【課題】 電子機器に関し、半導体回路を高クロックで動作させるため動作温度まで冷却し、部材の交換を含む保守を容易に行うことができるようにすることを目的とする。
【解決手段】 マザーボード３０と、マザーボード３０に取付けられた複数のマルチチップモジュール３２と、マルチチップモジュール３２を冷却するための冷却部材５６と、冷却部材５６を室温以下に冷却するための冷凍装置と、マルチチップモジュール毎に設けられ、各マルチチップモジュールと冷凍装置とを熱的にかつ機械的に着脱可能とする接続構造とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】 電子装置に関し、集積回路ユニットのヒートシンクの大きさを大きくしなくても冷却性能に優れた空冷方式の電子装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 回路基板１４と、該回路基板に設けられたコネクタ２２と、該コネクタに搭載可能な集積回路モジュール２４と、該集積回路モジュールに取付けられたヒートシンク２６と、該ヒートシンクとは別の位置に設けられ且つ冷却空気流路内に配置されている放熱手段３０と、該ヒートシンクと該放熱手段とを熱的に接続する熱伝導路２０とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】 従来のものと比べて、より薄形軽量の板状熱交換器を提供する。
【解決手段】 アルミニウム基板2 と、作動液注入口形成用水平開放部分31a を有する所定平面形状の上方凸状部31が成形されかつ上方凸状部31の周縁に前記開放部分31a を除いて鍔部32が設けられたアルミニウム成形体3 とよりなる。アルミニウム基板2 にアルミニウム成形体3 の鍔部32が接合されて、作動液注入口4aを有する作動液封入用中空部4 が形成され、中空部4 内に作動液が注入されて作動液注入口4aが閉鎖されることにより、ヒートパイプ部5 が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 優れた冷却効果が実現する冷却部品をて提供すること。
【解決手段】 コンデンサ１０を構成する巻回部１１の巻芯２０として、Ｃｕ等をマトリックスとし、カーボンファイバー等をフィラーとした、高熱伝導のＭＭＣを適用し、その巻芯２０を延長してフィン２１を取り付ける。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ接続構造において、半導体素子から配線基板に放熱する際に、半導体素子裏面から配線基板に放熱板などで放熱する構造では、熱の経路が長いため熱抵抗が高くなっていた。
【解決手段】フリップチップ接続に用いられる突起電極を配線基板のサーマルビアの配置と同一に配置し、それらをお互いに接続する。 （もっと読む）

【課題】 放熱効果を向上させ、半導体チップを安定して動作させることのできる積層型半導体装置放熱構造を提供する。
【解決手段】 本発明の積層型半導体装置放熱構造は、半導体チップをモジュール基板上にフリップチップ実装したモジュールを二段以上積層した積層型半導体装置をマザーボード上に実装した積層型半導体装置放熱構造において、モジュール基板及びマザーボードには、これらを厚み方向に貫通する放熱用ビアが、半導体チップまたは熱伝導材に接触するように形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本装置の金属裏側（３４）と端子（３８）との間に電圧分離を有するパッケージ化パワー半導体装置（２４）。本装置からヒートシンクへの電気的分離及び良好な伝熱を与えるために直接ボンド付け銅（ＤＢＣ）基板（２８）を使用している。パワー半導体ダイ（２６）が半田又はその他の態様でＤＢＣ基板の第一金属層（３０）ヘ装着されている。第一金属層は該半導体ダイによって発生される熱を散逸させる。該リード及びダイは単一の操作でＤＢＣ基板へ半田付けさせることが可能である。１実施例においては、３，０００Ｖを超える分離が達成される。別の実施例においては、該パッケージ化パワー半導体装置はＴＯ−２４７アウトラインに適合している。 （もっと読む）

本実施例で単層基板（２）からなるＤＣ−ＤＣ変換器であるＰＣＢアセンブリ（１）は、高熱発生部品（３）を形成する電力半導体デバイスと、熱放散部品（４）を形成する磁性材料からなる様々なコアを実装している。熱伝導性結合材料（６）の抵抗路が、各熱発生部品（３）の上または下に配設されて、１つの熱放散部品（４）の中に突入しかつその他の側方に延出している。ある実施例では、熱発生部品（３）が熱放散部品（３）の中に収容される。別のＰＣＢアセンブリでは、それ自体が熱発生部品（３）又は熱放散部品（４）のみを担持する追加のプラグインＰＣＢが設けられる。後者の場合、熱発生部品（３）は前記ＰＣＢアセンブリ上に追加のプラグインＰＣＢの下側に実装される。 （もっと読む）

高性能集積回路の高電力密度に対処するため、集積回路パッケージは、熱が１またはそれ以上のダイの表面からダイアモンド、ダイアモンド複合材またはグラファイトにより形成された高容量熱インターフェイスを介して集積型ヒートスプレッダー（ＩＨＳ）へ放熱される放熱構造を有する。１つの実施例では、ダイアモンド層をＩＨＳ上に成長させる。別の実施例では、ダイアモンド層を別個に成長させた後、ＩＨＳに固着する。製造方法と共にパッケージを電子組立体及び電子システムへ使用する方法も記載されている。 （もっと読む）

露出面を有する裸のシリコンチップを搭載した回路板のための熱散逸設備を作成するための方法が開示される。熱分散体は平坦部分を有し、その内面（回路板に面する）上に１つもしくはそれ以上のジェル組成物からなるパッドがつけられる。パッドは、熱分散体が回路板に取り付けられ、チップの露出面を完全にカバーしたときに、裸のシリコンパッドの向かい側に位置決めされる。ジェル組成物は粘着強さよりも大きい凝集強さ、１．３８Ｍｐａよりも小さい圧縮係数、１．０Ｗ／ｍ−℃よりも大きい熱伝導率、および０．０８ｍｍと１．０ｍｍとの間の厚みを有する。ジェル物質の低圧縮係数は、機械的ストレスのチップへの伝達からチップを保護する。 （もっと読む）

ヒートシンク装置（１０）は、グラファイト材料からなる長短シート（１４）、（１６）が交互にサンドイッチ上に配置されてなり、長シート（１４）が短シート（１６）よりも長く伸びてフィンを形成してなる。異方性グラファイト材料の熱伝導率の高い方向は、シートの平面方向に配向している。長（１４）短（１６）シートの基底末端（１８）は、それら基底末端（１８）が全体的に平坦な基底表面（２０）を形成するように互いに整列して、前記ヒートシンク装置により冷却される電子装置（１２）と前記基底表面（２０）とが係合してなる。 （もっと読む）

少なくとも１個のヒート・パイプとそれと熱連絡する成形ヒート・シンクとを含む熱管理デバイスであって、前記ヒート・シンクが約５Ｗ／ｍＫより大きい熱伝導率を有する充填剤入り樹脂組成物を含み、前記組成物が充填剤と樹脂との合計重量に基いて１０〜８０重量％の熱伝導性充填剤と約９０〜約２０重量％の樹脂とを含む前記デバイス。 （もっと読む）