【課題】ＬＳＩ素子の性能劣化及びヒューズ素子の欠陥の増加を抑制できる半導体記憶素子及び半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶素子１００は、第１ヒューズ線１１１と、第１ヒューズ線１１１と並列接続された第２ヒューズ線１１２とを有し、切断されているか否かによって２値のデータを保持するヒューズ素子１１０と、一端がワード線１３０に接続されており、ヒューズ素子１１０に電流を流すか否かを選択する選択素子１２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体チップのチップ面積の削減を図るとともに、半導体チップへの入力を記憶させる時間を短縮する。
【解決手段】本発明の半導体ウエハ１は、チップ領域１０に形成され、絶縁膜を有し、電圧の印加による絶縁膜の絶縁破壊により導通状態となる複数のアンチヒューズ１４を有するアンチヒューズ回路１２と、チップ領域１０を区画するダイシング領域２０に複数のアンチヒューズ１４の各々に対応して形成され、配線を有し、レーザー照射による配線の切断により非導通状態となる複数のレーザーヒューズ２４を有するレーザーヒューズ回路２２と、複数のアンチヒューズ１４のうち、半導体チップへの入力に応じて非導通状態とされたレーザーヒューズ２２に対応するアンチヒューズ１４の有する絶縁膜に、電源からの電圧を印加させて、そのアンチヒューズ１４を導通状態とする制御回路１３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】回路規模が増大化する。
【解決手段】抵抗値が順に小さい値となって直列接続される複数のヒューズを備えるヒューズ部と、前記ヒューズ部の複数のヒューズのそれぞれ一端と、第１の電源電圧との間に接続される複数の選択スイッチと、前記第１の電源電圧から所定の電位差を有するヒューズ溶断用電圧を、前記ヒューズ部の最も小さい抵抗値のヒューズ側に出力するヒューズ溶融電圧出力回路と、ヒューズ溶断時に、前記ヒューズ溶融電圧出力回路が前記ヒューズ溶断用電圧を出力し、前記ヒューズ部の最も大きい抵抗値のヒューズに接続される選択スイッチから最も小さい抵抗値のヒューズに接続される選択スイッチまでを順に導通させる制御回路と、を備える半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＰのチップ間を接続するための端子数が増加する。
【解決手段】パッケージ内部に第１の半導体チップと第２の半導体チップが集積される半導体集積回路であって、前記第１の半導体チップは、第１の通信部と、複数のアナログ回路とを備え、前記第２の半導体チップは、第２の通信部と、前記複数のアナログ回路の特性調整用データを格納するメモリ部とを備え、前記第１の通信部と前記第２の通信部とがシリアルデータ通信線で接続され、前記シリアルデータ線を経由して前記第１の半導体チップが備える複数のアナログ回路の特性調整用データをそれぞれ複数のアナログ回路に転送する半導体集積回路。 （もっと読む）

【課題】より小型なｅヒューズモジュールを提供する。
【解決手段】半導体デバイスが、ｅヒューズモジュールおよびプログラミング電流生成器を有する。ｅヒューズモジュールが電気的にプログラミングするｅヒューズ素子（２２６）のアレイを含む。プログラミング電流発生器が、複数の基準トランジスタ素子（Ｍ０〜Ｍ６）のセットと、基準トランジスタ素子（Ｍ０〜Ｍ６）を活性化させて、選択された基準電流を生成するセレクタ（２５４）と、アレイの選択されたｅヒューズ素子（２２６）に、選択された基準電流に応じたプログラミング電流を印加して、ｅヒューズ素子（２２６）の抵抗をプログラミングするカレントミラー（Ｍ７、Ｍ８、Ｍ９）とを有する。 （もっと読む）

【課題】ヒューズメモリを利用したトリミングを行う半導体ウェハにおける各半導体チップの回路面積を小さくする。
【解決手段】半導体ウェハ１０におけるシリコン基板上は、複数個のチップ領域ＴＡＲとこの領域ＴＡＲを囲むスクライブ領域ＳＡＲとに区画されている。チップ領域ＴＡＲには、トリミング対象回路１１と、ヒューズ素子Ｆｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）と、ヒューズ素子Ｆｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）が断線状態であるか否かを検出する検出回路としての役割を果たす定電流源ＩＰｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）及びインバータＩＮｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）とが形成されている。スクライブ領域ＳＡＲには、制御信号に応じてＯＮ／ＯＦＦが切り換わり、ＯＮとなることによりヒューズ素子Ｆｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）を断線させる電流を発生するＮチャネル電界効果トランジスタＴＳｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）がある。 （もっと読む）

