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Fターム[5F033XX08]の内容

半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 目的、効果 (15,696) | 低抵抗化 (1,713)

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【課題】 高い周波数が印加され、数cm〜数10cmの長さを有する配線の抵抗を低減し、伝送される信号波形のなまりを低減する。
【解決手段】 高周波が印加される配線111は、層間絶縁膜107を介して、配線111の線方向にそって複数設けられたコンタクトホールにより配線106と電気的に並列接続している配線構造を採用する。その配線構造を周辺回路一体型アクティブマトリクス型液晶表示装置の周辺回路に用いることで、高周波信号が印加される配線において信号波形のなまりを低減できる。 (もっと読む)


【課題】 強度低下や寸法増大を抑えながら、バイアホールの接地インダクタンスを低減できる半導体装置とその製造方法およびMMICを提供する。
【解決手段】 このマイクロ波帯用増幅器GaAsMMICは、その接地電極8が、3個のバイアホール11からなるバイアホール群12を有し、この3個のバイアホール11は、その内側に充填されたメッキ金属10aが近接されて形成され、その相互作用によって高周波的な電磁界結合が発生して、接地インダクタンスが低減された。 (もっと読む)


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