【課題】 製造工程においてトランジスタ特性の変動を招くことなく、貫通配線部の低抵抗化および高集積化が可能な半導体集積回路装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 この半導体集積回路装置１０は、基板１１上に集積回路が形成される半導体層Ｌ１〜Ｌ３が複数積層され、積層構造を有する半導体集積回路装置であって、複数の半導体層の各々は、基板１１に、上記の集積回路を含む半導体集積回路部１６と、半導体集積回路部１６に含まれる集積回路を他の半導体層の集積回路に電気的に接続する貫通配線１７ａと、この貫通配線を囲んで半導体集積回路部から絶縁した囲み絶縁部１８とを有するように構成される。 （もっと読む）

【課題】ボーダレス・コンタクトを有するデュアル・ワーク・ファンクション半導体構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】この構造は、実質的に無キャップのゲート１０８と、無キャップのゲートに隣接する拡散部１１６への導電コンタクト１３４，１７０とを備え、導電コンタクトは、ゲートに対しボーダレスである電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を含むことができる。この構造は、デュアル・ワーク・ファンクション構造であるため、導電コンタクトを、無キャップゲートに電気的に接続することなく、無キャップゲート上に延長させることができる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも小さいピッチを有した半導体デバイスにおいて周期パターンの製造方法を提供する。
【解決手段】周期的構造を有するパターン層の細片様構造の側壁にスペーサ５が形成される。そして、該パターン層が除去され、該スペーサが、第２の側壁スペーサとなる別のスペーサ層７によって覆われる。上記スペーサとスペーサとの間は補充層８によって充填される。上記第１のスペーサ５と、第２のスペーサ７と、上記補充層の残留部分８とが周期的に連続している部分を残して、表面を平坦化する。横寸法は、１つ以上の残留層を除去することによってピッチの小さい周期パターンが形成されるように調節される。 （もっと読む）

【課題】 層の表面をより簡便にかつ効果的に疎水化することができ、かつ、層のより深い領域を疎水化することができる表面疎水化方法、表面疎水化用組成物、ならびに半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の表面疎水化方法は、（Ａ１）第１の反応性シラン化合物および（Ｂ１）有機溶媒を含む第１の表面疎水化用組成物を前記層の表面に接触させる工程、および（Ａ２）第２の反応性シラン化合物および（Ｂ２）有機溶媒を含む第２の表面疎水化用組成物を前記層の表面に接触させる工程を含む。前記（Ａ２）第２の反応性シラン化合物１分子あたりの反応性基の数は、前記（Ａ１）第１の反応性シラン化合物１分子あたりの反応性基の数より少ない。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウムを含む配線層から成るボンディングパッドを備えた半導体装置及びその製造方法において、その歩留まりの向上を図る。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板１０の最上層の第２の配線層２２（例えばアルミニウムから成る）上に形成された反射防止層２３Ａ（例えばチタン合金から成る）の一部をエッチングして除去する工程と、反射防止層２３Ａ及びそれが形成されていない第２の配線層２２の一部上を覆い、かつ第２の配線層２２の他の一部を露出する開口部２４を有したパッシベーション層２５Ａを形成する工程と、ダイシングにより半導体基板１０を複数の半導体チップに分離する工程と、を含む。これにより、開口部２４内で反射防止層２３Ａが露出しなくなり、従来例にみられたような第２の配線層２２と反射防止層２３Ａとの電池反応による第２の配線層２２の溶出を抑止することができる。 （もっと読む）

【課題】 水分の侵入に伴う劣化を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 強誘電体キャパシタを形成した後、この強誘電体キャパシタに接続されたＡｌ配線３０（導電パッド）を形成する。次に、Ａｌ配線３０の周囲にシリコン酸化膜３２及びシリコン窒化膜３３を形成する。そして、シリコン酸化膜３２への水分の侵入を抑制する侵入抑制膜としてＡｌ₂Ｏ₃膜３５を形成する。 （もっと読む）

