【課題】裏面配線の断線等の製造不良を低減し、裏面配線と半導体基板との絶縁を安定的に確保することができる貫通電極を有する半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
表面電極が形成された半導体基板を用意する。半導体基板を裏面側からエッチングして前記表面電極に達する貫通孔を形成し、これに並行して半導体基板を裏面側からエッチングして貫通孔の外周を囲むトレンチを形成する。このトレンチにより絶縁リングが構成される。続いて、半導体基板の裏面に感光性樹脂フィルムを貼り付ける。露光現像処理により感光性樹脂フィルムの貫通孔の形成部分に対応する部分を選択的に除去する。開口部より露出した貫通孔の内壁および感光性樹脂フィルムの表面に導電体を堆積させる。貫通電極と半導体基板は中空構造の絶縁リングにより絶縁される。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜が剥離を改善したシリコン基板および該シリコン基板上に設けられた低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部を備えた半導体装置の提供。
【解決手段】シリコン基板１の上面には低誘電率膜４と配線５との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部３がその側面がシリコン基板１の側面と実質的に面一となるように設けられている。シリコン基板１および低誘電率膜配線積層構造部３の周側面は封止膜１５によって覆われている。これにより、低誘電率膜４が剥離しにくい構造となっており、且つ、シリコン基板１の側面をクラック等から保護することができる。この場合、シリコン基板１の下面には、該下面をクラック等から保護するために、下層保護膜１７が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板および該シリコン基板上に設けられた低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部を備えた半導体装置において、低誘電率膜が剥離しにくいようにする。
【解決手段】 シリコン基板１の上面の周辺部を除く領域には低誘電率膜４と配線５との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部３が設けられている。低誘電率膜配線積層構造部３の周側面は封止膜１５によって覆われている。これにより、低誘電率膜４が剥離しにくい構造となっている。この場合、シリコン基板１の下面には、該下面をクラック等から保護するために、下層保護膜１８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】高速化を維持しつつ、レイアウトサイズを増大させることなしに配線間スキューを大幅に低減できる半導体集積回路装置の配線方法及び半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】半導体集積回路装置において、第１コンポーネントと第２コンポーネントとを接続する信号線は、電気的に直列に接続された第１、第２、第３及び第４の部分を有する複数の第１の配線と、電気的に接続された第５及び第６の部分を有する複数の第２の配線とが交互に配置されて形成され、第２の部分の抵抗率は第１の抵抗率であり、第１、第３、第４、第５及び第６の部分の抵抗率は第１の抵抗率より低い第２または第３の抵抗率であって、且つ、第２の部分の抵抗値は複数の第１の配線ごとに異なり、複数の第１の配線は、配線長の和が小さい順に所定の位置から奇数番目に配置され、複数の第２の配線は、配線長の和が大きい順に前記所定の位置から偶数番目に配置される。 （もっと読む）

【課題】互いに隣接するビットライン間に形成される寄生キャパシタの容量を減少させてフラッシュメモリ素子の動作速度を改善すると共にコンタクトプラグにボイドが発生する現象を改善する半導体メモリ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体メモリ素子は、ゲートパターン２１０間の半導体基板２００上に形成されたコンタクトプラグ２１４ａ、２１４ｂ，コンタクトプラグとそれぞれ連結され、一方の方向と他方の方向に延びた第１及び第２の導電性パッド２２０，３２０、第１及び第２の導電性パッドの延びた縁部の上部に互いに異なる高さでそれぞれ形成された第１及び第２のパッドコンタクトプラグ２２８，３２８、第１のパッドコンタクトプラグ２２８とそれぞれ連結される第１のビットラインＢＬ１、及び第２のパッドコンタクトプラグ３２８とそれぞれ連結される第２のビットラインＢＬ２を含む。 （もっと読む）

【課題】 微細化、集積度向上に影響を与えない方法で、クロストークを減少または除去する回路を提供する。
【解決手段】 クロストーク防止回路は、ほぼ平行して形成されている少なくとも２本の信号線、たとえば、マスタスロック用線とスレーブクロック用線ｌ１，ｌ２の間に、これら２本の信号線の少なくとも一方に印加される信号が存在しないとき、たとえば、テスト用信号が印加され、前記２本の信号線に信号が印加されるとき接地状態になる第３の信号線ｌ３を生成する。好ましくは、第３の信号線にドライバ回路を接続し、該ドライバ回路の出力トランジスタのＮチャネルトランジスタとＰチャネルトランジスタの電流駆動能力の比率をほぼ２：１にする。 （もっと読む）

