【課題】銅に対する十分なバリア性を備え、配線間の電気容量を低下させて配線の遅延時間を小さく抑え、かつ配線間の密着性を向上させた積層構造により、半導体装置の信頼性を高め、高性能化を実現する技術を提供する。
【解決手段】銅配線層を有する半導体装置において、半導体装置が、銅配線、バリア層、このバリア層に直接接する酸化ケイ素系ポーラス絶縁層、このケイ素系ポーラス絶縁層に直接接するバリア層、銅配線をこの順に有する積層構造を少なくとも一つ有し、バリア層の少なくとも一つが密度２．４ｇ／ｃｍ^３以上のアモルファス炭素膜であり、このアモルファス炭素膜と銅配線との間にこれらに直接接するケイ素系絶縁層が存在する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の微細金属配線パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜を露出させるように絶縁膜上に第１レイアウトで配置される複数のモールドパターンを形成する。第１スペース内に金属ハードマスクパターンを形成し、モールドパターンを除去した後、金属ハードマスクパターンをエッチングマスクとして絶縁膜をエッチングして、第１レイアウトと同じレイアウトの陰刻パターンが形成された絶縁膜パターン１２０ａを形成する。絶縁膜パターン１２０ａに形成された第２スペース内に第１レイアウトと同じレイアウトを有する金属配線パターン１５０を形成する半導体素子の微細金属配線パターンの形成方法である。これにより、金属配線パターンでＲＣ遅延による問題を抑制でき、さらに安定な電気的特性が得られる。 （もっと読む）

【課題】良好な処理特性を維持しつつ従来よりも高スループットでシリル化処理を行うことができる処理方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板を処理室に搬入後、ＳｉとＣＨ_３との結合を有するガスを処理室内に導入し、被処理基板に対してシリル化処理を施す処理方法であって、処理室内にＳｉとＣＨ_３との結合を有するガスを供給して処理室内の圧力を上昇させ、所定圧力に到達してから処理室内の圧力を搬出圧力まで低下させるまでの間、ＳｉとＣＨ_３との結合を有するガスの供給による前記処理室内の圧力と供給時間を、所定のシリル化処理を施すことが可能な範囲とする。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどの層間絶縁膜に用いられる低い誘電率と優れた機械強度を有し、更には膜の経時安定性の良好な層間絶縁膜を提供すること。更に該塗布液を用いて得られる電子デバイスの層間絶縁膜および該絶縁膜を層構成層として有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】式（１）で表される基を構成単位として有する高分子化合物を含有する半導体集積回路の絶縁膜により解決される。
−Ｒ₁−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ− 式（１）
Ｒ₁はカゴ型構造基を表す。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイス製造時に使用される低誘電率膜の比誘電率を低下させるための改質剤、およびその改質剤を用いて改質された低誘電率膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】 半導体デバイスに使用される低誘電率膜の比誘電率を低下させるための改質剤であって、一般式（１）
Ｒ_３−ｘＨ_ｘＳｉＮ_３ （１）
（ＲはＣ１〜Ｃ４のアルキル基、ｎは０〜３の整数）で表されるケイ素化合物を有効成分として少なくとも一種類以上含有する低誘電率膜の改質剤。 （もっと読む）

