それぞれ固有応力が異なる誘電ライナ（２３０、２４０）をパターニングした後に、窒化シリコンなどの付加的誘電材料（２６０）を形成することによって、Ｐチャネルトランジスタ（２２０Ｂ）のパフォーマンスを実質的に低下させずにＮチャネルトランジスタ（２２０Ａ）のパフォーマンスを著しく向上させることができる。
（もっと読む）

【課題】下地絶縁層の下層側に支持基板と別の材料からなる層を形成する場合でも、支持基板と半導体基板との貼り合わせ技術を好適に適用することのできる半導体装置、電気光学装置、および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】液晶装置などといった電気光学装置の素子基板などとして用いられる半導体層１０ｘでは、支持基板１０ｄの上に下地絶縁層１２が形成されているとともに、下地絶縁層１２の表面に電界効果型トランジスタ１０ｙが形成されている。支持基板１０ｅにおいて、電界効果型トランジスタ１０ｙのチャネル領域１ｘに対向する位置には凹部１０ｅが形成され、この凹部１０ｅには埋め込みゲート電極４ｘが形成されている。 （もっと読む）

【目的】合わせずれにより下層配線層の絶縁膜が大きくエッチングされてしまうことを抑制する半導体装置の製造方法及びその方法で製造された半導体装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置は、下層配線となるＣｕ膜２６０と、Ｃｕ膜２６０の側面側に配置された有機絶縁膜２２０と、Ｃｕ膜２６０の側面側であって有機絶縁膜２２０上に配置された有機絶縁膜２２０よりも比誘電率が高いＳｉＯＣ膜２２２と、ＳｉＯＣ膜２２２側に一部がはみ出して配置された、Ｃｕ膜２６０を上層配線２６５側へと接続するプラグ２６３と、Ｃｕ膜２６２のＳｉＯＣ膜２２２側にはみ出した部分の下部に配置された、ＳｉＯＣ膜２２２よりもエッチングレートが低い膜質の改質膜２８０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜中の空孔の孔径及び空孔率を正確に制御することができ、かつ良好なスループットで多孔質膜を形成する.
【解決手段】第１工程において、下地１１の上側表面１１ａに、ＳｉＯ₂ＧｅＯ₂膜１５を形成する。次いで、第２工程において、ＳｉＯ₂ＧｅＯ₂膜１５を水洗することによって、ＳｉＯ₂ＧｅＯ₂膜に含まれるＧｅＯ₂を溶解する。この溶解によって、ＳｉＯ₂ＧｅＯ₂膜からＧｅＯ₂が除去されるため、ＳｉＯ₂ＧｅＯ₂膜においてＧｅＯ₂に相当する部分が、空孔１９となる。そして、ＧｅＯ₂が除去されることによって残存したＳｉＯ₂は、膜中に空孔を有する多孔質ＳｉＯ₂膜１７となる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法に関し、ビアホールに於ける肩落ちを低減させる為、トレンチのエッチング加工途中でビアホールの側壁に保護膜を形成するのであるが、その形成工程段階を適切に選定することで、保護対象を有効に保護できるようにする。
【解決手段】低誘電率材料であるポーラスシリカからなる絶縁膜１４（無機膜）を用いてデュアルダマシン加工方法を実施する場合に於いて、トレンチ２４形成のエッチングを行なう際に発生するビアホール２３開口エッジの肩落ちを低減させる目的で成膜される側壁保護膜３１の被覆性を向上させる為、その成膜を前記エッチングの途中段階で実施する工程が含まれる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。
【解決手段】Ｃｕ配線１０を、その中央部のＣｕ粒子１０ａが比較的大きく、その上部や下部のＣｕ粒子１０ａが比較的小さくなるような構造にする。このような構造は、Ｃｕ配線１０をダマシン法により形成する際の電解めっき時の電流密度を制御することによって形成することができる。このような構造にしたＣｕ配線１０では、その上部よりも中央部に比較的電流が流れやすくなり、その上部のＣｕ原子の拡散が抑えられるようになり、また、それにより、キャップ膜１４界面からのＣｕ原子の拡散が抑えられるようになる。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を省略しても優れたＴＦＴ特性を発揮し得、ソース−ドレイン配線をＴＦＴの半導体層に直接かつ確実に接続することができる技術を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの半導体層３３と、ソース−ドレイン電極２８，２９とを有する薄膜トランジスタ基板において、ソース−ドレイン電極２８，２９は、窒素を含有する窒素含有層、または窒素及び酸素を含有する酸素窒素含有層２８ａ、２９ａと、純Ｃｕ又はＣｕ合金の薄膜２８ｂ、２９ｂとからなっている。窒素含有層を構成する窒素の一部若しくは全部、または、酸素窒素含有層を構成する窒素または酸素の一部若しくは全部は、薄膜トランジスタの半導体層３３のＳｉと結合している。また、純ＣｕまたはＣｕ合金の薄膜２８ｂ、２９ｂは、窒素含有層または酸素窒素含有層２８ａ、２９ａを介して薄膜トランジスタの半導体層３３と接続している。 （もっと読む）