【課題】信号処理速度が速く、かつ、配線膜の信頼性が高い半導体装置を提供することである。
【解決手段】膜２に凹部３を形成する凹部形成工程を具備する半導体装置の製造方法において、
前記凹部形成工程の後、電磁波硬化性薬剤を該凹部の内面側に設ける電磁波硬化性薬剤在工程と、前記電磁波硬化性薬剤在工程の後、電磁波を照射して該電磁波硬化性薬剤を硬化させる硬化工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ビアファースト方法を用いるデュアルダマシン配線の形成において、レジストポイズニングを抑制する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板１０１上に層間絶縁膜１０８を形成する工程（ａ）と、層間絶縁膜１０８にビアホール１０９を形成する工程（ｂ）と、ビアホール１０９内にダミープラグ１１１を形成する工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後、層間絶縁膜１０８上に第１のバリア絶縁膜１２０を形成し、更にその上に反射防止膜１０５を形成するする工程（ｄ）と、第１のバリア絶縁膜１２０上に、配線溝形成用開口１１４を有するレジストマスク１１３を形成する工程（ｅ）と、レジストマスク１１３をマスクとして層間絶縁膜１０８、第１のバリア絶縁膜１２０及びダミープラグ１１１のそれぞれ一部を除去することにより、ダミープラグ１１１の残存部分に接続する配線溝を形成する工程（ｆ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】 配線部の占有面積が半導体装置の面積に比べ非常に小さい場合においても半導体装置の特性に影響を与えることなく、サイドエッチなどによるアンダーカットなどの無い、良好な断面形状を有する金属配線の形成方法を提供する。
【解決手段】 配線領域に形成されたレジストパターンと、配線領域近傍に位置する非配線領域に形成されたベタ状態のレジストパターンをマスクとして、下地の金属膜をエッチングし、次いで、非配線領域の金属膜をエッチングすることで断面形状の良好な金属配線が形成できる。 （もっと読む）

【課題】配線構造の機械的強度を低下させることなく、エアギャップによる配線間容量の低減を図ることができる半導体装置および半導体製造装置の製造方法を提供する。
【解決手段】銅ダマシン下配線８上には、拡散防止膜９が積層される。銅ダマシン下配線８Ａ，８Ｂおよび銅ダマシン下配線８Ｂ，８Ｃ間から第１層間絶縁膜４を除去することにより、エアギャップ１０が形成される。銅ダマシン下配線８Ｃ，８Ｄ間には、エアギャップは形成されていない。銅ダマシン下配線８Ａ，８Ｂおよび銅ダマシン下配線８Ｂ，８Ｃ間には、拡散防止膜９を支持するための支持膜２０が複数形成されている。各支持膜２０は、銅ダマシン下配線８におけるビア接続位置に隣接して設けられている。 （もっと読む）

【課題】配線構造の機械的強度を低下させることなく、エアギャップによる配線間容量の低減を図ることができる半導体装置および半導体製造装置の製造方法を提供する。
【解決手段】銅ダマシン下配線８上には、拡散防止膜９が積層される。銅ダマシン下配線８Ａ，８Ｂおよび銅ダマシン下配線８Ｂ，８Ｃ間から第１層間絶縁膜４を除去することにより、エアギャップ１０が形成される。銅ダマシン下配線８Ｃ，８Ｄ間には、エアギャップは形成されていない。銅ダマシン下配線８Ａ，８Ｂおよび銅ダマシン下配線８Ｂ，８Ｃ間には、拡散防止膜９を支持するための支持膜２０が複数形成されている。各支持膜２０は、銅ダマシン下配線８におけるビア接続位置に隣接して設けられている。拡散防止膜９には、貫通孔３３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】配線に十分なＥＭ耐性を確保しつつ、配線層間・線間リークを低減しかつＴＤＤＢ寿命を向上することができるとともに、ビアエッチの際に高選択比を確保して高信頼性な配線を得ることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上の第１の絶縁膜１に形成された配線溝Ｍ１と、配線溝Ｍ１側壁及び底部に形成されたタンタル系バリアメタル２ａと、タンタル系バリアメタル２ａに沿って配線溝Ｍ１を埋め込むように形成されたＣｕ膜２ｂと、Ｃｕ膜２ｂ表面に形成された銅とシリコンの合金層または銅とシリコンと窒素のＣｕＳｉＮ層３ａと、ＣｕＳｉＮ層３ａの上及び第１の絶縁膜１の上に形成され第１の絶縁膜１より高密度なＳｉＮｘ膜３ｄとを有する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率性、耐湿性、耐水性及び耐熱性という、いずれの特性にも優れた被膜を形成するのに適当な材料となる化合物を含む膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】ボラジン環及びアダマンタン環を含む化合物、並びに前記ボラジン環及びアダマンタン環を含有する化合物とを含むか、ボラジン環を含有する化合物とアダマンタン環を含有する化合物とを含むか、前記ボラジン環及びアダマンタン環を含有する化合物とボラジン環を含有する化合物及び／またはアダマンタン環を含有する化合物とを含むかのいずれかである膜形成用組成物である。 （もっと読む）