【課題】
貫通電極となる導電層とその周囲の半導体基板とを絶縁する絶縁層を、簡便かつ確実に形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板表面に第１非貫通孔及びこれを囲む環状の第２非貫通孔を形成し、第２非貫通孔内に絶縁層を形成し、第１非貫通孔内壁に導電層を形成し、前記絶縁層及び導電層が基板裏面に露出するように、基板裏面を後退させる工程を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 遮光膜を有する半導体装置において、製造工程数を少なくする。
【解決手段】絶縁膜１０上に形成された金属パッド１１と、絶縁膜１０上及び金属パッド１１上に形成された第１の保護膜１２と、第１の保護膜１２上に形成された遮光膜１３と、遮光膜１３上に形成された第２の保護膜１４と、第２の保護膜１４、遮光膜１３、及び第１の保護膜１２それぞれに形成され、金属パッド１１上に位置する開口部１４ａとを具備する。第１の保護膜１２は例えば酸化シリコン膜であり、遮光膜１３は例えば窒化チタン膜であり、第２の保護膜１４は例えば窒化シリコン膜である。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＯＳデバイスのための自己整合型二元シリコン窒化物ライナを形成する方法を提供すること
【解決手段】 ＣＭＯＳデバイスのための自己整合型二元シリコン窒化物ライナを形成する方法は、第１の極性型のデバイス（１０２）及び第２の極性型のデバイス（１０４）の上に第１の型の窒化物層（１１６）を形成するステップと、第１の型の窒化物層（１１６）の上にトポグラフィック層（１１８）を形成するステップとを含む。第２の極性型のデバイス（１０４）の上の第１の型の窒化物層（１１６）及びトポグラフィック層（１１８）の部分は、パターン付けされて除去される。第２の極性型のデバイス（１０４）の上と、第１の極性型のデバイス（１０２）の上のトポグラフィック層（１１８）の残りの部分の上とに第２の型の窒化物層（１２０）が形成されて、トポグラフィック層（１１８）の側壁に沿った第２の型の窒化物材料の垂直柱（１２４）を画定し、第２の型の窒化物層（１２０）は第１の型の窒化物層（１１６）の側壁に接触する。トポグラフィック層（１１８）は除去され、そして垂直柱（１２４）は除去される。 （もっと読む）

【課題】 下面を研削されたシリコン基板の下面および側面にクラックが発生しにくいようにする。
【解決手段】 シリコン基板１の下面側を適宜に研削し、次いで第１のダイシングストリート２１に沿って、シリコン基板１の下面側から封止膜１０の途中までハーフカットし、溝１２を形成する。この場合、シリコン基板１の下面および周側面に微細で鋭角な凸凹（シリコンの結晶破壊層）が形成される。次に、ウェットエッチングにより、シリコン基板１の下面および周側面を段差１〜５μｍの粗面仕上げとする。次に、溝１２内を含むシリコン基板１の下面にエポキシ系樹脂などからなる保護膜１３を形成する。この場合、シリコン基板１の下面および周側面は段差１〜５μｍの粗面となっているので、この粗面は保護膜１３によって確実に覆われ、シリコン基板の下面および側面にクラックが発生しにくいようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】配線工程，ビア工程および配線層数を削減し、チップ面積の削減した半導体集積回路の配線構造を提供する。
【解決手段】半導体基板の下地層１の上に下地絶縁膜２を形成する。その下地絶縁膜２の上に導電膜である配線膜７を底面絶縁膜５，側壁絶縁膜６および表面絶縁膜８で囲む。さらにその周りをシールド導電膜３，９で取り囲み、シールド導電膜３，９を接地電源Ｖｓｓに接続した構造である。この構造により、電源配線層の削減、配線工程、ビア工程の削減を実現する。 （もっと読む）

【課題】 裏面にも回路を形成したチップの製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウェーハＷの裏面にレジストを塗布し、露光・現像を施してパターンを形成する。次いで半導体ウェーハＷ（Ｓｉ）を酸化膜が露出するまでエッチングし、更にボトム酸化膜もエッチングにて除いてＡ面側に形成されている回路を露出させ、前記レジストをアッシングにて除去し薬品洗浄することでコンタクトホールとする。次いで、コンタクトホール表面にデポジション法にて酸化膜を形成した後、Ａ面側の回路にかかる部分の酸化膜をエッチングにて除去し、薬品洗浄した後にバリアシード（ＴｉＮ／Ｃｕ）を形成する。次いで、Ｃｕメッキを施しドライフィルム（レジストフィルム）を貼り付け、露光・現像にてパターンを形成し、エッチングした後にレジストフィルムを除去して裏面側の回路が形成される。 （もっと読む）