【課題】 構造底部のバリア材料厚と比べると、構造側壁においてより厚いバリア材料被覆範囲を有する相互接続構造体、及び、そのような相互接続構造体を製造する方法を提供すること。
【解決手段】 構造底部のバリア材料厚と比べると、構造側壁においてより厚いバリア材料被覆範囲を有する相互接続構造体、及び、そのような相互接続構造体を製造する方法が提供される。本発明の相互接続構造体は、従来のＰＶＤプロセス、従来のイオン化プラズマ堆積、ＣＶＤ、又はＡＬＤによってバリア材料が形成される従来技術の相互接続構造体と比べると、半導体業界のための改善された技術拡張性を有する。本発明によると、構造底部のバリア材料厚（ｈ_ｔ）より厚い、構造側壁のバリア材料厚（ｗ_ｔ）を有する相互接続構造体が提供される。すなわち、本発明の相互接続構造体において、ｗ_ｔ／ｈ_ｔ比は、１００％に等しいか又はそれより大きい。 （もっと読む）

【課題】 制御電極と電荷蓄積層との間に優れた絶縁膜を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１１上に形成された第１の絶縁膜１２と、第１の絶縁膜上に形成された電荷蓄積層１３と、電荷蓄積層上に形成された第２の絶縁膜２０と、第２の絶縁膜上に形成された制御電極とを備えた半導体装置の製造方法であって、第２の絶縁膜を形成する工程は、酸素及び金属元素を含有した下層絶縁膜２０１を形成する工程と、下層絶縁膜に対して酸化性ガスを含む雰囲気下で熱処理を施す工程と、熱処理が施された下層絶縁膜上に水素及び塩素の少なくとも一方を含んだ成膜ガスを用いて上層絶縁膜２０２を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】配線の接続抵抗を低減し、かつ、接続信頼性の向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第１導電層４が形成された基板１上に、層間絶縁膜６を形成する工程と、層間絶縁膜６に第１導電層４を露出させる接続孔９を形成する工程と、接続孔９に露出した第１導電層４の表面を酸化して、酸化膜１０を形成する工程と、酸化膜１０を選択的に除去して、第１導電層４の表面を窪ませる工程と、接続孔９内に第２導電層を埋め込む工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に形成されるインダクタンス素子の特性損失を少なくする。
【解決手段】インダクタンス素子を構成する巻き線状の帯状導電膜の下の半導体基板表面に、酸素のイオン注入法により形成される厚い絶縁領域を形成する。この絶縁領域は、通常の集積回路素子領域上に形成される配線用の薄い絶縁膜より大きな膜厚を有する。かかる構成にすることにより、帯状導電膜内に発生する渦電流の経路をなくし、渦電流を抑制して特性損失を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 半絶縁性GaAs基板を用いたMMICなどの半導体装置において、回路素子と金属電極の間のブレイクダウンを回避する。
【解決手段】 半絶縁性GaAs基板１の裏面に形成された裏面金属電極膜７ａが、半絶縁性GaAs基板１とオーミック接合し、バイアホール６の側面に形成された側面金属電極膜７ｂが、半絶縁性GaAs基板１との界面でオーミック接合した構造とする。
このような構造とすることにより、裏面金属電極膜７ａ（または側面金属電極膜７ｂ）がエピタキシャル抵抗部３より高電位となるような電界を印加する場合、裏面金属電極膜７ａ（または側面金属電極膜７ｂ）側から半絶縁性GaAs基板１へホール注入されるのを防止することができる。これにより、エピタキシャル抵抗部３と裏面金属電極膜７ａ（または側面金属電極膜７ｂ）の間がブレイクダウンするのを回避し、リーク電流が増加するのを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】 銅配線のＥＭ耐性とＳＭ耐性を、ともに向上させる。