【課題】デュアル・ストレス・ライナ・プロセスと共存できる逆テーパ・コンタクト構造を提供する。
【解決手段】半導体デバイスは、シリコン層と、該シリコン層中に電気的接続領域を有するトランジスタと、該電気的接続領域上に形成されかつ該領域と電気的に接触する導電性プラグとを有し、該プラグは該シリコン層から離れると内側に傾斜する側壁を有する。 （もっと読む）

【課題】 製造プロセスへの付加を抑えコスト・ＴＡＴを増大させることなくタイミング最適化が可能となる半導体集積回路装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 タイミング制約違反の有無を判定し、タイミング制約違反が検出された場合にこれを解消する為に信号やクロックの更なる遅延が必要な最適化対象配線３３３とこれに所定間隔以下で近接する隣接配線３６１の間（隣接配線間）の一部又は全部にボイド形成抑止領域３８１を設定し、ボイド形成抑止領域内の最適化対象配線と隣接配線の間（隣接配線間）に絶縁膜を形成し、ボイド形成抑止領域外の最適化対象配線と隣接配線の間（隣接配線間）にボイド３７１ａ，ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】 バルク基板との接合容量をなくして動作速度の向上と消費電流の削減が可能な半導体装置及び製造工程が簡略化されたその製造方法を提供する。
【解決手段】 複数の素子領域及びこれらを区画する素子分離領域１３を有するシリコンなどの半導体基板１と、半導体基板主面に形成されたソース／ドレイン領域１１及びゲート１２を有するＭＯＳトランジスタとを具備している。素子分離領域１３は、ＤＴＩ(Deep Trench Isolation) 構造であり、その底面は半導体基板１の裏面から露出している。半導体基板主面にモールド樹脂６を形成してから半導体基板１の裏面を研磨もしくはエッチングを行って半導体基板１を素子分離領域１３が露出するまで薄くする。外部端子となるはんだボール９は半導体基板１を薄くする前又は後に取り付ける。 （もっと読む）

【課題】同一配線層の配線間における実効誘電率の増大及び配線幅のばらつきの増加を解消しつつ、ナノホールパターンの形成時における反射率差に起因する課題と、エッチングによる配線信頼性低下の課題とを同時に解決できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板の主面に垂直な方向に筒状に延びる複数の空間部である第１のナノコラム型ホール１１ｂを有する第１の層間絶縁膜１１と、該第１の層間絶縁膜１１に選択的に形成された下層配線１２とを有している。下層配線１２の上部には、金属又は金属を含む材料からなるキャップ膜１２ｃが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 有機絶縁膜の乾燥膜から硬化膜に至るまでの工程で誘電率の変化が少ない、比較的低温短時間での硬化が可能となる有機絶縁膜及びそれを有する半導体装置を提供する。また、低誘電率、高耐熱性を兼ね備えており、最終硬化後の誘電率の経時変化率が小さい有機絶縁膜を提供する。
【解決手段】 アダマンタン構造を最小単位とする構造からなるカゴ型構造を有する化合物を含む有機絶縁膜であって、前記カゴ型構造を有する化合物を含む乾燥膜の誘電率が、該乾燥膜を硬化し有機絶縁膜とした硬化膜の誘電率に対する比として０．９５以上１．２以下であることを特徴とする有機絶縁膜。前記アダマンタン構造を最小単位とする構造は、アダマンタン、ポリアマンタン構造又はポリアダマンタン構造である有機絶縁膜。 （もっと読む）

基板上にエアギャップ構造を作製する方法及びシステムが記載されている。当該方法は、基板上に犠牲層を形成する工程を有する。前記犠牲層は、約350℃より高温の熱分解温度で熱分解する分解可能材料を有する。その後、前記犠牲層の熱分解温度よりも低い基板温度で前記犠牲層上にキャップ層が形成される。前記犠牲層は、紫外(UV)放射線への前記基板の第1曝露を実行し、かつ前記基板を前記犠牲層の熱分解温度よりも低い第1温度にまで加熱することによって分解される。前記の分解した犠牲層は前記キャップ層を介して除去される。UV放射線への前記基板の第2曝露を実行し、かつ前記基板を前記第1温度よりも高い第2温度にまで加熱することによって、前記キャップ層は架橋して硬化する。
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【課題】硬化性に優れ、かつ、低誘電率を有する絶縁膜を製造することができる絶縁膜の製造方法、及び、前記製造方法により得られる絶縁膜を提供すること。
【解決手段】膜形成用組成物を塗布する工程と、塗布した膜形成用組成物に紫外線を照射する工程とを含み、前記膜形成用組成物が、ラジカル重合開始剤と、式（１）で表される化合物及び／又は少なくともこれを用いて重合した重合体を含むことを特徴とする絶縁膜の製造方法。
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