【課題】 複数の半導体チップを積層しても、各半導体チップの信号の相互干渉を防止できる半導体装置を提供すること。
【解決手段】 回路基板４上に搭載された第１および第２の半導体チップ１，２は、側面と第２の主面に、接地電極に接続された金属膜１４を備える。半導体素子に接続されて第１の主面に形成された電極３を、回路基板４のランド５に接続する。接地電極に接続された金属膜１４は、従来のような半導体基板に絶縁膜を介して形成された金属膜のようにコンデンサを構成しないので、第１および第２の半導体チップ１，２に対して、電磁シールドとして効果的に機能する。金属膜１４が電磁シールドとして機能するので、半導体チップ１，２からの電磁波の放出や、電磁ノイズの侵入を防止できる。これにより、互いに重なり合う２つの半導体チップ１，２の間で信号の相互干渉を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ系金属を充填したダマシン配線の信頼性、特にストレスマイグレーション（ＳＭ）耐性を向上させる。
【解決手段】 下地絶縁膜１上の層間絶縁膜２にトレンチ３を設け、トレンチ３に第１バリアメタル膜５を介して埋め込む第１Ｃｕ膜６を成膜し、２０℃〜２００℃範囲の第１の熱処理を施し清浄化した第１Ｃｕ膜６ａにする。次に、第１Ｃｕ膜６ａの第１キャップ層２ｃ上の不要部分を化学的機械研磨で除去し、上記トレンチ３にＣｕ配線８を形成する。その後に、３００℃〜４００℃の温度でＣｕ配線８に第２の熱処理を施し、結晶性の優れたＣｕ配線８ａを形成する。同様に、ビアホールに埋め込む第２Ｃｕ膜を成膜した後に、３００℃〜４００℃範囲の第３の熱処理を施し、その後に化学的機械研磨してＣｕビアプラグを形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、基材を貫通する貫通ビアと、貫通ビアと接続される配線とを備えた基板及びその製造方法に関し、配線が接続される貫通ビアの電気的な接続信頼性を向上することのできる基板及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 貫通部５５と、貫通部の一方の端部に設けられ、貫通部の直径Ｒ１よりも幅広の形状とされた配線接続部５６と、貫通部の他方の端部に設けられ、貫通部の直径Ｒ１よりも幅広の形状とされた接続パッド５７とにより貫通ビア５４を構成し、配線接続部５６に外部接続端子６９を有した配線６８を接続する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、貫通電極を有する半導体装置及びその製造方法において、半導体装置の信頼性及び歩留まりの向上を図る。
【解決手段】 半導体基板１０をエッチングして、半導体基板１０の裏面からパッド電極１２に到達するビアホール１６を形成する。ここで、上記エッチングは、ビアホール１６の底部の開口径Ａが、パッド電極１２の平面的な幅Ｃよりも大きくなるようなエッチング条件により行われる。次に、ビアホール１６の底部でパッド電極１２を露出する第２の絶縁膜１７を、当該ビアホール１６を含む半導体基板１０の裏面上に形成する。次に、ビアホール１６の底部で露出されたパッド電極１２と電気的に接続された貫通電極２０及び配線層２１を形成する。さらに、保護層２２、導電端子２３を形成する。最後に、ダイシングにより半導体基板１０を半導体チップ１０Ａに切断分離する。 （もっと読む）

【課題】 表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法に関する。
【解決手段】 本発明の表面疎水化用組成物は、（Ａ）下記一般式（１）で表される化合物と、（Ｂ）沸点が５０〜３５０℃である溶媒とを含む。
Ｓｉ（Ｒ^１）_２（Ｒ^２）_２ ・・・・（１）
（式中、Ｒ^１はアシルオキシ基、アルコキシ基またはヒドロキシ基を示し、Ｒ^２はアルキル基を示す。） （もっと読む）

【課題】 本発明は、貫通電極を有する半導体装置及びその製造方法において、半導体装置の信頼性及び歩留まりの向上を図る。
【解決手段】 半導体基板１０上に第1の絶縁膜１１を介して形成されたパッド電極１２上に、高融点金属層１３を形成する。次に、パッド電極１２及び高融点金属層１３上を含む半導体基板１０の表面上にパッシベーション層１４を形成し、さらに、樹脂層１５を介して支持体１６を形成する。次に、半導体基板１０をエッチングして、半導体基板１０の裏面からパッド電極１２に到達するビアホール１７を形成する。次に、第２の絶縁膜１８を介して、ビアホール１７の底部で露出されたパッド電極１２と電気的に接続された貫通電極２０及び配線層２１を形成する。さらに、ソルダーレジスト層２２、導電端子２３を形成する。最後に、ダイシングにより半導体基板１０を半導体チップ１０Ａに切断分離する。 （もっと読む）

【課題】 貫通電極を有する半導体装置及びその製造方法において、半導体装置の信頼性及び歩留まりの向上を図る。
【解決手段】 半導体基板１０上に第１の絶縁膜１１を介してパッド電極１２を形成する。次に、パッド電極１２上を含む第１の絶縁膜１１上に、パッド電極１２を露出する開口部１４を有した第２の絶縁膜１３を形成する。次に、開口部１４を含む第２の絶縁膜１３上に、当該開口部１４を通してパッド電極１２と電気的に接続された第１の配線層１５を形成する。次に、半導体基板１０の裏面からパッド電極１２に到達するビアホール１６を形成する。次に、ビアホール１６の底部のパッド電極１２と電気的に接続された貫通電極２０及び第２の配線層２１を形成する。さらに、保護層２２、導電端子２３を形成する。最後に、ダイシングにより半導体基板１０を半導体チップ１０Ａに切断分離する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置等の電子デバイスに用いられるエッチング／アッシング後のシロキサン系絶縁層のダメージを修復することを目的とした表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を得る。
【解決手段】 （Ａ）ケイ素原子と炭素原子とが交互に連続してなる主鎖を有するポリカルボシラン化合物と、（Ｂ）有機溶媒とを含む表面疎水化用組成物。 （もっと読む）