【課題】伝導路抵抗の低減、電流要件の増大への適合等の電気特性の向上、特に、良好な電気特性を有する受動部品の製造と言った新たな応用の可能性を開く、金属配線を有する集積回路構造及びその製造方法の提供。
【解決手段】それぞれ細長い導電路３４、４８が配置された少なくとも３つの導電構造レベル２８、４２、５２を含む集積回路構造１０をシングルダマシンによって製作する。これにより、慣用的に使用されるビアレベルが省略され、種々の技術的効果と新規な適用可能性が生じる。 （もっと読む）

【課題】マンガンの析出工程と除去工程とを繰り返し行うことで、サーマルバジェットの低減により信頼性の確保を可能とする。
【解決手段】絶縁膜１３に形成された凹部１４の内面に銅を主成分としてマンガンを含有するシード層１７を形成し、さらに凹部１４に銅を主成分とする配線材料２０を埋め込んだ後、余剰な配線材料２０を除去して凹部１４内に配線材料２０を残すことで配線２１を形成する半導体装置の製造方法において、シード層１７を形成した後で配線材料２０を埋め込む前に、熱処理によりシード層１７中のマンガンを絶縁膜１３との界面にマンガン化合物として析出させてバリア層１８を形成するとともに、シード層１７表面にマンガン酸化物１９を析出させる析出工程と、マンガン酸化物１９を除去する除去工程とを備えた製造方法である。 （もっと読む）

【課題】配線厚さのばらつきが抑えられた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、エッチングストッパー膜１２の上に層間絶縁膜１３及びキャップ絶縁膜１４を順次形成する工程と、キャップ絶縁膜１４上に接続孔１８のパターンが形成された第１のハードマスク１５を形成する工程と、キャップ絶縁膜１４及び層間絶縁膜１３をエッチングしてエッチングストッパー膜１２に達する接続孔１８を形成する工程と、第１のハードマスク１５の一部を除去して配線溝のパターンが形成された第２のハードマスク５３を形成する工程と、キャップ絶縁膜１４及び層間絶縁膜１３をエッチングして配線溝を形成する工程と、エッチングストッパー膜１２の接続孔１８の下に位置する部分に開口を形成する工程とを備えている。ハードマスクは層間絶縁膜１３及びキャップ絶縁膜１２に対してエッチング選択性を有する材料で構成される。 （もっと読む）

【課題】膜パターンの機能（導電膜の場合は導電性）を阻害させることなく、基体に対する密着力が高い膜パターンを、液滴吐出法により提供する。
【解決手段】基板上にインクジェットから液滴を吐出し、乾燥固化し、密着性機能を持つドットアレイ１０を形成する。このときドット直径以上のピッチで形成する。密着性機能を持つドットアレイの周りに導電性機能を持つドットアレイ１１をドット直径以上のピッチで液滴吐出し、乾燥固化する。この後、導電性機能を持つドットの間にドットが一部重ねて連結するように導電性機能を持つドットアレイ１２，１３，１４を同様の方法で形成する。密着性機能を持つドットアレイは機能性ドットアレイは基体表面に選択的に形成できるので、表面に電極等が形成されている基板にも適用できる。 （もっと読む）

【課題】バリアメタルがない場合であっても、配線の平坦性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施例の半導体装置の製造方法は、半導体基板１上に層間絶縁膜２を形成し、層間絶縁膜２上に金属を含むメタルマスク３を形成し、メタルマスク３および層間絶縁膜２の一部をエッチングして、メタルマスク３および層間絶縁膜２にパターン溝２ａを形成し、パターン溝２ａ内を埋め込むように、層間絶縁膜２上に導電層５を形成し、パターン溝２ａ内に導電層５を残すように、層間絶縁膜２上の余剰の導電層５を研磨する。 （もっと読む）