【課題】電気的に１回限りの書き込みが行われる記憶素子への誤書き込みを抑制する。
【解決手段】電圧検出部１２は、電気的に１回限りの書き込みが行われる記憶素子（電気ヒューズ素子２）へ供給される書き込み電圧を検出し、書き込み電圧が所定の閾値電圧以上となると、書き込み制御部１１に、書き込み信号に係わらず電気ヒューズ素子２への書き込みを停止させることで、書き込み電圧に異常が発生し、過電圧になることによる誤書き込みを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】スイッチ素子の製造バラツキを排除し、より均一で確実な溶断が行える半導体装置のトリミング方法、及びトリミング制御回路を提供すること。
【解決手段】電位が異なる第１電源（電源端子ｃ）と第２電源（接地端子ｄ）との間にて直列接続された第１スイッチ素子Ｓ１〜Ｓ３およびフューズＦ１〜Ｆ３を内蔵した半導体装置１０１における第１スイッチ素子Ｓ１〜Ｓ３をオン制御することでフューズＦ１〜Ｆ３に電圧を印加してフューズＦ１〜Ｆ３を溶断する半導体装置１０１のトリミング方法であって、第１スイッチ素子Ｓ１〜Ｓ３をターンオン制御することにより、第１電源（電源端子ｃ）からフューズＦ１〜Ｆ３を溶断させない第１電圧値を所定時間印加するステップと、第１電圧値の印加が完了した後、第１電源（電源端子ｃ）からフューズＦ１〜Ｆ３を溶断させる第２電圧値を印加するように切り替えるステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】印加電圧の過剰による、アンチヒューズ素子の誤コネクトや書き込みが正確に行われないアンチヒューズ素子の発生を抑制する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、アンチヒューズ素子の一端の電位ＡＦ＿Ｇと電位ＶＰＰＲとを比較し、電位ＡＦ＿Ｇが電位ＶＰＰＲ以上の場合には、アンチヒューズ素子の一端に接続される電源線の電位ＶＰＰＳＶＴを昇圧し、昇圧された電位によりアンチヒューズ素子の一端と他端とが導通状態となることで、電位ＡＦ＿Ｇが電位ＶＰＰＲよりも低くなった場合には、昇圧を停止する。 （もっと読む）

【課題】切断したヒューズ素子の再癒着等があってもシステムの安全性が確保できる信頼性の高い半導体装置及びヒューズ回路の状態判定方法を提供する。
【解決手段】導通または非導通にそれぞれ設定可能な複数のヒューズ素子と、複数のヒューズ素子にそれぞれ接続され複数のヒューズ素子が導通または非導通のいずれの状態であるかをそれぞれ読み出す読出し回路と、読出し回路に接続され、複数のヒューズ素子の導通、非導通の状態を判定して１ビットのデータとして出力するデータ出力回路と、読出し回路に接続され、複数のヒューズ素子が一致して導通または非導通の状態にあるか否かをモニタする状態モニタ回路と、を含むヒューズ回路を備える。 （もっと読む）

【課題】高周波動作向けの半導体装置を高性能化させる。
【解決手段】シリコン基板Ｓ１上に形成された抵抗素子ＴＤＲ１および不揮発性メモリＮＶＭ１を有する半導体装置であって、不揮発性メモリＮＶＭ１は、シリコン基板Ｓ１上に埋め込み酸化層ＢＯＸ１を介して配置されたシリコン層ＳＯＩ１に形成されている。特に、抵抗素子ＴＤＲ１と不揮発性メモリＮＶＭ１とは互いに電気的に接続され、不揮発性メモリＮＶＭ１のオン状態またはオフ状態により、抵抗素子ＴＤＲ１の導通状態または非導通状態が切り替わる。 （もっと読む）

【課題】バーンイン試験が実施される半導体装置であって、自装置の品質を表す情報であるバーンイン試験の実施時間を特定することが容易な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、実施されたバーンイン試験時間を特定するための特定情報を記憶する記憶部２と記憶部２内に特定情報を記憶させ、また記憶された特定情報を読み出す制御部３とを含む。 （もっと読む）

【課題】異なる電圧で動作する回路を備えた半導体装置において、面積の増加を抑制することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、外部端子１０に接続され、該外部端子から入力される第１電圧で動作する第１回路２０と、外部端子に抵抗素子を介して接続され、第１電圧より絶対値が小さい第２電圧で動作する第２回路４０と、抵抗素子と第２回路との間の第１ノードに接続され、制御信号により導通と非導通とのいずれか一方が選択される分圧素子と、を具備する。分圧素子は、第１電圧が外部端子に印加され第１回路を動作させる場合、制御信号により導通状態が選択される。 （もっと読む）

【課題】製造ばらつき等に対しても、高品質で電気的接続状態を変化させる。
【解決手段】電子部品装置２００は、第１のヒューズ素子１０２ａを含む第１のヒューズユニット１００ａ、および第２のヒューズ素子１０２ｂを含む第２のヒューズユニット１００ｂを含む電気ヒューズ１０１と、第１のヒューズ素子１０２ａおよび第２のヒューズ素子１０２ｂの少なくともいずれか一方が電気的に切断されている場合に、電気ヒューズ１０１が電気的に切断されていると判定する判定回路１５０とを含む。第１のヒューズユニット１００ａおよび第２のヒューズユニット１００ｂは、それぞれ独立に電流が印加され、所定の電流または電圧を印加した場合に電気的接続状態の変化が生じない割合に影響を与える制御パラメータの適正範囲が異なるように構成されるかまたは、値の異なる電流により切断される。 （もっと読む）