【課題】 本発明は上記の状況に鑑みてなされたもので、低誘電率ホウ素炭素窒
素薄膜を成膜することができる成膜方法を提供することを日的とすること。
【解決手段】前記課題を解決するための本発明の成膜方法は、成膜室内にプラズ
マを生成し、成膜室内で窒素原子をホウ素および炭素と反応させ、基板にホウ素
炭素窒素膜を成膜した後、光照射を行う工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機シロキサンを主成分とする絶縁膜にエッチング処理によって凹部を形成する際に、凹部の底部に異常形状が形成されるのを抑制する。
【解決手段】層間絶縁膜を構成する有機シロキサンを主成分とする有機絶縁膜２に形成された溝や孔等のような凹部４内に導体膜を埋め込むことで埋込配線構造を構成する半導体集積回路装置の製造方法において、有機絶縁膜２上にフォトレジスト膜３を形成した後、そのフォトレジスト膜３をエッチングマスクとして有機絶縁膜２に溝や孔等のような凹部４を形成する際に、その凹部４の底部に異常形状が形成されるのを抑制するために、ＣＦ系のガス／Ｎ₂／Ａｒガスを用いたプラズマドライエッチング処理を施すことにより凹部４を形成した。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを有する電気配線構造及びその形成方法を提供する。
【解決手段】集積回路装置は、カーボンナノチューブを含む導電性配線を含む。電気配線は、第１金属領域を含む。第１導電性バリア層が前記第１金属領域の上部表面上に提供され、第２金属領域は、前記第１導電性バリア層上に提供される。前記第１導電性バリア層は、前記第１金属領域からの前記第１金属の外部拡散を抑制する物質を含み、前記第２金属領域は、内部に触媒金属を含む。内部に開口を有する絶縁層が前記第２金属領域上に提供される。多数のカーボンナノチューブが、前記開口内に垂直電気配線として提供される。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板上に形成された配線の接続パッド部上に柱状電極が形成された半導体装置において、配線の表面粗さを電解メッキにより形成したときの表面粗さと同等レベルとする。
【解決手段】 半導体ウエハ２１上の全面に形成された銅を含む金属からなる下地金属層７の上面に、銅の電解メッキにより、配線８を形成する。次に、配線８の上面全体に、ニッケルの電解メッキにより、配線保護金属膜９を形成する。次に、配線８の接続パッド部上の配線保護金属膜９の上面に、銅の電解メッキにより、柱状電極１０を形成する。次に、配線保護金属膜９をマスクとして下地金属層７の不要な部分をエッチングして除去し、配線８下にのみ下地金属層７を残存させる。この場合、配線８の上面は配線保護金属膜９によって保護され、エッチングされることはない。次に、柱状電極１０をマスクとして、柱状電極１０下以外の領域における配線保護金属膜９をエッチングして除去し、柱状電極１０下以外の領域における配線８の上面を露出させる。 （もっと読む）

【課題】配線間容量および配線層間容量の上昇を抑制した状態で、加工精度よく絶縁膜に凹部を形成する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】まず、第１絶縁膜７上に、接続孔１２が設けられた第２絶縁膜８および接続孔パターンを有する第１マスク９’および第２マスク１０’が設けられた状態で、第１絶縁膜７にエネルギー線Ｅを照射する。その後、熱処理を行うことで、接続孔１２の底部に露出された第１絶縁膜７の表面側を硬化させて硬化層Ｓを形成する。次に、第２マスク１０’および第１マスク９’をマスクに用いたエッチングにより、硬化層Ｓを含む第１絶縁膜７を除去することで、接続孔１２を掘り下げることを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】配線の信頼性が高く、かつ高速度で動作可能な高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】各々論理回路が形成された複数の論理回路セルと、前記複数の論理回路セルにそれぞれ接続された複数の配線と、を有し、前記複数の配線のうち、少なくとも１つは、開口部が形成され、他方の配線と開口率を異なるように形成されたことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】トレンチ内の障壁金属層の上部にのみ化学気相蒸着方法を用いて選択的に比抵抗が低い金属層を蒸着し、熱処理を実施した後、平坦化して低抵抗金属配線を形成することができる半導体素子の金属配線形成方法を提供する。
【解決手段】RFエッチング方法でトレンチ１０８の底面と絶縁膜パターンの下部側壁にのみ障壁金属層１２０を残留させる。ＭＰＡソースを前駆体として用いるＣＶＤ法を用い、障壁金属層１２０の上部にのみ選択的に比抵抗が低い金属層１３０を蒸着し、熱処理を実施した後、平坦化して金属配線１４０を形成する。熱処理を実施して金属物質でトレンチ１０８を完全に満たすことで平坦化する。かくして脆性のアルミニウム膜によるディッシングとスクラッチなどは発生せず、金属配線１４０としての高い信頼性が確保されて、低抵抗金属配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】中空構造において温度上昇による層間絶縁膜の変形を抑制する。
【解決手段】本発明の例に係る半導体装置は、半導体基板Ｓ上に互いに上下に隣接してスタックされる中空構造の第１及び第２配線層Ｌ４，Ｌ５と、第１配線層Ｌ４内に形成され、信号線として機能しないダミーパターンＰと、第２配線層Ｌ５内に形成される導電パターンＰとを備える。そして、半導体基板Ｓ上からみて、ダミーパターンＰと導電パターンＰとは、互いにオーバーラップする部分とそれ以外の部分とを有する。 （もっと読む）