【課題】 導電部材中のＣｕ以外の元素の含有量を低減させ、比抵抗を低下させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）半導体基板上に、凹部が設けられた絶縁膜を形成する。（ｂ）開口の内面及び絶縁膜の上面を、Ｃｕ以外に第１の金属元素を含むＣｕ合金からなる補助膜で覆う。（ｃ）凹部内に充填されるように、補助膜上に、Ｃｕを主成分とする導電部材を堆積させる。（ｄ）Ｐ化合物、Ｓｉ化合物、またはＢ化合物を含有する雰囲気下で熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】配線信頼性を向上させるとともに配線の高抵抗化を防ぐ半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】基板11上に下層側に酸素含有絶縁層21aを有する層間絶縁膜21を形成する。次に、層間絶縁膜21の上層側に配線溝22を形成し、酸素含有絶縁層21aに接続孔23を形成する。次いで、接続孔23の側壁が露出するように配線溝22の内壁を覆う状態で、層間絶縁膜21上に、第１のバリア膜24を形成する。次に、配線溝22と接続孔23の内壁を覆う状態で、ＣｕＭｎ合金膜25を形成する。続いて、配線溝22と接続孔23とを埋め込む状態で、ＣｕＭｎ合金膜25上に銅を含む導電層26を形成する。その後、熱処理を行い、ＣｕＭｎ合金膜25中のＭｎを拡散させて、酸素含有絶縁層21a中の酸素と反応させることで、接続孔23の側壁に、金属含有酸化物からなる第２のバリア膜27を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法および半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】 製造工程においてトランジスタ特性の変動を招くことなく、貫通配線部の低抵抗化および高集積化が可能な半導体集積回路装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 この半導体集積回路装置１０は、基板１１上に集積回路が形成される半導体層Ｌ１〜Ｌ３が複数積層され、積層構造を有する半導体集積回路装置であって、複数の半導体層の各々は、基板１１に、上記の集積回路を含む半導体集積回路部１６と、半導体集積回路部１６に含まれる集積回路を他の半導体層の集積回路に電気的に接続する貫通配線１７ａと、この貫通配線を囲んで半導体集積回路部から絶縁した囲み絶縁部１８とを有するように構成される。 （もっと読む）

【課題】ダマシーン法による基板上の配線形成において、微細な凹凸を有する基板上の金属膜の表面を低い加工圧力で平坦化することができ、かつ金属膜をその全面に亘って均一な加工速度で加工することができる電解加工方法を提供する。
【解決手段】給電電極３１と加工電極３２とをテーブル１２上に配置し、給電電極３１と加工電極３２の間に絶縁体３６を配置し、金属膜６が給電電極３１および加工電極３２に対向するように基板Ｗを絶縁体３６に接触させ、第１の電解液および第２の電解液を、絶縁体３６により電気的に絶縁させた状態で給電電極３１と基板Ｗとの間、および加工電極３２と基板Ｗとの間にそれぞれ供給し、給電電極３１と加工電極３２との間に電圧を印加し、基板キャリアー１１とテーブル１２を相対運動させて基板Ｗ上の金属膜６の電解加工を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の微細化にともない、金属配線の表面の凹凸によって電子が散乱され、配線の電気伝導度が低下し電気抵抗が増加する。これを抑制する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上の低誘電率絶縁膜２２に配線溝２８ｔと接続孔２６ｈを形成する。溝内部にバリアメタル２４を形成するがこの表面は必ずしも平滑ではない。そこで、ＣＭＰスラリを溝内部に循環させることによりバリアメタルの表面を平滑にする。ＣＭＰスラリには研磨砥粒とエッチング液が含まれているため凹凸を有するバリアメタルの凸部を研磨、除去することができる。この後Ｃｕを堆積し溝部以外のＣｕを除去すると表面粗さの小さいＣｕ配線２８を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 バリアメタル層によるビットライン抵抗値の増加および静電容量値の増加を防止することが可能な半導体素子のビットライン形成方法の提供。
【解決手段】 所定の構造物が形成された半導体基板の上部に第１層間絶縁膜を形成した後、コンタクトホールを形成する段階と、前記コンタクトホールの内部に第１導電層を形成する段階と、前記第１導電層を所定の深さエッチングした後、バリアメタル層を形成して前記コンタクトホールを埋め込む段階と、全体構造上に第２層間絶縁膜を形成する段階と、前記バリアメタル層が露出されるように前記第２層間絶縁膜をエッチングした後、第２導電層を埋め込む段階とを含む、半導体素子のビットライン形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の金属配線と半導体層との接合部の接触抵抗を低減させる。
【解決手段】タングステン等のようなメタルを主配線材料とする中間導電層４２、４３の上面を覆うように、窒化タングステン等からなる第１導体層４８ａと、タングステンシリサイド等からなる第２導体層４８ｂとを下層から順に堆積した後、その第２導体層４８ｂに、例えばホウ素（Ｂ）等のような不純物を導入する。その後、第１、第２導体層４８ａ、４８ｂをパターニングして導体層４８を形成後、その導体層４８に接するように、ＳＲＡＭの負荷ＭＩＳＦＥＴ用のソースおよびドレイン用の半導体領域を形成する多結晶シリコン等からなる下部半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ダマシン法を用いて形成された銅配線の絶縁破壊耐性（信頼性）を向上する。
【解決手段】シリコン酸化膜３９の配線溝４０に埋め込むＣｕ配線４６ａ〜４６ｅをＣＭＰを用いた研磨で形成する。それから、ＣＭＰ後の洗浄工程を経た後に、シリコン酸化膜３９およびＣｕ配線４６ａ〜４６ｅの表面を還元性プラズマ（アンモニアプラズマ）で処理する。その後、真空破壊することなく、連続的にキャップ膜（シリコン窒化膜４７）を形成する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金膜と透明電極が直接コンタクトすることを可能とし、バリアメタルの省略を可能にするアルミニウム合金膜の形成に有用なスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】アルミニウム合金膜を形成するためのスパッタリングターゲットであって、合金成分として、Ｘ_１（Ｘ_１＝Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉの少なくとも１種）を０．１〜６原子％と、Ｘ_２（Ｘ_２＝Ｎｄ）を０．１〜６原子％含み、それらの含有量が、下記式（Ｉ）の関係を満たすアルミニウム合金膜形成用のスパッタリングターゲットである。
０．７≦０．５×ＣＸ_１＋ＣＸ_２≦４．５……（Ｉ）
［式中、ＣＸ_１はアルミニウム合金中のＡｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉの含有量（原子％）、ＣＸ_２は、アルミニウム合金中のＮｄの含有量（原子％）をそれぞれ表す］ （もっと読む）