【解決手段】 不純物を含む銅めっき膜をシリコン基板１の上に成膜した後、銅めっき膜を結晶成長させて、複数の銅結晶粒とそれらの粒界に分布する不純物層とで構成された第一銅膜９ｃを形成する。次に、第一銅膜９ｃより不純物濃度が高い第二銅膜１０を第一銅膜９ｃの上に形成し、第二銅膜１０に含まれる不純物を第一銅膜９ｃに拡散させて、第一銅膜９ｃの結晶粒界に偏析する不純物濃度を高める。
このように形成することにより、第一銅膜９ｃの結晶粒の粒径は十分に大きくなる。これにより、結晶粒界における拡散パスを減少させ、ＥＭ耐性を向上させることができる。また、第一銅膜９ｃに発生するボイドの移動を抑え、ＳＭ耐性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 配線及びパターンの特定箇所を選択的に細らせて配線間隔を広げ、カバレッジの良い成膜条件でもエアギャップを形成することができ、所望の配線間の静電容量を低減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 隣接するフローティングゲート電極層について互いの距離が上層から下地基板面までの間で徐々に離れるように上層から下地基板面へ向けて互いの層形状を選択的に細らせ、互いの距離が離れたフローティングゲート電極層の間にエアギャップを有する層間絶縁膜を備える。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯＣＨの組成からなる材料で形成された層間絶縁膜に、アスペクト比の高い凹部を形成する際、凹部の加工初期から加工終期にかけてＯラジカル量に対してＣＦ系ラジカル量が過剰になることが防止された絶縁膜の加工方法を提供する。
【解決手段】ＣＦ系ラジカルをエッチング種として用いたドライエッチングにより、基板１１上に設けられた層間絶縁膜１６に、同一のエッチング条件下で接続孔１８を形成する絶縁膜の加工方法において、層間絶縁膜１６の表面側に向かってＯ含有率が高くなるように層間絶縁膜１６の膜質を膜厚方向に変化させることで、ドライエッチングの進行により接続孔１８のアスペクト比が高くなるのにともない、エッチング底面へのＣＦ系ラジカルの入射量が減少するのに合わせて、層間絶縁膜１６から放出されるＯラジカル量を減少させることを特徴とする絶縁膜の加工方法である。 （もっと読む）

多層配線構造は、第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜中に形成され第１のバリアメタル膜で側壁面および底面が覆われた配線溝と、前記第２の層間絶縁膜中に形成され第２のバリアメタル膜で側壁面と底面が覆われたビアホールと、前記配線溝を充填する配線パターンと、前記ビアホールを充填するビアプラグとよりなり、前記ビアプラグは前記配線パターンの表面にコンタクトし、前記配線パターンは前記表面に凹凸を有し、前記配線パターンは、前記配線パターン中において前記表面から前記配線パターン内部に向かって延在する結晶粒界に沿って、前記表面におけるよりも高い濃度で酸素原子を含むことを特徴とする。
（もっと読む）

一般に集積回路の製造に有用な、金属を取り除くための、及び、特に貴金属の化学的機械的研磨用の、スラリーは、過ヨウ素酸、研磨剤、及び緩衝系を組み合わせることによって、形成されてもよく、ここでそのスラリーのｐＨは、約（４）と約（８）との間にある。

（もっと読む）