【課題】近年、半導体集積回路の設計において、半導体プロセスの微細化、技術の高度化に伴い、マスク修正時におけるコスト増大及び設計精度の悪化が問題となっている。
【解決手段】本発明の半導体集積回路及び半導体集積回路の修正方法は、半導体集積回路のレイアウト設計において、実動作セルと回路修正用のダミーセルを並列して配置し、回路修正時におけるレイアウト変更を最低限に抑えることで、マスク修正時の修正層数の削減かつ設計精度悪化の防止を実現する。 （もっと読む）

【課題】ビアを用いた多層配線相互間の接続において、電流容量が十分に確保でき、多層配線相互間の信号遅延を防ぐことができ、かつ加工も容易なビアを形成する半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】第１の配線１１、及び第１の配線１１とは異なる層に形成された第２の配線１２、を相互に接続するビア１３を具備し、このビアの平面形状は、円形と方形とを組み合わせた長円パターンとする。これにより大きな接続面積が得られ電流容量が十分に確保できるとともに、フォーカスマージンと加工マージンが上がり形成が容易となる。 （もっと読む）

半導体構造の形成方法は、絶縁材料からなる層（２１０）を備えた半導体基板を設ける。絶縁材料からなる層内には凹部が設けられている。凹部には銀を含む材料（２１６）が充填されており、場合によってはロジウム（２１４），（２１７）で被覆されている。
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【課題】パワー・トランジスタに流れる電流ルートを明確にすると共に、パワー・トランジスタに流れる電流の最適化を図ることにより、パワー・トランジスタへのダメージ又はストレスを低減し、信頼性に優れた半導体集積回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路は、半導体基板上(100)に形成されたパワー・トランジスタ(100A)と、パワー・トランジスタ(100A)の直上に形成され、パワー・トランジスタの第１の電極及び第２の電極として機能する複数の第１の金属パターン及び複数の第２の金属パターンと、複数の第１の金属パターンのうち対応する第１の金属パターンと電気的に接続する複数の第１のバス(140〜142)と、複数の第２の金属パターンのうち対応する第２の金属パターンと電気的に接続する複数の第２のバス(150〜152)と、複数の第１のバス(140〜142)及び複数の第２のバス(150〜152)の各々には、１つのコンタクト・パッド(304)が設けられている。 （もっと読む）

【課題】エアギャップによる配線間寄生容量の低下を考慮した配線構造の設計方法およびその装置を提供する。
【解決手段】配線後のレイアウトデータからタイミングエラー箇所を特定し（3_007）、エアギャップの有無による容量値の変動を評価することにより、タイミングを改善するのに必要最低限のエアギャップ禁止領域を算出する（3_008）。また、配線時には、エアギャップを考慮したタイミング計算を行ない、エアギャップによる容量値の変動を考慮して配線パターンを変更する。面積を増加することなく、配線時のタイミング収束、および配線後のタイミング改善の工数を削減することができる。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどに用いられる、誘電率、機械強度等の膜特性が良好な絶縁膜を形成できる組成物を提供する。さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜、および該絶縁膜を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】三重結合及びまたは二重結合を合計で複数個有するトリプチセン誘導体を重合単位として重合した重合体を含有することを特徴とする組成物、該組成物を用いた絶縁膜及び電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＩプロセスによる制約のない最上位配線層を提供することで長距離配線における信号遅延を低減可能な半導体集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体集積回路基板を提供する過程は、半導体集積回路用ベース基板１１上に、半導体集積回路及び該半導体集積回路用の最上位配線層を含まない配線層１２を形成する過程と、半導体集積回路用ベース基板の配線層上に、該配線層に接続される接続パッド１３を形成する過程とからなる。配線基板を提供する過程は、配線基板用ベース基板１上に、半導体集積回路用の最上位配線層となる厚膜配線層３をメッキ形成する過程と、厚膜配線層上に、該厚膜配線層に接続される接合バンプ６を形成する過程とからなる。そして、半導体集積回路基板の接続パッドが形成される面と配線基板の接合バンプが形成される面とを対向させ接続パッド及び接合バンプを位置合わせして接合する。 （もっと読む）