配線構造を提供する。そのため、Ｃｕ配線部を含む第１の絶縁層と、前記基板上に形成された、前記Ｃｕ配線に電気的に接続されるＣｕビアプラグ部を含む第２の絶縁層とを有し、前記第１の絶縁層は弾性率が５ＧＰａ以上、硬度が０．６ＧＰａ以上である多孔質絶縁膜からなり、前記第２の絶縁層の弾性率が１０ＧＰａ以上、硬度が１ＧＰａ以上であることを特徴とする半導体装置を用いる。
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ｎｍオーダの空中配線を作製することができる製造方法およびその製造装置を提供する。コンピュータパターン描画装置（９）にあらかじめ記憶された３次元位置データとビームの照射位置、照射方向、照射時間に基づきビームを照射し、ビーム励起反応を利用してＣＶＤプロセスにより空中配線（３）を作製する。
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