【課題】 配線の抵抗を大幅に低減することができる多層相補型配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 多層配線構造は、基板と、第１の方向に互いに平行に延び基板上の第１の層に形成される複数の第１の導電性ラインと、第１の方向に直交する第２の方向に互いに平行に延び第１の層上の第２の層に形成される複数の第２の導電性ラインと、第１の方向に延び第２の層に形成され、その各セットが第１の導電性ラインの１つに対応する複数の第３の導電性ラインのセットと、第１の層と第２の層との間に形成され、その各セットが第１の導電性ラインの１つと第３の導電性ラインの１つのセットに対応し、対応する第１の導電性ラインを対応する第３の導電性ラインのセットに電気的に接続する複数の導電性パスのセットを備える。 （もっと読む）

【課題】 高周波における導電部の電気的抵抗が低く、かつ高密度実装が可能となる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１と、その上に設けられた絶縁層２と、絶縁層２上にあって回路を構成する導電部３とを備え、導電部３には、上面４ａおよび下面４ｂにのみ凸部５、６が形成され、凸部５、６は、電流が流れる方向に延在する。 （もっと読む）

【課題】 大きなアスペクト比を有するシリンダ孔の開孔に際して、ボーイングの発生を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、半導体基板１１の主面上部にシリンダ孔形成用絶縁膜２２を成膜する工程と、シリンダ孔形成用絶縁膜２２を貫通し半導体基板１１に達する放電プラグ２７を形成する工程と、放電プラグ２７及びシリンダ孔形成用絶縁膜２２上に導電性ハードマスク２６を形成する工程と、導電性ハードマスク２６を用いてシリンダ孔形成用絶縁膜２２をエッチングしてシリンダ孔２９を形成しシリンダ孔２９内に下部電極３０を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】低濃度のメタルを含有するインクを使用したインクジェット塗布による配線膜厚を厚く形成する。
【解決手段】２つのゲート配線１０１を隣接配置して形成するようにした光透過型感光性樹脂５２の開口部に、インクジェット塗布法によるインク１０１’を滴下し、インク１０１’の溶媒を蒸発・乾燥させ、捨て領域５２’を境界として、インク１０１’を分離させ、分離したインク１０１’’を乾燥・焼成させることで、従来の膜厚より２倍以上の膜厚のゲート配線１０１が形成される。 （もっと読む）

【課題】 安定な電気的特性を有する低抵抗の導電膜を液相法を用いて形成する方法を提供する。
【解決手段】 本発明の導電膜の形成方法は、基板Ｐ上に微粒子材料を含む液体材料１２を配置する工程と、前記基板Ｐ上の液体材料１２をフラッシュランプを用いた光照射により焼成して導電膜を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 銅の配線材料に対して有効なバリヤメタル層を提供する。
【解決手段】 シリコン層或いはシリコンを含むシリコン含有層６４と銅層６８，７０との間に介在されてシリコンの吸い上げを防止するためのバリヤメタル層において、前記バリヤメタル層としてＴｉＳｉＮ膜６６を用いる。これにより、銅の配線材料に対して有効なバリヤメタル層とする。 （もっと読む）