【課題】電源電圧が遮断されている場合でも記憶データに基づいてスイッチ回路を導通状態または非導通状態にすることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体集積回路装置では、浮遊ゲートおよび制御ゲートを有するメモリトランジスタＭＡと、ゲートが浮遊ゲートに接続され、メモリトランジスタＭＡの記憶データに応じてオンまたはオフするＮチャネルＭＯＳトランジスタＱＡとを含む。したがって、電源電圧ＶＣＣが遮断されている場合でも、メモリトランジスタＭＡの記憶データに基づいてトランジスタＱＡをオンまたはオフさせることができる。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内の複数のチップに対し、チップ毎に異なる内容の電気的な操作（チップＩＤの書き込み等）を、チップ毎ではなく複数チップ単位で一括して行えるようにする。
【解決手段】半導体チップ１０は、対向する左辺Ｓ１及び右辺Ｓ２を有する矩形の主面１０８を有する。主面１０８上には、半導体素子１０４Ａ及びＢと、配線Ｌ１１及びＬ１２が形成されている。配線Ｌ１１は、左辺Ｓ１から右辺Ｓ２に到達するように形成されるとともに、半導体素子１０４Ａに結合されている。配線Ｌ１２は、少なくとも左辺Ｓ１に接するように形成されるとともに、半導体素子１０４Ｂに結合されている。さらに、右辺Ｓ２上における配線Ｌ１１の端部（ＴＲ０）と左辺Ｓ１上における配線Ｌ１２の端部（ＴＬ０）は、辺Ｓ１及びＳ２に垂直な同一直線上に実質的に位置するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップがパッケージに実装された状態でのヒューズ専用端子を不所望に増加させることなく、最終テスト工程での電気ヒューズ溶断を実現する。
【解決手段】第１パッド（Ｐ１）、第２パッド（Ｐ３）、第３パッド（Ｐ２）を半導体チップに設ける。上記第１パッドと上記第３パッドとの間には、所定電圧が印加されることでプログラミング可能な第１ヒューズ素子を有する第１ヒューズ部（ＷＦＭ）を設ける。上記第２パッドと上記第３パッドとの間には、所定電圧が印加されることでプログラミング可能な第２ヒューズ素子を有する第２ヒューズ部（ＰＦＭ）を設ける。上記第２パッドに結合された第１端子（Ｔ３）と、上記第３パッドに結合された第２端子（Ｔ２）をパッケージに設ける。上記第１端子は、上記第２端子とは電気的に独立しており、上記第１端子を介して、上記第２ヒューズ部にヒューズ溶断のための電圧を印加することができる。 （もっと読む）

【課題】短時間でプログラム状態の検査が行えるワンタイムプログラマブルメモリを内蔵した半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】電気的に切断可能なヒューズ素子１１と、第１スイッチ素子１２とが縦続接続されたメモリセル１３を複数有するワンタイムプログラマブルメモリ１４と、各メモリセル１３に、ヒューズ素子１１と第１スイッチ素子１２との接続ノードＮ１と、制御信号Ｖｍに応じて出力インピーダンスがハイインピーダンス状態になる内部回路１５に接続されている出力端子１６との間に接続され、制御信号Ｖｍに応じて駆動される第２スイッチ素子１７と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン配線構造を利用する場合にプログラム後の抵抗値のばらつきがなく高抵抗値化が図れ、良好なプログラム特性や高信頼性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の端子部１２ａと、第２の端子部１２ｃと、前記第１および第２の端子部の相互間を接続するヒューズリンク１２ｂとを有する半導体装置であって、前記第１の端子部および前記ヒューズリンクは、不純物イオンがドープされたポリシリコン層とその上に積層された金属元素を含む層とを有し、前記第２の端子部は、前記ヒューズリンクとの接続端側に不純物イオンがドープされていないポリシリコン層とその上に積層された金属元素を含む層とを有する。 （もっと読む）

【課題】トリミング処理部にヒューズ等の配線の再接続対策を施した場合でも、その再接続判定結果を保持するための特別なレジスタを不要とし、製造コストを最小限に抑えることが実現できるようにする。
【解決手段】トリミングデータをトリミング対象回路１４０に入力させることによって該トリミング対象回路１４０の回路特性値を調整するとき、トリミング対象回路１４０に入力させるトリミングデータを格納するシフトレジスタ１３０と、ヒューズの切断／非切断によってトリミングデータを発生するトリミング処理部１１０と、プリテスト時に外部入力したテスト用のトリミングデータＴＤＡＴＡをシフトレジスタ１３０に転送し、実際のトリミング時にトリミング処理部１１０で発生したトリミングデータをシフトレジスタ１３０に転送するセレクタ部１２０とを備える。 （もっと読む）